JP2001111374A

JP2001111374A - 圧電デバイスとその製造方法

Info

Publication number: JP2001111374A
Application number: JP28435399A
Authority: JP
Inventors: Keiji Onishi; 慶治大西; Masahito Sugimoto; 雅人杉本; Tetsuo Ootsuchi; 哲郎大土; Katsunori Moritoki; 克典守時
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-10-05
Filing date: 1999-10-05
Publication date: 2001-04-20

Abstract

(57)【要約】【課題】高周波化に伴い、圧電素子の取り扱いが困難
であり、圧電デバイスが大型化するという課題を有して
いた。【解決手段】少なくとも２つ以上の平面的に配列され
た圧電素子と、前記圧電素子の対向する２つの主面に形
成された励振電極と、少なくとも２つ以上の隣接した前
記圧電素子を架橋するように配置され、前記圧電素子と
接着固定された支持基板とを備えたことを特徴とする圧
電デバイス。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機器等
に使用される圧電デバイスおよびその製造方法に関す
る。特に、複数の圧電振動素子を平面的に配列し、相互
に接続することにより構成した圧電デバイスおよびその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】移動体通信機器の小型化、デジタル化に
ともない、機器を構成するキーデバイスの１つである圧
電デバイスの高性能化が求められている。特に、ＩＦフ
ィルタに用いられる、バルク波を利用した圧電デバイス
の高周波化、広帯域化への要望が高まっている。

【０００３】このような要望に対して、圧電基板を薄板
化することにより振動周波数を高周波化し、高結合圧電
基板を使用することにより広帯域デバイスを実現してい
る。以下に、従来の圧電デバイスについて、図面を参照
しながら説明する。

【０００４】図１１は、従来の圧電デバイスの構造を示
す図である。図１１において、２０１は圧電基板、２０
２は励振電極、２０３は圧電素子、２０４は接着剤、２
０５は気密容器である。圧電基板２０１として、例えば
高結合係数のタンタル酸リチウムを用いている。

【０００５】次に、前記従来の圧電デバイスの製造方法
を説明する。まず、圧電基板２０１の対向する主面上
に、弾性波を励振するための励振電極２０２を形成す
る。電極材料としては、金やアルミニウムなどが使用さ
れる。次に、前記励振電極が形成された圧電基板を、ダ
イシング装置等により個々に分割し、圧電素子２０３と
する。

【０００６】次に、個々の圧電素子２０３を気密容器２
０５に接着剤２０４を用いて実装する。接着剤２０４と
しては、導電性接着剤等が用いられる。また、気密容器
２０５としては、アルミナからなるセラミックパッケー
ジが使用される。それぞれの圧電素子２０３は、気密容
器内に形成された配線パターンと電気的に接続し、圧電
デバイスを構成する。図１１は、例えば圧電素子２０３
として圧電共振子を梯子型に接続することにより、フィ
ルタを構成した例である。

【０００７】以上のように、複数の圧電素子を一体に実
装し、それぞれの圧電素子を電気的に接続することでフ
ィルタ等の機能性圧電デバイスを実現することが可能と
なっていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の圧電デバイスの場合には、高周波化に伴って圧電素
子の形状が小型化し、特に基板厚さが極端に薄くなるた
めに、取り扱いが困難であるという課題を有していた。
そのために、動作周波数の高周波化が困難であった。ま
た、個々の圧電素子を実装し電気的接続を図っているた
め、製造コストの高騰を招き、さらには圧電デバイスの
形状が大型化するという課題を有していた。

【０００９】本発明は、前記従来の課題を解決するもの
であり、圧電素子の取り扱いを容易にするとともに、小
型かつ低コストの圧電デバイスとその製造方法を提供す
ることを目的とする。特に、圧電素子を集積化し構成し
た圧電デバイスとその製造方法を提供することを目的と
する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の圧電デバイスは、少なくとも２つ以上の、
平面的に配列された圧電素子と、前記圧電素子の対向す
る２つの主面に形成された励振電極と、少なくとも２つ
以上の隣接した前記圧電素子を架橋するように配置さ
れ、前記圧電素子と接着固定された支持基板とを備えた
ことを特徴としている。

