JP3607044B2 - 電圧切換え回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、異なる二つの電圧をプログラマブルに切換える電圧切換え回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、電力消費を抑えるために動作時とスタンバイ時で電源電圧を切換えたり、チップの端子を有効活用するために一つの端子に異なる信号電圧を選択的に出力したりすることが行われるが、こうした用途にはプログラマブルな電圧切換え回路が欠かせない。
【0003】
図3は、従来の電圧切換え回路の構成図である。この図において、VDD1、VDD2は切換え対象の電圧(ここでは便宜的に電源電圧とする)であり、この回路は、相補的な制御信号S1 、S1Xによって一対のpMOS1、2の一方をオン状態とすることにより、そのオン状態のpMOSを通してVoutをVDD1又はVDD2とし、このVoutで負荷RL をプログラマブルに駆動するというものである。例えば、S1 をLレベル(S1XはHレベル)にすると、左側のpMOS1がオンしてVoutがVDD1になる結果、RL をVDD1で駆動できる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、かかる従来の電圧切換え回路にあっては、pMOS1、2の寄生ダイオード3、4の影響でVDD1とVDD2の間に無用な電流パスが生じることがあり、省電力性が損なわれるという問題点がある。
例えば、VDD1>VDD2の場合、上述のように左側のpMOS1をオン状態にすると、VoutはVDD1になるが、Voutは右側の寄生ダイオード4のアノード電位でもあるから、VDD1とVDD2の電位差が所定値(寄生ダイオード4の順方向電圧)を上回る場合、VDD1→pMOS1→Vout→寄生ダイオード4→VDD2の経路で無用な電流パスを生じてしまうからである。
【0005】
そこで、本発明は、pMOSの寄生ダイオードによる無用な電流パスを生じさせないことを目的とする。
【0006】
請求項1に係る発明は、第1の端子にソース及び基板電位を接続した第1のpMOSと、第2の端子にソース及び基板電位を接続した第2のpMOSと、前記第1のpMOSのドレインにドレインを接続し出力端子にソースを接続した第1のnMOSと、前記第2のpMOSのドレインにドレインを接続し前記出力端子にソースを接続した第2のnMOSとを備え、前記第1及び第2のnMOSの基板電位を、前記第1の端子及び前記第2の端子の印加電位のうちの低い方の電位以下にしたことを特徴とする。
【0007】
請求項2に係る発明は、第1の端子にソース及び基板電位を接続した第1のpMOSと、第2の端子にソース及び基板電位を接続しドレインを出力端子に接続した第2のpMOSと、前記第1のpMOSのドレインにドレインを接続し前記出力端子にソースを接続したnMOSとを備え、前記第2の端子の印加電位は、前記第1の端子の印加電位よりも大きく、前記nMOSの基板電位を、前記第1の端子の印加電位以下にしたことを特徴とする。
【0008】
本発明では、出力端子と第1の端子又は第2の端子との間に第1のnMOS又は第2のnMOS(請求項2に係る発明では出力端子と第1の端子との間にnMOS)が介在し、これらnMOSの寄生ダイオードのアノードは基板電位に接続されている。基板電位は、上記のとおり、第1の端子及び前記第2の端子の印加電位のうちの低い方の電位以下である。説明の便宜上、第1の端子及び第2の端子の印加電位をそれぞれ正極性とすれば、典型的には、グランド電位である。すなわち、nMOSの寄生ダイオードのアノードはグランド電位に接続されることとなり、要するに出力端子には接続されないから、仮にpMOSに寄生ダイオードがあったとしても、出力端子とこれら寄生ダイオードとの間にnMOSの寄生ダイオードが介在しないから、無用な電流パスは生じない。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図1は本発明に係る電圧切換え回路の一実施例を示す図である。本実施例では、特に限定しないが、異なる電位の二つの電源電圧VDD1、VDD2(説明の便宜上、VDD1>VDD2>0Vとする)をプログラマブルに選択して負荷RL を駆動する電源電圧切換え回路を例にしている。
