JP2001108908A - レーザ顕微鏡及び共焦点型レーザ走査顕微鏡 - Google Patents

レーザ顕微鏡及び共焦点型レーザ走査顕微鏡

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 試料に照射する深紫外レーザ光の強度を制限
して試料の損傷を抑えるレーザ顕微鏡及び共焦点型レー
ザ走査顕微鏡を提供することである。 【解決手段】 深紫外レーザ光８を出射するレーザ光発
信装置１と、深紫外レーザ光８の強度を制限する減光フ
ィルタ切り換えユニット１１を有する顕微鏡本体４とを
備えているレーザ顕微鏡において、深紫外レーザ光８の
強度に対する試料１０の損傷の度合に係るマップを格納
するメモリ７ａを設け、外部から試料損傷制限値が入力
されたとき、マップに基づき減光フィルタ切り換えユニ
ット１１を切り換えてレーザ光の強度を調整するように
した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はレーザ顕微鏡及び
共焦点型レーザ走査顕微鏡に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細構造を観察する場合、顕微鏡の限界
解像力は、δを解像力、λを使用波長、ＮＡを対物レン
ズの開口数としたとき一般にδ＝λ／２ＮＡで表され
る。この式より解像力δを向上する方法は使用波長λを
短くするか、対物レンズの開口数ＮＡを大きくするか、
又は使用波長λを短くすると同時に対物レンズの開口数
ＮＡを大きくするかであることがわかる。
【０００３】細胞等の生体試料が観察対象の場合には、
使用波長を紫外域以下（３００ｎｍ以下）にまで短くす
ると、試料中に起きる光化学反応等によって試料そのも
のが損傷してしまうので、液浸系の対物レンズを用いる
ことにより解像力を向上させている。
【０００４】主に無機物の材料、特に集積回路が観察対
象の場合には、試料に対する損傷が少ないので、生体試
料とは逆に使用波長を短くして解像力を向上させてい
る。
【０００５】液浸系の対物レンズを使用すると油が試料
に付着し、金属配線が酸化して集積回路が短絡する等の
不具合を引き起こしてしまうので、液浸系の対物レンズ
の使用は好ましくない。
【０００６】しかし、使用波長を短くすると言っても、
Ｘ線や電子線の波長領域を使う顕微鏡では装置の構造や
操作が複雑になってしまい、使い勝手が良くないので使
用波長は限られる。
【０００７】一方、近年、半導体分野において、ＩＣ等
の集積回路に代表される微細構造物は小型化の一途をた
どっている。微細周期構造（半導体プロセスではライン
＆スペースと呼ばれる）では、繰返し周期が０．２５μ
ｍを下回ると従来の光学顕微鏡で試料の周期構造をコン
トラスト良く解像することが理論的に難しい。
【０００８】それに対して、深紫外連続発振レーザを光
源として用い、０．９程度の高開口数の対物レンズを用
いて０．１０μｍの解像力を得ることができる。深紫外
連続発振レーザとして、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの
４倍高調波である２６６ｎｍの光を、ＢＢＯ結晶を用い
て連続発振させるレーザがある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、無機物は深
紫外光による試料の損傷が生体試料に比べて少ないとは
いえ試料の損傷は起こる。例えば、試料が半導体ウエハ
上のレジストパターンであり、しかも、製造時にレジス
トに露光する波長と観察時に照射する光の波長とが近い
場合、露光総量が大きい場合には損傷してしまうという
問題がある。
【００１０】特に、共焦点型レーザ走査顕微鏡の場合に
は、試料表面の微小範囲にレーザ光が収束するので単位
面積当たりに試料が受けるエネルギーが大きくなり、一
括照明型（ケーラー照明）に比較し損傷の度合が大きく
なるという問題がある。
【００１１】この発明はこのような事情に鑑みてなされ
たもので、その課題は、深紫外光による試料の損傷を最