【００１１】また、圧電基板の対向する２つの主面上に
励振電極を形成する工程と、前記圧電基板と基台とを貼
り合わせ一体化する工程と、前記貼り合わせ一体化され
た圧電基板に溝加工を施し、個々の圧電素子に分離する
工程と、支持基板が少なくとも２つ以上の隣接した前記
圧電素子を架橋するように、前記圧電素子との位置合わ
せをする工程と、前記圧電素子と前記支持基板とを接着
固定する工程と、前記基台と前記圧電素子とを分離する
工程とを備えた圧電デバイスの製造方法を特徴としてい
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１から図１０を用いて詳細に説明する。

【００１３】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１における圧電デバイスの構造の概略を示す斜視図
である。また、図２から図４は本発明の実施の形態１に
おける圧電デバイスの製造方法を示す工程図である。図
１から図４において、１０１は圧電基板、１０２は励振
電極、１０３は圧電素子、１０４は支持基板、１０５は
接着剤、１０６は平行基台、１０７は接着剤、１０８は
水平基台である。

【００１４】以下に、本実施の形態における圧電デバイ
スの構造について、そのプロセスを追って詳細に説明す
る。

【００１５】まず、圧電基板１０１の一方主面上に励振
電極１０２を形成する。次に、前記励振電極１０２が形
成された面を、平行基台１０６上に接着剤１０７または
ワックス等を用いて接着固定する（図２（ａ））。そし
て、前記圧電基板１０１を、所定の厚さまで薄板化研磨
する（図２（ｂ））。なお、本実施の形態では、圧電基
板としてタンタル酸リチウムを用いたが、圧電基板材料
になんら制約はない。

【００１６】バルク振動を利用した圧電デバイスでは、
圧電基板の厚さによって動作周波数が決定される。例え
ば、動作周波数を１００ＭＨｚとすると、材料によって
も異なるが、圧電基板の厚さはおよそ２０μｍ程度とな
る。この程度の厚さになると、圧電基板単体でのハンド
リングが困難となるため、平行基台上に仮接着し、圧電
基板の薄板化を行った。なお、薄板化された圧電基板の
平行度は、前記平行基台の平行度に依存するため、平行
基台１０６としては、圧電基板に要求される平行度と同
等以上の平行度を有することが好ましい。さらには、接
着剤１０７の厚さを均一にすることが必要となる。ま
た、圧電基板の厚さは、前記平行基台、接着層および圧
電基板の総厚さで管理し、所定の厚さまで片面研磨によ
り薄板化を行うことが好ましい。

【００１７】次に、前記圧電基板１０１の研磨面に、先
に形成した励振電極１０２に対向するもう一方の励振電
極１０２を形成する（図２（ｃ））。次いで、前記圧電
基板１０１を、ダイシング装置等により個々に分割す
る。図２においては、圧電基板１０１のみを分割した構
造を示しているが、接着剤１０７または平行基台１０６
を部分的に分割除去してもよい。これにより、複数の圧
電素子１０３が２次元的に配列された圧電基板が得られ
る。

【００１８】次に、個々に分割された圧電素子を支持す
る方法について、そのプロセスを図３および図４を用い
て説明する。図３は、支持基板１０４に接着剤１０５を
転写する工程を示す断面模式図であり、図４は、支持基
板１０４を圧電素子１０３に接着固定する工程を示す斜
視図である。

【００１９】本実施の形態では、支持基板１０４とし
て、あらかじめ所定の大きさに分割したガラスを用い
た。まず、別途用意された水平基台１０８上に、例えば
紫外線硬化型の接着剤１０５をスピンコート法等により
均一に塗布する（図３（ａ））。そして、前記支持基板
１０４を前記水平基台１０８に接触させ（図３
（ｂ））、接着剤１０５を転写する（図３（ｃ））。な
お、本実施の形態では、接着剤１０５の厚みを約３μｍ
とした。

【００２０】本実施の形態では、支持基板としてガラス
を使用したが、材料に特に制約はない。しかし、支持基
板と圧電基板との熱膨張係数差が小さくなるように、材
料を選ぶことが好ましい。特に、圧電基板と同じ材料を
使用することで、環境温度の変化に対しても、熱応力が
発生せずに、良好な特性を有する圧電デバイスを得るこ
とができる。また、水平基台、接着剤についても材料等
に特に制約はない。