【0010】
まず、構成を説明すると、図1において、10及び11はpMOS、12及び13はnMOS、14は第1のレベル変換部、15は第2のレベル変換部である。なお、“pMOS”はpチャネル型のMOSトランジスタ、“nMOS”はnチャネル型のMOSトランジスタであり、いずれもエンハンスメント(ノーマリオフ)タイプのものである。
【0011】
VDD1を印加するためのノード16を“第1の端子”、VDD2を印加するためのノード17を“第2の端子”、負荷RL への出力電圧Voutを取り出すためのノード18を“出力端子”と呼称すれば、これらの端子と各トランジスタの間、及びトランジスタ相互の接続関係は、以下のとおりである。
(1)pMOS10のソース→第1の端子16
(2)pMOS11のソース→第2の端子17
(3)nMOS12のソース→出力端子18
(4)nMOS13のソース→出力端子18
(5)nMOS12のドレイン→pMOS10のドレイン
(6)nMOS13のドレイン→pMOS11のドレイン
すなわち、pMOS10は特許請求の範囲に記載の第1のpMOSに相当し、nMOS12は同第1のnMOSに相当し、pMOS11は同第2のpMOSに相当し、nMOS13は同第2のnMOSに相当することになる。
【0012】
また、各トランジスタの基板電位は、図示のとおり、pMOS10はVDD1、pMOS11はVDD2であるが、nMOS12とnMOS13は(図示の例の場合)グランド電位である。このグランド電位は、特許請求の範囲に記載の「第1の端子16及び第2の端子17の印加電位(VDD1、VDD2)のうちの低い方の電位(VDD2)以下」に相当する。
【0013】
S1 とS1Xは相補関係(一方がLレベルのときに他方がHレベルになる関係)にある一対の制御信号である。S1 は左側のpMOS10のゲートに印加されると共に、第2のレベル変換部15を介して右側のnMOS13のゲートに印加され、S1Xは右側のpMOS11のゲートに印加されると共に、第1のレベル変換部14を介して左側のnMOS12のゲートに印加されている。
【0014】
nMOS12のゲートに印加される信号S1X’とnMOS13のゲートに印加される信号S1’ は、そのHレベルがそれぞれ第1のレベル変換部14と第2のレベル変換部15によって“所定値”にレベルアップされている。この所定値は、以下の説明でも明らかとなるが、S1X’にあっては、VDD2よりもnMOSのしきい値Vth_nだけ高いレベル、S1’ にあっては、VDD1よりもVth_nだけ高いレベルである。
【0015】
次に作用を説明する。S1 をLレベルにすると、S1XはHレベルになり、左側のpMOS10がオンし、右側のpMOS11はオフする。同時に、S1X’(Hレベル)によって左側のnMOS12がオンし、S1’ (Lレベル)によって右側のnMOS13がオフする。
したがって、この場合(S1 =Lレベル)は、第1の端子16と出力端子12とが接続し、第2の端子17と出力端子18とが非接続になるので、VoutにはVDD1相当の電位が現れる。
【0016】
但し、Voutはオン側のnMOS12のソース電位であり、nMOSのソース電位はゲート電位よりもVth_nだけ低くなるから、ゲート電位(すなわちS1X’のHレベル)を適正にしなればVout=VDD1にならない。
第1のレベル変換部14はS1X’のHレベルをVDD1+Vth_nにレベルアップするものである。同様な理由で、第2のレベル変換部15はS1’ のHレベルをVDD2+Vth_nにレベルアップするものである。
【0017】
以上のとおり、本実施例においては、制御信号S1 、S1Xの論理を入れ替えるだけで、異なる電位の二つの電源電圧VDD1、VDD2をプログラマブルに選択して負荷RL を駆動できるという電圧切換え回路を実現できるが、これに加えて、以下の格別な効果が得られる。
