JP2001106769A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】リードフレームに対する接着性が高くかつ耐半
田クラック性をはじめとする信頼性の高い半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を得ること。 【解決手段】１）フェノール性水酸基含有ポリアミド−
ポリブタジエン−アクリロニトリル共重合体、２）エポ
キシ樹脂、３）硬化剤、４）無機充填剤、必要により
５）硬化促進剤を含有する半導体封止用樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体の封止材に用
いられる、リードフレーム又は基板に対する密着性およ
び表面実装時の耐半田クラック性に優れるエポキシ樹脂
組成物及び半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】エポキシ樹脂は、耐熱性、電気特性、力
学特性等に優れているため、各種の電気、電子部品用に
使用されている。特に、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ
等の半導体素子の封止材料としては、大部分エポキシ樹
脂が使用されている。また、近年半導体素子の表面実装
方式が拡大しているが、表面実装方式の場合、実装時に
封止成型物のクラックが発生しやすい。更に最近ではパ
ッケージの多様化に伴い、従来リードフレームの素材と
しては、その主流であった４２アロイに代わり銅が増加
し、又、ＢＧＡにおいてはＢＧＡ基板樹脂（アクリレー
トまたはポリイミド）など封止樹脂の被着対象も多岐に
わたっている。このような状況の中で、耐クラック性、
耐湿信頼性、耐熱サイクル信頼性の維持向上に対する封
止樹脂の接着性の重要性がクローズアップされており、
接着性の高い封止樹脂組成物が強く要求されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、パッケージの
形態、パッケージサイズ等の多様化に伴い従来の組成物
では接着性の維持を図ることさえ困難となってきてい
る。一方、接着性の向上のため、エポキシ樹脂、硬化剤
などの組成物の主要な構成要素を変更することによる接
着性の向上は組成物の基本設計を最初から見直す必要が
あり、その改良には多大な労力を必要とする。そこで、
主要な構成要素を変更することなく接着性を向上できる
ような添加剤が望まれている。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成するために鋭意研究の結果本発明に至った。すなわ
ち本発明は（１）１）フェノール性水酸基含有ポリアミ
ド−ポリブタジエン−アクリロニトリル共重合体、２）
エポキシ樹脂、３）硬化剤、４）無機充填剤、必要によ
り５）硬化促進剤を含有する半導体封止用樹脂組成物、
（２）無機充填剤が組成物中で６０〜９２重量％となる
割合で含有された上記（１）記載の半導体封止用樹脂組
成物、（３）フェノール性水酸基含有ポリアミド−ポリ
ブタジエン−アクリロニトリル共重合体がフェノール性
水酸基を有するジカルボン酸とジアミンを反応させ得ら
れたものであって、該ジアミンとして３，４’−ジアミ
ノジフェニルエーテルを用いて得られたものであるた上
記（１）または（２）に記載の半導体封止用樹脂組成
物。（４）フェノール性水酸基含有ポリアミド−ポリブ
タジエン−アクリロニトリル共重合体が下記式