【００２１】次に、前記接着剤１０５が転写された支持
基板１０４を、複数の圧電素子１０３を架橋するように
載置し、接着剤１０５を硬化させる（図４（ｂ））。本
実施の形態では、隣り合った５つの圧電素子を一括して
支持するように、前記支持基板１０４を配置した。そし
て、前記圧電素子１０３を平行基台１０６より分離する
ことにより、複数の圧電素子１０３が互いに音響的に分
離され、なおかつ一括して取り扱える圧電デバイスを得
ることができる（図４（ｃ））。

【００２２】そして、気密容器に前記圧電デバイスを実
装し、ボンディングワイヤ等により電気的接続を行い、
金属製の蓋等により封止を行うことにより、超小型で製
造容易な高周波動作の圧電デバイスを得ることができ
る。

【００２３】従来は、複数の圧電素子を分離し前記圧電
素子を個別に実装していたため、取り扱いが非常に困難
であり、デバイスの小型化あるいは高周波化に限界があ
ったが、本実施の形態のように支持基板により複数の圧
電素子を支持する構造を備えることで、取り扱いが容易
になるとともに実装面積を最小に抑えることが可能とな
る。

【００２４】本実施の形態では、ストリップ型のバルク
振動子を使用した場合について示したが、圧電素子の振
動モード、形状等にはなんら制約はない。

【００２５】また、本実施の形態では圧電素子の両端部
に支持基板を配置したが、図５に示すように片持ち構造
としても、同様の効果を得ることができる。特に、たわ
み振動を利用した圧電デバイスに対してこの構造は有効
である。

【００２６】さらに、図６に示すように、圧電素子を２
段配列することで、より多くの圧電素子を一体化するこ
とができ、圧電デバイスの高性能化が可能となる。

【００２７】以上のように、少なくとも２つ以上の平面
的に配列された圧電素子と、前記圧電素子の対向する２
つの主面に形成された励振電極と、少なくとも２つ以上
の隣接した前記圧電素子を架橋するように配置され、前
記圧電素子と接着固定された支持基板とを備えたことを
特徴とする圧電デバイスにより、素子の動作周波数が高
周波化し素子厚さが薄くなった場合においても、複数の
圧電素子を一括して取り扱うことができ、実装面積を最
小限に抑えることができ、小型高性能の圧電デバイスを
提供することができる。また、個別の圧電素子を整列実
装する必要がなく、製造コストを低減することが可能で
ある。

【００２８】さらに、支持基板として圧電基板と同じ材
料を使用することにより、環境温度の変化に対しても、
熱応力の影響がなく高性能の圧電デバイスを得ることが
できる。

【００２９】また、支持基板としてガラスを使用するこ
とにより、加工性が容易で、製造コストを抑えることが
可能で、低コストの圧電デバイスを得ることができる。
この場合には、さらに圧電素子とガラスとの熱膨張係数
差が小さい方が好ましい。

【００３０】（実施の形態２）図７は、本発明の実施の
形態２における圧電デバイスの構造を示す支持基板部の
垂直断面図である。図７において、１０１は圧電基板、
１０２は励振電極、１０３は圧電素子、１０４は支持基
板、１０５は接着剤、１０９は電極パターンである。

【００３１】以下に、本実施の形態における圧電デバイ
スの構造について、そのプロセスを追って詳細に説明す
る。

【００３２】本発明の実施の形態１と同様にして、圧電
基板１０１の一方主面上に励振電極１０２を形成する。
次に、前記励振電極１０２が形成された面を、平行基台
１０６上に接着剤１０５またはワックス等を用いて接着
固定する。そして、前記圧電基板１０１を所定の厚さま
で薄板化研磨する。なお、本実施の形態では圧電基板と
してタンタル酸リチウムを用いたが、圧電基板材料にな
んら制約はない。次に、前記圧電基板１０１の研磨面に
先に形成した励振電極１０２に対向するもう一方の励振
電極１０２を形成する。次いで、前記圧電基板１０１を
ダイシング装置等により個々に分割する。これにより、
複数の圧電素子１０３が２次元的に配列された圧電基板
が得られる。

【００３３】次に、個々に分割された圧電素子を支持す
る方法について説明する。本実施の形態では、支持基板
１０４にあらかじめ電極パターン１０９を形成してい
る。そして、前記電極パターン１０９に選択的に導電性
を有する接着剤１０５を転写塗布する。次に、励振電極
１０２の引き出し電極と前記電極パターン１０９とを位
置あわせし、前記接着剤を硬化させる。なお、本実施の
形態では、支持基板１０４としてガラスを、接着剤１０
５として熱硬化型の導電性接着剤を用いた。そして、前
記圧電素子１０３を平行基台１０６より分離することに
より、複数の圧電素子１０３が互いに音響的に分離さ
れ、なおかつ一括して取り扱える圧電デバイスを得るこ
とができる。