小限に抑えるレーザ顕微鏡及び共焦点型レーザ走査顕微
鏡を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め請求項１記載の発明は、深紫外レーザ光を出射する光
源と、前記深紫外レーザ光の強度を制限する制限手段を
有する顕微鏡本体とを備えているレーザ顕微鏡におい
て、前記深紫外レーザ光の強度に対する試料の損傷の度
合に係るマップを格納する記憶手段と、外部から試料損
傷制限値が入力されたとき、前記マップに基づき前記制
限手段を制御する制御手段とを備えていることを特徴と
する。
【００１３】上述のように、深紫外レーザ光の強度に対
する試料の損傷の度合に係るマップを格納する記憶手段
と、外部から試料損傷制限値が入力されたとき、マップ
に基づき制限手段を制御する制御手段とを備えているの
で、制御手段は試料に照射するレーザ光の強度を制限す
る。
【００１４】請求項２記載の発明は、深紫外レーザ光を
出射する光源と、前記深紫外レーザ光の強度を制限する
制限手段を有する顕微鏡本体とを備えている共焦点型レ
ーザ走査顕微鏡において、前記深紫外レーザ光の強度に
対する試料の損傷の度合に係るマップを格納する記憶手
段と、外部から試料損傷制限値が入力されたとき、前記
マップに基づき前記制御手段を制御する制御手段とを備
えていることを特徴とする。
【００１５】上述のように、共焦点型レーザ走査顕微鏡
において、制御手段は試料に照射するレーザ光の強度を
制限する。
【００１６】請求項３記載の発明は、請求項２記載の共
焦点型レーザ走査顕微鏡において、前記制御手段は外部
からピンホール調整信号が入力されたとき、ピンホール
の大きさを制御することを特徴とする。
【００１７】上述のように、ピンホールの大きさを制御
できるので、観察に必要な光量を得ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。
【００１９】図１はこの発明の第１の実施形態に係る共
焦点型レーザ走査顕微鏡を示すブロック図、図２は試料
の損傷度合、レーザ光の強度、ピンホールの大きさ及び
画像の明るさの関係を示すマップである。
【００２０】この共焦点型レーザ走査顕微鏡はレーザ光
発振装置（光源）１と、反射板２と、反射板３と、顕微
鏡本体４と、画像処理装置５と、ディスプレイ６と、コ
ンピュータ（制御手段）７と、除振台９とで構成されて
いる。
【００２１】レーザ光発振装置１は深紫外域のレーザ光
を出射する。
【００２２】顕微鏡本体４は減光フィルタ切り換えユニ
ット１１と、ビームエキスパンダ１４と、ビームスプリ
ッタ１５と、二次元スキャナユニット１６と、リレーレ
ンズ１７と、第一対物レンズ１８と、第一集光レンズ１
９と、ピンホール切り換えユニット２０と、光電子増倍
管２１とを有する。
【００２３】減光フィルタ切り換えユニット１１は複数
の減光能力の異なる減光フィルタ１１ａ，１１ｂ，１１
ｃを有し、減光フィルタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃの内一
つ（図１の場合、１１ｂ）を光路上に配置して、レーザ
光８の強度を制限する。
【００２４】ビームエキスパンダ１４はレンズ１４ａと
レンズ１４ｂとを有し、レーザ光８を第一対物レンズ１
８の瞳面を満たす大きさに拡大する。
【００２５】ビームスプリッタ１５はビームエキスパン
ダ１４を通過したレーザ光８を反射し、試料１０から反
射するレーザ光８を透過する。
【００２６】二次元スキャナユニット１６は反射板１６
ａ，１６ｂとを有し、レーザ光８を一定速度で二次元的
（ＸＹ方向）に走査する。
【００２７】リレーレンズ１７はレンズ１７ａとレンズ
１７ｂとを有し、レーザ光８を伝達する。
【００２８】第一対物レンズ１８はレーザ光８を集光
し、試料１０の表面においてスポット光１０ａを形成す
る。
【００２９】第一集光レンズ１９は焦点の合う像のみピ
ンホールを通過させ、光電子増倍管２１に捉えさせる。
【００３０】ピンホール切り換えユニット２０は大きさ