【０００５】

【化２】

【０００６】（式中、ｘ、ｙ、ｚ、ｌ、ｍ及びｎは、そ
れぞれ平均重合度であって、ｘ＝３〜７、ｙ＝１〜４、
ｚ＝５〜１５、ｌ＋ｍ＝２〜２００の整数を示し、ｍ／
（ｌ＋ｍ）≧０．０４である。）で示される共重合体で
ある上記（１）〜（３）の何れか１項に記載の半導体封
止用樹脂組成物、（５）上記（１）〜（４）の何れか１
項に記載の半導体封止用樹脂組成物により封止された半
導体装置に関する。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明において使用するフェノー
ル性水酸基含有ポリアミド−ポリブタジエン−アクリロ
ニトリル共重合体は、例えば次の方法で合成できる。即
ち、フェノール性水酸基を有するジカルボン酸に対して
過剰量のジアミンを加え、これらを例えば、亜リン酸エ
ステルとピリジン誘導体の存在下で縮合剤を使用して、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の有機溶媒中で窒素等の
不活性雰囲気下にて加熱攪拌、縮合反応を行って、フェ
ノール性水酸基を含有するポリアミドオリゴマーを生成
させる。この結果、得られた両末端がアミノ基となった
フェノール性水酸基含有ポリアミドオリゴマー溶液に、
両末端にカルボキシル基をもつポリブタジエン−アクリ
ロニトリル共重合体を添加し、重縮合することにより目
的とするフェノール性水酸基含有ポリアミド−ポリブタ
ジエン−アクリロニトリル共重合体を得ることができ
る。また、前記ジカルボン酸をジアミンに対して過剰に
して、両末端がカルボン酸基となったポリアミドを合成
し、これに対して両末端がアミノ基のポリブタジエン−
アクリロニトリル共重合体を反応させブロック化するこ
ともできる。更には、これらポリアミドまたはポリブタ
ジエン−アクリロニトリル共重合体の末端を変性して、
ブロック化できる官能基にし原料とすることも可能であ
る。このような官能基の組み合わせとして、ビニル基と
−ＮＨ基または−ＳＨ基等が挙げられる。この様に合成
されるブロック共重合体のポリアミド部分にフェノール
性水酸基を含有させるには、反応に供するジカルボン酸
またはジアミン中にフェノール性水酸基を含有したジカ
ルボン酸またはフェノール性水酸基を含有したジアミン
を混合して上記の縮重合を行うことにより可能である。
尚、これら反応に用いるジカルボン酸成分の一部をフェ
ノール性水酸基を有しないジカルボン酸に置き換えて反
応に供することもできる。

【０００８】フェノール性水酸基含有ポリアミド−ポリ
ブタジエン−アクリロニトリル共重合体に用いうるフェ
ノール性水酸基を有するジカルボン酸としては、例えば
５−ヒドロキシイソフタル酸、４−ヒドロキシイソフタ
ル酸、２−ヒドロキシフタル酸、３−ヒドロキシフタル
酸、２−ヒドロキシテレフタル酸等が、又、フェノール
性水酸基を有しないジカルボン酸としては、フタル酸、
イソフタル酸、テレフタル酸、ジカルボキシルナフタレ
ン、コハク酸、フマル酸、グルタル酸、アジピン酸、
１，３−シクロヘキサンジカルボン酸、４，４′−ジフ
ェニルジカルボン酸、３，３′−メチレン二安息香酸等
がそれぞれ挙げられる。

【０００９】また、用いうるジアミン成分としては、フ
ェノール性水酸基を含有するジアミンとして、３，３′
−ジアミン−４，４′−ジヒドロキシフェニルメタン、
２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
ヘキサフロロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４
−ヒドロキシフェニル）ジフロロメタン、３，４−ジア
ミノ−１，５−ベンゼンジオール、３，３′−ジヒドロ
キシ−４，４′−ジアミノビスフェニル、３，３′−ジ
アミノ−４，４′−ジヒドロキシビフェニル、２，２−
ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ケトン、
２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
スルフィド、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキ
シフェニル）エーテル、２，２−ビス（３−アミノ−４
−ヒドロキシフェニル）スルホン、２，２−ビス（３−
アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェニ
ル）メタン等が、又、フェノール性水酸基を含有しない
ジアミンとして、３，３′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′
−ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノナフタレン、
ピペラジン、ヘキサネチレンジアミン、テトラメチレン
ジアミン、ｍ−キシレンジアミン、４，４′−ジアミノ
ジフェニルメタン、４，４′−ジアミノベンゾフェノ
ン、２，２′−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、
３，３′−ジアミノジフェニルスルホン、３，３′−ジ
アミノジフェニル等がそれぞれ挙げられ、特に３，４′
−ジアミノジフェニルエーテルが好ましいが、本発明で
はこれらに限定されるものではない。

