JP2001089654A - 封止用成形材料及び電子部品装置 - Google Patents
封止用成形材料及び電子部品装置Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】成形性が良好で、かつ誘電特性、特に高周波帯
域での誘電正接が低く低伝送損失性に優れた封止用成形
材料、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装
置を提供する。 【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示されるシアネートエ
ステル樹脂、（Ｂ）下記一般式（II）で示されるフェノ
ール化合物、（Ｃ）ポリフェニレンエーテル樹脂、
（Ｄ）金属系反応触媒、及び（Ｅ）無機充填剤を必須成
分とする封止用成形材料、及びこの封止用エポキシ樹脂
成形材料により封止された素子を備えた電子部品装置。 【化１】 【化２】 （ここで、Ｒ4及びＲ5は、水素原子又は炭素数１〜４の
アルキル基を示し、互いに同じでも異なっていてもよ
い。ｎは１〜２の整数を示す。）
域での誘電正接が低く低伝送損失性に優れた封止用成形
材料、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装
置を提供する。 【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示されるシアネートエ
ステル樹脂、（Ｂ）下記一般式（II）で示されるフェノ
ール化合物、（Ｃ）ポリフェニレンエーテル樹脂、
（Ｄ）金属系反応触媒、及び（Ｅ）無機充填剤を必須成
分とする封止用成形材料、及びこの封止用エポキシ樹脂
成形材料により封止された素子を備えた電子部品装置。 【化１】 【化２】 （ここで、Ｒ4及びＲ5は、水素原子又は炭素数１〜４の
アルキル基を示し、互いに同じでも異なっていてもよ
い。ｎは１〜２の整数を示す。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波帯域におい
て低伝送損失性が求められる無線通信関連の端末機器や
アンテナ、マイクロプロセッサの動作周波数が数百ＭＨ
ｚを越えるような高速コンピュータなどの電子部品装置
の封止に適した封止用成形材料、及びこの封止用成形材
料で封止した素子を備えた電子部品装置に関する。
て低伝送損失性が求められる無線通信関連の端末機器や
アンテナ、マイクロプロセッサの動作周波数が数百ＭＨ
ｚを越えるような高速コンピュータなどの電子部品装置
の封止に適した封止用成形材料、及びこの封止用成形材
料で封止した素子を備えた電子部品装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高度情報化社会では大量のデータを高速
で処理する必要があり、コンピュータや情報機器端末な
どでは信号の高周波化が進んでいる。電気信号は周波数
が高くなるほど伝送損失が大きくなるという性質がある
ため、高周波化に対応した低伝送損失性の封止用成形材
料が求められている。高周波化に対応した印刷配線板の
分野では、熱硬化性樹脂の中で最も誘電率が低いシアネ
ートエステル樹脂、耐熱性熱可塑性樹脂の中で誘電特性
が良好なポリフェニレンエーテル系樹脂等を用いた樹脂
組成物により高周波特性を改善する方法が提示されてい
る。例えば、特公昭４６−４１１１２号公報にはシアネ
ートエステル／エポキシ樹脂組成物が、特公昭５２−３
１２７９号公報にはビスマレイミド／シアネートエステ
ル／エポキシ樹脂組成物が示されている。特公平５−７
７７０５号公報にはポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰ
Ｏ又はＰＰＥ）と架橋性ポリマ／モノマを用いた樹脂組
成物が、特公平６−９２５３３号公報には特定の硬化性
官能基を持つポリフェニレンエーテル樹脂と架橋性モノ
マを用いた樹脂組成物が示されている。また、特公昭６
３−３３５０６号公報には、シアネートエステル／ビス
マレイミドとポリフェニレンエーテル樹脂を用いた樹脂
組成物が、特開平５−３１１０７１号公報にはフェノー
ル変性樹脂／シアネートエステル反応物とポリフェニレ
ンエーテル樹脂を用いた樹脂組成物が示され、更に高周
波特性の良い耐熱性成形材料として、特公昭６１−１８
９３７号公報にはポリフェニレンエーテル樹脂にシアネ
ートエステル樹脂を混練した樹脂組成物が示されてい
る。
で処理する必要があり、コンピュータや情報機器端末な
どでは信号の高周波化が進んでいる。電気信号は周波数
が高くなるほど伝送損失が大きくなるという性質がある
ため、高周波化に対応した低伝送損失性の封止用成形材
料が求められている。高周波化に対応した印刷配線板の
分野では、熱硬化性樹脂の中で最も誘電率が低いシアネ
ートエステル樹脂、耐熱性熱可塑性樹脂の中で誘電特性
が良好なポリフェニレンエーテル系樹脂等を用いた樹脂
組成物により高周波特性を改善する方法が提示されてい
る。例えば、特公昭４６−４１１１２号公報にはシアネ
ートエステル／エポキシ樹脂組成物が、特公昭５２−３
１２７９号公報にはビスマレイミド／シアネートエステ
ル／エポキシ樹脂組成物が示されている。特公平５−７
７７０５号公報にはポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰ
Ｏ又はＰＰＥ）と架橋性ポリマ／モノマを用いた樹脂組
成物が、特公平６−９２５３３号公報には特定の硬化性
官能基を持つポリフェニレンエーテル樹脂と架橋性モノ
マを用いた樹脂組成物が示されている。また、特公昭６
３−３３５０６号公報には、シアネートエステル／ビス
マレイミドとポリフェニレンエーテル樹脂を用いた樹脂
組成物が、特開平５−３１１０７１号公報にはフェノー
ル変性樹脂／シアネートエステル反応物とポリフェニレ
ンエーテル樹脂を用いた樹脂組成物が示され、更に高周
波特性の良い耐熱性成形材料として、特公昭６１−１８
９３７号公報にはポリフェニレンエーテル樹脂にシアネ
ートエステル樹脂を混練した樹脂組成物が示されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
樹脂組成物は、いずれも封止用成形材料としては満足な
特性を示すものではなかった。すなわち、特公昭４６−
４１１１２号公報及び特公昭５２−３１２７９号公報に
示された樹脂組成物では、誘電率が若干低くなるものの
シアネートエステル樹脂以外の他の熱硬化性樹脂を含有
しているため高周波特性が不十分という問題があった。
特公平５−７７７０５号公報及び特公平６-９２５３３
号公報に示された樹脂組成物では、誘電特性は改善され
るものの、本来熱可塑性ポリマであるポリフェニレンエ
ーテル樹脂を主体としているために樹脂組成物の溶融粘
度が高く流動性が不足するという問題があり、封止用成
形材料のベース樹脂としては成形性が悪く不適であっ
た。特公昭６３−３３５０６号公報及び特開平５−３１
１０７１号公報に示された樹脂組成物では、ポリフェニ
レンエーテル樹脂と併用する熱硬化性樹脂がビスマレイ
ミド／シアネートエステル樹脂又はフェノール変性樹脂
／シアネートエステル反応物であるため、誘電特性が若
干改善されるものの高周波特性は依然として不十分であ
るという問題点があり、高周波特性を良くするためにポ
リフェニレンエーテル樹脂の配合量を増加すると前述の
ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物と同様に樹脂組成
物の溶融粘度が高くなって流動性が不足するため成形性
が悪いという問題があった。また、特公昭６１-１８９
３７号公報に示された樹脂組成物では、誘電特性が良好
で成形性も比較的良好であるものの、硬化性成分として
シアネートエステルを単独で用いるとその樹脂硬化物の
誘電特性は誘電正接が誘電率の値の割に高いという傾向
にあり、高周波帯域の伝送損失を十分に低減できないと
いう問題があり、誘電正接を低くするためシアネートエ
ステルの配合量を少なく（ポリフェニレンエーテル樹脂
の配合量を増加）すると前述のポリフェニレンエーテル
系樹脂組成物と同様に樹脂組成物の溶融粘度が高なって
流動性が不足するため成形性が悪いという問題があっ
た。
樹脂組成物は、いずれも封止用成形材料としては満足な
特性を示すものではなかった。すなわち、特公昭４６−
４１１１２号公報及び特公昭５２−３１２７９号公報に
示された樹脂組成物では、誘電率が若干低くなるものの
シアネートエステル樹脂以外の他の熱硬化性樹脂を含有
しているため高周波特性が不十分という問題があった。
特公平５−７７７０５号公報及び特公平６-９２５３３
号公報に示された樹脂組成物では、誘電特性は改善され
るものの、本来熱可塑性ポリマであるポリフェニレンエ
ーテル樹脂を主体としているために樹脂組成物の溶融粘
度が高く流動性が不足するという問題があり、封止用成
形材料のベース樹脂としては成形性が悪く不適であっ
た。特公昭６３−３３５０６号公報及び特開平５−３１
１０７１号公報に示された樹脂組成物では、ポリフェニ
レンエーテル樹脂と併用する熱硬化性樹脂がビスマレイ
ミド／シアネートエステル樹脂又はフェノール変性樹脂
／シアネートエステル反応物であるため、誘電特性が若
干改善されるものの高周波特性は依然として不十分であ
るという問題点があり、高周波特性を良くするためにポ
リフェニレンエーテル樹脂の配合量を増加すると前述の
ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物と同様に樹脂組成
物の溶融粘度が高くなって流動性が不足するため成形性
が悪いという問題があった。また、特公昭６１-１８９
３７号公報に示された樹脂組成物では、誘電特性が良好
で成形性も比較的良好であるものの、硬化性成分として
シアネートエステルを単独で用いるとその樹脂硬化物の
誘電特性は誘電正接が誘電率の値の割に高いという傾向
にあり、高周波帯域の伝送損失を十分に低減できないと
いう問題があり、誘電正接を低くするためシアネートエ
ステルの配合量を少なく（ポリフェニレンエーテル樹脂
の配合量を増加）すると前述のポリフェニレンエーテル
系樹脂組成物と同様に樹脂組成物の溶融粘度が高なって
流動性が不足するため成形性が悪いという問題があっ
た。
【０００４】高分子材料の誘電特性は、双極子の配向分
極による影響が大きいため、分子内の極性基を少なくす
ることにより低誘電率化が図れ、極性基の運動性を抑え
ることにより誘電正接を低くすることが可能である。シ
アネートエステル樹脂は、極性の強いシアナト基を有し
ていながら硬化時には対称性かつ剛直なトリアジン構造
を生成するので、熱硬化性樹脂としては最も低い誘電率
及び誘電正接の硬化物が得られるという特徴がある。し
かしながら、実際の硬化反応においては、シアネートエ
ステル樹脂中のすべてのシアナト基が反応してトリアジ
ン構造を生成するということは不可能であり、硬化反応
の進行に伴って反応系が流動性を失い未反応のシアナト
基として系内に残存することになる。その結果、これま
では本来の硬化物より誘電率や誘電正接の高い硬化物し
か得られなかった。シアネートエステルの三量化反応
（トリアジン環の生成）の助触媒として、ノニルフェノ
ール等のフェノール化合物をシアネートエステル１００
重量部に対して１〜２重量部程度用いることも試みられ
ていたが、未反応のシアナト基と反応し低極性化すると
いう効果は認められなかった。
極による影響が大きいため、分子内の極性基を少なくす
ることにより低誘電率化が図れ、極性基の運動性を抑え
ることにより誘電正接を低くすることが可能である。シ
アネートエステル樹脂は、極性の強いシアナト基を有し
ていながら硬化時には対称性かつ剛直なトリアジン構造
を生成するので、熱硬化性樹脂としては最も低い誘電率
及び誘電正接の硬化物が得られるという特徴がある。し
かしながら、実際の硬化反応においては、シアネートエ
ステル樹脂中のすべてのシアナト基が反応してトリアジ
ン構造を生成するということは不可能であり、硬化反応
の進行に伴って反応系が流動性を失い未反応のシアナト
基として系内に残存することになる。その結果、これま
では本来の硬化物より誘電率や誘電正接の高い硬化物し
か得られなかった。シアネートエステルの三量化反応
（トリアジン環の生成）の助触媒として、ノニルフェノ
ール等のフェノール化合物をシアネートエステル１００
重量部に対して１〜２重量部程度用いることも試みられ
ていたが、未反応のシアナト基と反応し低極性化すると
いう効果は認められなかった。
【０００５】一方、積層板用樹脂組成物として、特開平
１０−２７３５３２号公報に特定のシアネートエステル
樹脂を１価フェノール化合物で変性した組成物をマトリ
ックス樹脂の一部または全部に用いる方法が提案されて
いる。この方法を封止用成形材料に適用した場合、上記
の樹脂組成物を適用した場合に比べ高周波特性が良好な
樹脂組成物を得ることができるものの十分ではなかっ
た。本発明はかかる状況に鑑みなされたもので、従来の
エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いた封止用成形材
料と同様な成形性及び加工性を示し、かつ誘電特性、特
に高周波帯域での誘電正接が低く低伝送損失性に優れた