の異なる複数のピンホール２０ａ，２０ｂ，２０ｃを有
する。ピンホール２０ａ，２０ｂ，２０ｃの内一つ（図
１の場合、２０ｂ）を光路上に配置することができる。
ピンホール２０において焦点の合わない光はピンホール
２０によってほとんど遮られるので、焦点の合う像のみ
が鮮明に観察できる（これをセクショニング機能と言
う）。ピンホール２０ａ，２０ｂ，２０ｃはその大きさ
より狭い幅の光束のみを通過させるので、像の明るさも
同時に調節する。
【００３１】除振台９の上にはレーザ光発振装置１と反
射板２と反射板３と顕微鏡本体４とが載置されている。
【００３２】除振台９はレーザ光発振装置１から発生す
る振動を抑えて顕微鏡本体４に伝わらないようにして光
のぶれを防ぐ。また、除振台９は顕微鏡本体４の外部か
ら加わる振動を抑えて光のぶれを防ぐ。
【００３３】ピンホール切り換えユニット２０の後には
光電子増倍管２１が配置されている。光電子増倍管２１
は光を検出し、順次電気信号に変換する。
【００３４】光電子増倍管２１には画像処理装置５が接
続されている。画像処理装置５は電気信号を一時記憶
し、信号が一定量になると映像化可能な電気信号として
出力する。
【００３５】画像処理装置５にはディスプレイ６が接続
されている。ディスプレイ６は電気信号を画像に変換す
る。
【００３６】コンピュータ７はメモリ（記憶手段）７ａ
を有し、減光フィルタ切り換えユニット１１と、ピンホ
ール切り換えユニット２０と、光電子増倍管２１と、画
像処理装置５とに接続されている。
【００３７】コンピュータ７は、操作者が設定する試料
損傷制限値に基づき、許容される試料１０の損傷度合に
対する照射可能なレーザ光８の強度をマップから判断し
て、減光フィルタ切り換えユニット１１を駆動させ、減
光フィルタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃを移動し、ピンホー
ル２０ａ，２０ｂ，２０ｃの内一つを選択して光路上に
配置させる。
【００３８】また、操作者がピンホールの大きさＡ，
Ｂ，Ｃを設定すると、コンピュータ７は設定に応じて、
ピンホール切り換えユニット２０を駆動させ、ピンホー
ル２０ａ，２０ｂ，２０ｃを移動し，ピンホール２０
ａ，２０ｂ，２０ｃの内一つを選択して光路上に配置さ
せる。
【００３９】更にコンピュータ７は、画素の平均輝度が
マップ上の画像の明るさからはずれている場合に光電子
増倍管２１の感度を補正し、ディスプレイ６の画像の明
るさを調節させる。
【００４０】メモリ７ａは、図２に示すように予め試料
の損傷度合、照射可能なレーザ光８の強度、ピンホール
の大きさＡ，Ｂ，Ｃ及び画像の明るさの関係を示すマッ
プを記憶している。
【００４１】縦軸は試料１０の損傷度合を示す軸５０と
画像の明るさを示す軸５１，５２，５３である。画像の
明るさを示す軸５１，５２，５３は、それぞれピンホー
ル２０ａ，２０ｂ，２０ｃに対応する。ピンホール２０
ａ，２０ｂ，２０ｃの大きさはそれぞれＡ，Ｂ，Ｃであ
る。
【００４２】試料１０の損傷度合を示す軸５０の目盛り
は、試料１０の例として集積回路を使用した場合、集積
回路上に塗布されているレジスト線の幅の減り具合を示
し、レジスト線の幅がレーザ光８の照射前後で変わらな
いとき０％とし、レジスト線が完全に消滅したとき１０
０％とする。
【００４３】画像の明るさを示す軸５１，５２，５３の
目盛は画面の平均輝度のデジタル量を示す。
【００４４】横軸はレーザ光８の強度を示す軸５４であ
る。この軸の目盛りはレーザ光８の最大出力を１００％
とし、レーザ光８が試料１０に当たっていない状態を０
％とする。
【００４５】特性曲線５５は試料１０の損傷度合、レー
ザ光８の強度及び画像の明るさとの関係からレジストの
種類ごとに実験により予め求められている。
【００４６】次に、共焦点型レーザ走査顕微鏡の作動を
示す。
【００４７】レーザ光発振装置１から出射したレーザ光
８は反射板２，３において誘導され、顕微鏡本体４内へ
入る。
【００４８】レーザ光８は減光フィルタ切り換えユニッ
