JP2001102726A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JP2001102726A JP2001102726A JP27390999A JP27390999A JP2001102726A JP 2001102726 A JP2001102726 A JP 2001102726A JP 27390999 A JP27390999 A JP 27390999A JP 27390999 A JP27390999 A JP 27390999A JP 2001102726 A JP2001102726 A JP 2001102726A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- cleaning
- wiring board
- conductivity
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｓｎ層に欠損を生じさせない洗浄工程を用い
た配線基板の製造方法を提供すること。 【構成】 配線基板上に形成したＳｎ層及び／又は又は
Ｓｎ合金層を、導電率が５５μＳ／ｍ以下の洗浄水を用
いて洗浄する。洗浄工程は、１回に限らず、複数回に分
けて行うことができる。洗浄工程を複数回に分ける場合
においても、かならずしも連続して行う必要はない。工
程の合間に検査工程等が挿入されてもよい。また、各槽
毎に洗浄水の導電率を所定の範囲内において任意に変化
させてもよい。
た配線基板の製造方法を提供すること。 【構成】 配線基板上に形成したＳｎ層及び／又は又は
Ｓｎ合金層を、導電率が５５μＳ／ｍ以下の洗浄水を用
いて洗浄する。洗浄工程は、１回に限らず、複数回に分
けて行うことができる。洗浄工程を複数回に分ける場合
においても、かならずしも連続して行う必要はない。工
程の合間に検査工程等が挿入されてもよい。また、各槽
毎に洗浄水の導電率を所定の範囲内において任意に変化
させてもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓｎ層又はＳｎ合金層
を有する配線基板の製造方法に関する。本発明は、情報
処理分野や通信分野に用いられるモジュール基板、電子
部品、ＩＣパッケージ、ハイブリットＩＣ等の製造方法
として好適なものである。
を有する配線基板の製造方法に関する。本発明は、情報
処理分野や通信分野に用いられるモジュール基板、電子
部品、ＩＣパッケージ、ハイブリットＩＣ等の製造方法
として好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化・薄型化および
信号処理速度の高速化が急速に進むなかで、半導体集積
回路チップ（以下、単にＩＣチップという）の実装技術
が注目されている。例えば、チップサイズパッケージ
（ＣＳＰ）や、パッケージを用いずにチップを基板に直
接ボンディングするフリップチップ実装を用いたマルチ
チップモジュール（ＭＣＭ）が盛んに開発されている。
信号処理速度の高速化が急速に進むなかで、半導体集積
回路チップ（以下、単にＩＣチップという）の実装技術
が注目されている。例えば、チップサイズパッケージ
（ＣＳＰ）や、パッケージを用いずにチップを基板に直
接ボンディングするフリップチップ実装を用いたマルチ
チップモジュール（ＭＣＭ）が盛んに開発されている。
【０００３】フリップチップ接続方式によるアッセンブ
リーにおいては、配線基板側の各電極用パッドとＩＣチ
ップ側の各電極用パッドに形成したＡｕバンプとが一致
するようにして重ね、リフロー炉等を用いて加熱して、
配線基板側の電極パッドの最表層にあるＳｎ層とチップ
側の電極用パッドに形成したＡｕバンプとが低融点合金
（Ａｕ／Ｓｎ合金）を形成してハンダ付けすることによ
り、パッド間の電気的接続を行なっている。
リーにおいては、配線基板側の各電極用パッドとＩＣチ
ップ側の各電極用パッドに形成したＡｕバンプとが一致
するようにして重ね、リフロー炉等を用いて加熱して、
配線基板側の電極パッドの最表層にあるＳｎ層とチップ
側の電極用パッドに形成したＡｕバンプとが低融点合金
（Ａｕ／Ｓｎ合金）を形成してハンダ付けすることによ
り、パッド間の電気的接続を行なっている。
【０００４】配線基板側の電極パッドの最表層にあるＳ
ｎ層は、例えば、以下のように形成される。まず、セラ
ミック配線基板上に配線層の密着性を向上する目的で、
例えば、基板面から順にＴｉ／Ｃｕ薄膜を形成する。配
線層を形成するＴｉ／Ｃｕ薄膜の上には、実装工程にお
ける耐ハンダ性やハンダ濡れ性を確保する目的で、例え
ば、基板面から順にＮｉ／Ａｕメッキが施される。そし
て、実装用パッドを形成する部分にフォトリソグラフィ
を用いて選択的に開口部を開けて、ＳｎメッキによりＳ
ｎ層を形成する。Ｓｎ層の品質・信頼性を高めるには、
メッキ後のＳｎ層の洗浄工程に留意する必要がある。
ｎ層は、例えば、以下のように形成される。まず、セラ
ミック配線基板上に配線層の密着性を向上する目的で、
例えば、基板面から順にＴｉ／Ｃｕ薄膜を形成する。配
線層を形成するＴｉ／Ｃｕ薄膜の上には、実装工程にお
ける耐ハンダ性やハンダ濡れ性を確保する目的で、例え
ば、基板面から順にＮｉ／Ａｕメッキが施される。そし
て、実装用パッドを形成する部分にフォトリソグラフィ
を用いて選択的に開口部を開けて、ＳｎメッキによりＳ
