JP2002252258A

JP2002252258A - コンタクト部品及び多層配線基板の製造方法、並びにウエハ一括コンタクトボード

Info

Publication number: JP2002252258A
Application number: JP2000394250A
Authority: JP
Inventors: Osamu Sugihara; 理杉原
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 1999-12-27
Filing date: 2000-12-26
Publication date: 2002-09-06

Abstract

(57)【要約】【課題】絶縁性フィルムの表面及び／又はバンプホー
ル内に付着した有機物や、レーザ加工により生じバンプ
ホール及びその周辺に付着するカーボンを主成分とする
ポリイミド分解物質などを完全に除去する。【解決手段】絶縁性フィルム１と導電層２とが積層さ
れた積層体４を形成する工程と、前記絶縁性フィルム１
の所定位置に、前記絶縁性フィルム１の表面から前記導
電層２に至るバンプホール１ａを形成する工程と、前記
バンプホール１ａの内及び／又は前記絶縁性フィルム１
の表面に所定のプラズマ処理及び／又はＸ線（軟Ｘ線）
照射を行う表面処理工程と、前記表面処理工程において
処理を施された前記バンプホール１ａに電解メッキ等に
よってバンプ３を形成する工程と、を有することを特徴
とするコンタクト部品の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ上に多数形
成された半導体デバイスの検査（試験）をウエハの状態
で一括して行うために使用されるウエハ一括コンタクト
ボードの一部を構成するコンタクト部品や多層配線基板
の製造方法等に関する。

【０００２】

【従来の技術】ウエハ上に多数形成された半導体ディバ
イスの検査は、プローブカードによる製品検査（電気的
特性試験）と、その後に行われる信頼性試験であるバー
ンイン試験に大別される。バーンイン試験は、固有欠陥
のある半導体ディバイス、あるいは製造上のばらつきか
ら、時間とストレスに依存する故障を起こすディバイス
を除くために行われるスクリーニング試験の一つであ
る。プローブカードによる検査が製造したディバイスの
電気的特性試験であるのに対し、バーンイン試験は熱加
速試験と言える。

【０００３】バーンイン試験は、プローブカードによっ
て１チップ毎に行われる電気的特性試験の後に、ウエハ
をダイシングによりチップに切断し、パッケージングし
たものについて一つずつバーンイン試験を行う通常の方
法（１チップバーンインシステム）ではコスト的に実現
性に乏しい。そこで、ウエハ上に多数形成された半導体
ディバイスのバーンイン試験を一括して一度に行うため
のウエハ一括コンタクトボード（バーンインボード）の
開発及び実用化が進められている（特開平７−２３１０
１９号公報）。ウエハ一括コンタクトボードを用いたウ
エハ・一括バーンインシステムは、コスト的に実現可能
性が高い他に、ベアチップ出荷及びベアチップ搭載とい
った最新の技術的な流れを実現可能にするためにも重要
な技術である。ウエハ一括コンタクトボードは、ウエハ
一括で検査する点、及び加熱試験に用いる点で、従来プ
ローブカードとは要求特性が異なり、要求レベルが高
い。ウエハ一括コンタクトボードが実用化されると、従
来プローブカードによって行われていた製品検査（電気
的特性試験）を、ウエハ一括で行うことも可能となる。

【０００４】図４にウエハ一括コンタクトボードの一具
体例を示す。ウエハ一括コンタクトボードは、図４に示
すように、ウエハ一括コンタクトボード用多層配線基板
（以下、多層配線基板という）２０上に、異方性導電ゴ
ムシート３０を介して、コンタクト部品１０を固定した
構造を有する。コンタクト部品１０は、被検査素子と直
接接触するコンタクト部分を受け持つ。コンタクト部品
１０においては、絶縁性フィルム（メンブレン）１２の
一方の面にはバンプ１３が形成され、他方の面にはパッ
ド１４が形成されている。絶縁性フィルム１２は、熱膨
張による位置ずれを回避するため低熱膨張率のリング１
１に張り渡されている。バンプ１３は、ウエハ４０上の
各半導体ディバイス（チップ）の周縁又はセンターライ
ン上に形成されたパッド（１チップ約６００〜１０００
ピン程度で、この数にチップ数を乗じた数のパッドがウ
エハ上にある）に対応して、このパッドと同じ数だけ対
応する位置に形成されている。多層配線基板２０はメン
ブレン１２上に孤立する各バンプ１３にパッド１４を介
して所定のバーンイン試験信号等を付与するための配線
を絶縁性基板の上に有する。多層配線基板２０は配線が
複雑であるため通常絶縁膜を介して複数の配線層を積層
した多層配線構造を有する。また、多層配線基板２０で
は、熱膨張によるメンブレン１２上のパッド１４との位
置ずれによる接続不良を回避するため低熱膨張率の絶縁
性基板を使用している。異方性導電ゴムシート３０は、
主面と垂直な方向にのみ導電性を有する弾性体（シリコ
ン樹脂からなり、金属粒子がパッド電極部分に導通方向
に沿って埋め込まれているもの）であり、多層配線基板
２０上の端子（図示せず）とメンブレン１２上のパッド
１４とを電気的に接続する。異方性導電ゴムシート３０
は、その表面に形成された凸部（図示せず）でメンブレ
ン１２上のパッド１４に当接することで、半導体ウエハ
４０表面の凹凸及びバンプ１３の高さのバラツキを吸収
し、半導体ウエハ上のパッドとメンブレン１２上のバン
プ１３とを確実に接続する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述したウエハ一括コ
ンタクトボードの一部を構成するコンタクト部品は、図
５（ａ）に示すように、絶縁性フィルム１（ポリイミド
フィルムなど）と導電層２（銅など）とが積層された積
層体４を形成し、エキシマレーザーを用いて、絶縁性フ
ィルム表面から導電層に至るバンプホール１ａを形成し
た後、導電層２にメッキ用電極の一方を接続してＮｉ等
の電解メッキを行う。図５（ｂ）に示すように、メッキ
はバンプホール１ａを埋めるようにして成長した後、ポ
リイミドフィルム１の表面に達すると、等方的に広がっ
てほぼ半球状に成長し、硬質Ｎｉ合金等からなるバンプ
３が形成される。

【０００６】しかし、絶縁性樹脂フィルムは通常水をは
じく性質を有しており、濡れ性が悪い。また、バンプホ
ールの径は微細であり、バンプホールの深さも相当ある
ため、メッキ液を全てのバンプホール内に底部まで充填
させることは難しい。メッキ液がバンプホール内の底部
まで完全に充填されない場合には、バンプが成長しない
か、あるいはバンプの成長不良となる。そして、このよ
うなバンプ未成長又は成長不良の箇所を有する製品は不
良品となる。さらに、絶縁性フィルム表面がメッキ液と
の濡れ性に劣る場合、メッキ液に浸漬する際に、絶縁性
フィルム表面に気泡が付着しやすくなる。このような気
泡は一度付着すると取り除くことが困難である。気泡が
付着した状態でバンプが成長すると、気泡の近傍に位置
するバンプは気泡を避けて成長するので、バンプが変形
するなどの欠陥不良を生ずる。

【０００７】上述したメッキ時におけるバンプ未成長又
は成長不良、及びバンプ変形などの欠陥不良を低減する
ために、例えばメッキ液に浸漬させる前に、絶縁性フィ
ルムとの濡れ性の良い溶媒（メタノールなど）に浸漬さ
せる等の処理を施すことにより、バンプホール内にいっ
たんこれらの溶媒を充填させ、その後、バンプホール内
部の溶媒をメッキ液で置換する方法が知られている。し
かし、この方法では、バンプ未成長又は成長不良となる
箇所の数を減らすことはできるが、完全になくすること
は困難である。また、製造工程が煩雑となり、製造コス
トを上昇させる要因ともなる。

【０００８】また、特開平８−１８０７５７号公報に
は、上述した問題を解消するため、バンプホール等に、
オゾン処理及び／又は紫外線照射処理を施す技術が開示
されている。しかし、オゾン処理及び／又は紫外線照射
処理は、処理の効果が弱く、処理に時間がかかるという
問題がある。例えば、レーザによって絶縁層（ポリイミ
ドなど）に穿孔する場合、レーザーアブレーションによ
り生じた炭素や、絶縁層が熱により溶融、燃焼（炭化）
し「すす」や「かす」（黒色のカーボンを主成分とする
絶縁層材料分解物）などのカーボン等が発生し、バンプ
ホール内やその周辺に「すす」や「かす」などのカーボ
ン等が付着しやすいのであるが、オゾン処理及び／又は
紫外線照射処理では、３０分間処理を行っても、このよ
うな「すす」や「かす」などのカーボン等はほとんど除
去できない。

【０００９】一方、多層配線基板におけるコンタクトホ
ールに関しても、コンタクトホール内に絶縁層の残さ
や、現像液等の残さ等の有機物が残ることがあり、この
場合コンタクトホールによる電気的接続信頼性が低下
し、多層配線基板の歩留まりが悪くなるという問題があ
る。

【００１０】特に、ウエハ一括コンタクトボードの一部
を構成するコンタクト部品や多層配線基板においては、
１製品あたりのホールの数が非常に多いので、上述した
問題は歩留まり、製造コストに大きな影響を与える。し
たがって、上述した問題を解決することが強く要望され
ている。