【００１０】これらのうちで特に好ましいフェノール性
水酸基含有ポリアミド−ポリブタジエン−アクリロニト
リル共重合体は下記式（化３）

【００１１】

【化３】

【００１２】（式中、ｘ、ｙ、ｚ、ｌ、ｍ及びｎは、そ
れぞれ平均重合度であって、ｘ＝３〜７、ｙ＝１〜４、
ｚ＝５〜１５、ｌ＋ｍ＝２〜２００の整数を示し、ｍ／
（ｌ＋ｍ）≧０．０４である。）で示される共重合体で
ある。

【００１３】両末端に種々の官能基を持つポリブタジエ
ン−アクリロニトリル共重合体は、Goodrich社からHyca
r CTBNとして市販されており、これらを前記のフェノー
ル性水酸基含有ポリアミドとブロック化するために使用
することができる。

【００１４】本発明においてフェノール性水酸基含有ポ
リアミド−ポリブタジエン−アクリロニトリル共重合体
の使用量は、樹脂組成物中の樹脂成分（エポキシ樹脂＋
硬化剤）に対し通常０．１〜４５重量％、好ましくは
０．３〜４０重量％である。０．１重量％以下の場合、
接着性向上効果が乏しく、４５重量％より多い場合、硬
化性、流動性、硬化物物性など半導体封止材として重要
な物性が低下し好ましくない。

【００１５】本発明に使用されるエポキシ樹脂として
は、通常、電気・電子部品に使用される物であれば良
く、通常フェノール性水酸基を２個以上有する化合物を
グリシジル化して得ることができる。用いうるエポキシ
樹脂の具体例としては、テトラブロモビスフェノール
Ａ、テトラブロモビスフェノールＦ、ビスフェノール
Ａ、テトラメチルビスフェノールＦ、ビスフェノール
Ｆ、ビスフェノールＳ若しくはビスフェノールＫ等のビ
スフェノール類、又はビフェノール若しくはテトラメチ
ルビフェノール等のビフェノール類、又はハイドロキノ
ン、メチルハイドロキノン、ジメチルハイドロキノン、
トリメチルハイドロキノン若しくはジ−ｔｅｒ．ブチル
ハイドロキノン等のハイドロキノン類、又はレゾルシノ
ール若しくはメチルレゾルシノール等のレゾルシノール
類、又はカテコール若しくはメチルカテコール等のカテ
コール類、又はジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシ
メチルナフタレン若しくはジヒドロキシジメチルナフタ
レン等のジヒドロキシナフタレン類等のグリシジル化物
やフェノール類若しくはナフトール類とアルデヒド類と
の縮合物、又はフェノール類若しくはナフトール類とキ
シリレングリコールとの縮合物、又はフェノール類とイ
ソプロペニルアセトフェノンとの縮合物、又はフェノー
ル類とジシクロペンタジエンとの反応物、又はビスメト
キシメチルビフェニルとナフトール類若しくはフェノー
ル類との縮合物等のグリシジル化物等が挙げられる。こ
れらは、市販若しくは公知の方法により得ることが出来
る。

【００１６】上記のフェノール類としては、フェノー
ル、クレゾール、キシレノール、ブチルフェノール、ア
ミルフェノール、ノニルフェノール、カテコール、レゾ
ルシノール、メチルレゾルシノール、ハイドロキノン、
フェニルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノー
ルＦ、ビスフェノールＫ、ビスフェノールＳ、ビフェノ
ール、テトラメチルビフェノール等が例示される。

【００１７】又、ナフトール類としては、１−ナフトー
ル、２−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、ジヒド
ロキシメチルナフタレン、ジヒドロキシジメチルナフタ
レン、トリヒドロキシナフタレン等が例示される。

【００１８】更に、アルデヒド類としては、ホルムアル
デヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ブチ
ルアルデヒド、バレルアルデヒド、カプロンアルデヒ
ド、ベンズアルデヒド、クロルベンズアルデヒド、ブロ
ムベンズアルデヒド、グリオキザール、マロンアルデヒ
ド、スクシンアルデヒド、グルタルアルデヒド、アジピ
ンアルデヒド、ピメリンアルデヒド、セバシンアルデヒ
ド、アクロレイン、クロトンアルデヒド、サリチルアル
デヒド、フタルアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、フルフラール、３−フルアルデヒド、３−メチルフ
ルフラール、５−メチルフルフラール、５−エチルフル
フラール、２−チオフェンカボキシアルデヒド、３−チ
オフェンカボキシアルデヒド、３−メチル−２−チオフ
ェンカボキシアルデヒド等が例示される。本発明に使用
されるエポキシ樹脂は、上記に例示されるが、これらに
限定されるものでなく、単独または数種混合して使用さ
れる。