ｎ層を形成する。Ｓｎ層の品質・信頼性を高めるには、
メッキ後のＳｎ層の洗浄工程に留意する必要がある。
【０００５】上記のＩＣチップ実装分野以外にも、信頼
性の高いＳｎ層を有するセラミックパッケージや半導体
装置を得るには、メッキ前後の洗浄工程の管理が重要で
あることが知られている（例えば、特開昭５２−４５２
７２号公報、特開昭５９−１８８９２８号公報、特開平
６−７３７８号公報等。）。
性の高いＳｎ層を有するセラミックパッケージや半導体
装置を得るには、メッキ前後の洗浄工程の管理が重要で
あることが知られている（例えば、特開昭５２−４５２
７２号公報、特開昭５９−１８８９２８号公報、特開平
６−７３７８号公報等。）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】Ｓｎ層を形成した配線
基板は、メッキ液残さや付着異物等を除去するために洗
浄される。以下に洗浄工程の一例を挙げる。まず、いわ
ゆる脱鉄水や純水を用いて、メッキ液残さを除去するた
めの洗浄（洗浄時間：３０秒、洗浄回数：３回（３
槽））を行う。次いで、純水を用いて、付着異物等を除
去するための洗浄（洗浄時間：１分、洗浄回数：３回
（３槽））を行う。最終的には、より清浄な純水を用い
て洗浄（洗浄時間：３分、洗浄回数：１回（１槽））し
て、洗浄工程を終了する。
基板は、メッキ液残さや付着異物等を除去するために洗
浄される。以下に洗浄工程の一例を挙げる。まず、いわ
ゆる脱鉄水や純水を用いて、メッキ液残さを除去するた
めの洗浄（洗浄時間：３０秒、洗浄回数：３回（３
槽））を行う。次いで、純水を用いて、付着異物等を除
去するための洗浄（洗浄時間：１分、洗浄回数：３回
（３槽））を行う。最終的には、より清浄な純水を用い
て洗浄（洗浄時間：３分、洗浄回数：１回（１槽））し
て、洗浄工程を終了する。
【０００７】このような洗浄工程を経た配線基板のＳｎ
層を観察したところ、Ｓｎ層に欠損が発生していること
がわかった。この現象は、Ｓｎ層が洗浄水に溶出したた
め発生したものと推察される。しかし、洗浄工程の何が
どのように影響して、Ｓｎ層に欠損が発生するのか不明
であった。本発明は、かかる問題に鑑みて、Ｓｎ層に欠
損を生じさせない洗浄工程を用いた配線基板の製造方法
を提供することを目的とする。
層を観察したところ、Ｓｎ層に欠損が発生していること
がわかった。この現象は、Ｓｎ層が洗浄水に溶出したた
め発生したものと推察される。しかし、洗浄工程の何が
どのように影響して、Ｓｎ層に欠損が発生するのか不明
であった。本発明は、かかる問題に鑑みて、Ｓｎ層に欠
損を生じさせない洗浄工程を用いた配線基板の製造方法
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、配線
基板上に形成したＳｎ層及び／又は又はＳｎ合金層を、
導電率が５５μＳ／ｍ以下の洗浄水を用いて洗浄する洗
浄工程を含む配線基板の製造方法を要旨とする。Ｓｎ層
及び／又はＳｎ合金層（以下、Ｓｎ層等という。）を有
する配線基板の洗浄に用いる洗浄水の所定の特性を規定
することで、Ｓｎ層等の洗浄工程における欠損を防止で
きる。
基板上に形成したＳｎ層及び／又は又はＳｎ合金層を、
導電率が５５μＳ／ｍ以下の洗浄水を用いて洗浄する洗
浄工程を含む配線基板の製造方法を要旨とする。Ｓｎ層
及び／又はＳｎ合金層（以下、Ｓｎ層等という。）を有
する配線基板の洗浄に用いる洗浄水の所定の特性を規定
することで、Ｓｎ層等の洗浄工程における欠損を防止で
きる。
【０００９】洗浄水の導電率を５５μＳ／ｍ以下に規定
することでＳｎ層等の欠損を防止できる理由の詳細は不
明であるが、洗浄後のＳｎ層等へのイオン導電性不純物
の残さを少なくすることで、局部電池的な作用によるＳ
ｎの溶出を防止できるためと推察される。
することでＳｎ層等の欠損を防止できる理由の詳細は不
明であるが、洗浄後のＳｎ層等へのイオン導電性不純物
の残さを少なくすることで、局部電池的な作用によるＳ
ｎの溶出を防止できるためと推察される。
【００１０】本洗浄工程は、１回に限らず、複数回に分
けて行うことができる。例えば、洗浄槽を３槽用意し
て、１槽につき３０秒ずつ洗浄を行うような場合であ
る。洗浄工程を複数回に分ける場合においても、かなら
ずしも連続して行う必要はない。工程の合間に検査工程
等が挿入されてもよい。また、各槽毎に洗浄水の導電率
を所定の範囲内において任意に変化させてもよい。
けて行うことができる。例えば、洗浄槽を３槽用意し
て、１槽につき３０秒ずつ洗浄を行うような場合であ
る。洗浄工程を複数回に分ける場合においても、かなら
ずしも連続して行う必要はない。工程の合間に検査工程
等が挿入されてもよい。また、各槽毎に洗浄水の導電率
を所定の範囲内において任意に変化させてもよい。
【００１１】ただし、洗浄水の導電率の下限値が２５μ
Ｓ／ｍを越える場合、洗浄工程の累積時間は１０分未満
であることが好ましい。累積時間が１０分以上に及ぶ
と、軽微ではあるが、Ｓｎ層等に欠損が発生するように
なるからである。より好ましい洗浄工程の累積時間は５
分以下である。更に好ましくは３分以下、最も好ましく
は２分以下である。
Ｓ／ｍを越える場合、洗浄工程の累積時間は１０分未満
であることが好ましい。累積時間が１０分以上に及ぶ
と、軽微ではあるが、Ｓｎ層等に欠損が発生するように
なるからである。より好ましい洗浄工程の累積時間は５