【００１１】本第１発明は、上述した問題を解決するも
のであり、オゾン処理及び／又は紫外線照射処理に比べ
処理の効果が高く、短時間で処理でき、特に、レーザ照
射によって生成・付着する「すす」や「かす」などのカ
ーボン等を短時間で確実になくすことができ、その結
果、コンタクト部品の製造におけるバンプメッキの際、
上記カーボン等に起因するバンプ変形などの欠陥不良等
を確実になくすことができるコンタクト部品の製造方法
の提供を第一の目的とする。また、本第２発明は、多層
配線基板におけるコンタクトホールによる電気的接続信
頼性が高く、歩留まりが高い多層配線基板の製造方法の
提供を第二の目的とする。さらに、本第３発明は、信頼
性が高く、高歩留まりで低コストであるウエハ一括コン
タクトボードの提供を第三の目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、以下に示す構成としてある。

【００１３】（構成１）絶縁性フィルムと導電層とが積
層された積層体を形成する工程と、前記絶縁性フィルム
の所定位置に、前記絶縁性フィルムの表面から前記導電
層に至るバンプホールを形成する工程と、前記バンプホ
ール内及び／又は前記絶縁性フィルムの表面にプラズマ
処理を行う表面処理工程と、前記表面処理工程において
処理を施された前記バンプホールにバンプを形成する工
程と、を有することを特徴とするコンタクト部品の製造
方法。

【００１４】（構成２）絶縁性フィルムと導電層とが積
層された積層体を形成する工程と、前記絶縁性フィルム
の所定位置に、前記絶縁性フィルムの表面から前記導電
層に至るバンプホールを形成する工程と、前記バンプホ
ール内及び／又は前記絶縁性フィルムの表面にＸ線照射
を行う表面処理工程と、前記表面処理工程において処理
を施された前記バンプホールにバンプを形成する工程
と、を有することを特徴とするコンタクト部品の製造方
法。

【００１５】（構成３）前記バンプホールの形成はレー
ザ加工によることを特徴とする構成１又は２に記載のコ
ンタクト部品の製造方法。

【００１６】（構成４）前記バンプホール内及び／又は
前記絶縁性フィルムの表面にプラズマ処理及び／又はＸ
線照射を行う表面処理工程の後、電解メッキの前にバン
プホール底部に露出する導電層の酸化膜を除去する処理
を施し、前記導電層を電極として前記バンプホールに電
解メッキ若しくは無電解メッキによってバンプを形成す
る工程と、を有することを特徴とする構成１乃至３のい
ずれかに記載のコンタクト部品の製造方法。

【００１７】（構成５）前記積層体を支持枠に張り渡す
工程を有することを特徴とする構成１乃至４のいずれか
に記載のウエハ一括コンタクトボード用コンタクト部品
の製造方法。

【００１８】（構成６）絶縁性基材上に、複数の導電層
を絶縁層を介して積層し、前記絶縁層に形成されたコン
タクトホールを介して前記導電層を導通してなる多層配
線基板の製造方法であって、前記コンタクトホール内及
び／又は前記絶縁層の表面に、酸素ガスとハロゲン原子
を分子中に含むガスとの混合ガス雰囲気下で、プラズマ
処理を行う表面処理工程を有することを特徴とする多層
配線基板の製造方法。

【００１９】（構成７）絶縁性基材上に、複数の導電層
を絶縁層を介して積層し、前記絶縁層に形成されたコン
タクトホールを介して前記導電層を導通してなる多層配
線基板の製造方法であって、前記コンタクトホール内及
び／又は前記絶縁層の表面にＸ線照射を行う表面処理工
程を有することを特徴とする多層配線基材の製造方法。

【００２０】（構成８）ウエハ上に多数形成された半導
体デバイスの検査を一括して行うために使用されるウエ
ハ一括コンタクトボードの一部を構成する多層配線基板
の製造方法であって、絶縁性基板上に、第１導電層を形
成し、該第１導電層をパターニングして、第１配線パタ
ーンを形成する工程と、前記第１配線パターン上に絶縁
層を形成し、該絶縁層にコンタクトホールを形成する工
程と、前記コンタクトホール内及び／又は前記絶縁層の
表面に前記プラズマ処理及び／又は前記Ｘ線照射を行う
表面処理工程と、前記絶縁層上に第２導電層を形成し、
該第２導電層をパターニングして、第２配線パターンを
形成する工程と、を有し、前記絶縁層及びコンタクトホ
ールを形成する工程、前記表面処理工程、及び前記第２
配線パターンを形成する工程からなる一連の工程を少な
くとも１回以上繰り返すことを特徴とする構成６又は７
記載のウエハ一括コンタクトボード用多層配線基板の製
造方法。

【００２１】（構成９）構成５記載の方法により製造さ
れたウエハ一括コンタクトボード用コンタクト部品と、
構成８記載の方法により製造されたウエハ一括コンタク
トボード用多層配線基板と、前記多層配線基板と前記コ
ンタクト部品とを電気的に接続する異方性導電ゴムとを
有することを特徴とするウエハ一括コンタクトボード。

【００２２】

【作用】構成１又は２によれば、プラズマ処理又はＸ線
（軟Ｘ線）照射によって、絶縁性フィルムの表面及び／
又はバンプホール内に存在する有機物等を短時間で除去
でき、しかも処理の効果が高い。また、プラズマ処理又
はＸ線（軟Ｘ線）照射によって絶縁性フィルムの表面及
び／又はバンプホールの内壁面の表面改質を行うこと
で、絶縁性フィルムの表面及び／又はメッキすべきバン
プホール内の内壁面はメッキ液との濡れ性が向上する。
したがって、メッキ液が完全にバンプホール内に充填さ
れないことによるバンプの未成長、メッキ液のバンプホ
ール内への不十分な充填によるバンプの成長不良、さら
にメッキの際に気泡が絶縁性樹脂層の表面のバンプホー
ル近傍に付着することによるバンプの変形などの欠陥不
良が解消される。さらに、プラズマ処理を施すことによ
り、被メッキ面を適度に荒らすことができるため、メッ
キ液との濡れ性が向上する。なお、以上の効果は、紫外
線−オゾン処理処理装置を用いた紫外線−オゾン処理に
比べ、高エネルギであるので、効果が非常に高く、か
つ、処理時間が格段に短くて済み、製造効率の向上を図
ることができる。

【００２３】構成３によれば、レーザによって絶縁性フ
ィルムに穿孔する場合、レーザーアブレーションにより
生じた炭素や、絶縁性フィルムが熱により溶融、燃焼
（炭化）し「すす」や「かす」などのカーボン等が発生
しバンプホール内やその周辺に「すす」や「かす」など
のカーボン等が付着しやすいが、本発明のプラズマ処理
及び／又はＸ線（軟Ｘ線）照射処理を施すことによっ
て、それらを短時間で完全に除去することができる。そ
の結果、コンタクト部品の製造におけるバンプメッキの
際、上記カーボン等に起因するバンプ変形などの欠陥不
良等を確実になくすことができる。また、上記カーボン
等の有機物に起因して、メッキ液との濡れ性が低下した
り気泡が付着したりすることがなく、良好にバンプホー
ル内のメッキ及びバンプの形成を行うことができる。こ
のように本発明はレーザによって絶縁性フィルムに穿孔
する場合に、特に有効である。なお、本発明は、紫外線
−オゾン処理処理装置を用いた紫外線−オゾン処理に比
べ、「すす」や「かす」などのカーボン等の除去効果が
非常に高く、かつ、除去に要する時間が格段に短くて済
む。

【００２４】構成４によれば、電解メッキの直前にバン
プホール底部に露出する導電層の酸化膜を除去する処理
を施すことによって、導電層の露出面に形成された酸化
膜による導通不良を回避でき、バンプ未成長又は成長不
良等を回避できる。

【００２５】構成５によれば、積層体を支持枠に張り渡
した状態で、上記プラズマ処理及び／又はＸ線（軟Ｘ
線）照射処理を行うことによって、積層体が反ったり、
ゆがんだりしないため、全てのバンプホールについて均
一にプラズマ処理及び／又はＸ線照射処理を施すことが
できる。また、積層体の熱膨張により、例えばバンプホ
ールの位置が狂うことがなく、したがって、位置精度に
優れたコンタクト部品を製造でき、また、この支持枠を
有するコンタクト部品は熱膨張によりバンプの位置がず
れることがないので、ウエハ一括コンタクトボード用コ
ンタクト部品として好適に使用できる。

【００２６】構成６によれば、酸素ガスとハロゲン原子
を分子中に含むガスとの混合ガス雰囲気下で、プラズマ
処理を行うことで、絶縁層材料のエッチングの進行を抑
えることができ、重合反応による生成物の堆積を抑える
ことができる。また、プラズマ処理を施すことにより、
処理面を適度に荒らすことができるため、導電層との接
合性がよい（アンカー効果が期待できる）。なお、処理
条件は適宜設定可能であり、コンタクト部品の場合と異
なる条件であっても、同じ条件であってもよい。

【００２７】構成７によれば、絶縁層のコンタクトホー
ル内及び／又は絶縁層の表面に、Ｘ線（軟Ｘ線）照射を
行うことによって、有機物等が除去され、コンタクトホ
ールによる導通の不良や、導電層と絶縁層との密着不良
を回避できる。また、Ｘ線（軟Ｘ線）照射処理を施すこ
とにより、処理面を適度に荒らすことができるため、導
電層との接合性がよい（アンカー効果が期待できる）。
なお、処理条件は適宜設定可能であり、コンタクト部品
の場合と異なる条件であっても、同じ条件であってもよ
い。