【００１９】さらに、電気、電子用に使用されるため、
加水分解性塩素濃度が小さいエポキシ樹脂を使用するの
が好ましい。即ちエポキシ樹脂をジオキサンに溶解し、
１規定ＫＯＨで還流下３０分処理した時の脱離塩素で規
定される、加水分解性塩素が０．２重量％以下のものが
好ましく、０．１５重量％以下のものがより好ましい。

【００２０】硬化剤は、電気、電子部品に用いられるも
のであれば良く、具体的には、テトラブロモビスフェノ
ールＡ、テトラブロモビスフェノールＦ、ビスフェノー
ルＡ、テトラメチルビスフェノールＦ、ビスフェノール
Ｆ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＫ、ビフェノー
ル、テトラメチルビフェノール、ハイドロキノン、メチ
ルハイドロキノン、ジメチルハイドロキノン、トリメチ
ルハイドロキノン、ジ−ｔｅｒ．ブチルハイドロキノ
ン、レゾルシノール、メチルレゾルシノール、カテコー
ル、メチルカテコール、ジヒドロキシナフタレン、ジヒ
ドロキシメチルナフタレン、ジヒドロキシジメチルナフ
タレン等のフェノール性水酸基を２個有する２官能硬化
剤、又はフェノール類若しくはナフトール類とアルデヒ
ド類との縮合物、又はフェノール類若しくはナフトール
類とキシリレングリコールとの縮合物又はフェノール類
とイソプロペニルアセトフェノンとの縮合物、又はフェ
ノール類とジシクロペンタジエンとの反応物、又はビス
メトキシメチルビフェニルとナフトール類若しくはフェ
ノール類との縮合物等のフェノール性多官能硬化剤が例
示される。これらの硬化剤は、単独または数種混合して
使用される。又、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤等
の他の硬化剤と併用してもよい。

【００２１】上記の硬化剤の原料として使用しうるフェ
ノール類としては、フェノール、クレゾール、キシレノ
ール、ブチルフェノール、アミルフェノール、ノニルフ
ェノール、カテコール、レゾルシノール、メチルレゾル
シノール、ハイドロキノン、フェニルフェノール、ビス
フェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＫ、
ビスフェノールＳ、ビフェノール、テトラメチルビフェ
ノール等が例示される。

【００２２】又、同じく硬化剤の原料として使用しうる
ナフトール類としては、１−ナフトール、２−ナフトー
ル、ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシメチルナフ
タレン、ジヒドロキシジメチルナフタレン、トリヒドロ
キシナフタレン等が例示される。

【００２３】更に、同じく硬化剤の原料として使用しう
るアルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、アセトア
ルデヒド、プロピルアルデヒド、ブチルアルデヒド、バ
レルアルデヒド、カプロンアルデヒド、ベンズアルデヒ
ド、クロルベンズアルデヒド、ブロムベンズアルデヒ
ド、グリオキザール、マロンアルデヒド、スクシンアル
デヒド、グルタルアルデヒド、アジピンアルデヒド、ピ
メリンアルデヒド、セバシンアルデヒド、アクロレイ
ン、クロトンアルデヒド、サリチルアルデヒド、フタル
アルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、フルフラー
ル、３−フルアルデヒド、３−メチルフルフラール、５
−メチルフルフラール、５−エチルフルフラール、２−
チオフェンカボキシアルデヒド、３−チオフェンカボキ
シアルデヒド、３−メチル−２−チオフェンカボキシア
ルデヒド等が例示される。