【００３４】そして、気密容器に前記圧電デバイスを実
装し、必要に応じてボンディングワイヤ等により素子
間、気密容器間の電気的接続を行い、金属製の蓋等によ
り封止を行うことにより、超小型で、製造容易な、高周
波動作の圧電デバイスを得ることができる。

【００３５】なお、本実施の形態では、支持基板に形成
された電極パターンと前記支持基板と対向する面に形成
された励振電極との導通を図っているが、図８に示すよ
うに、支持基板と反対の面に形成された励振電極に対し
て、さらに導電性接着剤１０５をポッティングすること
により、少なくとも素子間の電気的接続を一括して導電
性接着剤で行うこともできる。

【００３６】本実施の形態では、支持基板としてガラス
を使用したが、材料に特に制約はない。しかし、支持基
板と圧電基板との熱膨張係数差が小さくなるように、材
料を選ぶことが好ましい。特に、圧電基板と同じ材料を
使用することで、環境温度の変化に対しても、熱応力が
発生せずに、良好な特性を有する圧電デバイスを得るこ
とができる。また、接着剤についても材料等に特に制約
はない。

【００３７】以上の説明のように、従来は複数の圧電素
子を分離し、前記圧電素子を個別に実装していたため、
取り扱いが非常に困難であり、デバイスの小型化、ある
いは高周波化に限界があったが、本実施の形態のように
支持基板により複数の圧電素子を支持する構造を備える
ことで、取り扱いが容易になるとともに実装面積を最小
に抑えることが可能となる。

【００３８】本実施の形態では、ストリップ型のバルク
振動子を使用した場合について示したが、圧電素子の振
動モード、形状等にはなんら制約はない。また、本実施
の形態においても、支持基板の配置に関して、支持基板
を片端または両端に配置してもよい。

【００３９】また、図９は、本発明の実施の形態におけ
る別の圧電デバイスの構造を示す支持基板部の垂直断面
図である。図９において、１０１は圧電基板、１０２は
励振電極、１０３は圧電素子、１０４は支持基板、１０
５は接着剤、１０９は電極パターン、１１０は突起であ
る。

【００４０】本構造においては、支持基板１０４に形成
された電極パターン１０９上に、さらに導電性を有する
突起１１０が備えられている。これにより、接着剤１０
５の広がりを制御することが可能であり、圧電素子１０
３の配列間隔を極小にすることができるとともに、素子
間の電気的短絡を防止することができる。

【００４１】なお、本実施の形態のように、突起を介し
て圧電素子を固定支持する場合には、特に支持基板の形
状に制約はない。

【００４２】以上のように、少なくとも２つ以上の平面
的に配列された圧電素子と、前記圧電素子の対向する２
つの主面に形成された励振電極と、少なくとも２つ以上
の隣接した前記圧電素子を架橋するように配置され、前
記圧電素子と接着固定された、支持基板とを備えたこと
を特徴とする圧電デバイスであって、支持基板の少なく
とも一方主面上に電極パターンが形成され、前記支持基
板と前記圧電素子とが導電性接着剤により接着固定され
た圧電デバイスにより、素子の動作周波数が高周波化し
素子厚さが薄くなった場合においても、複数の圧電素子
を一括して取り扱うことができ、実装面積を最小限に抑
えることができ、小型高性能の圧電デバイスを提供する
ことができる。また、個別の圧電素子を整列実装する必
要がなく、製造コストを低減することが可能である。

【００４３】さらに、支持基板として、圧電基板と同じ
材料を使用することにより、環境温度の変化に対して
も、熱応力の影響がなく、高性能の圧電デバイスを得る
ことができる。

【００４４】また、支持基板としてガラスを使用するこ
とにより、加工性が容易で、製造コストを抑えることが
可能で、低コストの圧電デバイスを得ることができる。
この場合には、圧電素子とガラスとの熱膨張係数差が小
さい方が好ましい。