【００２８】構成８によれば、信頼性が高く、歩留まり
が高いウエハ一括コンタクトボード用多層配線基板が得
られる。

【００２９】構成９によれば、信頼性が高く、歩留まり
が高いコンタクト部品及び多層配線基板を用いているの
で、信頼性が高く、高歩留まりで低コストであるウエハ
一括コンタクトボードが得られる。

【００３０】以下、本発明について詳細に説明する。

【００３１】本発明において、プラズマとは、イオン、
電子、中性分子（原子）が混在し、全体として中性を保
っている状態である。プラズマ中では、これらの粒子の
衝突等によって、遊離基（ラジカル）や励起分子（原
子）などが混在しており、これらは化学的に極めて活性
である。例えば、Ｏ₂にＣＦ₄を添加してプラズマにする
と「・Ｏ」、「・Ｆ」、「・ＣＦ₃」等のラジカルが生
成する。また、Ｏ₂をプラズマ化すると、「・Ｏ₂」、
「・Ｏ」、「Ｏ²⁺」、「ｅ^-」等が混在した状態が得ら
れる。稀薄な気体（減圧した気体）中で放電を行い発生
させたプラズマでは、電子の温度に比べ気体の温度は低
温であり、これを低温プラズマという。低温プラズマに
おいては、気体は低温であるにもかかわらず、ラジカ
ル、イオン、励起分子など活性種を多く含んだ活性プラ
ズマを作り、効果的な処理を行うことができる。

【００３２】本発明において、プラズマ処理は、酸素又
は酸素を含有する雰囲気下で行うことが好ましく、酸素
ガスと、フッ素原子などのハロゲン原子を分子中に含む
ガスとの混合ガス雰囲気下で行うことが特に好ましい。
このように、ハロゲン原子を分子中に含むガスを添加す
ると、絶縁層材料のエッチングの進行を抑えることがで
き、重合反応による生成物の堆積を抑えることができ
る。フッ素原子を分子中に含むガスとしては、フッ素ガ
ス（Ｆ₂）、四フッ化炭素（ＣＦ₄）、トリフルオロメタ
ン（ＣＨＦ₃）、ジフルオロメタン（ＣＨ₂Ｆ₂）、モノ
フルオロメタン（ＣＨ₃Ｆ）、六フッ化エタン（Ｃ
₂Ｆ₆）、テトラフルオロエタン（Ｃ₂Ｈ₂Ｆ₄）、六フッ
化硫黄（ＳＦ₆）、ＮＦ₃などが挙げられ、これらを単独
又は２種以上を混合して使用することができる。フッ素
原子を分子中に含むガス中のフッ素原子数は多い方が好
ましく、炭素原子数は少ない方が好ましい。フッ素原子
の一部又は全部をハロゲン元素（例えばＣｌ）で置換し
たガスを用いることもできるが、塩素原子よりフッ素原
子の方が反応性が高いので好ましい。これらのうちで
も、ＣＦ₄が蒸気圧が高く、気化しやすい点から好まし
い。Ｏ₂とＣＦ₄の混合ガスにおけるＣＦ₄の含有量は、
０．１〜５０ｖｏｌ％が好ましく、１〜２０ｖｏｌ％が
さらに好ましく、５〜２０ｖｏｌ％近辺が特に好まし
い。ＣＦ₄等のフッ素原子を分子中に含むガスは、コン
タクト部品においては、レーザ加工などの方法によって
バンプホールを形成した際に発生するカーボンや、その
他の有機物、また、多層配線基板においては、コンタク
トホール内の残さを、混合ガス中のＯ₂でアッシングす
る際、反応生成物（例えば有機ポリマー）の生成を防止
する目的で含有させるもので、０．１ｖｏｌ％未満の場
合、反応生成物の生成を防止する効果が弱くなるので好
ましくなく、また、５０ｖｏｌ％を超える場合、Ｏ₂に
よるアッシング効果が弱まるので処理時間が長くなるの
で好ましくない。なお、Ｏ₂とＣＦ₄の混合ガスには、さ
らにバッファーガスとして、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ等を添加
しても構わない。

【００３３】本発明において、ガス圧力は、０．１〜
０．４５Ｔｏｒｒ、好ましくは０．１〜０．４Ｔｏｒｒ
程度がさらに好ましく、０．２〜０．３Ｔｏｒｒでエッ
チング速度が最大になるので特に好ましい。０．１Ｔｏ
ｒｒ未満の場合、ＲＩＥ、スパッタエッチングの効果が
大きくなり、コンタクト部品における絶縁性フィルムや
多層配線基板における絶縁性基材に対するダメージが大
きくなるので好ましくない。また、０．４５Ｔｏｒｒを
超える場合、プラズマの放電が不安定となり、コンタク
ト部品に形成されたバンプホール内やその周辺、及び、
多層配線基板に形成されたコンタクトホール内にある残
さを、面内で均一に除去できなくなるので好ましくな
い。装置としては、平行平板型プラズマエッチング装
置、円筒型プラズマエッチング装置等が挙げられ、なか
でも平行平板型は均一性に優れており好ましい。高周波
の周波数は１０ｋＨｚ〜１００ＭＨｚまで選ぶことがで
きるが、多くは工業用周波数１３．５６ＭＨｚが用いら
れる。なお、エッチング速度は高周波出力に比例する。
処理時間は、レーザ照射によって発生し絶縁性フィルム
に付着するカーボン等を完全に除去できる時間以上で、
コンタクトホールの周縁や絶縁層にダメージを与えない
時間内とすることが好ましい。

【００３４】なお、本発明のプラズマによる表面処理
は、紫外線照射による処理及び／又はオゾン処理に比
べ、高エネルギである分処理を迅速に行うことができ、
製造効率の向上を図ることができる。また、レーザ照射
によって発生し絶縁性フィルムに付着する「すす」や
「かす」などのカーボン等の除去効果が非常に高く、か
つ、除去に要する時間が格段に短くて済む。

【００３５】本発明において、Ｘ線照射については軟Ｘ
線の方が好ましい。この理由は、軟Ｘ線の方が透過性が
弱く、生体への影響もＸ線よりも小さく取扱性に優れる
からである。なお、Ｘ線の波長は１０^-2オンク゛ストローム〜数
百オンク゛ストローム、軟Ｘ線の波長は数オンク゛ストローム〜数百オンク゛スト
ロームである。軟Ｘ線の線源としては、Ｐｄ（４．４オンク゛ス
トローム）、Ｓｉ（７．１オンク゛ストローム）などの金属を電子線
で励起させる制動輻射型、希ガスの放電プラズマ（Ｎ
ｅ：９〜１４オンク゛ストローム、Ｋｒ：６〜８オンク゛ストローム）ある
いはレーザ生成プラズマ（ＳｕＳ：８〜２２オンク゛ストロー
ム）を用いる再結合放射型、シンクロトロン放射光（Ｓ
ＯＲ）を用いるストレージリング型などが挙げられる。
なお、本発明のＸ線（軟Ｘ線）による表面処理は、紫外
線照射による処理及び／又はオゾン処理に比べ、高エネ
ルギである分処理を迅速に行うことができ、製造効率の
向上を図ることができる。

【００３６】本発明のコンタクト部品において、絶縁性
フィルム（シート）は、電気絶縁性を有するものであれ
ばその材質は特に限定されないが、絶縁性と共に可撓性
を有するものが好ましく、具体的にはポリイミド系樹
脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系
樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリ
アミド系樹脂、ＡＢＳ共重合体樹脂、ポリカーボネート
系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂などの熱硬化
性樹脂、又は熱可塑性樹脂が挙げられ、目的に応じて適
宜選択することができる。これらの樹脂のうち、耐熱
性、耐薬品性及び機械的強度に優れ、加工性等に優れる
ポリイミド系樹脂が特に好適に使用される。ポリイミド
は紫外領域に大きな吸収をもつため、レーザアブレーシ
ョン加工に適している。ポリイミドフィルムは柔軟性が
高いので、コンタクト部品上のバンプや被検査体上の接
点（パッドなど）の高さのバラツキを吸収できる。ポリ
イミドフィルムの厚さは任意に選択することができる
が、バンプホールの形成性の点からは通常５〜２００μ
ｍ程度が好ましく、１０〜５０μｍがより好ましい。