ト１１内の光路上に位置決めされている減光フィルタ１
１ｂにて適正な光量に調整された後に、ビームエキスパ
ンダ１４にて対物レンズ１８の瞳径を満たすように拡大
され、ビームスプリッタ１５にて反射された後、二次元
スキャナユニット１６に互いに直角な方向に走査されつ
つ、リレーレンズ１７を経て、対物レンズ１８にて試料
１０上に微小スポット光１０ａとして結像される。試料
１０上を二次元走査された微小スポット光１０ａの反射
光は、対物レンズ１８、リレーレンズ１７、二次元スキ
ャナユニット１６と逆戻りし、再び静止光ビームとなっ
て、ビームスプリッタ１５を透過する。その後、第一集
光レンズ１９によってピンホール切り換えユニット２０
内の光路上に位置決めされているピンホール２０ｂを通
りぬけた光のみが光電子増倍管２１にて光電変換され、
画像処理装置５にて画像信号に処理されて、ディスプレ
イ６に映し出される。
【００４９】次に図１，２に基づいてコンピュータ７の
操作順序を説明する。
【００５０】まず、操作者は試料損傷制限値を設定する
（例えばＹを設定する）。このとき、試料損傷制限値Ｙ
に基づく試料１０の損傷度合はＹ％となる。図２に示す
ように特性曲線５５において試料１０の損傷度合に対応
するレーザ光８の強度はＸ％となる。そこで、コンピュ
ータ７は減光フィルタ切り換えユニット１１を駆動し、
レーザ光８の強度がＸ％以下になるように減光フィルタ
１１ａ，１１ｂ，１１ｃから一つを選択し、光路上に移
動させる。
【００５１】次に、操作者はピンホール２０ａ，２０
ｂ，２０ｃの大きさＡ，Ｂ，Ｃの内一つを設定する（例
えば、Ｂを選択する）。そこで、コンピュータ７はピン
ホール切り換えユニット２０を駆動し、ピンホール２０
ｂを光路上に移動させる。このとき、ピンホールの大き
さがＢとなるので、画像の明るさは軸５２上のＺとな
る。
【００５２】この後、コンピュータ７は画像が暗い場合
には光電子増倍管２１の感度を補正させる。光電子増倍
管２１は画像の明るさがＺとなるように出力電圧を調整
する。
【００５３】この実施形態によれば、深紫外域のレーザ
光８を光源とする共焦点型レーザ走査顕微鏡において適
切な明るさで鮮明な画像を見ることができ、損傷を軽減
することができる。
【００５４】図３はこの発明の第２の実施形態に係るレ
ーザ顕微鏡を示すブロック図、図４は試料の損傷度合、
レーザ光の強度及び画像の明るさの関係を示すマップで
ある。この実施形態では、第１実施形態と共通する部分
には同一符号を付してその説明を省略する。
【００５５】この実施形態では、レーザ顕微鏡の例とし
て一括照明（ケーラー）型顕微鏡について説明する。
【００５６】この実施形態では、反射板２と反射板３に
換えて光ファイバ１０２を設けた。第一対物レンズ１８
に換えて第二対物レンズ１１８を設けた。第一集光レン
ズ１９に換えて第二集光レンズ１１９を設けた。光電子
増倍管２１に換えてＣＣＤカメラ１２１を設けた。コン
ピュータ７に換えてコンピュータ（制御手段）１０７を
設けた。ビームエキスパンダ１４とビームスプリッタ１
５との間に集光レンズ１２２を設けた。除振台９に換え
て除振台１０９を設けた。
【００５７】この一括照明（ケーラー）型顕微鏡はレー
ザ光発振装置（光源）１と、光ファイバ１０２と、顕微
鏡本体１０４と、画像処理装置５と、ディスプレイ６
と、コンピュータ（制御手段）１０７と、除振台１０９
とで構成されている。
【００５８】顕微鏡本体１０４は減光フィルタ切り換え
ユニット１１と、ビームエキスパンダ１４と、集光レン
ズ１２２と、ビームスプリッタ１５と、第二対物レンズ
１１８と、第二集光レンズ１１９と、ＣＣＤカメラ１２
１とを有する。
【００５９】光ファイバ１０２の材質は石英等で、光フ
ァイバ１０２はレーザ光発振装置１から顕微鏡本体１０
４内へレーザ光８を導く。
【００６０】第二対物レンズ１１８は試料１０に均一に
照射するようにレーザ光８を集光する。
【００６１】第二集光レンズ１１９はＣＣＤカメラ１２
１に試料１０の像を捉えられるように集光する。