封止用成形材料、及びこれにより封止した素子を備えた
電子部品装置を提供するものである。
１０−２７３５３２号公報に特定のシアネートエステル
樹脂を１価フェノール化合物で変性した組成物をマトリ
ックス樹脂の一部または全部に用いる方法が提案されて
いる。この方法を封止用成形材料に適用した場合、上記
の樹脂組成物を適用した場合に比べ高周波特性が良好な
樹脂組成物を得ることができるものの十分ではなかっ
た。本発明はかかる状況に鑑みなされたもので、従来の
エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いた封止用成形材
料と同様な成形性及び加工性を示し、かつ誘電特性、特
に高周波帯域での誘電正接が低く低伝送損失性に優れた
封止用成形材料、及びこれにより封止した素子を備えた
電子部品装置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、封止用成形
材料に、特定のシアネートエステル樹脂、フェノール化
合物及びポリフェニレンエーテル樹脂を組み合わせて用
いることにより上記の目的を達成しうることを見いだ
し、本発明を完成するに至った。
題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、封止用成形
材料に、特定のシアネートエステル樹脂、フェノール化
合物及びポリフェニレンエーテル樹脂を組み合わせて用
いることにより上記の目的を達成しうることを見いだ
し、本発明を完成するに至った。
【０００７】すなわち、本発明は、（１）下記一般式
（Ｉ）で示されるシアネートエステル樹脂、（Ｂ）下記
一般式（II）で示されるフェノール化合物、（Ｃ）ポリ
フェニレンエーテル樹脂、（Ｄ）金属系反応触媒、及び
（Ｅ）無機充填剤を必須成分とする封止用成形材料、
（Ｉ）で示されるシアネートエステル樹脂、（Ｂ）下記
一般式（II）で示されるフェノール化合物、（Ｃ）ポリ
フェニレンエーテル樹脂、（Ｄ）金属系反応触媒、及び
（Ｅ）無機充填剤を必須成分とする封止用成形材料、
【化４】
【化５】 （ここで、Ｒ4及びＲ5は、水素原子又は炭素数１〜４の
アルキル基を示し、互いに同じでも異なっていてもよ
い。ｎは１〜２の整数を示す。） （２）シアネートエステル樹脂（Ａ）と反応性を有しな
い難燃剤（Ｆ）をさらに含有する上記（１）記載の封止
用成形材料、（３）フェノール化合物（Ｂ）の配合量が
シアネートエステル樹脂（Ａ）１００重量部に対して４
〜３０重量部である上記（１）又は（２）記載の封止用
成形材料、（４）シアネートエステル樹脂（Ａ）が、
２，２−ビス（４−シアナトフェニル）プロパン及び／
又は２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−シアナトフ
ェニル）メタンである上記（１）〜（３）のいずれかに
記載の封止用成形材料、（５）フェノール化合物（Ｂ）
が２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−フェニルプロ
パンである上記（１）〜（４）のいずれかに記載の封止
用成形材料、（６）ポリフェニレンエーテル樹脂（Ｃ）
が、ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレル）エ
ーテルとポリスチレン又はスチレン−ブタジエンコポリ
マとのアロイ化ポリマであって、かつ、ポリ（２，６−
ジメチル−１，４−フェニレル）エーテルを５０重量％
以上含有するポリマである上記（１）〜（５）のいずれ
かに記載の封止用成形材料、（７）難燃剤（Ｆ）が、
１，２−ジブロモ−４−（１，２−ジブロモエチル）シ
クロヘキサン、テトラブロモシクロオクタン、ヘキサブ
ロモシクロドデカン及び下記一般式（III）で示される
臭素化トリフェニルシアヌレート系難燃剤から選ばれる
脂環式難燃剤の１種又は２種以上である上記（２）〜
（６）のいずれかに記載の封止用成形材料、
アルキル基を示し、互いに同じでも異なっていてもよ
い。ｎは１〜２の整数を示す。） （２）シアネートエステル樹脂（Ａ）と反応性を有しな
い難燃剤（Ｆ）をさらに含有する上記（１）記載の封止
用成形材料、（３）フェノール化合物（Ｂ）の配合量が
シアネートエステル樹脂（Ａ）１００重量部に対して４
〜３０重量部である上記（１）又は（２）記載の封止用
成形材料、（４）シアネートエステル樹脂（Ａ）が、
２，２−ビス（４−シアナトフェニル）プロパン及び／
又は２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−シアナトフ
ェニル）メタンである上記（１）〜（３）のいずれかに
記載の封止用成形材料、（５）フェノール化合物（Ｂ）
が２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−フェニルプロ
パンである上記（１）〜（４）のいずれかに記載の封止
用成形材料、（６）ポリフェニレンエーテル樹脂（Ｃ）
が、ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレル）エ
ーテルとポリスチレン又はスチレン−ブタジエンコポリ
マとのアロイ化ポリマであって、かつ、ポリ（２，６−
ジメチル−１，４−フェニレル）エーテルを５０重量％
以上含有するポリマである上記（１）〜（５）のいずれ
かに記載の封止用成形材料、（７）難燃剤（Ｆ）が、
１，２−ジブロモ−４−（１，２−ジブロモエチル）シ
クロヘキサン、テトラブロモシクロオクタン、ヘキサブ
ロモシクロドデカン及び下記一般式（III）で示される
臭素化トリフェニルシアヌレート系難燃剤から選ばれる
脂環式難燃剤の１種又は２種以上である上記（２）〜
（６）のいずれかに記載の封止用成形材料、
【化６】 （ここで、ｌ、ｍ、ｎは、互いに独立に１〜５の整数を
示す。） （８）上記式（III）で示される臭素化トリフェニルシ
アヌレート系難燃剤が２，４，６−トリス（トリブロモ
フェノキシ）−１，３，５−トリアジンである上記
（７）記載の封止用成形材料、（９）金属系反応触媒
（Ｄ）がマンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛
の２−エチルヘキサン酸塩、ナフテン酸塩及びアセチル
アセトン錯体から選ばれる１種又は２種以上である上記
（１）〜（８）のいずれかに記載の封止用成形材料、及
び（１０）無機充填剤（Ｅ）の誘電率が４以下である上
記（１）〜（９）のいずれかに記載の封止用成形材料、
並びに（１１）上記（１）〜（１０）のいずれかに記載
の封止用成形材料により封止された素子を備えた電子部
品装置に関する。
示す。） （８）上記式（III）で示される臭素化トリフェニルシ
アヌレート系難燃剤が２，４，６−トリス（トリブロモ
フェノキシ）−１，３，５−トリアジンである上記
（７）記載の封止用成形材料、（９）金属系反応触媒
（Ｄ）がマンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛
の２−エチルヘキサン酸塩、ナフテン酸塩及びアセチル
アセトン錯体から選ばれる１種又は２種以上である上記
（１）〜（８）のいずれかに記載の封止用成形材料、及
び（１０）無機充填剤（Ｅ）の誘電率が４以下である上
記（１）〜（９）のいずれかに記載の封止用成形材料、
並びに（１１）上記（１）〜（１０）のいずれかに記載
の封止用成形材料により封止された素子を備えた電子部
品装置に関する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明における（Ａ）成分のシア
ネートエステル樹脂は、下記一般式（Ｉ）で示さる１分
子中にシアナト基を２個有するシアネートエステル樹脂
である。
ネートエステル樹脂は、下記一般式（Ｉ）で示さる１分
子中にシアナト基を２個有するシアネートエステル樹脂
である。
【化７】 上記一般式（Ｉ）で示される化合物としては、例えば、
ビス（４−シアナトフェニル）エタン、２，２−ビス
（４−シアナトフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジメチル−４−シアナトフェニル）メタン、
２，２−ビス（４−シアナトフェニル）−１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、α，α‘−ビス
（４−シアナトフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼ
ン、フェノール付加ジシクロペンタジエン重合体のシア
ネートエステル化物等が挙げられ、これらの１種を単独
で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。中
でも、硬化物の誘電特性と成形性のバランスが優れる観
点から、２，２−ビス（４−シアナトフェニル）プロパ
ン及び２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−シアナト
フェニル）が好ましい。
ビス（４−シアナトフェニル）エタン、２，２−ビス
（４−シアナトフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジメチル−４−シアナトフェニル）メタン、
２，２−ビス（４−シアナトフェニル）−１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、α，α‘−ビス
（４−シアナトフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼ
ン、フェノール付加ジシクロペンタジエン重合体のシア
ネートエステル化物等が挙げられ、これらの１種を単独
で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。中
でも、硬化物の誘電特性と成形性のバランスが優れる観
点から、２，２−ビス（４−シアナトフェニル）プロパ
ン及び２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−シアナト
フェニル）が好ましい。
【０００９】本発明における（Ｂ）成分のフェノール化
合物は、下記一般式（II）で示される１価のフェノール
化合物であり、耐熱性の良好な化合物が好ましい。
合物は、下記一般式（II）で示される１価のフェノール
化合物であり、耐熱性の良好な化合物が好ましい。
【化８】 （ここで、Ｒ4及びＲ5は、水素原子又は炭素数１〜４の
アルキル基を示し、互いに同じでも異なっていてもよ
い。ｎは１〜２の整数を示す。） 上記一般式（II）中のＲ4及びＲ5は、本発明の目的を達
成する観点から水素原子又はメチル基が好ましく、この
ような化合物としては、例えば、２−（４−ヒドロキシ
フェニル）−２−フェニルプロパン、４−ヒドロキシフ
ェニルフェニルメタン等が挙げられ、２−（４−ヒドロ
キシフェニル）−２−フェニルプロパンがより好まし
い。フェノール化合物（Ｂ）は、１種を単独で用いても
よく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
アルキル基を示し、互いに同じでも異なっていてもよ
い。ｎは１〜２の整数を示す。） 上記一般式（II）中のＲ4及びＲ5は、本発明の目的を達
成する観点から水素原子又はメチル基が好ましく、この
ような化合物としては、例えば、２−（４−ヒドロキシ
フェニル）−２−フェニルプロパン、４−ヒドロキシフ
ェニルフェニルメタン等が挙げられ、２−（４−ヒドロ
キシフェニル）−２−フェニルプロパンがより好まし
い。フェノール化合物（Ｂ）は、１種を単独で用いても
よく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１０】本発明において、（Ｂ）成分のフェノール
化合物は、硬化物中に残る未反応のシアナト基をイミド
カーボネート化してその極性を減じることにより硬化物
の誘電率と誘電正接を低下させる目的で配合するもの
で、上記一般式（II）で示される化合物は、シアナト基
との反応性が高く、また単官能で比較的低分子量であり
かつシアネートエステル樹脂との相溶性が良い（分子構
造に類似性があり）という理由によって特定された化合
物である。また、本発明の特定のフェノール化合物
（Ｂ）は、他の一価フェノール化合物のように配合量の
増加よる耐熱性の低下も見られず、多価フェノール類の
ように片方の水酸基が未反応基として残り易いため誘電
特性をかえって悪化させることもなく、これを用いるこ
とにより、従来のシアネートエステル樹脂単独の硬化物
や、エポキシ樹脂、多価フェノール類、ビスマレイミド
等を配合した樹脂の硬化物よりも誘電率と誘電正接の低
い硬化物が得られるものである。
化合物は、硬化物中に残る未反応のシアナト基をイミド
カーボネート化してその極性を減じることにより硬化物
の誘電率と誘電正接を低下させる目的で配合するもの
で、上記一般式（II）で示される化合物は、シアナト基
との反応性が高く、また単官能で比較的低分子量であり
かつシアネートエステル樹脂との相溶性が良い（分子構
造に類似性があり）という理由によって特定された化合
物である。また、本発明の特定のフェノール化合物
（Ｂ）は、他の一価フェノール化合物のように配合量の
