JP2001111401A - 半導体双方向スイッチ用信号伝送回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゲート駆動回路を含む信号伝送回路の小型，
低価格化を図る。 【解決手段】 駆動電源Ｅｄ２の負極を基準とする信号
を、電源Ｅｄ２に対し電位が正負に変動する駆動電源Ｅ
ｄ１の負極側に伝送すべく、Ｅｄ１の正極とＥｄ２の負
極間には信号伝送回路１を、Ｅｄ１の負極とＥｄ２の正
極間には信号伝送回路２をそれぞれ設けることで、従来
必要とされた高価な光，磁気絶縁部品などを不要とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体双方向ス
イッチ（単に双方向スイッチとも言う）の信号伝送回路
に関する。

【０００２】

【従来の技術】図３〜図５に双方向スイッチの例を示
す。図３ではトランジスタとダイオードが逆並列に接続
された半導体スイッチのコレクタ端子を共通として、逆
直列に２つ接続して構成され、図４ではトランジスタと
ダイオードが直列に接続された半導体スイッチを逆並列
に２つ接続して構成され、図５ではトランジスタのみを
逆並列に２つ接続して構成されている。図５では、トラ
ンジスタは逆耐圧がある（或る程度の逆電圧に耐えられ
る）ものとする。このような双方向スイッチでは、ゲー
ト信号の基準電位は２つ存在し、それらの電位は異なる
ことから、ゲート駆動に２つの駆動電源を必要とする。

【０００３】図６に双方向スイッチを用いた回路例とし
ての交流チョッパ回路を示す。図示のものは、エネルギ
ー蓄積用のリアクトルＬと、双方向スイッチＳＷ１，Ｓ
Ｗ２と、交流負荷と並列に接続されたコンデンサＣとか
ら構成されている。同図において、例えば双方向スイッ
チＳＷ２がオンすると、電源はリアクトルＬを介して短
絡し、リアクトルＬにエネルギーが蓄積される。その
後、双方向スイッチＳＷ２をオフし、双方向スイッチＳ
Ｗ１をオンすると、コンデンサＣに電源とリアクトルＬ
に蓄積されたエネルギーの和が印加される。このような
動作を繰り返すことで、交流負荷には電源と同期した振
幅の大きな電圧が印加されることになる。

【０００４】上述のように、双方向スイッチのゲート信
号の基準電位となるエミッタ電位は、双方向スイッチ１
つに付き２つあり、これら２つの電位は互いに異なって
いる。さらに、図６のような回路構成では、双方向スイ
ッチが２つあり、ゲート信号の基準電位は３つ存在する
ことになる。また、図６でエミッタ端子Ｅ２（またはＥ
３）を基準電位とした場合、エミッタ端子Ｅ１およびエ
ミッタ端子Ｅ４の電位は、コンデンサＣの電圧の変化に
伴い正負に変動する。そこで、従来はフォトカプラなど
でゲート信号と主回路の絶縁を行ない、双方向スイッチ
のゲート駆動を行なうようにしている。

【０００５】図７に双方向スイッチのゲート駆動回路の
従来例を示す。図示のように、信号発生回路ＰＧＵ、４
つのフォトカプラＰＣ１〜ＰＣ４および４つのゲート駆
動回路ＧＤＵ１〜ＧＤＵ４により構成されている。い
ま、例えば双方向スイッチＳＷ１のゲート信号がＨ（ハ
イ）レベルになったとする。すると図７のＴｒ２がオン
となり、フォトカプラＰＣ２のＴｒ５がオン、次いで、
ゲート駆動回路ＧＤＵ２のＴｒ７がオンとなる。これに
より、双方向スイッチＳＷ１のゲート端子Ｇ２に電流を
流すことができる。一方、双方向スイッチＳＷ１のゲー
ト信号がＬレベルになったとすると、フォトカプラＰＣ
２のＴｒ６がオンとなり、ゲート駆動回路ＧＤＵ２のＴ
ｒ８がオンとなる。これにより、双方向スイッチＳＷ１
のゲートＧ２の電荷を引き抜くことができる。他の双方
向スイッチのゲート駆動も、上記と同様に行なわれる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来技術では、絶縁のための絶縁距離が増大し、
回路が大型化するという問題が生じる。また、一般に光
絶縁部品や磁気絶縁部品はコストが高く、装置が高価に
なるという問題もある。したがって、この発明の課題は
双方向スイッチのゲート駆動装置の小型化，低コスト化
を図ることにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るため、請求項１の発明では、２つのゲート端子を持
ち、ゲート駆動に２つの駆動電源を必要とする半導体双
方向スイッチにおける第２の駆動電源の負極を基準とす
る信号を、第１の駆動電源の負極側に伝送する半導体双
方向スイッチ用信号伝送回路において、抵抗，ダイオー
ドおよびトランジスタからなり、前記第２の駆動電源の
負極を基準とする信号を前記第１の駆動電源の負極側に
伝送する第１の信号伝送回路を、第１の駆動電源の正極
と第２の駆動電源の負極との間に接続し、抵抗，ダイオ
ードおよびトランジスタからなり、第２の駆動電源の負
極を基準とする信号を第１の駆動電源の負極側に伝送す
る第２の信号伝送回路を、第１の駆動電源の負極と第２
の駆動電源の正極との間に接続したことを特徴とする。