【００４５】また、支持基板に突起を備えることで、接
着剤の広がりを抑えることができ、素子間隔をさらに極
小にできるとともに、素子間の電気的短絡を防止するこ
とが可能となる。

【００４６】（実施の形態３）図１０は、本発明の実施
の形態３における圧電デバイスの構造を示す斜視図であ
る。図１０において、１０１は圧電基板、１０２は励振
電極、１０３は圧電素子、１０４は接着剤、１０５は支
持基板である。以下に、本実施の形態における圧電デバ
イスの構造について説明する。

【００４７】本発明の実施の形態１および２と同様にし
て、圧電基板１０１の一方主面上に励振電極１０２を形
成する。次に、前記励振電極１０２が形成された面を、
平行基台上に接着剤またはワックス等を用いて接着固定
する。そして、前記圧電基板１０１を所定の厚さまで薄
板化研磨する。なお、本実施の形態においても、圧電基
板としてタンタル酸リチウムを用いたが、圧電基板材料
になんら制約はない。次に、前記圧電基板１０１の研磨
面に、先に形成した励振電極１０２に対向するもう一方
の励振電極１０２を形成する。次いで、前記圧電基板１
０１をダイシング装置等により個々に分割する。これに
より、複数の圧電素子１０３が２次元的に分割配列され
た圧電基板が得られる。

【００４８】次に、個々に分割された圧電素子を支持す
る方法について説明する。本実施の形態では、支持基板
１０４にあらかじめ溝加工を施している。本実施の形態
では、支持基板１０４としてガラス基板を用い、溝加工
は、ダイシング装置を用いて、支持基板の半分の厚さま
でハーフカットを行うことにより形成した。なお、化学
エッチング等により同様の形状を得ても本発明の効果に
は差し支えない。ここで、前記溝部は圧電素子の振動領
域に対応するように形成した。

【００４９】ここで、あらかじめ溝加工を施すことによ
り、圧電デバイスが小さくなった場合においても、支持
基板の取り扱いが容易になる。また、支持基板の剛性が
大きくなるため、ハンドリングする場合に、圧電素子へ
の応力が加わりにくくなり、前記圧電素子が屈曲し割れ
るといった不具合を防ぐことができる。

【００５０】次に、前記支持基板の溝部以外の領域に接
着剤を転写または印刷塗布し、前記の２次元的に配列さ
れた圧電素子と接着する。そして、前記圧電素子を平行
基台より分離することにより、溝部が形成された支持基
板と複数の圧電素子が一体となった圧電デバイスを得る
ことができる。

【００５１】本実施の形態では、接着剤として紫外線硬
化型の接着剤を用いたが、接着剤には制約はない。ま
た、接着剤に導電性を付与することで、本発明の実施の
形態２と同様の効果を得ることができる。

【００５２】このような構造をとることで、支持基板が
小型化した場合でも、支持基板の取り扱いが容易であ
り、また、圧電デバイスの取り扱いが容易になる。特
に、圧電デバイスを気密容器等に実装する際の取り扱い
を容易にすることができる。

【００５３】また、本実施の形態では支持基板としてガ
ラス基板を用いたが、例えば、同様の形状を有する誘電
体セラミック基板により形成してもよい。この場合に
は、前記誘電体セラミック積層体に回路素子パターンを
形成することができ、圧電デバイスの高性能化、高機能
化を実現することができる。

【００５４】以上の説明のように、従来は複数の圧電素
子を分離し前記圧電素子を個別に実装していたため、取
り扱いが非常に困難であり、デバイスの小型化、あるい
は高周波化に限界があったが、本実施の形態のように一
体の支持基板により複数の圧電素子を支持する構造を備
えることで、取り扱いが容易になるとともに実装面積を
最小に抑えることが可能となる。

【００５５】本実施の形態では、ストリップ型のバルク
振動子を使用した場合について示したが、圧電素子の振
動モード、形状等にはなんら制約はない。

【００５６】以上のように、少なくとも２つ以上の平面
的に配列された圧電素子と、前記圧電素子の対向する２
つの主面に形成された励振電極と、少なくとも２つ以上
の隣接した前記圧電素子を架橋するように配置され、前
記圧電素子と接着固定された、支持基板とを備えたこと
を特徴とする圧電デバイスであって、支持基板の少なく
とも一方主面上に溝部が形成された圧電デバイスによ
り、素子の動作周波数が高周波化し素子厚さが薄くなっ
た場合においても、複数の圧電素子を一括して取り扱う
ことができ、実装面積を最小限に抑えることができ、小
型高性能の圧電デバイスを提供することができる。ま
た、個別の圧電素子を整列実装する必要がなく、製造コ
ストを低減することが可能である。