【００３７】バンプホールの形成方法としては、例え
ば、レーザ加工、リソグラフイー法（エッチング法を含
む）、プラズマ加工、光加工、機械加工等が挙げられる
が、微細加工性、加工形状の自由度、加工精度のなどの
点からレーザー加工が好ましい。レーザ加工の場合、照
射するレーザ光としては、照射出力の大きなエキシマレ
ーザ、ＣＯ₂レーザ、ＹＡＧレーザ等が好ましく、なか
でもエキシマレーザを用いたレーザアブレーションによ
る加工法は、熱によるポリイミドフィルムの溶融等が少
なく、高アスペクト比が得られ、精緻微細な穿孔加工が
できるので特に好ましい。レーザ加工の場合、スポット
を絞ったレーザ光をポリイミドフィルムの表面に照射し
てバンプホールを形成する。他の場合、レジストパター
ン等をマスクとして、酸素やフッ化物ガスを含有する雰
囲気中のプラズマエッチングや、ＲＩＥ（反応性イオン
エッチング）等のドライエッチング、あるいはスパッタ
エッチングなどを施して、バンプホールを形成すること
ができる。また、所望の孔形状（丸形、四角形、菱形な
ど）の孔が形成されたマスクをポリイミドフィルムの導
電層が積層されていない側の表面に密着させ、マスクの
上からエッチング処理して、バンプホールを形成するこ
ともできる。バンプホールの孔径は、通常の場合５〜２
００μｍ、好ましくは２０〜５０μｍ程度がよい。ハン
ダボール対応のバンプを形成する場合は、バンプホール
の孔径は、ハンダボールの径と同程度（３００〜１００
０μｍ程度）がよい。

【００３８】導電層としては、導電性を有するものであ
ればよい。例えば銅、ニッケル、クロム、アルミニウ
ム、金、白金、コバルト、銀、鉛、錫、インジウム、ロ
ジウム、タングステン、ルテニウム、鉄などの単独金
属、又はこれらを成分とする各種合金、例えば、ハン
ダ、ニッケル−錫、金−コバルトなどが挙げられる。バ
ンプ等を電解メッキで形成する場合は、電解メッキにお
いて電極（陰極）となるような導電層を選択する。導電
層は、上記各金属の層からなる単層構造であってもよ
く、積層構造であってもよい。例えば、絶縁性フィルム
側から、ＣｒやＮｉなどの下地膜、Ｃｕ膜、Ｎｉ膜、Ａ
ｕ膜を順次積層した積層構造とすることができる。この
場合、Ｃｒ下地膜は、ポリイミドフィルムなどの絶縁性
フィルムとの付着性を向上させるので、好適である。ま
た、Ｎｉ下地膜は、ポリイミドフィルムなどの絶縁性基
材との付着性を向上させるので、好適である。Ｃｕ膜は
導電層の主体となる。Ｎｉ膜は、導電層の最表面にＡｕ
層を形成するための中間層としての役割があり、又、導
電層の機械的強度を向上させる目的で形成される。Ａｕ
膜は、導電層表面の酸化防止及び、接触抵抗を下げる目
的で形成される。なお、Ａｕ膜の代わりに、金−コバル
ト合金、ロジウム、パラジウムなどを用いることがで
き、特に金−コバルト合金はパッドの機械的強度が大き
い。

【００３９】これらの導電性金属膜の形成方法として
は、スパッタ法や蒸着法などの成膜方法や、無電解メッ
キ、電解メッキなどのメッキ法などを利用することがで
きる。なお、Ｃｕ膜上のＮｉ膜やＡｕ膜などは、機械的
強度が要求され、比較的厚膜である必要性から、メッキ
法（無電解メッキ、電解メッキ）で形成することが望ま
しい。また、スパッタ法とメッキ法との組合せにより形
成することができる。例えば、スパッタ法で薄く膜を付
けた後、メッキにより厚く膜をつけることができる。導
電層の厚さは特に限定されず、適宜設定することができ
る。

【００４０】本発明では、絶縁性フィルムの全面に形成
した導電層をパターニングすることによって、絶縁性フ
ィルム上に孤立電極（パッドなど）や配線を形成でき
る。例えば、絶縁性フィルムの全面に形成した導電膜上
にレジストパターンを形成した後、露出している導電層
をエッチングして、所望の孤立電極又は配線パターンを
得る。なお、絶縁性フィルム上に配線を形成すると柔軟
性が悪くなるが、孤立電極を形成した場合は柔軟性に影
響を与えない。孤立電極又は配線は、絶縁性フィルム上
に直接形成することもできる。例えば、孤立電極又は配
線を形成する部分以外の部分をマスキングしておき、ス
パッタリング、各種蒸着、各種メッキなどの成膜方法を
用いて成膜を行うことで、マスキングされていない部分
に孤立電極又は配線を直接形成することができる。ま
た、孤立電極又は配線は、ディスペンサーを用いて、又
は印刷法などによって、直接描画し、形成することもで
きる。なお、この場合は、孤立電極又は配線を導電層
（電極）として電解メッキ等によりバンプを形成する。

【００４１】バンプの形成方法としては、電解（電気）
メッキ法、無電解メッキ法、ＣＶＤ法などが挙げられる
が、なかでも、形状の制御性がよく、高精度のバンプを
形成できるため、電解メッキ法が好ましい。バンプの構
成材料（メッキ液の材料）としては、導電性を有する金
属であれば特に限定されず、上述した導電層と同じ材質
が挙げられ、本発明においては様々な金属のメッキを活
用できるが、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｉ
ｎ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｗ、Ｒｕまたはこれらの金属成分を主
とする合金等が好ましい。電解メッキにおいては、図５
（ａ）に示すように、導電層２を電極に接続し、積層体
４をメッキ浴に浸漬して導電層２を陰極として導通す
る。この際の電流密度は、メッキする金属により異なる
が、例えばニッケルをメッキする場合には、０．１〜６
０Ａ／ｄｍ²に設定する。通電により絶縁性フィルム１
の少なくともバンプホール１ａ内に金属物質が充填さ
れ、バンプが形成される。

【００４２】バンプ表面には、必要に応じて、種々の金
属被膜を形成してもよい。例えば、バンプ表面の硬度向
上や、バーンインテストにおけるマイグレーションによ
るバンプの汚染の防止等の目的で、バンプ表面にＡｕ、
Ａｕ−Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ等またはこれらの
金属成分を主とする合金等の金属被膜を形成してもよ
い。この金属被膜は単層であっても多層であってもよ
い。

【００４３】本発明においてバンプは、電気的な接触、
接続を意図して絶縁性フィルムの表面に設けられる接点
部（コンタクト部）である。接点部全体としての態様は
絶縁性フィルムの表面からの突出の有無を問わず、ま
た、バンプの形状は、接触対象の部材の形状等に応じて
凸状、平面状、凹状のいずれであってもよい。バンプの
三次元形状は限定されるものではなく、あらゆる立体的
形状とすることが可能である。しかし、バンプは、マッ
シュルーム形状のものとすることが、電気的接続信頼性
の点から好ましい。バンプの高さ、大きさは目的、使用
に応じて自由に設定することができる。

【００４４】なお、電解メッキに際し、導電層の表面を
保護するために保護膜を通常形成する。保護膜を形成す
るには、通常、保護膜の乾燥工程を必要とするので、バ
ンプホールの底部における導電層の露出面が酸化され
る。導電層の露出面に酸化膜が形成されると導通不良と
なるので、バンプ未成長又は成長不良となる。従って、
メッキ直前に酸化膜除去を目的として前処理を行うこと
がある。前処理を行う場合、酸化膜を除去するための前
処理剤としては、酸化膜を除去できるものであれば特に
限定されず、例えば酸化銅の除去であれば希硫酸などの
酸を含むソフトエッチング剤等が好適に使用される。酸
化膜の除去に際しては、積層体を１〜３分間浸漬処理す
れば、バンプホールの底部における導電層の露出面を活
性化させることができる。なお、導電層の保護膜は、不
必要層として最終的に導電層から剥離される。

【００４５】次に、本発明における多層配線基板につい
て説明する。本発明の多層配線基板において、絶縁層
（絶縁膜）の材料としては、樹脂材料が好ましく、アク
リル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド等が挙げられ
るが、なかでも低膨張率を有し、耐熱性や耐薬品性に優
れるポリイミドが特に好ましい。絶縁層は、例えば、ス
ピンコート、ロールコート、カーテンコート、スプレイ
コート、印刷法等により、ガラス基板上や配線層上に形
成することができる。

【００４６】配線層は、例えば、スパッタリング法など
の薄膜形成方法によってガラス基板上や絶縁膜上に導電
性薄膜を形成し、フォトリソグラフィー法（レジスト塗
布、露光、現像、エッチングなど）で所望のパターンを
もった配線を形成することができる。配線層における配
線材料や配線の層構成等は特に制限されないが、例え
ば、Ｃｕを主配線材料とした、下方からＣｒ／Ｃｕ／Ｎ
ｉ多層構造や、下方からＣｕ／Ｎｉ／Ａｕ多層構造や、
下方からＣｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ多層構造を有する配線
とすることができる。ここで、Ｃｒ、Ｎｉは、酸化しや
すいＣｕの酸化を防止でき（特にＮｉにより耐腐食性が
良くなる）、また、Ｃｒ、ＮｉはＣｕとの密着性が良く
Ｃｕ以外の隣接層（例えば、Ｎｉの場合Ａｕ層、Ｃｒの
場合ガラス基板や絶縁層）との密着性も良いので層間の
密着性を向上できる。主配線材料であるＣｕの代替え材
料としては、Ａｌ、Ｍｏ等が挙げられる。主配線材料で
あるＣｕの膜厚は、０．５〜１５μｍの範囲が好まし
く、１．０〜７．０μｍの範囲がより好ましく、２．５
〜６μｍの範囲がさらに好ましい。下地膜であるＣｒの
代替え材料としては、Ｗ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃ
ｒＳｉ等の金属等が挙げられる。Ｎｉの代替え材料とし
ては、上下層を形成するそれぞれの材料との関係で密着
力の高い金属等が挙げられる。Ａｕの代替え材料として
は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ
等が挙げられる。多層配線基板の場合、最上層（最表
面）の配線表面には、配線表面の酸化を防止し保護する
ため及びコンタクト抵抗を低減するため、金等をコート
するが、それより下層（内層）の表面には金等をコート
しなくてもよい。ただし、コンタクト抵抗の面を考える
と内層の配線層に金コートをさらにしてもコストの上昇
以外は問題はない。金等は配線表面に後付けするか、も
しくは、金等を最表面全面に形成した多層配線層をあら
かじめ形成しておきこの多層配線層を順次ウェットエッ
チングして配線パターンを形成してもよい。また、コン
タクトホール形成後、コンタクトホールの底部（内層の
配線表面の一部）にのみ金等をコートすることもでき
る。下方からＣｒ／Ｃｕ／Ｎｉの多層構造を有する配線
層を形成する際に、Ｃｒ及びＣｕはスパッタ法により形
成し、Ｎｉは電解めっき法により形成することで、特に
電解めっき法によるＮｉは厚く成膜できるので、コスト
の低減を図ることができる。また、Ｎｉの表面が粗いの
で、Ｎｉ上に付ける膜の付着を良くすることができる。
Ｎｉ上にＡｕ膜等を成膜する場合、Ｎｉを酸化させない
ように、連続めっき等を施すことが好ましい。多層配線
基板は、絶縁性基板の片面に多層配線を形成したもので
あっても、絶縁性基板の両面に多層配線を形成したもの
であってもよい。