すなわち、図中に示す四つのダイオード記号19〜22は、各トランジスタの寄生ダイオードを表わしているが、pMOS19、17の寄生ダイオード19、20はそのアノードとカソードをソース−ドレイン間に接続しているのに対して、nMOS12、13の寄生ダイオード21、22はカソードだけをドレインに接続(アノードはグランドに接続)している。これは、nMOS12、13の基板電位をグランドにしたからであり、寄生ダイオードのアノードはnMOSの基板に接続されるからである。
【0018】
したがって、このような寄生ダイオード19〜22の接続関係によれば、例えば、第1の端子16と出力端子18との間が接続された場合、出力端子18と第2の端子17の間に寄生ダイオードを含む無用な電流パスが生じないため、省電力性を損なうことがない。
なお、上記実施例は、VDD1>VDD2やVDD1<VDD2のいずれの条件にも適用できる点で実用的であるが、一方の条件だけを考慮するのであれば、図2に示すように、高電位側だけにnMOSとレベル変換部を設けて構成を簡素化してもよい。
【0019】
すなわち、図2(a)はVDD1<VDD2の条件に適用できるもの、図2(b)はVDD1>VDD2の条件に適用できるものである。図2(b)の動作は上記実施例と同様であるため省略するが、VDD1<VDD2の条件でVoutにVDD1を取り出す場合は、図2(a)において、S1 をLレベル(S1XをHレベル)にすればよい。pMOS10がオン、pMOS11がオフし、同時に第1のレベル変換部14からのS1X’(Hレベル)によりnMOS12がオンするため、VoutにVDD1を取り出すことができる。この場合、VoutとVDD2の間には右側のpMOS11の寄生ダイオード20が介在するが、このときのVoutはVDD1であり、VDD1<Vdd2であるから、寄生ダイオード20は逆バイアスとなって無用な電流パスを生じない。
【0020】
また、上記各実施例では、nMOSの基板電位をグランドとしているが、これに限らない。要は、第1の端子16及び第2の端子17の印加電位(VDD1、VDD2)のうちの低い方の電位以下の安定した電位であればよい。但し、基板電位はMOSトランジスタの実効しきい値に影響を与えるいわゆるバックゲート効果をもつから、その基板電位に合わせてS1’ やS1X’のレベルアップ分を調整すべきである。
【0021】
【発明の効果】
本発明によれば、電圧切換え回路の無用な電流パスを回避して省電力性を改善できるという従来技術にない格別な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施例の構成図である。
【図2】一実施例の簡素化した構成図である。
【図3】従来の構成図である。
【符号の説明】
10:第1のpMOS
11:第2のpMOS
12:第1のnMOS
13:第2のnMOS
16:第1の端子
17:第2の端子
18:出力端子
Claims (2)
- 第1の端子にソース及び基板電位を接続した第1のpMOSと、
第2の端子にソース及び基板電位を接続した第2のpMOSと、
前記第1のpMOSのドレインにドレインを接続し出力端子にソースを接続した第1のnMOSと、
前記第2のpMOSのドレインにドレインを接続し前記出力端子にソースを接続した第2のnMOSとを備え、
前記第1及び第2のnMOSの基板電位を、前記第1の端子及び前記第2の端子の印加電位のうちの低い方の電位以下にしたことを特徴とする電圧切換え回路。 - 第1の端子にソース及び基板電位を接続した第1のpMOSと、
第2の端子にソース及び基板電位を接続しドレインを出力端子に接続した第2のpMOSと、
前記第1のpMOSのドレインにドレインを接続し前記出力端子にソースを接続したnMOSとを備え、
前記第2の端子の印加電位は、前記第1の端子の印加電位よりも大きく、
前記nMOSの基板電位を、前記第1の端子の印加電位以下にしたことを特徴とする電圧切換え回路。
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- 1997-06-16 JP JP15726397A patent/JP3607044B2/ja not_active Expired - Fee Related
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