増加よる耐熱性の低下も見られず、多価フェノール類の
ように片方の水酸基が未反応基として残り易いため誘電
特性をかえって悪化させることもなく、これを用いるこ
とにより、従来のシアネートエステル樹脂単独の硬化物
や、エポキシ樹脂、多価フェノール類、ビスマレイミド
等を配合した樹脂の硬化物よりも誘電率と誘電正接の低
い硬化物が得られるものである。
【００１１】フェノール化合物（Ｂ）の配合量は、
（Ａ）成分のシアネートエステル樹脂１００重量部に対
して４〜３０重量部が好ましく、５〜３０重量部がより
好ましく、５〜２５重量部がさらに好ましい。４重量部
未満では残存するシアナト基との反応して低極性化する
効果が不十分で、十分な誘電特性が得られず、特に高周
波帯域での誘電正接が十分に低くならない傾向がある。
３０重量部を超えると未反応の（Ｂ）成分によりかえっ
て誘電正接が高くなるという傾向がある。
（Ａ）成分のシアネートエステル樹脂１００重量部に対
して４〜３０重量部が好ましく、５〜３０重量部がより
好ましく、５〜２５重量部がさらに好ましい。４重量部
未満では残存するシアナト基との反応して低極性化する
効果が不十分で、十分な誘電特性が得られず、特に高周
波帯域での誘電正接が十分に低くならない傾向がある。
３０重量部を超えると未反応の（Ｂ）成分によりかえっ
て誘電正接が高くなるという傾向がある。
【００１２】本発明におけるシアネートエステル樹脂
（Ａ）とフェノール化合物（Ｂ）は、成形材料の作製時
に他の成分と同時に添加してもよいが、両者を予備混合
することによってそれぞれを反応させて得られるフェノ
ール変性シアネートエステル樹脂として用いることが好
ましい。このフェノール変性シアネートエステル樹脂
は、シアネートエステル樹脂（Ａ）のプレポリマ化とと
もに、シアネートエステル樹脂（Ａ）にフェノール化合
物（Ｂ）を付加させたイミドカーボネート化変性樹脂で
ある。
（Ａ）とフェノール化合物（Ｂ）は、成形材料の作製時
に他の成分と同時に添加してもよいが、両者を予備混合
することによってそれぞれを反応させて得られるフェノ
ール変性シアネートエステル樹脂として用いることが好
ましい。このフェノール変性シアネートエステル樹脂
は、シアネートエステル樹脂（Ａ）のプレポリマ化とと
もに、シアネートエステル樹脂（Ａ）にフェノール化合
物（Ｂ）を付加させたイミドカーボネート化変性樹脂で
ある。
【００１３】上記フェノール変性シアネートエステル樹
脂は、シアネートエステル樹脂（Ａ）に対してフェノー
ル化合物（Ｂ）の配合量全量を反応させても良いし、反
応初期は配合量の一部を反応させて、冷却後残りのフェ
ノール化合物（Ｂ）を投入して、Ｂステージ化時あるい
は硬化時に反応させて変性シアネートエステル樹脂とし
ても良い。
脂は、シアネートエステル樹脂（Ａ）に対してフェノー
ル化合物（Ｂ）の配合量全量を反応させても良いし、反
応初期は配合量の一部を反応させて、冷却後残りのフェ
ノール化合物（Ｂ）を投入して、Ｂステージ化時あるい
は硬化時に反応させて変性シアネートエステル樹脂とし
ても良い。
【００１４】本発明における（Ｃ）成分のポリフェニレ
ンエーテル樹脂としては、例えば、ポリ（２，６−ジメ
チル−１，４−フェニレン）エーテル、ポリ（２，６−
ジメチル−１，４−フェニレン）エーテルとポリスチレ
ンのアロイ化ポリマ、ポリ（２，６−ジメチル−１，４
−フェニレン）エーテルとスチレン−ブタジエンコポリ
マのアロイ化ポリマ等が挙げられ、これらの１種を単独
で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。中で
も、硬化物の誘電特性の観点からポリ（２、６−ジメチ
ル−１，４−フェニレン）エーテルとポリスチレンのア
ロイ化ポリマ及びポリ（２，６−ジメチル−１，４−フ
ェニレン）エーテルとスチレン−ブタジエンコポリマの
アロイ化ポリマが好ましく、ポリ（２，６−ジメチル−
１，４−フェニレン）エーテルの含有量は、（Ｃ）成分
中に５０重量％以上が好ましく、６５重量％以上がより
好ましい。
ンエーテル樹脂としては、例えば、ポリ（２，６−ジメ
チル−１，４−フェニレン）エーテル、ポリ（２，６−
ジメチル−１，４−フェニレン）エーテルとポリスチレ
ンのアロイ化ポリマ、ポリ（２，６−ジメチル−１，４
−フェニレン）エーテルとスチレン−ブタジエンコポリ
マのアロイ化ポリマ等が挙げられ、これらの１種を単独
で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。中で
も、硬化物の誘電特性の観点からポリ（２、６−ジメチ
ル−１，４−フェニレン）エーテルとポリスチレンのア
ロイ化ポリマ及びポリ（２，６−ジメチル−１，４−フ
ェニレン）エーテルとスチレン−ブタジエンコポリマの
アロイ化ポリマが好ましく、ポリ（２，６−ジメチル−
１，４−フェニレン）エーテルの含有量は、（Ｃ）成分
中に５０重量％以上が好ましく、６５重量％以上がより
好ましい。
【００１５】ポリフェニレンエーテル樹脂（Ｃ）の配合
量は、（Ａ）成分のシアネートエステル樹脂１００重量
部に対して５〜３００重量部が好ましく、１０〜２００
重量部がより好ましく、１０〜１００重量部がさらに好
ましい。５重量部未満では十分な誘電特性が得られなく
なる傾向があり、３００重量部を超えると樹脂の溶融粘
度が高くなって流動性が不足するため成形性が悪くなる
傾向や、シアネートエステル樹脂（Ａ）の反応性が悪く
なる傾向がある。
量は、（Ａ）成分のシアネートエステル樹脂１００重量
部に対して５〜３００重量部が好ましく、１０〜２００
重量部がより好ましく、１０〜１００重量部がさらに好
ましい。５重量部未満では十分な誘電特性が得られなく
なる傾向があり、３００重量部を超えると樹脂の溶融粘
度が高くなって流動性が不足するため成形性が悪くなる
傾向や、シアネートエステル樹脂（Ａ）の反応性が悪く
なる傾向がある。
【００１６】本発明においては、誘電特性が良好な熱可
塑性樹脂であるポリフェニレンエーテル樹脂（Ｃ）を配
合することによりさらに誘電特性の向上を図っている。
シアネートエステル樹脂とポリフェニレンエーテル樹脂
とは、本来非相溶系であり均一な樹脂を得ることが困難
であるが、本発明においては（Ｂ）成分のフェノール化
合物を用いることによって均一な樹脂を得ることが可能
である。特に、シアネートエステル樹脂（Ａ）及びフェ
ノール化合物（Ｂ）の反応を、ポリフェニレンエーテル
樹脂（Ｃ）の溶媒溶液中で行うと、いわゆる“セミＩＰ
Ｎ"化樹脂が生成して均一な樹脂が得られ好ましい。例
えば、芳香族炭化水素系溶剤を用いてポリフェニレンエ
ーテル樹脂（Ｃ）を加熱溶解し、その溶液中でシアネー
トエステル樹脂（Ａ）のオリゴマ化及びシアネートエス
テル樹脂（Ａ）とフェノール化合物（Ｂ）のイミドカー
ボネート化反応を行い、変性シアネートエステル樹脂と
ポリフェニレンエーテル樹脂との相溶化樹脂として用い
ることができる。この際の相溶化については、変性シア
ネートエステル樹脂とポリフェニレンエーテル樹脂が化
学的結合を形成している可能性は少なく、その替わりに
変性シアネートエステル樹脂の一部がポリフェニレンエ
ーテル樹脂の分子鎖に絡みながらオリゴマ化が進み、い
わゆる“セミＩＰＮ"化樹脂が生成していると考えられ
る。この場合分子鎖の絡みを促進するには、溶解中のポ
リフェニレンエーテル樹脂の分子鎖が広がるようにし、
かつ変性シアネートエステル樹脂の一部がポリフェニレ
ンエーテル樹脂の分子鎖に絡み易くするため、ポリフェ
ニレンエーテル樹脂の良溶媒であって、同時に変性シア
ネートエステル樹脂も良く溶解する芳香族炭化水素系溶
媒を反応溶媒に用いることが好ましい。シアネートエス
テル樹脂（Ａ）とフェノール化合物（Ｂ）の反応とポリ
フェニレンエーテル樹脂（Ｃ）との相溶化を行う際の反
応溶媒としては、何れの成分に対しても溶解性の良好な
芳香族炭化水素系溶剤が好ましく、例えば、トルエン、
キシレン、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、メ
シチレン等が挙げられ、これらの１種を単独で用いても
２種以上を組み合わせて用いてもよい。中でもトルエン
が好ましい。芳香族炭化水素系溶剤の添加量としては、
ポリフェニレンエーテル樹脂（Ｃ）１００重量部に対し
て１５０〜５００重量部用いて加熱溶解するのが好まし
く、１５０〜４００重量部がより好ましく、１５０〜３
００重量部がさらに好ましい。
塑性樹脂であるポリフェニレンエーテル樹脂（Ｃ）を配
合することによりさらに誘電特性の向上を図っている。
シアネートエステル樹脂とポリフェニレンエーテル樹脂
とは、本来非相溶系であり均一な樹脂を得ることが困難
であるが、本発明においては（Ｂ）成分のフェノール化
合物を用いることによって均一な樹脂を得ることが可能
である。特に、シアネートエステル樹脂（Ａ）及びフェ
ノール化合物（Ｂ）の反応を、ポリフェニレンエーテル
樹脂（Ｃ）の溶媒溶液中で行うと、いわゆる“セミＩＰ
Ｎ"化樹脂が生成して均一な樹脂が得られ好ましい。例
えば、芳香族炭化水素系溶剤を用いてポリフェニレンエ
ーテル樹脂（Ｃ）を加熱溶解し、その溶液中でシアネー
トエステル樹脂（Ａ）のオリゴマ化及びシアネートエス
テル樹脂（Ａ）とフェノール化合物（Ｂ）のイミドカー
ボネート化反応を行い、変性シアネートエステル樹脂と
ポリフェニレンエーテル樹脂との相溶化樹脂として用い
ることができる。この際の相溶化については、変性シア
ネートエステル樹脂とポリフェニレンエーテル樹脂が化
学的結合を形成している可能性は少なく、その替わりに
変性シアネートエステル樹脂の一部がポリフェニレンエ
ーテル樹脂の分子鎖に絡みながらオリゴマ化が進み、い
わゆる“セミＩＰＮ"化樹脂が生成していると考えられ
る。この場合分子鎖の絡みを促進するには、溶解中のポ
リフェニレンエーテル樹脂の分子鎖が広がるようにし、
かつ変性シアネートエステル樹脂の一部がポリフェニレ
ンエーテル樹脂の分子鎖に絡み易くするため、ポリフェ
ニレンエーテル樹脂の良溶媒であって、同時に変性シア
ネートエステル樹脂も良く溶解する芳香族炭化水素系溶
媒を反応溶媒に用いることが好ましい。シアネートエス
テル樹脂（Ａ）とフェノール化合物（Ｂ）の反応とポリ
フェニレンエーテル樹脂（Ｃ）との相溶化を行う際の反
応溶媒としては、何れの成分に対しても溶解性の良好な
芳香族炭化水素系溶剤が好ましく、例えば、トルエン、
キシレン、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、メ
シチレン等が挙げられ、これらの１種を単独で用いても
２種以上を組み合わせて用いてもよい。中でもトルエン
が好ましい。芳香族炭化水素系溶剤の添加量としては、
ポリフェニレンエーテル樹脂（Ｃ）１００重量部に対し
て１５０〜５００重量部用いて加熱溶解するのが好まし
く、１５０〜４００重量部がより好ましく、１５０〜３
００重量部がさらに好ましい。
【００１７】本発明における（Ｄ）成分の金属系反応触
媒は、シアネートエステル樹脂（Ａ）とフェノール化合
物（Ｂ）との反応を促進するものであり、フェノール変
性シアネート系樹脂を製造する際の反応触媒及び硬化物
を製造する際の硬化促進剤として用いられる。金属系反
応触媒（Ｄ）としては、マンガン、鉄、コバルト、ニッ
ケル、銅、亜鉛等の金属触媒が用いられ、具体的には、
２−エチルヘキサン酸塩、ナフテン酸塩等の有機金属塩
化合物、アセチルアセトン錯体などの有機金属錯体とし
て用いられる。変性シアネート系樹脂組成物を製造する
際の反応促進剤と硬化物を製造する際の硬化促進剤とで
は、同一の金属系反応触媒を単独で用いても２種以上を
組み合わせてもよく、又はそれぞれ別の触媒を単独で用
いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
媒は、シアネートエステル樹脂（Ａ）とフェノール化合
物（Ｂ）との反応を促進するものであり、フェノール変
性シアネート系樹脂を製造する際の反応触媒及び硬化物
を製造する際の硬化促進剤として用いられる。金属系反
応触媒（Ｄ）としては、マンガン、鉄、コバルト、ニッ
ケル、銅、亜鉛等の金属触媒が用いられ、具体的には、
２−エチルヘキサン酸塩、ナフテン酸塩等の有機金属塩
化合物、アセチルアセトン錯体などの有機金属錯体とし
て用いられる。変性シアネート系樹脂組成物を製造する
際の反応促進剤と硬化物を製造する際の硬化促進剤とで
は、同一の金属系反応触媒を単独で用いても２種以上を
組み合わせてもよく、又はそれぞれ別の触媒を単独で用
いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１８】金属系反応触媒（Ｄ）の配合量は、金属成
分の量として、シアネートエステル樹脂（Ａ）に対して
１〜３００ｐｐｍが好ましく、１〜２００ｐｐｍがより
好ましく、２〜１５０ｐｐｍがさらに好ましい。１ｐｐ
ｍ未満では反応性及び硬化性が不十分となる傾向があ
り、３００ｐｐｍを超えると反応の制御が難しくなった
り、硬化が速くなりすぎて成形性が悪くなる傾向があ
る。また、本発明における金属系反応触媒（Ｄ）の配合
時期は、変性シアネート系樹脂組成物を製造する際に反
応促進剤及び硬化促進剤として必要な量を同時に配合し
てもよいし、変性シアネート系樹脂組成物を製造する際
に変性反応の促進に必要な量を用い、反応終了後残りの