【００４７】本発明の多層配線基板における絶縁性基板
としては、ガラス基板、セラミクス基板（ＳｉＣ、Ｓｉ
Ｎ、アルミナなど）、ガラスセラミクス基板、シリコン
基板などの基板が好ましい。絶縁性基板の熱膨張係数は
１０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。これらのう
ち、以下に示す観点からは、ガラス基板が好ましい。ガ
ラス基板は、セラミクス基板に比べ、安価で、加工しや
すく、高精度研磨によってフラットネス等が良く、透明
であるのでアライメントしやすいとともに、熱膨張を材
質によってコントロールすることができ、電気絶縁性に
も優れる。また、応力による反りが発生せず、成形も容
易である。さらに、無アルカリガラスであればアルカリ
の表面溶出等による悪影響がない。熱膨張係数が１０ｐ
ｐｍ／℃以下であるガラス基板としては、例えば、以下
に示す組成のものが挙げられる。ＳｉＯ₂：１〜８５ｗ
ｔ％、Ａｌ₂Ｏ₃：０〜４０ｗｔ％、Ｂ₂Ｏ₃：０〜５０ｗ
ｔ％、ＲＯ：０〜５０ｗｔ％（但し、Ｒはアルカリ土類
金属元素；Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）、Ｒ’₂Ｏ：０〜
２０ｗｔ％（但し、Ｒ’はアルカリ金属元素；Ｌｉ、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）、その他の成分：０〜５ｗｔ％
（例えば、Ａｓ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、ＺｒＯ、ＺｎＯ、Ｐ₂
Ｏ₅、Ｌａ₂Ｏ₃、ＰｂＯ、Ｆ、Ｃｌ等）、である組成の
ガラスが挙げられる。

【００４８】

【実施例】以下、実施例及び比較例をもって本発明を詳
細に述べるが、本発明はこれらによって何ら限定される
ものではない。

【００４９】（実施例１）コンタクト部品の作製絶縁性フィルムであるポリイミドフィルム（２５μｍ）
の片面に、銅箔からなる導電層（銅層）（１８μｍ）を
形成して、積層体である二層フィルムを作成した。ポリ
イミドフィルムの表面に遮蔽マスクを通して発振波長２
４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光を照射して穿孔し、
ポリイミドフィルムのみに２５μｍφの微細バンプホー
ルを１００００個穿設した。このバンプホールの開口部
周辺及び底部には黒色のポリイミド分解物が付着してい
た。この分解物はカーボンを主成分とするものであり、
メッキ時に導電体として作用するので、電解メッキによ
ってバンプを形成する場合、この分解物を完全に除去し
なければ、直接バンプの形状不良につながる。一般にこ
れらの分解物除去法として、過マンガン酸カリウムを用
いた除去法が知られているが、本実施例のようにバンプ
ホールが微細である場合、バンプホールの底部にまで液
が入りにくく、すべてのバンプホールの付着分解物を一
様に除去することは難しい。そこで本発明のプラズマ処
理をおこなったところ、レーザ加工により生じバンプホ
ール及びその周辺に付着していたカーボンを主成分とす
るポリイミド分解物質等（「すす」や「かす」など）を
完全に除去することができた。

【００５０】なお、本実施例におけるプラズマ処理の条
件は下記のとおりとした。雰囲気ガス（モル比）：Ｏ₂：ＣＦ₄＝９：１（混合ガス
中に占めるＣＦ₄の含有量：１０ｖｏｌ％）ガス圧力：０．２５ｔｏｒｒ＝３３．３Ｐａ（１ｔｏｒ
ｒ＝１３３．３Ｐａ）高周波出力：０．５Ｗ／ｃｍ² 基板温度：基板ステージを冷却水で２０℃に冷却。プラズマ処理時間：３０秒装置：平行平板型プラズマ処理装置

【００５１】プラズマ処理後のバンプホールの状態は、
ポリイミド表面におけるバンプホールの開口部での孔径
は３０μｍφ、ポリイミドと銅層との界面（バンプホー
ルの底部）での径は２６μｍφ、バンプホールの深さは
２５μｍであった。

【００５２】このようにして得られた二層フィルムの銅
層表面にビスフェノール系のレジストを塗布し、９０
℃、３０分間で硬化させて銅層表面を保護した。これ
を、エタノールに浸漬し、バンプホール内にいったんエ
タノールを充填させ、その後、バンプホール内部のエタ
ノールを水で置換した後、酸に浸漬して酸化膜を除去
し、純水で洗浄して酸を除去する。その後、銅層を電極
に接続して６０℃のニッケルメッキ浴に浸漬し、銅層を
マイナス極として、バンプホール内にニッケルメッキを
成長させた。電流密度は３Ａ／ｄｍ²に設定し、ニッケ
ルがポリイミドフィルム表面から３０μｍ突出したとき
にメッキ処理を終了した。

【００５３】最後に、塗布したレジスト層を剥離して、
ニッケルバンプを有するコンタクト部品を得た。このコ
ンタクト部品のバンプ全てを顕微鏡観察したところ、バ
ンプ抜け又はバンプ欠陥不良は一つもなかった。また、
テープ剥離試験（ＪＩＳＺ−０２３７）を行い、バンプ
の耐久性（付着力）を調べたところ、バンプ抜けは一つ
もなかった。

【００５４】（実施例２）雰囲気ガス（モル比）を
Ｏ₂：ＣＦ₄＝８：２（混合ガス中に占めるＣＦ₄の含有
量：２０ｖｏｌ％）としたこと以外は実施例１と同様に
してコンタクト部品を作製した。その結果、実施例１と
同様の効果を確認した。

【００５５】（実施例３）プラズマ処理時間を変化させ
たこと以外は実施例１と同様にしてコンタクト部品を作
製した。プラズマ処理後のカーボン残りの目視検査の結
果、及び、テープ剥離試験の結果（バンプ抜けの個数）
を表１に示す。

【００５６】

【表１】

【００５７】表１において、プラズマ処理時間が４０秒
を超えるとバンプホールの周縁に白色の傷（ダメージ）
が発生し、メッキの成長に悪影響を与えるので好ましく
ないことがわかった。また、プラズマ処理時間が５０秒
を超えるとバンプホール底部に露出する導電層表面に形
成される酸化膜が厚くなるためテープ剥離試験でバンプ
抜けが生じる恐れがあり、また、プラズマ処理時間が６
０秒を超えるとポリイミドフィルムの一部が燃焼により
炭化するので好ましくないことがわかった。これらのこ
とから、プラズマ処理時間は２５〜５０秒が好ましく、
２５〜４０秒がさらに好ましいことがわかる。

【００５８】（実施例４）バンプメッキ前に軟Ｘ線照射
を３０分間行った以外は実施例１と同様にしてコンタク
ト部品を作製した。その結果、実施例１と同様の効果を
確認した。

【００５９】（比較例１）バンプメッキ前のプラズマ処
理を省略した以外は実施例１と同様にしてコンタクト部
品を作製した。その結果、表１に示すように、レーザ加
工により生じバンプホール及びその周辺に付着していた
カーボンを主成分とするポリイミド分解物質等（「す
す」や「かす」など）は除去されず、テープ剥離試験で
は１００コのバンプ抜けが生じた。

【００６０】（比較例２）バンプメッキ前の軟Ｘ線の照
射を省略した以外は実施例２と同様にしてコンタクト部
品を作製した。その結果は比較例１と同様であった。

【００６１】（比較例３）プラズマ処理に替えて紫外線
−オゾン処理処理装置を用いた紫外線−オゾン処理を行
った以外は実施例１と同様にしてコンタクト部品を作製
した。その結果、３０分間紫外線−オゾン処理を行って
も、レーザ加工により生じバンプホール及びその周辺に
付着していたカーボンを主成分とするポリイミド分解物
質等（「すす」や「かす」など）はほとんど除去できな
かった。