【０００８】請求項２の発明では、２つのゲート端子を
持ち、ゲート駆動に２つの駆動電源をそれぞれ必要とす
る半導体双方向スイッチを２つ直列に接続し、第１の半
導体双方向スイッチの第２の駆動電源の負極と、第２の
半導体双方向スイッチの第１の駆動電源の負極とを同電
位となるように接続するとともに、抵抗，ダイオードお
よびトランジスタからなり、前記第１の半導体双方向ス
イッチの第２の駆動電源の負極を基準とする信号を第１
の半導体双方向スイッチの第１の駆動電源の負極側に伝
送する第１の信号伝送回路を、第１の半導体双方向スイ
ッチの第１の駆動電源の正極と第１の半導体双方向スイ
ッチの第２の駆動電源の負極との間に接続し、抵抗，ダ
イオードおよびトランジスタからなり、前記第１の半導
体双方向スイッチの第２の駆動電源の負極を基準とする
信号を第１の半導体双方向スイッチの第１の駆動電源の
負極側に伝送する第２の信号伝送回路を、第１の半導体
双方向スイッチの第１の駆動電源の負極と第２の半導体
双方向スイッチの第１の駆動電源の正極との間に接続し
たことを特徴とする。

【０００９】

【発明の実施の形態】図１はこの発明の第1の実施の形
態を示す回路図である。同図において、信号伝送回路１
は、抵抗Ｒ１，ダイオードＤ１，Ｎｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ
（Nチャンネル金属酸化物電界効果トランジスタ）Ｑ１
および抵抗Ｒ２を直列に接続した構成とする。ここで、
抵抗Ｒ１は双方向スイッチの第１の駆動電源Ｅｄ１の正
極に、抵抗Ｒ２は双方向スイッチの第２の駆動電源Ｅｄ
２の負極およびエミッタ端子Ｅ２にそれぞれ接続する。
また、ＭＯＳＦＥＴＱ１のゲートには、駆動電源Ｅｄ２
の負極を基準電位とする双方向スイッチＳＷのゲート信
号を入力する。

【００１０】一方、信号伝送回路２は、抵抗Ｒ４，ダイ
オードＤ２，Ｐｃｈ−ＭＯＳＦＥＴＱ２および抵抗Ｒ３
を直列に接続した構成とする。ここで、抵抗Ｒ３は駆動
電源Ｅｄ２の正極に、抵抗Ｒ４は駆動電源Ｅｄ１の負極
に、抵抗Ｒ４とダイオードＤ２の接続点は、駆動電源Ｅ
ｄ１で駆動するノアゲートＮＯＲの入力２にそれぞれ接
続する。さらに、駆動電源Ｅｄ２の負極を基準電位とす
る双方向スイッチＳＷのゲート信号を、駆動電源Ｅｄ２
で駆動するノットゲートＮＯＴ３に入力し、ＮＯＴ３の
出力はＰｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ（Ｐチャンネル金属酸化物
電界効果トランジスタ）Ｑ２のゲートに接続する。