【００２４】硬化剤の使用量は、エポキシ樹脂中のエポ
キシ基に対し通常０．３〜１．５当量、好ましくは０．
５〜１．３当量である。０．３当量以下の場合未反応エ
ポキシ基が多くなり、１．５当量以上の場合、未反応硬
化剤の量が多くなり、硬化物としたときの熱的及び機械
的物性が低下して好ましくない。

【００２５】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
に使用される無機充填剤は、電気、電子部品用のエポキ
シ樹脂組成物に使用される物であれば良く、炭酸カルシ
ュウム、クレー、タルク、ケイ藻土、シリカ、窒化アル
ミ、窒化珪素、アルミナ、マグネシア、カーボランダ
ム、ダイヤモンド等が例示される。尚、この様な、硬質
無機充填剤を多量にエポキシ樹脂組成物に配合した場
合、配合組成物を均一に分散させるために、ロール、ニ
ーダー等で混練、混合を行うのが好ましい。

【００２６】本発明の半導体封止用樹脂組成物におい
て、無機充填剤の含有量は任意であるが、６０重量％よ
り少なくなると、耐半田クラック性が著しく低下し、９
２重量％より多いと、組成物の粘度が急激に上昇するた
め、成形特性が大幅に低下する。従って樹脂組成物にお
ける無機充填剤の含量は、６０〜９２重量％が好まし
い。

【００２７】本発明の半導体封止用樹脂組成物におい
て、必要により用いる硬化促進剤としては、トリフェニ
ルフォスフィン、ビス（メトキシフェニル）フェニルフ
ォスフィン等のフォスフィン類、２メチルイミダゾー
ル、２エチル４メチルイミダゾール等のイミダゾール
類、トリスジメチルアミノメチルフェノール、ジアザビ
シクロウンデセン等の３級アミン類が例示される。

【００２８】硬化促進剤の使用量は、エポキシ樹脂１０
０重量部当たり、通常０．２〜５．０重量部、好ましく
は、０．２〜４．０重量部である。また、本発明の半導
体封止用樹脂組成物は、必要に応じ、顔料、離型剤、難
燃剤、シランカップリング剤等を添加することが出来
る。

【００２９】本発明の樹脂組成物は、各成分を所定の割
合で均一に混合することにより得ることができる。本発
明の樹脂組成物は従来知られている方法と同様の方法で
容易にその硬化物とすることができる。例えばエポキシ
樹脂と硬化剤を予め、１００〜２００℃に加温し、少な
くともエポキシ樹脂または硬化剤のどちらか一方を溶融
させ、この溶融液に他方を溶解させた後、押出機、ロー
ル、ニーダー等でフェノール性水酸基含有ポリアミド−
ポリブタジエン−アクリロニトリル共重合体、無機充填
剤、並びに必要により顔料、離型剤、難燃剤、シランカ
ップリング剤及び硬化促進剤等を添加、混合することに
より得ることが出来る。また、場合により溶融工程を経
ずに上記各成分を押出機、ロール、ニーダー等で混合し
ても良い。得られた樹脂組成物は通常トランスファー成
型機等を用いて成型し硬化させるが、更に８０〜２００
℃で２〜１０時間後硬化を行うと硬化物の物性が向上す
る。また、液状封止材とする場合には液状エポキシ樹脂
を用い、本発明の樹脂組成物を室温で混合し製造でき
る。また、溶剤に溶解した形で本発明の樹脂組成物を使
用することもできる。

【００３０】本発明の半導体装置は前記の本発明の樹脂
組成物で封止されたもの等の本発明の樹脂組成物の硬化
物を有する。半導体装置としては、例えばＤＩＰ（デュ
アルインラインパッケージ）、ＱＦＰ（クワッドフラッ
トパッケージ）、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）、Ｃ
ＳＰ（チップサイズパッケージ）等が挙げられる。

【００３１】

【実施例】以下、本発明を合成例、実施例により更に詳
細に説明する。尚、本発明はこれら実施例に限定される
ものではない。また、実施例中特に断りがない限り、部
は重量部を示す。