【００６２】（実施例５〜８、比較例４〜５）上記実施
例１において、ガス圧を、０．０５Ｔｏｒｒ（比較例
４）、０．１Ｔｏｒｒ（実施例５）、０．２Ｔｏｒｒ
（実施例６）、０．３Ｔｏｒｒ（実施例７）、０．４Ｔ
ｏｒｒ（実施例８）、０．５Ｔｏｒｒ（比較例５）、と
変化させた他は実施例１と同様にしてコンタクト部品を
作製した。その結果、表２に示すように、０．０５Ｔｏ
ｒｒの場合、スパッタエッチングの効果が大きくなり、
コンタクト部品における絶縁性フィルムに対するダメー
ジが無視できなくなり好ましくない。また、０．５Ｔｏ
ｒｒの場合、プラズマの放電が不安定となり、コンタク
ト部品に形成されたバンプホール内やその周辺におい
て、残さを均一に除去できない箇所が確認された。

【００６３】

【表２】

【００６４】なお、表２では、１０個のコンタクト部品
を作製し、顕微鏡にて観察した結果を示す。表２中、
「◎」は絶縁性フィルムに対するダメージが全くなし
（１０個中１０個が良品）又はバンプホール内やその周
辺における残さの除去の均一性が最良（１０個中１０個
が良品）であることを示す。「○」は１０個中８〜９個
がダメージが全くなく良品又は１０個中８〜９個が均一
性が最良で良品であることを示す。「△」は１０個中６
〜７個がダメージが全くなく良品又は１０個中６〜７個
が均一性が最良で良品であることを示す。「×」は１０
個中５個以下がダメージが全くなく良品又は１０個中５
個以下が均一性が最良で良品であることを示す。「−」
は放電しなかったことを示す。前記「良品」は、コンタ
クト部品における全てのバンプホール内やその周辺にお
いて残さがない状態のものを指す。上記の結果から、ガ
ス圧の範囲は、０．１〜０．４５Ｔｏｒｒ、好ましくは
０．１〜０．４Ｔｏｒｒ、さらに好ましくは０．２〜
０．３Ｔｏｒｒが、絶縁性フィルムに対するダメージ、
バンプホール内やその周辺における残さの除去の均一性
の点で良いことがわかる。

【００６５】（実施例９〜１４、比較例６〜７）上記実
施例１において、混合ガス中に占めるＣＦ₄の含有量
を、０．０５ｖｏｌ％（比較例６）、０．１ｖｏｌ％
（実施例９）、０．５ｖｏｌ％（実施例１０）、１ｖｏ
ｌ％（実施例１１）、５ｖｏｌ％（実施例１２）、３０
ｖｏｌ％（実施例１３）、５０ｖｏｌ％（実施例１
４）、７０ｖｏｌ％（比較例７）、と変化させた他は実
施例１と同様にしてコンタクト部品を作製した。その結
果、表３に示すように、０．０５ｖｏｌ％の場合、反応
生成物の生成を防止する効果が弱くなり、レーザ加工に
よってバンプホールを形成する際に発生したカーボンが
一部除去されていない箇所が発見された。また、７０ｖ
ｏｌ％を超える場合、Ｏ₂によるアッシング効果が弱ま
る。したがって、残差を完全に除去するためには処理時
間が長くなり好ましくない。なお、表３では、処理時間
が３０秒の場合なので、完全に除去できないものもあっ
た。

【００６６】

【表３】

【００６７】なお、表３では、１０個のコンタクト部品
を作製し、顕微鏡にて観察した結果を示す。表３中、
「◎」はバンプホール内やその周辺における残さが全く
ない良品が１０個中１０個であることを示す。「○」は
残さが全くない良品が１０個中８〜９個であることを示
す。「△」は残さが全くない良品が１０個中６〜７個で
あることを示す。「×」は残さが全くない良品が１０個
中５個以下であることを示す。前記「良品」は、コンタ
クト部品における全てのバンプホール内やその周辺にお
いて残さがない状態のものを指す。上記の結果から、混
合ガス（Ｏ₂＋ＣＦ₄）中に占めるＣＦ₄の含有量は、
０．１〜５０ｖｏｌ％、好ましくは１〜２０ｖｏｌ％、
さらに好ましくは５〜２０ｖｏｌ％が、残さの除去、処
理時間の点で良いことがわかる。

【００６８】なお、上記実施例５〜１４、比較例４〜７
の結果は、ＣＦ₄以外のフッ素原子を分子中に含むガス
の場合もほぼ同様の結果が得られたことを確認した。ま
た、後述する多層配線基板におけるコンタクトホール内
及び／又は絶縁層表面にも上記結果が適用できることも
確認した。

【００６９】（実施例１５）実施例１５では、ウエハ一
括コンタクトボード用多層配線基板、ウエハ一括コンタ
クトボード用コンタクト部品、異方性導電ゴムを作製
し、これらを組み立ててウエハ一括コンタクトボードを
作製した。多層配線基板の作製図１は、多層配線基板の製造工程の一例を示す要部断面
図である。図１の工程（ａ）に示すように、表面を平ら
に研磨した大きさ３２０ｍｍ角、厚さ３ｍｍのガラス基
板２１（ＳｉＯ₂：６０．０mol％、Ａｌ₂Ｏ₃：９．０mo
l％、ＣａＯ：９．４mol％、ＭｇＯ：９．３mol％、Ｚ
ｎＯ：９．３mol％、ＰｂＯ：３．０mol％、である組成
のガラス）の片面に、スパッタ法にて、Ｃｒ膜を約３０
０オングストローム、Ｃｕ膜を約２．５μｍ、Ｎｉ膜を
約０．３μｍの膜厚で順次成膜して、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｎｉ
配線層２２を形成する。ここで、ＣｒはガラスとＣｕに
対する密着力を強化する目的で設けている。また、Ｎｉ
はＣｕの酸化を防止する目的、レジストに対する密着力
を強化する目的（Ｃｕとレジストとは密着性が悪い）、
及び、Ｃｕとポリイミドとの反応によってコンタクトホ
ール（ビア）底部にポリイミドが残留するのを防止する
目的で設けている。なお、Ｎｉの形成方法はスパッタ法
に限定されず、電解メッキ法で形成しても良い。また、
Ｎｉ膜上にＡｕ膜等をスパッタ法、電解メッキ法又は無
電解メッキ法で形成して、コンタクト抵抗の低減を図る
ことも可能である。

【００７０】次に、図１の工程（ｂ）に示すように、所
定のフォトリソグラフィー工程（レジストコート、露
光、現像、エッチング）を行い、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｎｉ配線
層２２をパターニングして、１層目の配線パターン２２
ａを形成する。詳しくは、まず、レジスト（クラリアン
ト社製：ＡＺ３５０）を３μｍの厚みにコートし、９０
℃で３０分間ベークし、所定のマスクを用いてレジスト
を露光、現像して、所望のレジストパターン（図示せ
ず）を形成する。このレジストパターンをマスクとし
て、塩化第２鉄水溶液等のエッチング液を使用して、Ｃ
ｒ／Ｃｕ／Ｎｉ配線層２２をエッチングし、その後レジ
スト剥離液を用いてレジストを剥離し、水洗して乾燥さ
せて、１層目の配線パターン２２ａを形成する。

【００７１】次に、図１の工程（ｃ）に示すように、１
層目の配線パターン２２ａ上に感光性ポリイミド前駆体
をスピンナー等を用いて１０μｍの厚みで塗布して、ポ
リイミド絶縁膜２３を形成し、このポリイミド絶縁膜２
３に、コンタクトホール２４を形成する。詳しくは、塗
布した感光性ポリイミド前駆体を８０℃で３０分間ベー
クし、所定のマスクを用いて露光、現像して、コンタク
トホール２４を形成する。窒素雰囲気中にて３５０℃で
４時間キュアを行い感光性ポリイミド前駆体を完全にポ
リイミド化する。キュア後のポリイミド絶縁膜２３の膜
厚は、塗布後の膜厚の半分（５μｍ）に減少した。その
後、実施例１と同様のプラズマ処理によって、ポリイミ
ド表面を粗面化して次工程にて形成する２層目の配線層
との密着力を高めるとともに、コンタクトホール２４内
のポリイミド、現像液等の残さ等の有機物を酸化し除去
する。このプラズマ処理によって、コンタクトホール内
に絶縁層の残さや、現像液等の残さ等の有機物を完全に
除去できることを目視にて確認した。

【００７２】次に、図１の工程（ｄ）に示すように、上
記工程（ａ）と同様にしてＣｒ／Ｃｕ／Ｎｉ配線層２５
を形成する。次に、図１の工程（ｅ）に示すように、上
記工程（ｂ）と同様にしてＣｒ／Ｃｕ／Ｎｉ配線層２５
をパターニングして、２層目の配線パターン２５ａを形
成する。

【００７３】次に、上記工程（ｃ）〜（ｅ）を同様に繰
り返して、２層目のポリイミド絶縁膜及びコンタクトホ
ール、３層目の配線パターンを順次形成して、３層構造
のガラス多層配線基板を得た（図示せず）。次いで、３
層目の配線パターンにおけるコンタクト端子部分にだ
け、酸化を防止する目的及び異方性導電膜との電気的コ
ンタクト性を良くする等の目的で、１μｍ厚のＮｉ膜上
に０．３μｍ厚のＡｕ膜を無電解メッキ法で形成した
（図示せず）。