【００５７】さらに、支持基板として、圧電基板と同じ
材料を使用することにより、環境温度の変化に対しても
熱応力の影響がなく、高性能の圧電デバイスを得ること
ができる。

【００５８】また、支持基板としてガラスを使用するこ
とにより、加工性が容易で、製造コストを抑えることが
可能で、低コストの圧電デバイスを得ることができる。
この場合には、圧電素子とガラスとの熱膨張係数差が小
さい方が好ましい。

【００５９】また、支持基板に突起を備えることで、接
着剤の広がりを抑えることができ、素子間隔を極小にで
きるとともに、素子間の電気的短絡を防止することが可
能となる。

【００６０】また、本実施の形態において、実施の形態
２のような突起を設けてもよい。支持基板に突起を備え
ることで、接着剤の広がりを抑えることができ、素子間
隔を極小にできるとともに、素子間の電気的短絡を防止
することが可能となる。

【００６１】

【発明の効果】以上の実施の形態の説明より明らかなよ
うに、本発明の圧電デバイスは、少なくとも２つ以上の
平面的に配列された圧電素子と、前記圧電素子の対向す
る２つの主面に形成された励振電極と、少なくとも２つ
以上の隣接した前記圧電素子を架橋するように配置さ
れ、前記圧電素子と接着固定された支持基板とを備えた
ことを特徴としており、前記圧デバイスを得るために、
圧電基板の対向する２つの主面上に励振電極を形成する
工程と、前記圧電基板と基台とを貼り合わせ一体化する
工程と、前記貼り合わせ一体化された圧電基板に溝加工
を施し、個々の圧電素子に分離する工程と、支持基板が
少なくとも２つ以上の隣接した前記圧電素子を架橋する
ように、前記圧電素子との位置合わせをする工程と、前
記圧電素子と前記支持基板とを接着固定する工程と、前
記基台と前記圧電素子とを分離する工程とを備えた圧電
デバイスの製造方法を特徴としている。

【００６２】これにより、高周波化に伴い、小型化、薄
板化する圧電素子の取り扱いを容易にするとともに、複
数の圧電素子を一括して取り扱うことができる。また、
複数の圧電素子を実装する面積を大幅に小型化すること
ができ、超小型の圧電デバイスを提供することができ
る。また、個別の圧電素子を整列実装する必要がなく、
製造コストを低減することが可能である。

【００６３】さらに、支持基板として、圧電基板と同じ
材料を使用することにより、環境温度の変化に対して
も、熱応力の影響がなく、高性能の圧電デバイスを得る
ことができる。

【００６４】また、支持基板としてガラスを使用するこ
とにより、加工性が容易で、製造コストを抑えることが
可能で、低コストの圧電デバイスを得ることができる。
この場合には、圧電素子とガラスとの熱膨張係数差が小
さい方が好ましい。

【００６５】また、支持基板として誘電体セラミックス
を使用することにより、圧電デバイスの高性能化を図る
ことができる。

【００６６】また、支持基板に、複数の圧電素子の相互
接続のための配線パターン、または回路素子パターンを
形成することにより、圧電デバイスの高性能化、高機能
化を図ることができる。

【００６７】また、支持基板に突起を備えることで、接
着剤の広がりを抑えることができ、素子間隔を極小にで
きるとともに、素子間の電気的短絡を防止することがで
きる。

【００６８】また、支持基板に溝加工を施すことによ
り、圧電デバイスが小さくなった場合においても、支持
基板の取り扱いが容易になる。また、支持基板の剛性が
大きくなるため、ハンドリングする場合に、圧電素子へ
の応力が加わりにくくなり、前記圧電素子が屈曲し割れ
るといった不具合を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１における圧電デバイスの
構造を示す斜視図