分以下である。更に好ましくは３分以下、最も好ましく
は２分以下である。
【００１２】請求項２の発明は、配線基板上に形成した
Ｓｎ層及び／又は又はＳｎ合金層を、導電率が２５μＳ
／ｍ以下の洗浄水を用いて洗浄する洗浄工程を含む配線
基板の製造方法を要旨とする。Ｓｎ層及び／又はＳｎ合
金層（以下、Ｓｎ層等という。）を有する配線基板の洗
浄に用いる洗浄水の導電率をより厳密に規定すること
で、Ｓｎ層等の洗浄工程における欠損をより効果的に防
止できる。
Ｓｎ層及び／又は又はＳｎ合金層を、導電率が２５μＳ
／ｍ以下の洗浄水を用いて洗浄する洗浄工程を含む配線
基板の製造方法を要旨とする。Ｓｎ層及び／又はＳｎ合
金層（以下、Ｓｎ層等という。）を有する配線基板の洗
浄に用いる洗浄水の導電率をより厳密に規定すること
で、Ｓｎ層等の洗浄工程における欠損をより効果的に防
止できる。
【００１３】洗浄水の導電率を２５μＳ／ｍ以下に規定
することでＳｎ層等の欠損をより効果的に防止できる理
由としては、洗浄後のＳｎ層等へのイオン導電性不純物
の残さをより少なくすることで、局部電池的な作用によ
るＳｎの溶出をより効果的に防止できるためと推察され
る。より好ましい洗浄水の導電率は１５μＳ／ｍ以下で
ある。洗浄後のＳｎ層等へのイオン導電性不純物の残さ
を更に少なくすることができるからである。
することでＳｎ層等の欠損をより効果的に防止できる理
由としては、洗浄後のＳｎ層等へのイオン導電性不純物
の残さをより少なくすることで、局部電池的な作用によ
るＳｎの溶出をより効果的に防止できるためと推察され
る。より好ましい洗浄水の導電率は１５μＳ／ｍ以下で
ある。洗浄後のＳｎ層等へのイオン導電性不純物の残さ
を更に少なくすることができるからである。
【００１４】本洗浄工程は、１回に限らず、複数回に分
けて行うことができる。例えば、洗浄槽を３槽用意し
て、１槽につき３０秒ずつ洗浄を行うような場合であ
る。洗浄工程を複数回に分ける場合においても、かなら
ずしも連続して行う必要はない。工程の合間に検査工程
等が挿入されてもよい。また、各槽毎に洗浄水の導電率
を所定の範囲内において任意に変化させてもよい。
けて行うことができる。例えば、洗浄槽を３槽用意し
て、１槽につき３０秒ずつ洗浄を行うような場合であ
る。洗浄工程を複数回に分ける場合においても、かなら
ずしも連続して行う必要はない。工程の合間に検査工程
等が挿入されてもよい。また、各槽毎に洗浄水の導電率
を所定の範囲内において任意に変化させてもよい。
【００１５】洗浄工程の累積時間は特には限定されない
が、生産性を考慮すれば１０分以下であることが好まし
い。より好ましい洗浄工程の累積時間は５分以下であ
る。更に好ましくは３分以下、最も好ましくは２分以下
である。ただし、累積時間が１０分以上に及んだからと
いって、Ｓｎ層等に欠損が発生することはない。
が、生産性を考慮すれば１０分以下であることが好まし
い。より好ましい洗浄工程の累積時間は５分以下であ
る。更に好ましくは３分以下、最も好ましくは２分以下
である。ただし、累積時間が１０分以上に及んだからと
いって、Ｓｎ層等に欠損が発生することはない。
【００１６】請求項３の発明は、配線基板上に形成した
Ｓｎ層等を、導電率が５５μＳ／ｍ以下（ただし、下限
値は２５μＳ／ｍを越える）の１次洗浄水を用いて洗浄
する１次洗浄工程と、導電率が２５μＳ／ｍ以下の２次
洗浄水を用いて洗浄する２次洗浄工程とを含む配線基板
の製造方法を要旨とする。洗浄工程に用いる洗浄水の特
性を少なくとも２段階に分けることによって、より効率
的で経済性に優れた配線基板の製造方法を提供すること
ができる。
Ｓｎ層等を、導電率が５５μＳ／ｍ以下（ただし、下限
値は２５μＳ／ｍを越える）の１次洗浄水を用いて洗浄
する１次洗浄工程と、導電率が２５μＳ／ｍ以下の２次
洗浄水を用いて洗浄する２次洗浄工程とを含む配線基板
の製造方法を要旨とする。洗浄工程に用いる洗浄水の特
性を少なくとも２段階に分けることによって、より効率
的で経済性に優れた配線基板の製造方法を提供すること
ができる。
【００１７】１次洗浄水の導電率を５５μＳ／ｍ以下
（ただし、下限値は２５μＳ／ｍを越える）に規定した
理由は、メッキ直後等の予備洗浄的な性格の濃い段階に
用いる洗浄水の品質を相対的に低く設定することで、洗
浄水にかかるコストの低減とＳｎ層等の欠損防止とを両
立できるからである。
（ただし、下限値は２５μＳ／ｍを越える）に規定した
理由は、メッキ直後等の予備洗浄的な性格の濃い段階に
用いる洗浄水の品質を相対的に低く設定することで、洗
浄水にかかるコストの低減とＳｎ層等の欠損防止とを両
立できるからである。
【００１８】１次洗浄工程は、１回に限らず、複数回に
分けて行うことができる。例えば、洗浄槽を３槽用意し
て、１槽につき３０秒ずつ洗浄を行うような場合であ
る。洗浄工程を複数回に分ける場合においても、かなら
ずしも連続して行う必要はない。工程の合間に検査工程
等が挿入されてもよい。また、各槽毎に１次洗浄水の導
電率を所定の範囲内において任意に変化させてもよい。
分けて行うことができる。例えば、洗浄槽を３槽用意し
て、１槽につき３０秒ずつ洗浄を行うような場合であ
る。洗浄工程を複数回に分ける場合においても、かなら
ずしも連続して行う必要はない。工程の合間に検査工程
等が挿入されてもよい。また、各槽毎に１次洗浄水の導
電率を所定の範囲内において任意に変化させてもよい。