触媒又は別の金属系触媒を硬化促進剤として添加しても
よい。
分の量として、シアネートエステル樹脂（Ａ）に対して
１〜３００ｐｐｍが好ましく、１〜２００ｐｐｍがより
好ましく、２〜１５０ｐｐｍがさらに好ましい。１ｐｐ
ｍ未満では反応性及び硬化性が不十分となる傾向があ
り、３００ｐｐｍを超えると反応の制御が難しくなった
り、硬化が速くなりすぎて成形性が悪くなる傾向があ
る。また、本発明における金属系反応触媒（Ｄ）の配合
時期は、変性シアネート系樹脂組成物を製造する際に反
応促進剤及び硬化促進剤として必要な量を同時に配合し
てもよいし、変性シアネート系樹脂組成物を製造する際
に変性反応の促進に必要な量を用い、反応終了後残りの
触媒又は別の金属系触媒を硬化促進剤として添加しても
よい。
【００１９】本発明における（Ｅ）成分の無機充填剤
は、吸湿性低減および強度向上の観点から必要であり、
例えば、結晶シリカ、溶融シリカ、アルミナ、ジルコ
ン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、炭化珪素、窒化
珪素、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、
フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、
チタニア等の粉体、又はこれらを球形化したビーズ、ガ
ラス繊維などが挙げられる。さらに、難燃効果のある無
機充填剤としては水酸化アルミニウム、水酸化マグネシ
ウム、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛等が挙げられる。こ
れらの無機充填剤は単独で用いても２種以上を組み合わ
せて用いてもよい。上記の無機充填剤の中で、線膨張係
数低減の観点からは溶融シリカが、高熱伝導性の観点か
らはアルミナが好ましく、無機充填剤の粒子形状は成形
時の流動性及び金型摩耗性の観点から球形が好ましい。
は、吸湿性低減および強度向上の観点から必要であり、
例えば、結晶シリカ、溶融シリカ、アルミナ、ジルコ
ン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、炭化珪素、窒化
珪素、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、
フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、
チタニア等の粉体、又はこれらを球形化したビーズ、ガ
ラス繊維などが挙げられる。さらに、難燃効果のある無
機充填剤としては水酸化アルミニウム、水酸化マグネシ
ウム、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛等が挙げられる。こ
れらの無機充填剤は単独で用いても２種以上を組み合わ
せて用いてもよい。上記の無機充填剤の中で、線膨張係
数低減の観点からは溶融シリカが、高熱伝導性の観点か
らはアルミナが好ましく、無機充填剤の粒子形状は成形
時の流動性及び金型摩耗性の観点から球形が好ましい。
【００２０】無機充填剤（Ｅ）の誘電率は、本発明の目
的である誘電率低減の観点から４以下であることが好ま
しく、この観点からも溶融シリカが好ましい。無機充填
剤（Ｅ）の配合量は、封止用成形材料の配合成分全量に
対して３０〜８５容量％が好ましく、５０〜８０容量％
がより好ましい。３０容量％未満では吸湿性低減および
強度向上の効果が十分に発揮されないため耐リフロー性
が低下する傾向があり、８０容量％を超えると成形時の
流動性に支障をきたす傾向がある。また、トランスファ
成形などの溶融成形法を対象とした常温固形の成形材料
においては、十分な流動性を確保するために、無機充填
剤（Ｅ）中の７０重量％以上を球状粒子とし、無機充填
剤全体の平均粒径を１０〜３０μｍ、粒径１００μｍ以
上の成分を無機充填剤（Ｅ）全体の０．１重量％以下、
粒径５μm以下の成分を無機充填剤（Ｅ）全体の２０〜
４０重量％とすることが好ましく、さらに、粒径１μｍ
以下の成分を無機充填剤（Ｅ）全体の８〜１５重量％と
することがより好ましく、さらに好ましくは１０〜１５
重量％である。また、液状やペースト状の成形材料を対
象とした場合、無機充填剤（Ｅ）の形状は球状粒子が好
ましく、無機充填剤全体（Ｅ）の平均粒径を１〜１０μ
ｍ、粒径５０μm以上の成分を無機充填剤（Ｅ）全体の
０．１重量％以下することが好ましい。
的である誘電率低減の観点から４以下であることが好ま
しく、この観点からも溶融シリカが好ましい。無機充填
剤（Ｅ）の配合量は、封止用成形材料の配合成分全量に
対して３０〜８５容量％が好ましく、５０〜８０容量％
がより好ましい。３０容量％未満では吸湿性低減および
強度向上の効果が十分に発揮されないため耐リフロー性
が低下する傾向があり、８０容量％を超えると成形時の
流動性に支障をきたす傾向がある。また、トランスファ
成形などの溶融成形法を対象とした常温固形の成形材料
においては、十分な流動性を確保するために、無機充填
剤（Ｅ）中の７０重量％以上を球状粒子とし、無機充填
剤全体の平均粒径を１０〜３０μｍ、粒径１００μｍ以
上の成分を無機充填剤（Ｅ）全体の０．１重量％以下、
粒径５μm以下の成分を無機充填剤（Ｅ）全体の２０〜
４０重量％とすることが好ましく、さらに、粒径１μｍ
以下の成分を無機充填剤（Ｅ）全体の８〜１５重量％と
することがより好ましく、さらに好ましくは１０〜１５
重量％である。また、液状やペースト状の成形材料を対
象とした場合、無機充填剤（Ｅ）の形状は球状粒子が好
ましく、無機充填剤全体（Ｅ）の平均粒径を１〜１０μ
ｍ、粒径５０μm以上の成分を無機充填剤（Ｅ）全体の
０．１重量％以下することが好ましい。
【００２１】本発明の封止用成形材料においては、必要
に応じて難燃剤（Ｆ）を用いることができるが、この場
合、シアネートエステル樹脂（Ａ）とフェノール化合物
（Ｂ）の反応を阻害しないようにシアネートエステル樹
脂と反応性を有しないことが必要で、誘電特性を悪化さ
せさせないものが好ましい。
に応じて難燃剤（Ｆ）を用いることができるが、この場
合、シアネートエステル樹脂（Ａ）とフェノール化合物
（Ｂ）の反応を阻害しないようにシアネートエステル樹
脂と反応性を有しないことが必要で、誘電特性を悪化さ
せさせないものが好ましい。
【００２２】本発明におけるシアネートエステル樹脂
（Ａ）と反応性を有しない難燃剤（Ｆ）としては、例え
ば、１，２−ジブロモ−４−（１，２−ジブロモエチ
ル）シクロヘキサン、テトラブロモシクロヘキサン、ヘ
キサブロモシクロドデカン、ポリブロモジフェニルエー
テル、臭素化ポリスチレン、臭素化ポリカーボネート、
下記一般式（III）で示される臭素化トリフェニルシア
ネレート系難燃剤等が挙げられ、中でも、硬化物の誘電
特性の観点から１，２−ジブロモ−４−（１，２−ジブ
ロモエチル）シクロヘキサン、テトラブロモシクロオク
タン、ヘキサブロモシクロドデカン、２，４，６−トリ
ス（トリブロモフェノキシ）−１，３，５−トリアジン
等の脂環式難燃剤が好ましい。これらの難燃剤は１種を
単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ａ）と反応性を有しない難燃剤（Ｆ）としては、例え
ば、１，２−ジブロモ−４−（１，２−ジブロモエチ
ル）シクロヘキサン、テトラブロモシクロヘキサン、ヘ
キサブロモシクロドデカン、ポリブロモジフェニルエー
テル、臭素化ポリスチレン、臭素化ポリカーボネート、
下記一般式（III）で示される臭素化トリフェニルシア
ネレート系難燃剤等が挙げられ、中でも、硬化物の誘電
特性の観点から１，２−ジブロモ−４−（１，２−ジブ
ロモエチル）シクロヘキサン、テトラブロモシクロオク
タン、ヘキサブロモシクロドデカン、２，４，６−トリ
ス（トリブロモフェノキシ）−１，３，５−トリアジン
等の脂環式難燃剤が好ましい。これらの難燃剤は１種を
単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【化９】 （ここで、ｌ、ｍ、ｎは、互いに独立に１〜５の整数を
示す。）
示す。）
【００２３】難燃剤（Ｆ）の配合量は、シアネートエス
テル樹脂（Ａ）、フェノール化合物（Ｂ）及びポリフェ
ニレンエーテル樹脂（Ｃ）の総量１００重量部に対して
５〜３０重量部が好ましく、５〜２０重量部がより好ま
しく、１０〜２０重量部がさらに好ましい。５重量部未
満では耐燃性が不十分となる傾向があり、３０重量部を
超えると樹脂の耐熱性が低下する傾向がある。
テル樹脂（Ａ）、フェノール化合物（Ｂ）及びポリフェ
ニレンエーテル樹脂（Ｃ）の総量１００重量部に対して
５〜３０重量部が好ましく、５〜２０重量部がより好ま
しく、１０〜２０重量部がさらに好ましい。５重量部未
満では耐燃性が不十分となる傾向があり、３０重量部を
超えると樹脂の耐熱性が低下する傾向がある。
【００２４】本発明の封止用成形材料においては、例え
ば、ポリフェニレンエーテル樹脂（Ｃ）を芳香族炭化水
素系溶剤に加熱溶解し、次いでその溶液中でシアネート
エステル樹脂（Ａ）とフェノール化合物（Ｂ）を金属系
反応触媒（Ｄ）の存在下で反応させる等の方法により、
変性シアネートエステル樹脂とポリフェニレンエーテル
樹脂との相溶化樹脂溶液を製造し、これをベース樹脂と
して用いることができる。また、本発明の封止用成形材
料に用いるベース樹脂としては、ここで得られた相溶化
樹脂溶液から溶剤を除去した固形分を用いても良く、液
状またはペースト状の封止用成形材料を得る場合は相溶
化樹脂溶液をそのまま配合成分として用いても良い。難
燃剤（Ｆ）を配合する場合は、シアネートエステル樹脂
（Ａ）とフェノール化合物（Ｂ）の反応液中に溶解させ
て金属系反応触媒（Ｄ）の存在下で変性シアネートエス
テル樹脂とポリフェニレンエーテル樹脂との相溶化樹脂
溶液を製造しても良いし、ポリフェニレンエーテル樹脂
（Ｃ）の芳香族炭化水素系溶液中でシアネートエステル
樹脂（Ａ）とフェノール化合物（Ｂ）を金属系反応触媒
（Ｄ）の存在下で反応させて変性シアネートエステル樹
脂とポリフェニレンエーテル樹脂との相溶化樹脂溶液を
製造した後に難燃剤（Ｆ）を投入溶解しても良い。
ば、ポリフェニレンエーテル樹脂（Ｃ）を芳香族炭化水
素系溶剤に加熱溶解し、次いでその溶液中でシアネート
エステル樹脂（Ａ）とフェノール化合物（Ｂ）を金属系
反応触媒（Ｄ）の存在下で反応させる等の方法により、
変性シアネートエステル樹脂とポリフェニレンエーテル
樹脂との相溶化樹脂溶液を製造し、これをベース樹脂と
して用いることができる。また、本発明の封止用成形材
料に用いるベース樹脂としては、ここで得られた相溶化
樹脂溶液から溶剤を除去した固形分を用いても良く、液
状またはペースト状の封止用成形材料を得る場合は相溶
化樹脂溶液をそのまま配合成分として用いても良い。難
燃剤（Ｆ）を配合する場合は、シアネートエステル樹脂
（Ａ）とフェノール化合物（Ｂ）の反応液中に溶解させ
て金属系反応触媒（Ｄ）の存在下で変性シアネートエス
テル樹脂とポリフェニレンエーテル樹脂との相溶化樹脂
溶液を製造しても良いし、ポリフェニレンエーテル樹脂
（Ｃ）の芳香族炭化水素系溶液中でシアネートエステル
樹脂（Ａ）とフェノール化合物（Ｂ）を金属系反応触媒
（Ｄ）の存在下で反応させて変性シアネートエステル樹
脂とポリフェニレンエーテル樹脂との相溶化樹脂溶液を
製造した後に難燃剤（Ｆ）を投入溶解しても良い。
【００２５】本発明の封止用成形材料には、一般に電子
部品封止用エポキシ樹脂成形材料で使用されているエポ
キシ樹脂を併用することができる。例えば、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール、クレゾー
ル、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェ
ノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール類及び／又
はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフ
タレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセトア
ルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、
サリチルアルデヒド等のアルデヒド類とを酸性触媒下で
縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキ
シ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＢ、
ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、アルキル置換ま
たは非置換のビフェノール等のジグリシジルエーテル、
フェノール・アラルキル樹脂をエポキシ化したもの、フ
ェノール類とジシクロペンタジエンやテルペン類との付
加物または重付加物をエポキシ化したもの、フタル酸、
ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応に