【図２】本発明の実施の形態１における圧電デバイスの
製造方法を示す工程断面図

【図３】本発明の実施の形態１における圧電デバイスの
製造方法を示す工程断面図

【図４】本発明の実施の形態１における圧電デバイスの
製造方法を示す工程斜視図

【図５】本発明の実施の形態１における他の圧電デバイ
スの構造を示す斜視図

【図６】本発明の実施の形態１における他の圧電デバイ
スの構造を示す斜視図

【図７】本発明の実施の形態２における圧電デバイスの
構造を示す断面図

【図８】本発明の実施の形態２における圧電デバイスの
構造を示す断面図

【図９】本発明の実施の形態２における圧電デバイスの
構造を示す断面図

【図１０】本発明の実施の形態３における圧電デバイス
の構造を示す斜視図

【図１１】従来の圧電デバイスの構造を示す平面図

【符号の説明】

１０１圧電基板１０２励振電極１０３圧電素子１０４支持基板１０５，１０７接着剤１０６平行基台１０８水平基台１０９電極パターン１１０突起

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０３Ｈ 9/54 Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｚ (72)発明者大土哲郎大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者守時克典大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5J108 AA07 BB01 CC04 EE03 EE07 EE18 GG03 GG16 GG17 JJ01 KK03 MM04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも２つ以上の平面的に配列され
た圧電素子と、前記圧電素子の対向する２つの主面に形
成された励振電極と、少なくとも２つ以上の隣接した前
記圧電素子を架橋するように配置され、前記圧電素子と
接着固定された支持基板とを備えたことを特徴とする圧
電デバイス。
【請求項２】支持基板の少なくとも一方の主面上に電
極パターンが形成され、前記支持基板と圧電素子とが、
導電性接着剤により接着固定されたことを特徴とする請
求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】支持基板に溝部が形成され、前記支持基
板により平面的に配列された複数の圧電素子を一括して
接着固定したことを特徴とする請求項１に記載の圧電デ
バイス。
【請求項４】支持基板に突起が形成され、前記突起を
介して前記支持基板と圧電素子とが接着固定されたこと
を特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項５】突起が導電性を有し、前記支持基板に形
成された電極パターンと、圧電素子の励振電極と直接ま
たは導電性接着剤を介して接続されたことを特徴とする
請求項４に記載の圧電デバイス。
【請求項６】圧電素子と支持基板とが、同じ材料から
なることを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項７】支持基板がガラスからなることを特徴と
する請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項８】支持基板が誘電体セラミックからなるこ
とを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項９】支持基板に、複数の圧電素子の相互接続
のための配線パターンまたは回路素子パターンが形成さ
れたことを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項１０】圧電基板の対向する２つの主面上に励
振電極を形成する工程と、前記圧電基板と基台とを貼り
合わせ一体化する工程と、前記貼り合わせ一体化された
圧電基板に溝加工を施し、個々の圧電素子に分離する工
程と、支持基板が少なくとも２つ以上の隣接した前記圧
電素子を架橋するように、前記圧電素子との位置合わせ
をする工程と、前記圧電素子と前記支持基板とを接着固
定する工程と、前記基台と前記圧電素子とを分離する工
程とを備えたことを特徴とする圧電デバイスの製造方
法。
【請求項１１】圧電基板の１つの主面上に励振電極を
形成する工程と、前記圧電基板の前記励振電極が形成さ
れた主面と、基台とを向かい合わせ、貼り合わせ一体化
する工程と、前記貼り合わせ一体化された圧電基板を薄
板化する工程と、前記薄板化された圧電基板に溝加工を
施し、個々の圧電素子に分離する工程と、支持基板が少
なくとも２つ以上の隣接した前記圧電素子を架橋するよ
うに、前記圧電素子との位置合わせをする工程と、前記
圧電素子と前記支持基板とを接着固定する工程と、前記
基台と前記圧電素子とを分離する工程とを備えたことを
特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項１２】支持基板の少なくとも一方主面上に電
極パターンが形成され、前記支持基板と圧電素子とが、
導電性接着剤により接着固定されたことを特徴とする請
求項１０または１１に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項１３】支持基板に突起を形成する工程を備え
たことを特徴とする請求項１０または１１に記載の圧電
デバイスの製造方法。
【請求項１４】支持基板に溝部が形成され、前記支持
基板により、平面的に配列された複数の圧電素子を一括
して接着固定したことを特徴とする請求項１０または１
１に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項１５】支持基板に、複数の圧電素子の相互接
続のための配線パターンまたは回路素子パターンが形成
されたことを特徴とする請求項１０または１１に記載の
圧電デバイスの製造方法。