【００１９】ただし、１次洗浄工程の累積時間は１０分
未満であることが好ましい。累積時間が１０分以上に及
ぶと、軽微ではあるが、Ｓｎ層等に欠損が発生するよう
になるからである。より好ましい洗浄工程の累積時間は
５分以下である。更に好ましくは３分以下、最も好まし
くは２分以下である。
未満であることが好ましい。累積時間が１０分以上に及
ぶと、軽微ではあるが、Ｓｎ層等に欠損が発生するよう
になるからである。より好ましい洗浄工程の累積時間は
５分以下である。更に好ましくは３分以下、最も好まし
くは２分以下である。
【００２０】２次洗浄水の導電率を２５μＳ／ｍ以下に
規定した理由は、１次洗浄のようなメッキ直後等の予備
洗浄的な性格と異なり、Ｓｎ層等の清浄性を担保するた
めの出荷前洗浄的な性格の濃い段階に用いる洗浄水の品
質を相対的に高く設定することで、洗浄水にかかるコス
ト上昇の抑制とＳｎ層等の欠損防止とを両立できるから
である。
規定した理由は、１次洗浄のようなメッキ直後等の予備
洗浄的な性格と異なり、Ｓｎ層等の清浄性を担保するた
めの出荷前洗浄的な性格の濃い段階に用いる洗浄水の品
質を相対的に高く設定することで、洗浄水にかかるコス
ト上昇の抑制とＳｎ層等の欠損防止とを両立できるから
である。
【００２１】２次洗浄工程は、１回に限らず、複数回に
分けて行うことができる。例えば、洗浄槽を３槽用意し
て、１槽につき３０秒ずつ洗浄を行うような場合であ
る。洗浄工程を複数回に分ける場合においても、かなら
ずしも連続して行う必要はない。工程の合間に検査工程
等が挿入されてもよい。また、各槽毎に洗浄水の導電率
を所定の範囲内において任意に変化させてもよい。
分けて行うことができる。例えば、洗浄槽を３槽用意し
て、１槽につき３０秒ずつ洗浄を行うような場合であ
る。洗浄工程を複数回に分ける場合においても、かなら
ずしも連続して行う必要はない。工程の合間に検査工程
等が挿入されてもよい。また、各槽毎に洗浄水の導電率
を所定の範囲内において任意に変化させてもよい。
【００２２】２次洗浄工程の累積時間は特には限定され
ないが、生産性を考慮すれば１０分以下であることが好
ましい。より好ましい洗浄工程の累積時間は５分以下で
ある。更に好ましくは３分以下、最も好ましくは２分以
下である。ただし、累積時間が１０分以上に及んだから
といって、Ｓｎ層等に欠損が発生することはない。
ないが、生産性を考慮すれば１０分以下であることが好
ましい。より好ましい洗浄工程の累積時間は５分以下で
ある。更に好ましくは３分以下、最も好ましくは２分以
下である。ただし、累積時間が１０分以上に及んだから
といって、Ｓｎ層等に欠損が発生することはない。
【００２３】請求項４の発明は、請求項３の発明に対し
て更に、炭化水素系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アル
コール系溶剤のうちから選ばれる少なくとも１種を含む
有機溶剤を用いて洗浄する３次洗浄工程を含む配線基板
の製造方法を要旨とする。メッキ液の残さ等の水溶性不
純物を水洗浄したＳｎ層等を、最終的洗浄工程におい
て、Ｓｎ層等の欠損に関係の深い洗浄水の使用を抑える
ことで、安定したＳｎ層等を有する配線基板を歩留まり
よく提供することができる。１次洗浄工程及び２次洗浄
工程に関しては、請求項３の発明と同様であるため、こ
こでは３次洗浄工程のみを説明する。
て更に、炭化水素系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アル
コール系溶剤のうちから選ばれる少なくとも１種を含む
有機溶剤を用いて洗浄する３次洗浄工程を含む配線基板
の製造方法を要旨とする。メッキ液の残さ等の水溶性不
純物を水洗浄したＳｎ層等を、最終的洗浄工程におい
て、Ｓｎ層等の欠損に関係の深い洗浄水の使用を抑える
ことで、安定したＳｎ層等を有する配線基板を歩留まり
よく提供することができる。１次洗浄工程及び２次洗浄
工程に関しては、請求項３の発明と同様であるため、こ
こでは３次洗浄工程のみを説明する。
【００２４】本発明に用いる有機溶剤は、炭化水素系溶
剤、芳香族炭化水素系溶剤、アルコール系溶剤のうちか
ら選ばれる少なくとも１種を含む有機溶剤を用いる。こ
れらは単独で使用してもよいが、溶剤を混合して、共沸
混合物（アゼオトロープ）として用いるのが好ましい。
剤、芳香族炭化水素系溶剤、アルコール系溶剤のうちか
ら選ばれる少なくとも１種を含む有機溶剤を用いる。こ
れらは単独で使用してもよいが、溶剤を混合して、共沸
混合物（アゼオトロープ）として用いるのが好ましい。
【００２５】ここにいう炭化水素系溶剤とは、炭素と水
素とからなるもの（例えば、ペンタン、ヘキサン等）の
みならず、炭素と水素と酸素とからなるもの（例えば、
アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、テトラヒ
ドロフラン、エチルエーテル等のエーテル類）や、炭素
と水素とハロゲンとからなるもの（例えば、１，１，２
−トリクロロ−１，２，２−トリフルオロエタン等のフ
ルオロカーボン類）をも含む概念である。
素とからなるもの（例えば、ペンタン、ヘキサン等）の
みならず、炭素と水素と酸素とからなるもの（例えば、
アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、テトラヒ