【００１１】また、図１におけるＮＯＴ２の出力は、駆
動電源Ｅｄ１で駆動するＮＯＲの入力１に、ＮＯＲの出
力はＰｃｈ−ＭＯＳＦＥＴＱ６およびＮｃｈ−ＭＯＳＦ
ＥＴＱ５のゲート端子に、Ｑ５とＱ６のドレイン端子は
双方向スイッチＳＷのゲート端子Ｇ１に、Ｑ６のソース
端子は駆動電源Ｅｄ１の正極に、Ｑ５のソース端子は駆
動電源Ｅｄ１の負極および双方向スイッチＳＷのエミッ
タ端子Ｅ１にそれぞれ接続する。さらに、双方向スイッ
チＳＷのゲート信号は駆動電源Ｅｄ２で駆動するＮＯＴ
１の入力に、ＮＯＴ１の出力はＮｃｈ−ＭＯＳＦＥＴＱ
３およびＰｃｈ−ＭＯＳＦＥＴＱ４のゲート端子に、Ｑ
３とＱ４のドレイン端子は双方向スイッチＳＷのゲート
端子Ｇ２に、Ｑ４のソース端子は駆動電源Ｅｄ２の正極
に、Ｑ３のソース端子は駆動電源Ｅｄ２の負極および双
方向スイッチＳＷのエミッタ端子Ｅ２にそれぞれ接続す
る。

【００１２】図１において、双方向スイッチＳＷがオフ
している状態で、Ｅ２に対するＥ１の電位が正の場合を
考える。いま、双方向スイッチＳＷのゲート信号がＨレ
ベルになると、Ｑ１およびＱ２はオン状態となり、図示
の経路１（Ｅ１→Ｅｄ１→Ｒ１→Ｄ１→Ｑ１→Ｒ２→Ｅ
２）で電流が流れる（経路２では、ダイオードＤ２が逆
バイアスとなり、電流は流れない）。このとき、抵抗Ｒ
２によりＱ１のゲート電圧は自動制御されるため、Ｑ１
は活性状態で定電流動作を行なう。電流が流れること
で、抵抗Ｒ１に電圧降下が生じ、ＮＯＴ２の入力がＬレ
ベルとなる。これにより、ＮＯＲの出力はＬレベルとな
ることから、Ｑ６がオンとなり、双方向スイッチＳＷの
ゲートＧ１に電流を流すことができる。また、双方向ス
イッチＳＷがオンの状態になると、Ｅ２に対するＥ１の
電位差は０Ｖとなる。このとき、Ｑ１は飽和状態で動作
を行ない、駆動電源Ｅｄ１を抵抗Ｒ１およびＲ２で分圧
した電圧が抵抗Ｒ１に生じる。これにより、ＮＯＴ２の
入力がＬレベルとなり、双方向スイッチＳＷのゲートＧ
１に電流を流すことができる。

【００１３】次に、双方向スイッチＳＷがオフしている
状態で、Ｅ２に対するＥ１の電位が負の場合を考える。
いま、双方向スイッチＳＷのゲート信号が入力される
と、Ｑ１およびＱ２はオン状態となり、図示の経路２
（Ｅ２→Ｅｄ２→Ｒ３→Ｑ２→Ｄ２→Ｒ４→Ｅ１）で電
流が流れる（経路１では、ダイオードＤ１が逆バイアス
となり、電流は流れない）。このとき、抵抗Ｒ３により
Ｑ２のゲート電圧は自動制御されるため、Ｑ２は活性状
態で定電流動作を行なう。電流が流れることで、抵抗Ｒ
４の両端に電圧が生じ、ＮＯRの入力２がＨレベルとな
る。これにより、ＮＯＲの出力がＬレベルとなることか
ら、Ｑ６がオンとなり、双方向スイッチＳＷのゲートＧ
１に電流を流すことができる。また、双方向スイッチＳ
Ｗがオンの状態になると、Ｑ２は飽和状態で動作を行な
う。したがって、駆動電源Ｅｄ２を抵抗Ｒ３およびＲ４
で分圧した電圧が抵抗Ｒ４に生じる。これにより、ＮＯ
Ｒの入力２がＨレベルとなり、双方向スイッチＳＷのゲ
ートＧ１に電流を流すことができる。