より得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジア
ミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミン
とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジル
アミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過
酸物で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環
族エポキシ樹脂などが挙げられ、これらの１種を単独で
又は２種以上を組み合わせて用いることができる。中で
も誘電特性の観点から、フェノール類とジシクロペンタ
ジエンやテルペン類との付加物又は重付加物をエポキシ
化したものが好ましい。これらのエポキシ樹脂を併用す
る場合、その配合量は誘電特性の観点から、シアネート
エステル樹脂（Ａ）、フェノール化合物（Ｂ）及びポリ
フェニレンエーテル樹脂（Ｃ）の総量に対して３０重量
％以下が好ましい。
部品封止用エポキシ樹脂成形材料で使用されているエポ
キシ樹脂を併用することができる。例えば、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール、クレゾー
ル、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェ
ノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール類及び／又
はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフ
タレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセトア
ルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、
サリチルアルデヒド等のアルデヒド類とを酸性触媒下で
縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキ
シ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＢ、
ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、アルキル置換ま
たは非置換のビフェノール等のジグリシジルエーテル、
フェノール・アラルキル樹脂をエポキシ化したもの、フ
ェノール類とジシクロペンタジエンやテルペン類との付
加物または重付加物をエポキシ化したもの、フタル酸、
ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応に
より得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジア
ミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミン
とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジル
アミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過
酸物で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環
族エポキシ樹脂などが挙げられ、これらの１種を単独で
又は２種以上を組み合わせて用いることができる。中で
も誘電特性の観点から、フェノール類とジシクロペンタ
ジエンやテルペン類との付加物又は重付加物をエポキシ
化したものが好ましい。これらのエポキシ樹脂を併用す
る場合、その配合量は誘電特性の観点から、シアネート
エステル樹脂（Ａ）、フェノール化合物（Ｂ）及びポリ
フェニレンエーテル樹脂（Ｃ）の総量に対して３０重量
％以下が好ましい。
【００２６】さらに、本発明の封止用成形材料には、そ
の他の添加剤として、高級脂肪酸、高級脂酸金属塩、エ
ステル系ワックス、低分子量ポリエチレン等の離型剤、
染料、カーボンブラック等の着色剤、エポキシシラン、
アミノシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、アルキ
ルシラン、有機チタネート、アルミニウムアルコレート
等のカップリング剤などを用いることができる。
の他の添加剤として、高級脂肪酸、高級脂酸金属塩、エ
ステル系ワックス、低分子量ポリエチレン等の離型剤、
染料、カーボンブラック等の着色剤、エポキシシラン、
アミノシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、アルキ
ルシラン、有機チタネート、アルミニウムアルコレート
等のカップリング剤などを用いることができる。
【００２７】以上のような各種配合成分を用いて本発明
の封止用成形材料を作製する一般的な方法としては、所
定の配合量の原材料を秤量し、ミキサー等によって十分
混合した後、ミキシングロール、押出機、らいかい機な
どによって混練を行う方法を挙げることができる。得ら
れた成形材料が常温固形の場合は、その後冷却、粉砕
し、成形条件に合うような寸法及び重量でタブレット化
すると使いやすい。
の封止用成形材料を作製する一般的な方法としては、所
定の配合量の原材料を秤量し、ミキサー等によって十分
混合した後、ミキシングロール、押出機、らいかい機な
どによって混練を行う方法を挙げることができる。得ら
れた成形材料が常温固形の場合は、その後冷却、粉砕
し、成形条件に合うような寸法及び重量でタブレット化
すると使いやすい。
【００２８】本発明で得られる封止用成形材料により素
子を封止して得られる電子部品装置としては、リードフ
レーム、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラス、
シリコンウエハ等の支持部材に、半導体チップ、トラン
ジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデ
ンサ、抵抗体、抵抗アレイ、コイル、スイッチ等の受動
素子などの素子を搭載し、必要な部分を本発明の封止用
成形材料で封止して得られる電子部品装置などが挙げら
れる。このような電子部品装置としては、例えば、リー
ドフレーム上に半導体素子を固定し、ボンディングパッ
ド等の素子の端子部とリード部をワイヤボンディングや
バンプで接続した後、本発明の封止用成形材料を用いて
トランスファ成形などにより封止してなる、ＤＩＰ（Du
al Inline Package）、ＰＬＣＣ（Plastic Leaded Chip
Carrier）、ＱＦＰ（Quad FlatPackage）、ＳＯＰ（Sm
all Outline Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-lea
dpackage）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Packag
e）、ＴＱＦＰ（Thin QuadFlat Package）等の一般的な
樹脂封止型ＩＣ、テープキャリアにバンプで接続した半
導体チップを、本発明の封止用成形材料で封止したＴＣ
Ｐ（Tape Carrier Package）、配線板やガラス上に形成
した配線に、ワイヤーボンディング、フリップチップボ
ンディング、はんだ等で接続した半導体チップ、トラン
ジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子及び／又
はコンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子を、本発明
の封止用成形材料で封止したＣＯＢ（Chip On Boad）モ
ジュール、ハイブリッドＩＣ、マルチチップモジュー
ル、裏面に配線板接続用の端子を形成した有機基板の表
面に素子を搭載し、バンプまたはワイヤボンディングに
より素子と有機基板に形成された配線を接続した後、本
発明の封止用成形材料で素子を封止したＢＧＡ（Ball G
rid Array）、ＣＳＰ（Chip Size Package）などが挙げ
られる。また、プリント回路板にも本発明の封止用エポ
キシ樹脂成形材料は有効に使用できる。
子を封止して得られる電子部品装置としては、リードフ
レーム、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラス、
シリコンウエハ等の支持部材に、半導体チップ、トラン
ジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデ
ンサ、抵抗体、抵抗アレイ、コイル、スイッチ等の受動
素子などの素子を搭載し、必要な部分を本発明の封止用
成形材料で封止して得られる電子部品装置などが挙げら
れる。このような電子部品装置としては、例えば、リー
ドフレーム上に半導体素子を固定し、ボンディングパッ
ド等の素子の端子部とリード部をワイヤボンディングや
バンプで接続した後、本発明の封止用成形材料を用いて
トランスファ成形などにより封止してなる、ＤＩＰ（Du
al Inline Package）、ＰＬＣＣ（Plastic Leaded Chip
Carrier）、ＱＦＰ（Quad FlatPackage）、ＳＯＰ（Sm
all Outline Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-lea
dpackage）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Packag
e）、ＴＱＦＰ（Thin QuadFlat Package）等の一般的な
樹脂封止型ＩＣ、テープキャリアにバンプで接続した半
導体チップを、本発明の封止用成形材料で封止したＴＣ
Ｐ（Tape Carrier Package）、配線板やガラス上に形成
した配線に、ワイヤーボンディング、フリップチップボ
ンディング、はんだ等で接続した半導体チップ、トラン
ジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子及び／又
はコンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子を、本発明
の封止用成形材料で封止したＣＯＢ（Chip On Boad）モ
ジュール、ハイブリッドＩＣ、マルチチップモジュー
ル、裏面に配線板接続用の端子を形成した有機基板の表
面に素子を搭載し、バンプまたはワイヤボンディングに
より素子と有機基板に形成された配線を接続した後、本
発明の封止用成形材料で素子を封止したＢＧＡ（Ball G
rid Array）、ＣＳＰ（Chip Size Package）などが挙げ
られる。また、プリント回路板にも本発明の封止用エポ
キシ樹脂成形材料は有効に使用できる。
【００２９】特に優れた誘電特性を要求される半導体素
子としては、通信用など１ＧＨｚ以上の周波数帯で用い
られる素子等が挙げられ、本発明の封止用成形材料はこ
れらの素子を対象に好適に使用できる。
子としては、通信用など１ＧＨｚ以上の周波数帯で用い
られる素子等が挙げられ、本発明の封止用成形材料はこ
れらの素子を対象に好適に使用できる。
【００３０】本発明の封止用成形材料を用いて素子を封
止する方法としては、成形材料が常温固形の場合は、低
圧トランスファー成形法が最も一般的であるが、インジ
ェクション成形法、圧縮成形法等を用いてもよい。ま
た、成形材料が常温液状又はペースト状の場合は、ディ
スペンス方式、注型方式、印刷方式等が挙げられる。ま
た、素子の封止方法としては、素子を直接樹脂封止する
一般的な封止方法ばかりではなく、素子に直接電子部品
封止用成形材料が接触しない形態である中空パッケージ
の方式もあり、中空パッケージ用の成形材料としても好
適に使用できる。中空パッケージの場合は、素子上に直
接電子部品封止用成形材料は触れないものの、リード部
は電子部品封止用成形材料に埋め込まれた形態で成形さ
れるため、高周波用途では低誘電率、低誘電損失が要求
される。これらの用途はこれまで主にセラミックパッケ
ージで製品化されていたが、本発明の電子部品封止用成
形材料を適用することで、電気特性、耐熱性、耐湿性及
び成形性を満足し、生産性及びコストを大幅に改善でき
る。また、これを用いた電子部品も優れた性能と低コス
ト化を実現できる。
止する方法としては、成形材料が常温固形の場合は、低
圧トランスファー成形法が最も一般的であるが、インジ
ェクション成形法、圧縮成形法等を用いてもよい。ま
た、成形材料が常温液状又はペースト状の場合は、ディ
スペンス方式、注型方式、印刷方式等が挙げられる。ま
た、素子の封止方法としては、素子を直接樹脂封止する
一般的な封止方法ばかりではなく、素子に直接電子部品
封止用成形材料が接触しない形態である中空パッケージ
の方式もあり、中空パッケージ用の成形材料としても好
適に使用できる。中空パッケージの場合は、素子上に直
接電子部品封止用成形材料は触れないものの、リード部
は電子部品封止用成形材料に埋め込まれた形態で成形さ
れるため、高周波用途では低誘電率、低誘電損失が要求