ドロフラン、エチルエーテル等のエーテル類）や、炭素
と水素とハロゲンとからなるもの（例えば、１，１，２
−トリクロロ−１，２，２−トリフルオロエタン等のフ
ルオロカーボン類）をも含む概念である。
【００２６】ここにいう芳香族炭化水素系溶剤とは、ベ
ンゼン環等の芳香族置換基を含むものをいう。例えば、
ベンゼン、トルエン、キシレン等である。これらに洗浄
性、安全性、取り扱い性を向上させるための種々の置換
基を導入したものも用いることができる。
ンゼン環等の芳香族置換基を含むものをいう。例えば、
ベンゼン、トルエン、キシレン等である。これらに洗浄
性、安全性、取り扱い性を向上させるための種々の置換
基を導入したものも用いることができる。
【００２７】ここにいうアルコール系溶剤とは、最も広
義には、水酸基を含むものをいう。例えば、メチルアル
コール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、
イソブチルアルコール等である。
義には、水酸基を含むものをいう。例えば、メチルアル
コール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、
イソブチルアルコール等である。
【００２８】２次洗浄工程からの持ち込み水分を除くた
めには、水と置換可能な水溶性有機溶剤を用いるのが好
ましい。例えば、アセトンやイソプロピルアルコールで
ある。
めには、水と置換可能な水溶性有機溶剤を用いるのが好
ましい。例えば、アセトンやイソプロピルアルコールで
ある。
【００２９】３次洗浄工程は、１回に限らず、複数回に
分けて行うことができる。例えば、洗浄槽を２槽用意し
て、１槽につき１分ずつ洗浄を行うような場合である。
洗浄工程を複数回に分ける場合においても、かならずし
も連続して行う必要はない。工程の合間に検査工程等が
挿入されてもよい。また、各槽毎に有機溶剤の種類や混
合比率等を任意に変化させてもよい。
分けて行うことができる。例えば、洗浄槽を２槽用意し
て、１槽につき１分ずつ洗浄を行うような場合である。
洗浄工程を複数回に分ける場合においても、かならずし
も連続して行う必要はない。工程の合間に検査工程等が
挿入されてもよい。また、各槽毎に有機溶剤の種類や混
合比率等を任意に変化させてもよい。
【００３０】３次洗浄工程の累積時間は特には限定され
ないが、生産性を考慮すれば１０分以下であることが好
ましい。より好ましい洗浄工程の累積時間は５分以下で
ある。更に好ましくは３分以下、最も好ましくは２分以
下である。ただし、累積時間が１０分以上に及んだから
といって、Ｓｎ層等に欠損が発生することはない。
ないが、生産性を考慮すれば１０分以下であることが好
ましい。より好ましい洗浄工程の累積時間は５分以下で
ある。更に好ましくは３分以下、最も好ましくは２分以
下である。ただし、累積時間が１０分以上に及んだから
といって、Ｓｎ層等に欠損が発生することはない。
【００３１】
【実施例】（実施例１）公知のドクターブレード法で作
製したアルミナグリーンシート上に、公知のスクリーン
印刷法によりタングステン導電ペーストを印刷して、所
定の配線パターンを形成する。アルミナグリーンシート
を積層圧着した後、還元雰囲気中にて焼成して、アルミ
ナ配線基板を得る。アルミナ配線基板の表面をＳｉＮ等
の砥石を用いて研磨し、平滑化する。
製したアルミナグリーンシート上に、公知のスクリーン
印刷法によりタングステン導電ペーストを印刷して、所
定の配線パターンを形成する。アルミナグリーンシート
を積層圧着した後、還元雰囲気中にて焼成して、アルミ
ナ配線基板を得る。アルミナ配線基板の表面をＳｉＮ等
の砥石を用いて研磨し、平滑化する。
【００３２】アルミナ配線基板の研磨面にスパッタ法を
用いて、Ｔｉ／Ｃｕ（各層厚；２０００Å／３０００
Å）からなる薄膜層を形成する。薄膜の構成としては、
Ｔｉ／ＰｄやＴｉ／Ｍｏ／Ｃｕ等を用いてもよい。
用いて、Ｔｉ／Ｃｕ（各層厚；２０００Å／３０００
Å）からなる薄膜層を形成する。薄膜の構成としては、
Ｔｉ／ＰｄやＴｉ／Ｍｏ／Ｃｕ等を用いてもよい。
【００３３】薄膜上にレジスト層を形成し、フォトリソ
グラフィにより配線パターンとなる開口部を形成する。
尚、開口部の幅（配線幅）は３５μｍである。開口部に
露出した薄膜層の表面に電解メッキにより、Ｃｕ／Ｎｉ
／Ａｕ（各層厚；２μｍ／１μｍ／２μｍ）の３層メッ
キを形成する。
グラフィにより配線パターンとなる開口部を形成する。
尚、開口部の幅（配線幅）は３５μｍである。開口部に
露出した薄膜層の表面に電解メッキにより、Ｃｕ／Ｎｉ
／Ａｕ（各層厚；２μｍ／１μｍ／２μｍ）の３層メッ
キを形成する。
【００３４】レジスト層を剥離した後、再びレジスト層
を形成する。そして、フォトリソグラフィによりＳｎ層
を形成するための開口部（開口径５０μｍ）を設ける。
開口部に露出したＡｕ層の表面に電解メッキにより厚み
２μｍのＳｎメッキ層を形成する。
を形成する。そして、フォトリソグラフィによりＳｎ層
を形成するための開口部（開口径５０μｍ）を設ける。
開口部に露出したＡｕ層の表面に電解メッキにより厚み
２μｍのＳｎメッキ層を形成する。
【００３５】メッキ終了後、表１に示す種々の導電率の
洗浄水を用いて洗浄する。洗浄水の流量は、３０００ｃ
ｃ／分である。各洗浄時間は、表１に併記する。そのア
セトンを用いてレジスト層を除去して、Ｓｎ層を有する