【００３２】合成例１ フェノール性水酸基含有芳香族ポリアミド−ポリブタジ
エン−アクリロニトリル共重合体（ポリアミドＡ）の合
成。 イソフタル酸１９．９３ｇ（１２０ミリモル）、３，
４′−ジアミノジフェニルエーテル３０．６３ｇ（１５
３ミリモル）、５−ヒドロキシイソフタル酸３．６４ｇ
（２０ミリモル）、塩化リチウム３．９ｇ、塩化カルシ
ウム１２．１ｇ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン２４０ｍ
ｌ、ピリジン５４ｍｌを１リットルの４ツ口丸底フラス
コの中に入れ、攪拌溶解させた後、亜リン酸トリフェニ
ル７４ｇを加えて、９０℃で４時間反応させて、フェノ
ール性水酸基含有芳香族ポリアミドオリゴマー体を生成
させた。これに両末端にカルボキシル基を持つポリブタ
ジエン−アクリロニトリル共重合体（Hycar CTBN、BF G
oodrich 製。ポリブタジエンアクリロニトリル部に含有
するアクリロニトリル成分が１７モル％で、分子量が約
３６００）４８ｇを２４０ｍｌのＮ−メチル−２−ピロ
リドンに溶かした液を加えて、更に４時間反応させた
後、室温に冷却、この反応液をメタノール２０リットル
に投入して本発明に使用するフェノール性水酸基含有芳
香族ポリアミド−ポリブタジエン−アクリロニトリル共
重合体（ポリブタジエン−アクリロニトリル共重合体部
の含有量；５０重量％、フェノール性水酸基の含有量；
約１４モル％）を析出させた。この析出ポリマーを更に
メタノールで洗浄とメタノール還流して精製した。この
ポリマーの固有粘度は０．８５ｄｌ／ｇ（ジメチルアセ
トアミド、３０℃）であった。ポリマー粉末を拡散反射
法により赤外スペクトルを測定したところ、１６７４ｃ
ｍ^-1にアミドカルボニル基を、２８５６−２９７５ｃｍ
^-1にブタジエン部分のＣ−Ｈ結合に基づく吸収を、２２
４５ｃｍ^-1にニトリル基に基づく吸収を認めた。

【００３３】実施例１、２、比較例１、２ 表１の配合物の組成の欄に示す配合物をミキシングロー
ル（前半９０℃／後半１００℃）にて、均一に混合し本
発明及び比較用のエポキシ樹脂組成物を得た。この組成
物を粉砕し、タブレットマシンでタブレットを得た。得
られたタブレットをリードフレームにトランスファー成
型機で、成型（１７５℃×６０秒）し、更に１６０℃×
２時間＋１８０℃×６時間の条件で後硬化し、測定用試
験片とし、下記に示す物性の評価を行った。評価結果を
表１の硬化物の物性の欄に併せて示す。尚、表１の配合
物の組成の欄に示す数値は部を表す。尚、接着性評価用
のリードフレームとしては図１に示すような銅製評価用
リードフレームを作成し使用した。また、耐半田クラッ
ク性評価用のリードフレームとしては、銅製９６Ｐｉｎ
ＱＦＰ（パッケージサイズ：１４×１４×厚み１．３５
ｍｍ、チップサイズ：７×７×厚み０．４ｍｍ）リード
フレームを使用した。

【００３４】接着強度の試験（引き抜き法） 得られた試験片を図２のように成形し、樹脂封止された
部分を固定し、引き抜き部を万能引っ張り試験機により
クロスヘッドスピード３ｍｍ／分にて引き抜くことによ
って行なった。この時の接着面積は７４．２５ｍｍ^２平
方ミリメートルである。

【００３５】耐半田クラック性の試験 前記のようにして得られた試験片を８５℃／８５％ＲＨ
の相対湿度に設定された恒温槽中に、所定時間（２４時
間）放置して吸湿させた後、２２０℃の半田浴に１０秒
間浸漬し熱処理を行った。この時の熱衝撃により発生し
たパッケージクラックについて、目視によってクラック
の発生が認められたものを×とし、目視、超音波探傷機
いずれにおいてもクラックの発生が認められなかったも
のを○とした。