される。これらの用途はこれまで主にセラミックパッケ
ージで製品化されていたが、本発明の電子部品封止用成
形材料を適用することで、電気特性、耐熱性、耐湿性及
び成形性を満足し、生産性及びコストを大幅に改善でき
る。また、これを用いた電子部品も優れた性能と低コス
ト化を実現できる。
【００３１】
【実施例】次に実施例により本発明を説明するが、本発
明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３２】実施例１ 温度計、冷却管、攪拌装置を備えた５リットルの４つ口
セパラブルフラスコに、トルエン４５０ｇとポリフェニ
レンエーテル樹脂（日本ジーイープラスチックス株式会
社製商品名ＰＫＮ４７５２）１００ｇを投入し、８０℃
に加熱し攪拌溶解した。次に２，２−ビス（４−シアネ
ートフェニル）プロパン（旭チバ株式会社製商品名Ａｒ
ｏｃｙＢ−１０）７００ｇ、２−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−２−フェニルプロパン（サンテクノケミカル株
式会社製）６４ｇ、ナフテン酸コバルト（Ｃｏ含有量＝
８重量％、日本化学産業株式会社製）の１０重量％トル
エン希釈溶液４ｇを添加し還流温度で１時間反応させ
た。室温まで冷却した後、ナフテン酸亜鉛（Ｚｎ含有量
＝８重量％、日本化学産業株式会社製）の１０重量％ト
ルエン希釈溶液１ｇを添加し攪拌溶解し、その後４０℃
で減圧乾燥を行い固形分を取り出すことでベース樹脂を
作製した。得られたベース樹脂１００重量部、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン２重量部、非酸化
ポリエチレンワックス１重量部（クラリアント社製商品
名ＰＥ５２０）、カーボンブラック（三菱化学株式会社
製商品名ＭＡ−１００）２重量部及び平均粒径１５μ
m、１００μm以上の成分０．１重量％以下、５μm以下
の成分が３０重量％の球形溶融シリカを配合成分全量に
対して５０容量％配合し、１０インチ径の加熱ロールを
使用して、混練温度８０℃、混練時間７分の条件で実施
例１の封止用成形材料を作製した。
セパラブルフラスコに、トルエン４５０ｇとポリフェニ
レンエーテル樹脂（日本ジーイープラスチックス株式会
社製商品名ＰＫＮ４７５２）１００ｇを投入し、８０℃
に加熱し攪拌溶解した。次に２，２−ビス（４−シアネ
ートフェニル）プロパン（旭チバ株式会社製商品名Ａｒ
ｏｃｙＢ−１０）７００ｇ、２−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−２−フェニルプロパン（サンテクノケミカル株
式会社製）６４ｇ、ナフテン酸コバルト（Ｃｏ含有量＝
８重量％、日本化学産業株式会社製）の１０重量％トル
エン希釈溶液４ｇを添加し還流温度で１時間反応させ
た。室温まで冷却した後、ナフテン酸亜鉛（Ｚｎ含有量
＝８重量％、日本化学産業株式会社製）の１０重量％ト
ルエン希釈溶液１ｇを添加し攪拌溶解し、その後４０℃
で減圧乾燥を行い固形分を取り出すことでベース樹脂を
作製した。得られたベース樹脂１００重量部、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン２重量部、非酸化
ポリエチレンワックス１重量部（クラリアント社製商品
名ＰＥ５２０）、カーボンブラック（三菱化学株式会社
製商品名ＭＡ−１００）２重量部及び平均粒径１５μ
m、１００μm以上の成分０．１重量％以下、５μm以下
の成分が３０重量％の球形溶融シリカを配合成分全量に
対して５０容量％配合し、１０インチ径の加熱ロールを
使用して、混練温度８０℃、混練時間７分の条件で実施
例１の封止用成形材料を作製した。
【００３３】実施例２ 実施例１のナフテン酸コバルト（Ｃｏ含有量＝８重量
％、日本化学産業株式会社製）の１０重量％トルエン希
釈溶液４ｇをナフテン酸マンガン（Ｍｎ含有量＝８重量
％、日本化学産業株式会社製）の１０重量％トルエン希
釈溶液３ｇに置き換えた以外は実施例１と同様な方法で
実施例２の封止用成形材料を作製した。
％、日本化学産業株式会社製）の１０重量％トルエン希
釈溶液４ｇをナフテン酸マンガン（Ｍｎ含有量＝８重量
％、日本化学産業株式会社製）の１０重量％トルエン希
釈溶液３ｇに置き換えた以外は実施例１と同様な方法で
実施例２の封止用成形材料を作製した。
【００３４】実施例３ 温度計、冷却管、攪拌装置を備えた５リットルの４つ口
セパラブルフラスコに、トルエン６００ｇとポリフェニ
レンエーテル樹脂（日本ジーイープラスチックス株式会
社製商品名ＰＫＮ４７５２）１５０ｇを投入し、８０℃
に加熱し攪拌溶解した。次にビス（３，５−ジメチル−
４−シアナトフェニル）メタン（旭チバ株式会社製商品
名ＡｒｏｃｙＭ−１０）６００ｇ、２−（４−ヒドロキ
シフェニル）−２−フェニルプロパン（サンテクノケミ
カル株式会社製）３０ｇを投入溶解後、ナフテン酸コバ
ルト（Ｃｏ含有量＝８重量％、日本化学産業株式会社
製）の１０重量％トルエン希釈溶液４ｇを添加し還流温
度で１時間反応させ、室温まで冷却した後、２−（４−
ヒドロキシフェニル）−２−フェニルプロパン１２０ｇ
を添加し攪拌溶解し、その後４０℃で減圧乾燥を行い固
形分を取り出すことでベース樹脂を作製した。得られた
ベース樹脂１００重量部、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン２重量部、非酸化ポリエチレンワック
ス（クラリアント社製商品名ＰＥ５２０）１重量部、カ
ーボンブラック（三菱化学株式会社製商品名ＭＡ−１０
０）２重量部及び平均粒径１５μm、１００μm以上の成
分０．１重量％以下、５μm以下の成分が３０重量％の
球形溶融シリカを配合成分全量に対して５０容量％配合
し、１０インチ径の加熱ロールを使用して、混練温度８
０℃、混練時間７分の条件で実施例３の封止用成形材料
を作製した。
セパラブルフラスコに、トルエン６００ｇとポリフェニ
レンエーテル樹脂（日本ジーイープラスチックス株式会
社製商品名ＰＫＮ４７５２）１５０ｇを投入し、８０℃
に加熱し攪拌溶解した。次にビス（３，５−ジメチル−
４−シアナトフェニル）メタン（旭チバ株式会社製商品
名ＡｒｏｃｙＭ−１０）６００ｇ、２−（４−ヒドロキ
シフェニル）−２−フェニルプロパン（サンテクノケミ
カル株式会社製）３０ｇを投入溶解後、ナフテン酸コバ
ルト（Ｃｏ含有量＝８重量％、日本化学産業株式会社
製）の１０重量％トルエン希釈溶液４ｇを添加し還流温
度で１時間反応させ、室温まで冷却した後、２−（４−
ヒドロキシフェニル）−２−フェニルプロパン１２０ｇ
を添加し攪拌溶解し、その後４０℃で減圧乾燥を行い固
形分を取り出すことでベース樹脂を作製した。得られた
ベース樹脂１００重量部、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン２重量部、非酸化ポリエチレンワック
ス（クラリアント社製商品名ＰＥ５２０）１重量部、カ
ーボンブラック（三菱化学株式会社製商品名ＭＡ−１０
０）２重量部及び平均粒径１５μm、１００μm以上の成
分０．１重量％以下、５μm以下の成分が３０重量％の
球形溶融シリカを配合成分全量に対して５０容量％配合
し、１０インチ径の加熱ロールを使用して、混練温度８
０℃、混練時間７分の条件で実施例３の封止用成形材料
を作製した。
【００３５】実施例４ 温度計、冷却管、攪拌装置を備えた５リットルの４つ口
セパラブルフラスコに、トルエン４５０ｇとポリフェニ
レンエーテル樹脂（日本ジーイープラスチックス株式会
社製商品名ＰＫＮ４７５２）１００ｇを投入し、８０℃
に加熱し攪拌溶解した。次に２，２−ビス（４−シアネ
ートフェニル）プロパン（旭チバ株式会社製商品名Ａｒ
ｏｃｙＢ−１０）７００ｇ、２−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−２−フェニルプロパン（サンテクノケミカル株
式会社製）６４ｇ、臭素化トリフェニルシアヌレート
（第一工業製薬株式会社製商品名ピロガードＳＲ−２４
５）１２５ｇを投入溶解後、ナフテン酸マンガン（Ｍｎ
含有量＝８重量％、日本化学産業株式会社製）の１０重
量％トルエン希釈溶液３ｇを添加し還流温度で１時間反
応させた。室温まで冷却した後、ナフテン酸亜鉛（Ｚｎ
含有量＝８重量％、日本化学産業株式会社製）の１０重
量％トルエン希釈溶液１ｇを添加し攪拌溶解し、その後
４０℃で減圧乾燥を行い固形分を取り出すことでベース
樹脂を作製した。得られたベース樹脂１００重量部、γ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン２重量部、
非酸化ポリエチレンワックス（クラリアント社製商品名
ＰＥ５２０）１重量部、カーボンブラック（三菱化学株
式会社製商品名ＭＡ−１００）２重量部及び平均粒径１
５μm、１００μm以上の成分０．１重量％以下、５μm
以下の成分が３０重量％の球形溶融シリカを配合成分全
量に対して５０容量％配合し、１０インチ径の加熱ロー
ルを使用して、混練温度８０℃、混練時間７分の条件で
実施例４の封止用成形材料を作製した。
セパラブルフラスコに、トルエン４５０ｇとポリフェニ
レンエーテル樹脂（日本ジーイープラスチックス株式会
社製商品名ＰＫＮ４７５２）１００ｇを投入し、８０℃
に加熱し攪拌溶解した。次に２，２−ビス（４−シアネ
ートフェニル）プロパン（旭チバ株式会社製商品名Ａｒ
ｏｃｙＢ−１０）７００ｇ、２−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−２−フェニルプロパン（サンテクノケミカル株
式会社製）６４ｇ、臭素化トリフェニルシアヌレート
（第一工業製薬株式会社製商品名ピロガードＳＲ−２４
５）１２５ｇを投入溶解後、ナフテン酸マンガン（Ｍｎ
含有量＝８重量％、日本化学産業株式会社製）の１０重
量％トルエン希釈溶液３ｇを添加し還流温度で１時間反
応させた。室温まで冷却した後、ナフテン酸亜鉛（Ｚｎ
含有量＝８重量％、日本化学産業株式会社製）の１０重
量％トルエン希釈溶液１ｇを添加し攪拌溶解し、その後
４０℃で減圧乾燥を行い固形分を取り出すことでベース
樹脂を作製した。得られたベース樹脂１００重量部、γ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン２重量部、
非酸化ポリエチレンワックス（クラリアント社製商品名
ＰＥ５２０）１重量部、カーボンブラック（三菱化学株
式会社製商品名ＭＡ−１００）２重量部及び平均粒径１
５μm、１００μm以上の成分０．１重量％以下、５μm
以下の成分が３０重量％の球形溶融シリカを配合成分全
量に対して５０容量％配合し、１０インチ径の加熱ロー
ルを使用して、混練温度８０℃、混練時間７分の条件で
実施例４の封止用成形材料を作製した。
【００３６】実施例５ 温度計、冷却管、攪拌装置を備えた５リットルの４つ口
セパラブルフラスコに、トルエン６００ｇとポリフェニ
レンエーテル樹脂（日本ジーイープラスチックス株式会
社製商品名ＰＫＮ４７５２）１５０ｇを投入し、８０℃
に加熱し攪拌溶解した。次にビス（３，５−ジメチル−
４−シアナトフェニル）メタン（旭チバ株式会社製商品
名ＡｒｏｃｙＭ−１０）６００ｇ、２−（４−ヒドロキ
シフェニル）−２−フェニルプロパン（サンテクノケミ
カル株式会社製）３０ｇを投入溶解後、ナフテン酸コバ
ルト（Ｃｏ含有量＝８重量％、日本化学産業株式会社
製）の１０重量％トルエン希釈溶液４ｇを添加し還流温
度で１時間反応させた。ついで１，２−ジブロモ−４−
（１，２−ジブロモエチル）シクロヘキサン（アルベマ
ール社製商品名ＳａｙｔｅｘＢＣＬ−４６２）１５０ｇ
を投入溶解させ、室温まで冷却した後、２−（４−ヒド
ロキシフェニル）−２−フェニルプロパン１２０ｇを添
加し攪拌溶解し、その後４０℃で減圧乾燥を行い固形分
を取り出すことでベース樹脂を作製した。得られたベー
ス樹脂１００重量部、γ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン２重量部、非酸化ポリエチレンワックス
（クラリアント社製商品名ＰＥ５２０）１重量部、カー
ボンブラック（三菱化学株式会社製商品名ＭＡ−１０
０）２重量部及び平均粒径１５μm、１００μm以上の成
分０．１重量％以下、５μm以下の成分が３０重量％の
球形溶融シリカを配合成分全量に対して５０容量％配合
し、１０インチ径の加熱ロールを使用して、混練温度８
０℃、混練時間７分の条件で実施例５の封止用成形材料
を作製した。
セパラブルフラスコに、トルエン６００ｇとポリフェニ
レンエーテル樹脂（日本ジーイープラスチックス株式会
社製商品名ＰＫＮ４７５２）１５０ｇを投入し、８０℃
に加熱し攪拌溶解した。次にビス（３，５−ジメチル−
４−シアナトフェニル）メタン（旭チバ株式会社製商品
名ＡｒｏｃｙＭ−１０）６００ｇ、２−（４−ヒドロキ
シフェニル）−２−フェニルプロパン（サンテクノケミ
カル株式会社製）３０ｇを投入溶解後、ナフテン酸コバ
ルト（Ｃｏ含有量＝８重量％、日本化学産業株式会社
製）の１０重量％トルエン希釈溶液４ｇを添加し還流温
度で１時間反応させた。ついで１，２−ジブロモ−４−
（１，２−ジブロモエチル）シクロヘキサン（アルベマ
ール社製商品名ＳａｙｔｅｘＢＣＬ−４６２）１５０ｇ