【００１４】一方、ＳＷのゲート信号がＬレベルになる
とＱ１，Ｑ２はオフとなり、電流が流れないことから、
抵抗Ｒ１およびＲ４の両端には電圧が生じない。したが
って、ＮＯＲの出力はＨレベルとなってＱ５がオンとな
り、これによりゲートＧ１の電荷を引き抜くことができ
る。以上のように、駆動電源Ｅｄ２の負極を基準とする
信号を、駆動電源Ｅｄ２に対し電位が正負に変動する駆
動電源Ｅｄ１の負極側に伝送することができ、ゲート駆
動回路への適用が可能となる。

【００１５】図２はこの発明の第２の実施の形態を示す
回路図である。同図では、第１の双方向スイッチＳＷ１
のエミッタ端子Ｅ２と、第２の双方向スイッチＳＷ２の
エミッタ端子Ｅ３とを接続し、双方向スイッチＳＷ１の
第２の駆動電源Ｅｄ２の負極と、双方向スイッチＳＷ２
の第１の駆動電源Ｅｄ３の負極を同電位とする。信号伝
送回路１は、抵抗Ｒ１，ダイオードＤ１，Ｎｃｈ−ＭＯ
ＳＦＥＴＱ１および抵抗Ｒ２を直列に接続した構成とす
る。ここで、抵抗Ｒ１は第1の双方向スイッチＳＷ１の
第１の駆動電源Ｅｄ１の正極に、抵抗Ｒ２は第1の双方
向スイッチＳＷ１の第２の駆動電源Ｅｄ２の負極および
エミッタ端子Ｅ２に、抵抗Ｒ１とダイオードＤ１の接続
点は駆動電源Ｅｄ１で駆動されるノット回路ＮＯＴ２の
入力部にそれぞれ接続する。なお、ＭＯＳＦＥＴＱ１の
ゲートには、駆動電源Ｅｄ２の負極およびエミッタ端子
Ｅ２を基準電位とする双方向スイッチＳＷ１のゲート信
号を入力する。

【００１６】一方、信号伝送回路２は、抵抗Ｒ４，ダイ
オードＤ２，Ｐｃｈ−ＭＯＳＦＥＴＱ２および抵抗Ｒ３
を直列に接続した構成とする。ここで、抵抗Ｒ３は第２
の双方向スイッチＳＷ２の第１の駆動電源Ｅｄ３の正極
に、抵抗Ｒ４は駆動電源Ｅｄ１の負極に、抵抗Ｒ４とダ
イオードＤ２の接続点は、駆動電源Ｅｄ１で駆動される
ノアゲートＮＯＲ１の入力２にそれぞれ接続する。さら
に、駆動電源Ｅｄ２の負極およびエミッタ端子Ｅ２を基
準電位とする双方向スイッチＳＷ１のゲート信号を、駆
動電源Ｅｄ２で駆動されるノットゲートＮＯＴ３に入力
し、ＮＯＴ３の出力はＰｃｈ−ＭＯＳＦＥＴＱ２のゲー
トに入力する。

【００１７】また、図2のＮＯＲ１の出力端子は、Ｎｃ
ｈ−ＭＯＳＦＥＴＱ５およびＰｃｈ−ＭＯＳＦＥＴＱ６
のゲート端子に、ＭＯＳＦＥＴＱ５とＱ６のドレイン端
子は双方向スイッチＳＷ１のゲート端子Ｇ１に、Ｑ６の
ソース端子は電源Ｅｄ１の正極に、Ｑ５のソース端子は
電源Ｅｄ１の負極および双方向スイッチＳＷ１のエミッ
タ端子Ｅ１にそれぞれ接続する。さらに、双方向スイッ
チＳＷ１のゲート信号を、電源Ｅｄ２で駆動されるＮＯ
Ｔ１の入力に、ＮＯＴ１の出力はＭＯＳＦＥＴＱ３とＱ
４のゲートに、ＭＯＳＦＥＴＱ３とＱ４のドレイン端子
は双方向スイッチＳＷ１のゲート端子Ｇ２に、Ｑ４のソ
ース端子は電源Ｅｄ２の正極に、Ｑ３のソース端子は電
源Ｅｄ２の負極および双方向スイッチＳＷ１のエミッタ
端子Ｅ２にそれぞれ接続する。