【００３６】

【表１】

【００３７】尚、表１において略号は下記のものを示
す。 ＥＯＣＮ−１０２０：ｏ−クレゾール型エポキシ樹脂
（日本化薬（株）、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ．、軟
化点５５℃） ＥＰＰＮ−５０２Ｈ：トリスフェノール型エポキシ樹脂
（日本化薬（株）、エポキシ当量１７０ｇ／ｅｑ、軟化
点６４℃） ＰＮ：フェノールノボラック（水酸基当量１０３ｇ／ｅ
ｑ、日本化薬（株）） ＴＰＰ：トリフェニルフォスフィン（純正化学（株）） ＦＢ−７４：球状シリカ（旭電化（株）） ＺＡ−３０：破砕シリカ（龍森（株）） 離型剤：微粉カルナバ（東亜化成（株）） ＫＢＭ−３０３：シランカップリング剤（信越化学
（株）） また、表１中（ポリアミドＡ）とあるのは合成例で得ら
れたフェノール性水酸基含有芳香族ポリアミド−ポリブ
タジエン−アクリロニトリル共重合体を意味する。

【００３８】

【発明の効果】本発明の半導体封止用樹脂組成物は、接
着性、耐半田クラック性に優れた硬化物を与えることが
でき、電子材料用、特に半導体封止用に有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例、比較例で使用したリードフレーム

【図２】引き抜き法での接着強度の測定法の略図

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｆターム(参考） 4J001 DA01 DB02 DB05 DC01 DC05 DC14 EB04 EB06 EB07 EB08 EB14 EB35 EB36 EB37 EB46 EB55 EB56 EB73 EC07 EC08 EC29 EC44 EC47 EC56 EC65 EC66 EC67 EC68 EC70 EC82 EE02E EE04E EE08E EE09E EE12E EE18E FA01 FB03 FC03 JA07 4J002 CC03Y CD00X CD02X CD04X CD05X CD06X CL00W DA016 DE076 DE146 DE236 DF016 DJ006 DJ016 DJ036 DJ046 EJ018 EJ038 EN107 EU117 EU137 EW017 FD016 FD14W FD14Y FD148 FD157 GJ02 GQ05 4J036 AC01 AC05 AD07 AD08 AD09 AD21 AE05 AE07 AF05 AF06 DA04 DA05 DB05 DB11 DC05 DC40 DC44 DC46 DD07 FA02 FA03 FA04 FA05 FB07 FB13 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EA11 EB02 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB12 EC03 EC09

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】１）フェノール性水酸基含有ポリアミド−
   ポリブタジエン−アクリロニトリル共重合体、２）エポ
   キシ樹脂、３）硬化剤、４）無機充填剤、必要により
   ５）硬化促進剤を含有する半導体封止用樹脂組成物。
2. 【請求項２】無機充填剤が組成物中で６０〜９２重量％
   となる割合で含有された請求項１記載の半導体封止用樹
   脂組成物。
3. 【請求項３】フェノール性水酸基含有ポリアミド−ポリ
   ブタジエン−アクリロニトリル共重合体がフェノール性
   水酸基を有するジカルボン酸とジアミンを反応させ得ら
   れたものであって、該ジアミンとして３，４’−ジアミ
   ノジフェニルエーテルを用いて得られたものである請求
   項１または２に記載の半導体封止用樹脂組成物。
4. 【請求項４】フェノール性水酸基含有ポリアミド−ポリ
   ブタジエン−アクリロニトリル共重合体が下記式（化
   １） 【化１】 （式中、ｘ、ｙ、ｚ、ｌ、ｍ及びｎは、それぞれ平均重
   合度であって、ｘ＝３〜７、ｙ＝１〜４、ｚ＝５〜１
   ５、ｌ＋ｍ＝２〜２００の整数を示し、ｍ／（ｌ＋ｍ）
   ≧０．０４である。）で示される共重合体である請求項
   １〜３の何れか１項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
5. 【請求項５】請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体
   封止用樹脂組成物により封止された半導体装置。