を投入溶解させ、室温まで冷却した後、２−（４−ヒド
ロキシフェニル）−２−フェニルプロパン１２０ｇを添
加し攪拌溶解し、その後４０℃で減圧乾燥を行い固形分
を取り出すことでベース樹脂を作製した。得られたベー
ス樹脂１００重量部、γ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン２重量部、非酸化ポリエチレンワックス
（クラリアント社製商品名ＰＥ５２０）１重量部、カー
ボンブラック（三菱化学株式会社製商品名ＭＡ−１０
０）２重量部及び平均粒径１５μm、１００μm以上の成
分０．１重量％以下、５μm以下の成分が３０重量％の
球形溶融シリカを配合成分全量に対して５０容量％配合
し、１０インチ径の加熱ロールを使用して、混練温度８
０℃、混練時間７分の条件で実施例５の封止用成形材料
を作製した。
【００３７】実施例６ 実施例１と同様な方法で得たベース樹脂１００重量部、
ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（大日
本インキ化学工業社商品名ＥＸＡ−７２００Ｌ）２０重
量部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン２
重量部、非酸化ポリエチレンワックス（クラリアント社
製商品名ＰＥ５２０）１重量部、カーボンブラック（三
菱化学株式会社製商品名ＭＡ−１００）２重量部及び平
均粒径１５μm、１００μm以上の成分０．１重量％以
下、５μm以下の成分が３０重量％の球形溶融シリカを
配合成分全量に対して５０容量％配合し、１０インチ径
の加熱ロールを使用して、混練温度８０℃、混練時間７
分の条件で実施例６の封止用成形材料を作製した。
ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（大日
本インキ化学工業社商品名ＥＸＡ−７２００Ｌ）２０重
量部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン２
重量部、非酸化ポリエチレンワックス（クラリアント社
製商品名ＰＥ５２０）１重量部、カーボンブラック（三
菱化学株式会社製商品名ＭＡ−１００）２重量部及び平
均粒径１５μm、１００μm以上の成分０．１重量％以
下、５μm以下の成分が３０重量％の球形溶融シリカを
配合成分全量に対して５０容量％配合し、１０インチ径
の加熱ロールを使用して、混練温度８０℃、混練時間７
分の条件で実施例６の封止用成形材料を作製した。
【００３８】実施例７ 実施例４と同様な方法で得たベース樹脂１００重量部、
ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（大日
本インキ化学工業社商品名ＥＸＡ−７２００Ｌ）２０重
量部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン２
重量部、非酸化ポリエチレンワックス（クラリアント社
製商品名ＰＥ５２０）１重量部、カーボンブラック（三
菱化学株式会社製商品名ＭＡ−１００）２重量部及び平
均粒径１５μm、１００μm以上の成分０．１重量％以
下、５μm以下の成分が３０重量％の球形溶融シリカを
配合成分全量に対して５０容量％配合し、１０インチ径
の加熱ロールを使用して、混練温度８０℃、混練時間７
分の条件で実施例７の封止用成形材料を作製した。
ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（大日
本インキ化学工業社商品名ＥＸＡ−７２００Ｌ）２０重
量部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン２
重量部、非酸化ポリエチレンワックス（クラリアント社
製商品名ＰＥ５２０）１重量部、カーボンブラック（三
菱化学株式会社製商品名ＭＡ−１００）２重量部及び平
均粒径１５μm、１００μm以上の成分０．１重量％以
下、５μm以下の成分が３０重量％の球形溶融シリカを
配合成分全量に対して５０容量％配合し、１０インチ径
の加熱ロールを使用して、混練温度８０℃、混練時間７
分の条件で実施例７の封止用成形材料を作製した。
【００３９】比較例１ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（大日本インキ化
学工業社商品名Ｅｐｉｃｌｏｎ Ｎ−６７０）１００重
量部、軟化点８５℃、水酸基当量１０６のフェノールノ
ボラック樹脂（明和化成株式会社製商品名Ｈ−１）５０
重量部、トリフェニルホスフィン１重量部、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン２重量部、非酸化ポ
リエチレンワックス（クラリアント社製商品名ＰＥ５２
０）１重量部、カーボンブラック（三菱化学株式会社製
商品名ＭＡ−１００）２重量部及び平均粒径１５μm、
１００μm以上の成分０．１重量％以下、５μm以下の成
分が３０重量％の球形溶融シリカを配合成分全量に対し
て５０容量％配合し、１０インチ径の加熱ロールを使用
して、混練温度８０℃、混練時間７分の条件で比較例１
の封止用成形材料を作製した。
学工業社商品名Ｅｐｉｃｌｏｎ Ｎ−６７０）１００重
量部、軟化点８５℃、水酸基当量１０６のフェノールノ
ボラック樹脂（明和化成株式会社製商品名Ｈ−１）５０
重量部、トリフェニルホスフィン１重量部、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン２重量部、非酸化ポ
リエチレンワックス（クラリアント社製商品名ＰＥ５２
０）１重量部、カーボンブラック（三菱化学株式会社製
商品名ＭＡ−１００）２重量部及び平均粒径１５μm、
１００μm以上の成分０．１重量％以下、５μm以下の成
分が３０重量％の球形溶融シリカを配合成分全量に対し
て５０容量％配合し、１０インチ径の加熱ロールを使用
して、混練温度８０℃、混練時間７分の条件で比較例１
の封止用成形材料を作製した。
【００４０】比較例２ ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（大日
本インキ化学工業社商品名ＥＸＡ−７２００Ｌ）１００
重量部、軟化点８５℃、水酸基当量１０６のフェノール
ノボラック樹脂（明和化成株式会社製商品名Ｈ−１）４
２重量部、トリフェニルホスフィン１重量部、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン２重量部、非酸化
ポリエチレンワックス（クラリアント社製商品名ＰＥ５
２０）１重量部、カーボンブラック（三菱化学株式会社
製商品名ＭＡ−１００）２重量部及び平均粒径１５μ
m、１００μm以上の成分０．１重量％以下、５μm以下
の成分が３０重量％の球形溶融シリカを配合成分全量に
対して５０容量％配合し、１０インチ径の加熱ロールを
使用して、混練温度８０℃、混練時間７分の条件で比較
例２の封止用成形材料を作製した。
本インキ化学工業社商品名ＥＸＡ−７２００Ｌ）１００
重量部、軟化点８５℃、水酸基当量１０６のフェノール
ノボラック樹脂（明和化成株式会社製商品名Ｈ−１）４
２重量部、トリフェニルホスフィン１重量部、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン２重量部、非酸化
ポリエチレンワックス（クラリアント社製商品名ＰＥ５
２０）１重量部、カーボンブラック（三菱化学株式会社
製商品名ＭＡ−１００）２重量部及び平均粒径１５μ
m、１００μm以上の成分０．１重量％以下、５μm以下
の成分が３０重量％の球形溶融シリカを配合成分全量に
対して５０容量％配合し、１０インチ径の加熱ロールを
使用して、混練温度８０℃、混練時間７分の条件で比較
例２の封止用成形材料を作製した。
【００４１】得られた実施例、比較例の封止用成形材料
を１８０℃、１８０秒、１０ＭＰａの条件でトランスフ
ァ成形し、直径５０ｍｍ、厚さ１ｍｍの円板を成形し、
その後２００℃、１２０分加熱処理を行った。この円板
を用いてマテリアルアナライザＨＰ４２９１Ｂ（横川ヒ
ューレットパッカード社製）により、室温で１ＧＨｚで
の比誘電率及び誘電正接を測定した。また、円板成形時
の成形圧力条件から円板充填性を評価した。円板充填性
は成形外観を基準に、低い成形圧力で良好な試験片が得
られるものほど良好とし、成形圧力７ＭＰａ以下を優、
１０ＭＰａ以下を良とした。また、UL-94試験法に従っ
て難燃性を評価した。試験結果を表１に示す。表１から
明らかなように、実施例１〜７の封止用成形材料は、何
れも比誘電率、誘電正接が低く、成形性も良好である。
特に、実施例６及び７は成形性にも優れており、薄形の
電子部品装置の封止に好適である。また、難燃剤（Ｆ）
を配合した実施例４，５及び７はＵＬ−９４ Ｖ−０の
良好な難燃性を示した。これに対して比較例は、通常の
半導体封止用途に用いられる典型的な樹脂系であるが１
ＧＨｚの比誘電率及び誘電正接が高く高周波用途への適
用は困難である。
を１８０℃、１８０秒、１０ＭＰａの条件でトランスフ
ァ成形し、直径５０ｍｍ、厚さ１ｍｍの円板を成形し、
その後２００℃、１２０分加熱処理を行った。この円板
を用いてマテリアルアナライザＨＰ４２９１Ｂ（横川ヒ
ューレットパッカード社製）により、室温で１ＧＨｚで
の比誘電率及び誘電正接を測定した。また、円板成形時
の成形圧力条件から円板充填性を評価した。円板充填性
は成形外観を基準に、低い成形圧力で良好な試験片が得
られるものほど良好とし、成形圧力７ＭＰａ以下を優、
１０ＭＰａ以下を良とした。また、UL-94試験法に従っ
て難燃性を評価した。試験結果を表１に示す。表１から
明らかなように、実施例１〜７の封止用成形材料は、何
れも比誘電率、誘電正接が低く、成形性も良好である。
特に、実施例６及び７は成形性にも優れており、薄形の
電子部品装置の封止に好適である。また、難燃剤（Ｆ）
を配合した実施例４，５及び７はＵＬ−９４ Ｖ−０の
良好な難燃性を示した。これに対して比較例は、通常の
半導体封止用途に用いられる典型的な樹脂系であるが１
ＧＨｚの比誘電率及び誘電正接が高く高周波用途への適
用は困難である。
【００４２】
【表１】
【００４３】
【発明の効果】本発明になる封止用成形材料は、高周波
帯域での誘電率や誘電正接が低く、かつ成形性も良好で
あり、高周波信号を扱う電子部品装置の素子封止に適用
した場合、信頼性の高い電子部品装置を得ることがで
き、その工業的価値は大である。
帯域での誘電率や誘電正接が低く、かつ成形性も良好で
あり、高周波信号を扱う電子部品装置の素子封止に適用
した場合、信頼性の高い電子部品装置を得ることがで
き、その工業的価値は大である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池沢 良一 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 (72)発明者 水野 康之 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 神代 恭 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4J002 BC03X BC05X CH07X CM02W DE148 DJ008 DJ018 DK008 DL008 EB097 EU187 EZ006 FD018 FD137 GQ05 4M109 AA01 BA01 CA21 EA03 EA06 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB09 EB12 EB19 EC07 EC20 GA10
Claims (11)
- 【請求項１】（Ａ）下記一般式（Ｉ）で示されるシアネ
ートエステル樹脂、 【化１】 （Ｂ）下記一般式（II）で示されるフェノール化合物、 【化２】 （ここで、Ｒ4及びＲ5は、水素原子又は炭素数１〜４の
アルキル基を示し、互いに同じでも異なっていてもよ
い。ｎは１〜２の整数を示す。）（Ｃ）ポリフェニレン
エーテル樹脂、（Ｄ）金属系反応触媒、及び（Ｅ）無機
充填剤を必須成分とする封止用成形材料。 - 【請求項２】シアネートエステル樹脂（Ａ）と反応性を
有しない難燃剤（Ｆ）をさらに含有してなる請求項１記
載の封止用成形材料。 - 【請求項３】フェノール化合物（Ｂ）の配合量がシアネ
ートエステル樹脂（Ａ）１００重量部に対して４〜３０
重量部である請求項１又は請求項２記載の封止用成形材
料。 - 【請求項４】シアネートエステル樹脂（Ａ）が、２，２
−ビス（４−シアナトフェニル）プロパン及び／又は
２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−シアナトフェニ
ル）メタンである請求項１〜３のいずれかに記載の封止
用成形材料。 - 【請求項５】フェノール化合物（Ｂ）が２−（４−ヒド
ロキシフェニル）−２−フェニルプロパンである請求項
１〜４のいずれかに記載の封止用成形材料。 - 【請求項６】ポリフェニレンエーテル樹脂（Ｃ）が、ポ
リ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレル）エーテル
とポリスチレン又はスチレン−ブタジエンコポリマとの
アロイ化ポリマであって、かつ、ポリ（２，６−ジメチ