配線基板の作製を完了する。各条件につき１００個の実
装パッドを評価する。Ｓｎ層に欠損が発生しなかった実
装パッドの割合を合格率として表１に併記する。また、
各条件のうち、代表的なものの洗浄後のＳｎ層の表面状
態を図４〜図９に示す。詳細は表１に併記する。
洗浄水を用いて洗浄する。洗浄水の流量は、３０００ｃ
ｃ／分である。各洗浄時間は、表１に併記する。そのア
セトンを用いてレジスト層を除去して、Ｓｎ層を有する
配線基板の作製を完了する。各条件につき１００個の実
装パッドを評価する。Ｓｎ層に欠損が発生しなかった実
装パッドの割合を合格率として表１に併記する。また、
各条件のうち、代表的なものの洗浄後のＳｎ層の表面状
態を図４〜図９に示す。詳細は表１に併記する。
【００３６】
【表１】
【００３７】表１の結果より、導電率が５５μＳ／ｍ以
下の洗浄水を用いた試料番号１〜試料番号８では、合格
率が８５％以上と良好な結果である合格率が８５％以上
と良好な結果である。導電率が５５μＳ／ｍの洗浄水を
用いた試料番号５〜試料番号８の結果より、洗浄時間を
５分以下にすれば、合格率を９５％以上に向上させるこ
とができることがわかる。特に、洗浄時間を２分にすれ
ば、合格率を１００％にできることがわかる。
下の洗浄水を用いた試料番号１〜試料番号８では、合格
率が８５％以上と良好な結果である合格率が８５％以上
と良好な結果である。導電率が５５μＳ／ｍの洗浄水を
用いた試料番号５〜試料番号８の結果より、洗浄時間を
５分以下にすれば、合格率を９５％以上に向上させるこ
とができることがわかる。特に、洗浄時間を２分にすれ
ば、合格率を１００％にできることがわかる。
【００３８】導電率が２５μＳ／ｍ以下の洗浄水を用い
た試料番号１〜試料番号４では、洗浄時間にかかわら
ず、合格率が１００％と良好な結果である合格率が８５
％以上と良好な結果である。ことがわかる。
た試料番号１〜試料番号４では、洗浄時間にかかわら
ず、合格率が１００％と良好な結果である合格率が８５
％以上と良好な結果である。ことがわかる。
【００３９】一方、導電率が５５μＳ／ｍを越える（３
５００μＳ／ｍ及び１００００μＳ／ｍ）比較例である
試料番号９〜試料番号１２では、Ｓｎ層の欠損がかなり
の割合で発生することがわかる。
５００μＳ／ｍ及び１００００μＳ／ｍ）比較例である
試料番号９〜試料番号１２では、Ｓｎ層の欠損がかなり
の割合で発生することがわかる。
【００４０】（実施例２）上記実施例１と同様の方法に
よりＳｎメッキを終了した配線基板を、図１に示した以
下の洗浄工程により洗浄する。まず、導電率５５μＳ／
ｍの１次洗浄水を入れた１次洗浄槽で３０秒間１次洗浄
をする。次いで、導電率１５μＳ／ｍの２次洗浄水を入
れた２次洗浄槽で３分間２次洗浄をする。その後、アセ
トンでレジスト層を除去する。次いで、導通確認のため
の電気検査及び外観検査を行う。そして、アセトンを入
れた３次洗浄槽を２槽用意して、各槽１分ずつ３次洗浄
して、Ｓｎ層を有する配線基板の作製を完了する。その
後、再び外観検査を行う。各外観検査時における合格率
を表２に示す。
よりＳｎメッキを終了した配線基板を、図１に示した以
下の洗浄工程により洗浄する。まず、導電率５５μＳ／
ｍの１次洗浄水を入れた１次洗浄槽で３０秒間１次洗浄
をする。次いで、導電率１５μＳ／ｍの２次洗浄水を入
れた２次洗浄槽で３分間２次洗浄をする。その後、アセ
トンでレジスト層を除去する。次いで、導通確認のため
の電気検査及び外観検査を行う。そして、アセトンを入
れた３次洗浄槽を２槽用意して、各槽１分ずつ３次洗浄
して、Ｓｎ層を有する配線基板の作製を完了する。その
後、再び外観検査を行う。各外観検査時における合格率
を表２に示す。
【００４１】（実施例３）上記実施例１と同様の方法に
よりＳｎメッキを終了した配線基板を、図２に示した以
下の洗浄工程により洗浄する。まず、導電率５５μＳ／
ｍの１次洗浄水を入れた１次洗浄槽で３０秒間１次洗浄
をする。次いで、導電率１５μＳ／ｍの２次洗浄水を入
れた２次洗浄槽で３分間２次洗浄をする。その後、アセ
トンでレジスト層を除去する。次いで、導通確認のため
の電気検査及び外観検査を行う。そして、導電率１５μ
Ｓ／ｍの２次洗浄水を入れた２次洗浄槽を２槽用意し
て、各槽１分ずつ２次洗浄して、Ｓｎ層を有する配線基
板の作製を完了する。その後、再び外観検査を行う。各
外観検査時における合格率を表２に示す。
よりＳｎメッキを終了した配線基板を、図２に示した以
下の洗浄工程により洗浄する。まず、導電率５５μＳ／
ｍの１次洗浄水を入れた１次洗浄槽で３０秒間１次洗浄
をする。次いで、導電率１５μＳ／ｍの２次洗浄水を入
れた２次洗浄槽で３分間２次洗浄をする。その後、アセ
トンでレジスト層を除去する。次いで、導通確認のため
の電気検査及び外観検査を行う。そして、導電率１５μ
Ｓ／ｍの２次洗浄水を入れた２次洗浄槽を２槽用意し
て、各槽１分ずつ２次洗浄して、Ｓｎ層を有する配線基
板の作製を完了する。その後、再び外観検査を行う。各
外観検査時における合格率を表２に示す。
【００４２】（比較例１）上記実施例１と同様の方法に
よりＳｎメッキを終了した配線基板を、図３に示した以
下の洗浄工程により洗浄する。まず、導電率１００００
μＳ／ｍの洗浄水を入れた洗浄槽を３槽用意して、各槽
３０秒ずつ（ここまでの累積時間１分３０秒）洗浄をす
る。その後、アセトンでレジスト層を除去する。次い