【００１８】図２において、双方向スイッチＳＷ１がオ
フしている状態で、Ｅ２に対するＥ１の電位が正の場合
を考える。いま、双方向スイッチＳＷのゲート信号がＨ
レベルになると、Ｑ１およびＱ２はオン状態となり、図
示の経路１（Ｅ１→Ｅｄ１→Ｒ１→Ｄ１→Ｑ１→Ｒ２→
Ｅ２）で電流が流れる（経路２では、ダイオードＤ２が
逆バイアスとなり、電流は流れない）。このとき、抵抗
Ｒ２によりＱ１のゲート電圧は自動制御されるため、Ｑ
１は活性状態で定電流動作を行なう。電流が流れること
で、抵抗Ｒ１に電圧降下が生じ、ＮＯＴ２の入力がＬレ
ベルとなる。これにより、ＮＯＲ１の出力はＬレベルと
なることから、Ｑ６がオンとなり、双方向スイッチＳＷ
１のゲートＧ１に電流を流すことができる。また、双方
向スイッチＳＷ１がオンの状態になると、Ｅ２に対する
Ｅ１の電位差は０Ｖとなる。このとき、Ｑ１は飽和状態
で動作を行ない、駆動電源Ｅｄ１を抵抗Ｒ１およびＲ２
で分圧した電圧が抵抗Ｒ１に生じる。これにより、ＮＯ
Ｔ２の入力がＬレベルとなり、双方向スイッチＳＷ１の
ゲートＧ１に電流を流すことができる。

【００１９】次に、双方向スイッチＳＷ１がオフしてい
る状態で、Ｅ２に対するＥ１の電位が負の場合を考え
る。いま、双方向スイッチＳＷ１のゲート信号が入力さ
れると、Ｑ１およびＱ２はオン状態となり、図示の経路
２（Ｅ２→Ｅｄ３→Ｒ３→Ｑ２→Ｄ２→Ｒ４→Ｅ１）で
電流が流れる（経路１では、ダイオードＤ１が逆バイア
スとなり、電流は流れない）。このとき、抵抗Ｒ３によ
りＱ２のゲート電圧は自動制御されるため、Ｑ２は活性
状態で定電流動作を行なう。電流が流れることで、抵抗
Ｒ４の両端に電圧が生じ、ＮＯＲ１の入力２がＨレベル
となる。これにより、ＮＯＲ１の出力がＬレベルとなる
ことから、Ｑ６がオンとなり、双方向スイッチＳＷのゲ
ートＧ１に電流を流すことができる。また、双方向スイ
ッチＳＷ１がオンの状態になると、Ｑ２は飽和状態で動
作を行なう。したがって、駆動電源Ｅｄ３を抵抗Ｒ３お
よびＲ４で分圧した電圧が抵抗Ｒ４に生じる。これによ
り、ＮＯＲ１の入力２がＨレベルとなり、双方向スイッ
チＳＷのゲートＧ１に電流を流すことができる。

【００２０】一方、ＳＷ１のゲート信号がＬレベルにな
るとＱ１，Ｑ２はオフとなり、電流が流れないことか
ら、抵抗Ｒ１およびＲ４の両端には電圧が生じない。し
たがって、ＮＯＲ１の出力はＨレベルとなってＱ５がオ
ンとなり、これによりゲートＧ１の電荷を引き抜くこと
ができる。以上のように、駆動電源Ｅｄ２の負極を基準
とする信号を、駆動電源Ｅｄ２に対し電位が正負に変動
する駆動電源Ｅｄ１の負極側に伝達することができ、ゲ
ート駆動回路への適用が可能となる。

【００２１】

【発明の効果】この発明によれば、信号の基準電位を2
つ持つ半導体双方向スイッチにおいて、第1の基準電位
を基準とする信号を第２の基準電位に、絶縁部品を用い
ることなく伝送することが可能となる。特に、ウエハー
のチップ上に伝送回路を構成できるため、光絶縁部品や
磁気絶縁部品を用いる従来例に比べて絶縁距離を数十分
の１にでき、小型化できる。また、この発明をゲート駆
動回路等に用いれば、そこで用いられるトランジスタや
抵抗、さらには主回路のデバイス等を同一のウエハー上
で構成できるため、回路の集積化や小型化が達成でき
る。その結果、装置の大幅な小型，低価格化が実現でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施の形態を示す回路図であ
る。