ル−１，４−フェニレル）エーテルを５０重量％以上含
有するポリマである請求項１〜５のいずれかに記載の封
止用成形材料。 - 【請求項７】難燃剤（Ｆ）が、１，２−ジブロモ−４−
（１，２−ジブロモエチル）シクロヘキサン、テトラブ
ロモシクロオクタン、ヘキサブロモシクロドデカン及び
下記一般式（III）で示される臭素化トリフェニルシア
ヌレート系難燃剤から選ばれる脂環式難燃剤の１種又は
２種以上である請求項２〜６のいずれかに記載の封止用
成形材料。 【化３】 （ここで、ｌ、ｍ、ｎは、互いに独立に１〜５の整数を
示す。） - 【請求項８】上記式（III）で示される臭素化トリフェ
ニルシアヌレート系難燃剤が２，４，６−トリス（トリ
ブロモフェノキシ）−１，３，５−トリアジンである請
求項７記載の封止用成形材料。 - 【請求項９】金属系反応触媒（Ｄ）がマンガン、鉄、コ
バルト、ニッケル、銅、亜鉛の２−エチルヘキサン酸
塩、ナフテン酸塩及びアセチルアセトン錯体から選ばれ
る１種又は２種以上である請求項１〜８のいずれかに記
載の封止用成形材料。 - 【請求項１０】無機充填剤（Ｅ）の誘電率が４以下であ
る請求項１〜９のいずれかに記載の封止用成形材料。 - 【請求項１１】請求項１〜１０のいずれかに記載の封止
用成形材料により封止された素子を備えた電子部品装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27030399A JP2001089654A (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | 封止用成形材料及び電子部品装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27030399A JP2001089654A (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | 封止用成形材料及び電子部品装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001089654A true JP2001089654A (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=17484404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27030399A Pending JP2001089654A (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | 封止用成形材料及び電子部品装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001089654A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002094529A1 (fr) * | 2001-05-24 | 2002-11-28 | Toray Industries, Inc. | Comprime, procede de production de ce comprime, et article moule obtenu a partir de ce comprime |
| GB2398790A (en) * | 2002-12-24 | 2004-09-01 | Bosch Gmbh Robert | Polymer composition |
| JP2006057007A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Namics Corp | 液状の封止用樹脂組成物 |
| DE102008013231A1 (de) * | 2008-03-07 | 2009-09-10 | Robert Bosch Gmbh | Härtbares Reaktionsharzsystem |
| JP2010524171A (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-15 | ジーエス カルテックス コーポレーション | 燃料電池用高温型複合樹脂分離板の原材料組成物およびこれを用いて製造された燃料電池用高温型複合樹脂分離板 |
| EP2365020A1 (en) * | 2010-03-11 | 2011-09-14 | Nitto Denko Corporation | Resin Composition for Electronic Component Encapsulation and Electronic Component Device |
| CN104031385A (zh) * | 2014-06-19 | 2014-09-10 | 苏州生益科技有限公司 | 一种高频用树脂组合物及其半固化片和层压板 |
| US8980992B2 (en) * | 2009-03-04 | 2015-03-17 | The Boeing Company | Low radio frequency loss, static dissipative adhesives |
| KR20170006266A (ko) * | 2015-07-07 | 2017-01-17 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 밀봉용 열경화성 수지 조성물 |
| WO2021033164A1 (en) * | 2019-08-20 | 2021-02-25 | Shpp Global Technologies B.V. | Poly(phenylene ether) based compatibilizing material |
| JP2021527960A (ja) * | 2018-06-21 | 2021-10-14 | エイブイエックス コーポレイション | 固体電解キャパシタ |
| JP2021528851A (ja) * | 2018-06-21 | 2021-10-21 | エイブイエックス コーポレイション | 高温において安定した電気特性を有する固体電解キャパシタ |
| JP2021528852A (ja) * | 2018-06-21 | 2021-10-21 | エイブイエックス コーポレイション | 層間剥離抵抗性の固体電解キャパシタ |
| US11837415B2 (en) | 2021-01-15 | 2023-12-05 | KYOCERA AVX Components Corpration | Solid electrolytic capacitor |
-
1999
- 1999-09-24 JP JP27030399A patent/JP2001089654A/ja active Pending
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7514144B2 (en) | 2001-05-24 | 2009-04-07 | Toray Industries, Inc. | Tablet, process for producing the same, and molded article obtained therefrom |
| KR100901730B1 (ko) * | 2001-05-24 | 2009-06-09 | 도레이 카부시키가이샤 | 정제, 그 제조방법 및 그것으로부터 얻어지는 성형품 |
| WO2002094529A1 (fr) * | 2001-05-24 | 2002-11-28 | Toray Industries, Inc. | Comprime, procede de production de ce comprime, et article moule obtenu a partir de ce comprime |
| GB2398790A (en) * | 2002-12-24 | 2004-09-01 | Bosch Gmbh Robert | Polymer composition |
| GB2398790B (en) * | 2002-12-24 | 2005-04-06 | Bosch Gmbh Robert | Polymer compositions |
| JP2006057007A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Namics Corp | 液状の封止用樹脂組成物 |
| JP4570419B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2010-10-27 | ナミックス株式会社 | 液状の封止用樹脂組成物 |
| JP2010524171A (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-15 | ジーエス カルテックス コーポレーション | 燃料電池用高温型複合樹脂分離板の原材料組成物およびこれを用いて製造された燃料電池用高温型複合樹脂分離板 |
| US8937128B2 (en) | 2008-03-07 | 2015-01-20 | Robert Bosch Gmbh | Curable reaction resin system |
| DE102008013231A1 (de) * | 2008-03-07 | 2009-09-10 | Robert Bosch Gmbh | Härtbares Reaktionsharzsystem |
| US8980992B2 (en) * | 2009-03-04 | 2015-03-17 | The Boeing Company | Low radio frequency loss, static dissipative adhesives |
| US9410060B2 (en) | 2009-03-04 | 2016-08-09 | The Boeing Company | Low radio frequency loss, static dissipative adhesives |
| EP2365020A1 (en) * | 2010-03-11 | 2011-09-14 | Nitto Denko Corporation | Resin Composition for Electronic Component Encapsulation and Electronic Component Device |
| CN104031385A (zh) * | 2014-06-19 | 2014-09-10 | 苏州生益科技有限公司 | 一种高频用树脂组合物及其半固化片和层压板 |
| CN104031385B (zh) * | 2014-06-19 | 2016-05-18 | 苏州生益科技有限公司 | 一种高频用树脂组合物及其半固化片和层压板 |
| KR20170006266A (ko) * | 2015-07-07 | 2017-01-17 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 밀봉용 열경화성 수지 조성물 |
| KR102541769B1 (ko) | 2015-07-07 | 2023-06-09 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 밀봉용 열경화성 수지 조성물 |
| JP2021527960A (ja) * | 2018-06-21 | 2021-10-14 | エイブイエックス コーポレイション | 固体電解キャパシタ |
| JP2021528851A (ja) * | 2018-06-21 | 2021-10-21 | エイブイエックス コーポレイション | 高温において安定した電気特性を有する固体電解キャパシタ |
| JP2021528852A (ja) * | 2018-06-21 | 2021-10-21 | エイブイエックス コーポレイション | 層間剥離抵抗性の固体電解キャパシタ |
| JP7299251B2 (ja) | 2018-06-21 | 2023-06-27 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | 固体電解キャパシタ |
| CN114585663A (zh) * | 2019-08-20 | 2022-06-03 | 高新特殊工程塑料全球技术有限公司 | 基于聚(苯醚)的增容材料 |
| WO2021033164A1 (en) * | 2019-08-20 | 2021-02-25 | Shpp Global Technologies B.V. | Poly(phenylene ether) based compatibilizing material |
| US11837415B2 (en) | 2021-01-15 | 2023-12-05 | KYOCERA AVX Components Corpration | Solid electrolytic capacitor |
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