【００７４】最後に、基板上に絶縁膜としてのポリイミ
ドを塗布し（図示せず）、コンタクト端子部分のポリイ
ミドを除去して保護用絶縁膜を形成して、ウエハ一括コ
ンタクトボード用多層配線基板を得た。

【００７５】異方性導電ゴムシートの張合わせ次に、シリコン樹脂からなり、金属粒子がパッド電極部
分に埋め込まれている異方性導電ゴムシートをウエハ一
括コンタクトボード用多層配線基板の所定の位置に貼り
合わせた。

【００７６】ウエハ一括コンタクトボード用コンタクト
部品の作成次に、ウエハ一括コンタクトボード用コンタクト部品の
作製方法について、図２を用いて説明する。まず、図２
（ａ）に示すように、平坦度の高いアルミニウム板１５
上に厚さ５ｍｍの均一の厚さのシリコンゴムシート１６
を置く。その一方で、例えば、厚さ２５μｍのポリイミ
ドフィルム上に、スパッタ法又はメッキ法で銅を厚さ１
８μｍで成膜したフィルム１７（積層体）を準備する。
なお、フィルム１７の材料、形成方法、厚さ等は適宜選
択できる。例えば、１２〜５０μｍ程度のポリイミドフ
ィルムや、エポキシ樹脂フィルム、厚さ０．１〜０．５
ｍｍ程度のシリコンゴムシートを使用できる。フィルム
の形成方法もコーティング法で形成したり、市販のフィ
ルム又はシートを利用したりできる。さらに、銅箔にポ
リイミド前駆体をキャスティングした後、ポリイミド前
駆体を加熱して乾燥及び硬化させて、銅箔とポリイミド
フィルムを貼り合せた構造のフィルムを形成することも
できる。また、フィルムの一方の面に複数の導電性金属
を順次成膜して、フィルムの一方の面に積層構造を有す
る導電性金属層を形成した構造のものを使用することも
できる。また、ポリイミドとＣｕの間には、両者の接着
性を向上させること、及び膜汚染を防止することを目的
として、特に図示しないが薄いＮｉ膜を形成してもよ
い。

【００７７】次いで、上記シリコンゴムシート１６上
に、銅とポリイミドフィルムを貼り合せた構造のフィル
ム１７を銅側を下にして均一に展開した状態で吸着させ
る。この際、シリコンゴムシート１６にフィルム１７が
吸着する性質を利用し、しわやたわみが生じないよう
に、空気層を追い出しつつ吸着させることで、均一に展
開した状態で吸着させる。

【００７８】次に、直径約８インチ、厚さ約２ｍｍの円
形のＳｉＣリング１１の接着面に熱硬化性接着剤１８を
薄く均一に、５０〜１００μｍ程度の厚さで塗布し、フ
ィルム１７上に置く。ここで、熱硬化性接着剤１８とし
ては、バーンイン試験の設定温度８０〜１５０℃よりも
０〜５０℃高い温度で硬化するものを使用する。本実施
例では、ボンドハイチップＨＴ−１００Ｌ（主剤：硬化
剤＝４：１）（コニシ（株）社製）を使用した。さら
に、平坦性の高いアルミニウム板（重さ約２．５ｋｇ）
を重石として、リング１１上に載せる（図示せず）。

【００７９】上記準備工程を終えたものをバーンイン試
験の設定温度（８０〜１５０℃）以上の温度（例えば２
００℃、２．５時間）で加熱して前記フィルム１７と前
記リング１１を接着する（図２（ｂ））。この際、シリ
コンゴムシート１６の熱膨張率はフィルム１７の熱膨張
率よりも大きいので、シリコンゴムシート１６に吸着し
たフィルム１７はシリコンゴムシート１６と同じだけ熱
膨張する。すなわち、フィルム１７を単にバーンイン試
験の設定温度（８０〜１５０℃）以上の温度で加熱した
場合に比べ、シリコンゴムシートの熱膨張が大きいので
このストレスによりポリイミドフィルムがより膨張す
る。このテンションが大きい状態で、熱硬化性接着剤１
８が硬化し、フィルム１７とリング１１が接着される。
また、シリコンゴムシート１６上のフィルム１７は、し
わやたわみ、ゆるみなく均一に展開した状態で吸着され
ているので、フィルム１７にしわやたわみ、ゆるみな
く、リング１１にフィルム１７を接着することができ
る。さらに、シリコンゴムシート１６は平坦性が高く、
弾力性を有するので、リング１１の接着面に、均一にむ
らなくフィルム１７を接着することができる。ポリイミ
ドフィルムの張力は０．５ｋｇ／ｃｍ²とした。なお、
熱硬化性接着剤を使用しない場合、フィルムが収縮し、
張力が弱まる他に、接着剤の硬化時期が場所によってば
らつくため、リングの接着面に均一にむらなく接着がで
きない。

【００８０】上記加熱接着工程を終えたものを常温まで
冷却し、加熱前の状態まで収縮させる。その後、カッタ
ーでリング１１の外周に沿ってリング１１の外側のフィ
ルム１７を切断除去して、積層体を支持枠に張り渡した
中間部品（メンブレンリング）を作製する（図２
（ｃ））。

【００８１】次に、上記メンブレンリングを加工してバ
ンプ及びパッドを形成する工程について説明する。

【００８２】まず、図３（ａ）に示す、上記で作製した
メンブレンリングにおける銅箔とポリイミドフィルムを
貼り合せた構造のフィルム１７（積層体）の銅箔（Ｃ
ｕ）上に、図３（ｂ）に示すように、電解メッキによ
り、Ｎｉを０．２〜０．５μｍ（好ましい範囲は０．１
〜３μｍ）メッキした後、その上にＡｕを０．１〜０．
５μｍ（好ましい範囲は０．５〜２μｍ）で形成して、
Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／ポリイミドフィルム積層膜構造を形
成する。

【００８３】次いで、図３（ｃ）に示すように、ポリイ
ミドフィルムの所定位置に、エキシマレーザを用いて、
直径が約３０μｍのバンプホールを形成する。バンプホ
ールの内及びポリイミドフィルムの表面に実施例１と同
様のプラズマ処理した。その結果、フィルム１７（積層
体）が反ったり、ゆがんだりしないため、レーザ加工に
より生じバンプホール及びその周辺に付着していたカー
ボンを主成分とするポリイミド分解物質（「すす」）や
「かす」を全面で完全に除去することができた。

【００８４】次に、図３（ｄ）に示すように、最上層の
Ａｕ膜の表面がメッキされないようにするために、レジ
ストなどの保護膜等を、電極として使用するＡｕ膜の一
部を除く全面に約２〜３μｍの厚さで塗布して、Ａｕ膜
を保護する。これを、エタノールに浸漬し、バンプホー
ル内にいったんエタノールを充填させ、その後、バンプ
ホール内部のエタノールを水で置換した後、酸に浸漬し
て酸化膜を除去し、純水で洗浄して酸を除去する。

【００８５】直ちに、前記最上層のＡｕ膜に電極の一方
を接続し、ポリイミドフィルム側にＮｉあるいはＮｉ合
金の電解メッキを行う。なお、メッキ条件は適宜選択す
ることができ、例えばメッキ液中に光沢剤、ホウ酸、臭
化ニッケル、ＰＨ調整剤等を添加することができる。ま
た、メッキ液中の光沢剤の含有量を調節することによ
り、バンプの硬度や表面状態を変化させることができ
る。電解メッキにより、メッキは図３（ｄ）に示すバン
プホールを埋めるようにして成長した後、ポリイミドフ
ィルムの表面に達すると、等方的に広がってほぼ半球状
に成長し、硬度６００Ｈｖ以上のＮｉ又はＮｉ−Ｃｏ合
金等のＮｉ合金からなるバンプが形成される。続いて、
バンプの表面に膜厚１〜２μｍのＡｕからなる電解メッ
キ層を形成する。その後、特に図示しないが、前記保護
膜を剥離する。

【００８６】そして、最上層のＡｕ上に新たにレジスト
を全面に塗布し、パッドを形成する部分以外のレジスト
を露光、現像によって除去し、パッド形成部に図３
（ｅ）に示すように、レジストパターンを形成する。

【００８７】次いで、図３（ｆ）に示すように、Ａｕ膜
をヨウ素・ヨウ化カリウム水溶液にてエッチングし、Ａ
ｕとＣｕ間に存在する薄いＮｉ膜及びＣｕ膜を塩化第二
鉄水溶液等にてエッチングを行い、よくリンスした後、
前記レジストを剥離して、図３（ｇ）に示すように、表
層からＡｕ（厚さ１μｍ）／Ｎｉ（厚さ１．５〜２．０
μｍ）／Ｃｕからなるパッドを形成する。この時、エッ
チングはスプレー方式を使用するとサイドエッチングが
少なく、望ましい。

【００８８】以上の工程を経て、ウエハ一括コンタクト
ボード用コンタクト部品が完成する。

【００８９】組立工程上記で製作した異方性導電ゴムシート付き多層配線基板
及びウエハ一括コンタクトボード用コンタクト部品をパ
ッド電極が外れないように位置を合わせした後、貼り合
わせ、ウエハ一括コンタクトボードを作製した。