【図２】この発明の第２の実施の形態を示す回路図であ
る。

【図３】半導体双方向スイッチの第1の例を示す回路図
である。

【図４】半導体双方向スイッチの第２の例を示す回路図
である。

【図５】半導体双方向スイッチの第３の例を示す回路図
である。

【図６】半導体双方向スイッチの適用例を示す回路図で
ある。

【図７】ゲート駆動回路の従来例を示す回路図である。

【符号の説明】

Ｅｄ１〜Ｅｄ４…駆動電源、Ｒ１〜Ｒ４…抵抗、Ｄ１，
Ｄ２…ダイオード、ＮＯＴ１〜ＮＯＴ３…ノットゲー
ト、Ｑ１，Ｑ３，Ｑ５…Ｎｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ、Ｑ２，
Ｑ４，Ｑ６…Ｐｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ、ＮＯＲ，ＮＯＲ１
…ノアゲート、ＳＷ，ＳＷ１，ＳＷ２…半導体双方向ス
イッチ、Ｇ１〜Ｇ４…ゲート端子、Ｅ１〜Ｅ４…エミッ
タ端子、Ｃ１〜Ｃ４…コレクタ端子。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5H740 BA12 BB01 BB06 BB08 BC01 BC02 HH05 JA01 JB01 5J055 AX44 AX47 BX01 BX17 CX26 DX04 DX10 DX44 DX61 DX72 DX74 DX82 DX84 EX07 EX10 EX11 EX19 EY01 EY03 EY12 EY21 EZ03 EZ07 EZ25 EZ66 GX01

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２つのゲート端子を持ち、ゲート駆動に
   ２つの駆動電源を必要とする半導体双方向スイッチにお
   ける第２の駆動電源の負極を基準とする信号を、第１の
   駆動電源の負極側に伝送する半導体双方向スイッチ用信
   号伝送回路において、 抵抗，ダイオードおよびトランジスタからなり、前記第
   ２の駆動電源の負極を基準とする信号を前記第１の駆動
   電源の負極側に伝送する第１の信号伝送回路を、第１の
   駆動電源の正極と第２の駆動電源の負極との間に接続
   し、抵抗，ダイオードおよびトランジスタからなり、第
   ２の駆動電源の負極を基準とする信号を第１の駆動電源
   の負極側に伝送する第２の信号伝送回路を、第１の駆動
   電源の負極と第２の駆動電源の正極との間に接続したこ
   とを特徴とする半導体双方向スイッチ用信号伝送回路。
2. 【請求項２】 ２つのゲート端子を持ち、ゲート駆動に
   ２つの駆動電源をそれぞれ必要とする半導体双方向スイ
   ッチを２つ直列に接続し、第１の半導体双方向スイッチ
   の第２の駆動電源の負極と、第２の半導体双方向スイッ
   チの第１の駆動電源の負極とを同電位となるように接続
   するとともに、 抵抗，ダイオードおよびトランジスタからなり、前記第
   １の半導体双方向スイッチの第２の駆動電源の負極を基
   準とする信号を第１の半導体双方向スイッチの第１の駆
   動電源の負極側に伝送する第１の信号伝送回路を、第１
   の半導体双方向スイッチの第１の駆動電源の正極と第１
   の半導体双方向スイッチの第２の駆動電源の負極との間
   に接続し、 抵抗，ダイオードおよびトランジスタからなり、前記第
   １の半導体双方向スイッチの第２の駆動電源の負極を基
   準とする信号を第１の半導体双方向スイッチの第１の駆
   動電源の負極側に伝送する第２の信号伝送回路を、第１
   の半導体双方向スイッチの第１の駆動電源の負極と第２
   の半導体双方向スイッチの第１の駆動電源の正極との間
   に接続したことを特徴とする半導体双方向スイッチ用信
   号伝送回路。