【００６２】ＣＣＤカメラ１２１は捉えた光を電気信号
に変換する。
【００６３】ＣＣＤカメラ１２１には画像処理装置５が
接続され、画像処理装置５にはディスプレイ６が接続さ
れている。
【００６４】除振台１０９の上には顕微鏡本体１０４が
載置されている。除振台１０９は顕微鏡本体１０４の外
部から与えられる振動を抑え、光のぶれを防ぐ。
【００６５】コンピュータ１０７はメモリ（記憶手段）
１０７ａを有し、減光フィルタ切り換えユニット１１
と、ＣＣＤカメラ１２１と、画像処理装置５とに接続さ
れている。
【００６６】コンピュータ１０７は操作者が設定する試
料損傷制限値に基づき照射可能なレーザ光８の強度をマ
ップから判断して、減光フィルタ切り換えユニット１１
を駆動させ、減光フィルタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃを移
動し、減光フィルタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃの内一つを
選択して光路上に配置する。
【００６７】更にコンピュータ７は画素の平均輝度がマ
ップ上の画像の明るさからはずれている場合に、ＣＣＤ
カメラ１２１の蓄積時間を調整し、画像の明るさがＺと
なるようにする。
【００６８】メモリ１０７ａは、図４に示すように予め
試料の損傷の度合に対する照射可能なレーザ光８の強度
及び画像の明るさの関係を示すマップを記憶している。
【００６９】縦軸は試料１０の損傷度合を示す軸１５０
と画像の明るさを示す軸１５１である。
【００７０】横軸はレーザ光８の強度を示す軸１５４で
ある。
【００７１】特性曲線１５５は試料１０の損傷度合、レ
ーザ光８の強度及び画像の明るさとの関係からレジスト
の種類ごとに実験により予め求められている。
【００７２】次に、一括照明（ケーラー）型顕微鏡の作
動を示す。
【００７３】レーザ光発振装置１から出射したレーザ光
８は光ファイバ１０２において誘導され、顕微鏡本体１
０４内へ入る。
【００７４】レーザ光８は減光フィルタ切り換えユニッ
ト１１内の光路上に位置決めされている減光フィルタ１
１ｂにて適正な光量に調整された後、ビームエキスパン
ダ１４にて第二対物レンズ１１８の瞳径を満たすように
拡大され、集光レンズ１２２により集光され、ビームス
プリッタ１５にて反射された後、第二対物レンズ１１８
にて試料１０上に均一照射される。試料１０からの反射
光は第二対物レンズ１１８を逆戻りし、ビームスプリッ
タ１５を透過し、第二集光レンズ１１９によってＣＣＤ
カメラ１２１上に結像され、光電変換された後、画像処
理装置５にて画像信号に処理されてディスプレイ６に映
し出される。
【００７５】次に図３，４に基づいてコンピュータの操
作順序を示す。
【００７６】まず、操作者は試料損傷制限値を設定する
（例えばｙを設定する）。このとき、試料損傷制限ｙに
基づく試料の損傷度合はｙ％となる。図４に示すように
特性曲線５５において試料の損傷度合ｙ％に対応するレ
ーザ光８の強度はｘ％となる。
【００７７】そこで、コンピュータ７は減光フィルタ切
り換えユニット１１を駆動し、レーザ光８の強度がｘ％
以下になるように減光フィルタ１１ａ，１１ｂ，１１ｃ
の内から一つを選択し、光路上に移動させる。
【００７８】この後、コンピュータ７は画像が暗い場合
にはＣＣＤカメラ１２１の感度を補正させる。ＣＣＤカ
メラ１２１画像の明るさがＺとなるように蓄積時間を調
整する。
【００７９】この実施形態によれば、深紫外域のレーザ
光８を光源とする一括照明（ケーラー照明）型顕微鏡に
おいて適切な明るさの画像を見ることができ、試料の損
傷を軽減することができる。
【００８０】なお、上記各実施形態では減光フィルタ切
り換えユニット１１内に減光能力の異なる減光フィルタ
が１１ａ，１１ｂ，１１ｃの三種類有する場合について
述べたが、複数ならばいくつの減光フィルタを有するこ
とも可能である。
【００８１】また、複数個の個別減光フィルタの代わり
に、１枚の円盤内の減光度合いが連続的に変化している
減光フィルタを回転させて、同様の効果を得ることもで