で、導通確認のための電気検査及び外観検査を行う。そ
して、導電率１００００μＳ／ｍの洗浄水を入れた洗浄
槽を３槽用意して、各槽１分ずつ（ここまでの累積時間
４分３０秒）洗浄して、Ｓｎ層を有する配線基板の作製
を完了する。その後、再び外観検査を行う。各外観検査
時における合格率を表２に示す。
よりＳｎメッキを終了した配線基板を、図３に示した以
下の洗浄工程により洗浄する。まず、導電率１００００
μＳ／ｍの洗浄水を入れた洗浄槽を３槽用意して、各槽
３０秒ずつ（ここまでの累積時間１分３０秒）洗浄をす
る。その後、アセトンでレジスト層を除去する。次い
で、導通確認のための電気検査及び外観検査を行う。そ
して、導電率１００００μＳ／ｍの洗浄水を入れた洗浄
槽を３槽用意して、各槽１分ずつ（ここまでの累積時間
４分３０秒）洗浄して、Ｓｎ層を有する配線基板の作製
を完了する。その後、再び外観検査を行う。各外観検査
時における合格率を表２に示す。
【００４３】
【表２】
【００４４】表２の結果より、実施例１及び実施例２で
は、２回の外観検査における合格率がともに１００％と
良好であることがわかる。一方、比較例１では、１回目
の外観検査（洗浄工程の累積時間：１分３０秒）におけ
る合格率が３５％、２回目の外観検査（洗浄工程の累積
時間：４分３０秒）における合格率が２４％と、極めて
低い合格率であることがわかる。
は、２回の外観検査における合格率がともに１００％と
良好であることがわかる。一方、比較例１では、１回目
の外観検査（洗浄工程の累積時間：１分３０秒）におけ
る合格率が３５％、２回目の外観検査（洗浄工程の累積
時間：４分３０秒）における合格率が２４％と、極めて
低い合格率であることがわかる。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、Ｓｎ層に欠損を生じさ
せないで洗浄可能なため、製造歩留まりやＳｎ層の信頼
性を向上した配線基板の製造方法を提供できる。
せないで洗浄可能なため、製造歩留まりやＳｎ層の信頼
性を向上した配線基板の製造方法を提供できる。
【図１】本発明の配線基板の製造方法（実施例２）の工
程フロー図。
程フロー図。
【図２】本発明の配線基板の製造方法（実施例３）の工
程フロー図。
程フロー図。
【図３】従来の配線基板の製造方法（比較例１）の工程
フロー図。
フロー図。
【図４】本発明の実施例である試料番号１の洗浄工程後
のＳｎ層の外観写真。
のＳｎ層の外観写真。
【図５】本発明の実施例である試料番号２の洗浄工程後
のＳｎ層の外観写真。
のＳｎ層の外観写真。
【図６】本発明の実施例である試料番号５の洗浄工程後
のＳｎ層の外観写真。
のＳｎ層の外観写真。
【図７】本発明の実施例である試料番号８の洗浄工程後
のＳｎ層の外観写真。
のＳｎ層の外観写真。
【図８】本発明の比較例である試料番号１０の洗浄工程
後のＳｎ層の外観写真。
後のＳｎ層の外観写真。
【図９】本発明の比較例である試料番号１２の洗浄工程
後のＳｎ層の外観写真。
後のＳｎ層の外観写真。
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｓｎ層及び／又はＳｎ合金層を有する配
線基板の製造方法であって、 配線基板上に形成したＳｎ層及び／又は又はＳｎ合金層
を、 導電率が５５μＳ／ｍ以下の洗浄水を用いて洗浄する洗
浄工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項２】 Ｓｎ層及び／又は又はＳｎ合金層を有す
る配線基板の製造方法であって、 配線基板上に形成したＳｎ層及び／又は又はＳｎ合金層
を、 導電率が２５μＳ／ｍ以下の洗浄水を用いて洗浄する洗
浄工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項３】 Ｓｎ層及び／又は又はＳｎ合金層を有す
る配線基板の製造方法であって、 配線基板上に形成したＳｎ層及び／又は又はＳｎ合金層
を、 導電率が５５μＳ／ｍ以下（ただし、下限値は２５μＳ
／ｍを越える）の１次洗浄水を用いて洗浄する１次洗浄
工程と、 導電率が２５μＳ／ｍ以下の２次洗浄水を用いて洗浄す
る２次洗浄工程とを含むことを特徴とする配線基板の製
造方法。 - 【請求項４】 Ｓｎ層及び／又は又はＳｎ合金層を有す
る配線基板の製造方法であって、 配線基板上に形成したＳｎ層及び／又は又はＳｎ合金層
を、 導電率が５５μＳ／ｍ以下（ただし、下限値は２５μＳ
／ｍを越える）の洗浄水を用いて洗浄する１次洗浄工程
と、 導電率が２５μＳ／ｍ以下の洗浄水を用いて洗浄する２
次洗浄工程と、 炭化水素系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アルコール系
溶剤のうちから選ばれる少なくとも１種を含む有機溶剤
を用いて洗浄する３次洗浄工程とを含むことを特徴とす
る配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27390999A JP2001102726A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27390999A JP2001102726A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | 配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001102726A true JP2001102726A (ja) | 2001-04-13 |