きる。
【００８２】また、上記第１の実施形態では二次元スキ
ャナユニット１６の走査速度が一定の場合について述べ
たが、複数の固有の走査速度毎に求められている特性曲
線に基づいたマップを予めメモリ７ａ，１０７ａ内に記
憶しておき、異なる走査速度に対応できる。
【００８３】更に、上記第１の実施形態では大きさの異
なるピンホールとして２０ａ，２０ｂ，２０ｃの三種類
をピンホール切り換えユニット２０に有する場合につい
て述べたが、三種類に限らず複数ならばいくつのピンホ
ールを有することも可能である。
【００８４】また、上記第１の実施形態では、操作者が
設定値を入力するとコンピュータ７がレーザ光８の強度
の調節、ピンホール２０ａ，２０ｂ，２０ｃの選択及び
画像の明るさの調節を行わせたが、操作者がマニュアル
操作によりレーザ光８の強度、ピンホール２０ａ，２０
ｂ，２０ｃの選択及び画像の明るさを微調整することも
可能である。
【００８５】上記第２の実施形態では、操作者が設定値
を入力するとコンピュータ１０７がレーザ光８強度の調
節及び画像の明るさの調節を行わせたが、操作者がマニ
ュアル操作によりレーザ光８の強度及び画像の明るさを
微調整することも可能である。
【００８６】また、上記第２の実施形態では、レーザ光
発振装置１から顕微鏡本体１０４にレーザ光８を導く手
段として光ファイバ１０２を使用した場合について述べ
たが、光ファイババンドルを使用してもよい。
【００８７】
【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明のレ
ーザ顕微鏡によれば、レーザ光の照射による試料の損傷
を抑える。
【００８８】請求項２の発明の共焦点型レーザ走査顕微
鏡によれば、請求項１の発明と同様な効果がある。
【００８９】請求項３の発明の共焦点型レーザ走査顕微
鏡によれば、鮮明な像によって試料を観察できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はこの発明の第１の実施形態に係る共焦点
型レーザ走査顕微鏡装置を示すブロック図である。
【図２】図２はマップの一例を示す図である。
【図３】図３はこの発明の第２の実施形態に係るレーザ
顕微鏡を示すブロック図である。
【図４】図４はマップの一例を示す図である。
【符号の説明】
１ レーザ光発振装置（光源） ４ 顕微鏡本体 ７，１０７ コンピュータ（制御手段） ７ａ，１０７ａ メモリ（記憶手段） ８ レーザ光 １１ 減光フィルタ切り換えユニット（制限手段） ２０ａ，２０ｂ，２０ｃ ピンホール

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 深紫外レーザ光を出射する光源と、前記
    深紫外レーザ光の強度を制限する制限手段を有する顕微
    鏡本体とを備えているレーザ顕微鏡において、 前記深紫外レーザ光の強度に対する試料の損傷の度合に
    係るマップを格納する記憶手段と、 外部から試料損傷制限値が入力されたとき、前記マップ
    に基づき前記制限手段を制御する制御手段とを備えてい
    ることを特徴とするレーザ顕微鏡。
  2. 【請求項２】 深紫外レーザ光を出射する光源と、前記
    深紫外レーザ光の強度を制限する制限手段を有する顕微
    鏡本体とを備えている共焦点型レーザ走査顕微鏡におい
    て、 前記深紫外レーザ光の強度に対する試料の損傷の度合に
    係るマップを格納する記憶手段と、 外部から試料損傷制限値が入力されたとき、前記マップ
    に基づき前記制御手段を制御する制御手段とを備えてい
    ることを特徴とする共焦点型レーザ走査顕微鏡。
  3. 【請求項３】 前記制御手段は外部からピンホール調整
    信号が入力されたとき、ピンホールの大きさを制御する
    ことを特徴とする請求項２に記載の共焦点型レーザ走査
    顕微鏡。
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