Family
ID=17534273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27390999A Pending JP2001102726A (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001102726A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108617098A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-10-02 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种pcb板清洁方法及固定治具 |
-
1999
- 1999-09-28 JP JP27390999A patent/JP2001102726A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108617098A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-10-02 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种pcb板清洁方法及固定治具 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3886712B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN102074486B (zh) | 集成电路结构的形成方法 | |
| US8110508B2 (en) | Method of forming a bump structure using an etching composition for an under bump metallurgy layer | |
| US8426311B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device | |
| TW200931511A (en) | Method for manufacturing a semiconductor die and a semiconductor device comprising the semiconductor die obtained thereby | |
| KR20120128967A (ko) | 솔더 범프 붕괴를 억제하는 반도체 소자의 범프 형성방법 | |
| KR101512490B1 (ko) | 범프 하부 도전층 식각용 조성물 및 이를 이용한 도전성 범프 구조물의 형성 방법 | |
| JP3078846B2 (ja) | フラックスを使用しない部品の接点形成 | |
| JP4758613B2 (ja) | フォトレジスト除去液及びこれを利用した半導体素子のバンプ形成方法 | |
| JP2001102726A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP2000252313A (ja) | メッキ被膜の形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP4196314B2 (ja) | Ｎｉ電極層の形成方法 | |
| JPH06140409A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| WO2020208998A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2002252258A (ja) | コンタクト部品及び多層配線基板の製造方法、並びにウエハ一括コンタクトボード | |
| JP4667637B2 (ja) | 電子部品の接合方法 | |
| JP4520665B2 (ja) | プリント配線板及びその製造方法並びに部品実装構造 | |
| JPH09186161A (ja) | 半導体装置のはんだバンプ形成方法 | |
| JP3896701B2 (ja) | はんだ突起電極の製造方法 | |
| US20060046434A1 (en) | Method for reducing lead precipitation during wafer processing | |
| JP3297717B2 (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
| JP4154797B2 (ja) | はんだバンプ形成方法 | |
| JP3813077B2 (ja) | 転写用はんだバンプシートおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびプリント基板の製造方法 | |
| JP3929782B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP2002237500A (ja) | 半導体装置の製造方法 |