【００９０】バーンイン試験ウエハ上のパッドとウエハ一括コンタクトボード用コン
タクト部品のバンプとを位置を合わせした後チャックで
固定し、その状態でバーンイン装置に入れ１２５℃の動
作環境にて試験した。その結果、ウエハ上に形成してあ
る半導体ディバイス、例えば、マイコン、ＡＳＩＣ、メ
モリをそれぞれ測定することができた。また、フライン
グプローバによるオープン箇所を測定したところ、多層
配線基板のコンタクトホールによるオープン箇所はゼロ
であった。さらに、繰り返し接触によるバンプ抜けやバ
ンプなどの欠陥不良による接触不良は一箇所もなかっ
た。

【００９１】なお、本発明は、上記実施例に限定され
ず、適宜変形実施できる。

【００９２】例えば、雰囲気ガス、ガス圧力、高周波出
力、基板温度、プラズマ処理時間などのプラズマ処理条
件や、各種材料等は、所定の効果が得られるように適宜
選択できる。

【００９３】また、ウエハ一括コンタクトボード用多層
配線基板等における配線の積層数は３層に限らず、所望
の積層数（例えば通常２〜５層）とすることが可能であ
る。

【００９４】さらに、本発明のコンタクト部品は、ＣＳ
Ｐ（Chip Size Package）検査用、ＢＧＡ（Ball Grid A
rray）検査用、ハンダボールを接点として有するＩＣ基
板検査用、１チップバーイン検査用のテープキャリア
用、バーンインプローブカード用、メンブレンプローブ
カード用、などとして用いることができる。また、本発
明のウエハ一括コンタクトボードは、従来プローブカー
ドによって行われていた製品検査（電気的特性試験）
や、ウエハレベル一括ＣＳＰ検査用、にも利用できる。
さらに、本発明の多層配線基板は、高密度実装に使用さ
れるマルチチップモジュール（ＭＣＭ）における多層配
線基板として適する。

【００９５】

【発明の効果】本発明のコンタクト部品の製造方法によ
れば、プラズマ処理及び／又はＸ線（軟Ｘ線）照射によ
って、被メッキ面等に存在する有機物等を短時間で除去
でき、しかも処理の効果が高い。特に、プラズマ処理及
び／又はＸ線（軟Ｘ線）照射によって、絶縁性フィルム
の表面及び／又はバンプホールの内に付着した有機物や
レーザ加工で生じた残滓などを完全に除去することがで
きる。また、プラズマ処理及び／又はＸ線（軟Ｘ線）照
射によって、バンプホール内等の被メッキ面は、メッキ
液との濡れ性が向上する。したがって、メッキ液が完全
にバンプホールの内に充填されないことによるバンプの
未成長、メッキ液のバンプホール内への不十分な充填に
よるバンプの成長不良、さらにメッキの際に気泡が絶縁
性樹脂層の表面のバンプホール近傍に付着することによ
るバンプ変形などの接点部の欠陥不良が極端に減少する
ので、精密なバンプの形成が行える。特に、１製品あた
りに多くのバンプを形成するウエハ一括コンタクトボー
ド用コンタクト部品の場合、従来法では問題となってい
た低歩留まりが改善され、製造コストの低減を図ること
ができる。

【００９６】本発明の多層配線基板の製造方法によれ
ば、所定のプラズマ処理及び／又はＸ線（軟Ｘ線）照射
によって、有機物等が除去され、コンタクトホールによ
る導通の不良や、導電層の密着不良を回避できる。ま
た、プラズマ処理を施すことにより、処理面を適度に荒
らすことができるため、導電層との接合性がよい。

【００９７】本発明のウエハ一括コンタクトボードによ
れば、信頼性が高く、歩留まりが高いコンタクト部品及
び多層配線基板を用いているので、信頼性が高く、高歩
留まりで低コストであるウエハ一括コンタクトボードが
得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例にかかるウエハ一括コンタク
トボード用多層配線基板の製造工程を説明するための要
部断面図である。

【図２】本発明の一実施例における積層体を支持枠に張
り渡した中間部品の形成工程を説明するための断面図で
ある。

【図３】本発明の一実施例における積層体を支持枠に張
り渡した中間部品の加工工程を説明するための要部断面
図である。

【図４】ウエハ一括コンタクトボードの一具体例を模式
的に示す図である。

【図５】コンタクト部品の構造及び製造方法を説明する
ための部分断面図である。

【符号の説明】１絶縁性フィルム１ａバンプホール２導電層３バンプ４積層体１０ウエハ一括コンタクトボード用コンタクト部
品１１リング１２メンブレン１３バンプ１４パッド１５アルミニウム板１６シリコンゴムシート１７フィルム（積層体）１８熱硬化性接着剤２０多層配線基板２１ガラス基板２２配線層２２ａ１層目の配線パターン２３絶縁膜２４コンタクトホール２５配線層２５ａ２層目の配線パターン３０異方性導電ゴムシート４０シリコンウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/42 ６１０Ｈ０５Ｋ 3/42 ６１０Ａ 3/46 3/46 ＮＢＦターム(参考） 4M106 AA02 BA01 CA56 DD09 DD10 5E317 AA02 AA24 BB01 BB03 BB12 BB13 BB15 CC31 CC52 CD01 CD11 CD25 CD27 CD29 CD32 GG11 5E343 AA02 AA12 AA33 BB09 BB21 BB61 DD33 DD43 EE34 EE36 EE44 EE46 EE58 GG11 5E346 AA02 AA12 AA15 AA43 BB01 CC02 CC08 CC09 CC10 CC32 CC34 CC37 CC38 DD03 DD15 DD32 EE31 EE33 FF03 GG01 GG16 GG17 GG22 HH07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性フィルムと導電層とが積層された
積層体を形成する工程と、前記絶縁性フィルムの所定位置に、前記絶縁性フィルム
の表面から前記導電層に至るバンプホールを形成する工
程と、前記バンプホール内及び／又は前記絶縁性フィルムの表
面にプラズマ処理を行う表面処理工程と、前記表面処理工程において処理を施された前記バンプホ
ールにバンプを形成する工程と、を有することを特徴とするコンタクト部品の製造方法。
【請求項２】絶縁性フィルムと導電層とが積層された
積層体を形成する工程と、前記絶縁性フィルムの所定位置に、前記絶縁性フィルム
の表面から前記導電層に至るバンプホールを形成する工
程と、前記バンプホール内及び／又は前記絶縁性フィルムの表
面にＸ線照射を行う表面処理工程と、前記表面処理工程において処理を施された前記バンプホ
ールにバンプを形成する工程と、を有することを特徴とするコンタクト部品の製造方法。
【請求項３】前記バンプホールの形成はレーザ加工に
よることを特徴とする請求項１又は２に記載のコンタク
ト部品の製造方法。
【請求項４】前記バンプホール内及び／又は前記絶縁
性フィルムの表面にプラズマ処理及び／又はＸ線照射を
行う表面処理工程の後、電解メッキの前にバンプホール
底部に露出する導電層の酸化膜を除去する処理を施し、
前記導電層を電極として前記バンプホールに電解メッキ
若しくは無電解メッキによってバンプを形成する工程
と、を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
かに記載のコンタクト部品の製造方法。
【請求項５】前記積層体を支持枠に張り渡す工程を有
することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載
のコンタクト部品の製造方法。
【請求項６】絶縁性基材上に、複数の導電層を絶縁層
を介して積層し、前記絶縁層に形成されたコンタクトホ
ールを介して前記導電層を導通してなる多層配線基板の
製造方法であって、前記コンタクトホール内及び／又は前記絶縁層の表面
に、酸素ガスとハロゲン原子を分子中に含むガスとの混
合ガス雰囲気下で、プラズマ処理を行う表面処理工程を
有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項７】絶縁性基材上に、複数の導電層を絶縁層
を介して積層し、前記絶縁層に形成されたコンタクトホ
ールを介して前記導電層を導通してなる多層配線基板の
製造方法であって、前記コンタクトホール内及び／又は前記絶縁層の表面に
Ｘ線照射を行う表面処理工程を有することを特徴とする
多層配線基材の製造方法。
【請求項８】ウエハ上に多数形成された半導体デバイ
スの検査を一括して行うために使用されるウエハ一括コ
ンタクトボードの一部を構成する多層配線基板の製造方
法であって、絶縁性基板上に、第１導電層を形成し、該第１導電層を
パターニングして、第１配線パターンを形成する工程
と、前記第１配線パターン上に絶縁層を形成し、該絶縁層に
コンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホール内及び／又は前記絶縁層の表面に
前記プラズマ処理及び／又は前記Ｘ線照射を行う表面処
理工程と、前記絶縁層上に第２導電層を形成し、該第２導電層をパ
ターニングして、第２配線パターンを形成する工程と、
を有し、前記絶縁層及びコンタクトホールを形成する工程、前記
表面処理工程、及び前記第２配線パターンを形成する工
程からなる一連の工程を少なくとも１回以上繰り返すこ
とを特徴とする請求項６又は７記載のウエハ一括コンタ
クトボード用多層配線基板の製造方法。
【請求項９】請求項５記載の方法により製造されたウ
エハ一括コンタクトボード用コンタクト部品と、請求項
８記載の方法により製造されたウエハ一括コンタクトボ
ード用多層配線基板と、前記多層配線基板と前記コンタ
クト部品とを電気的に接続する異方性導電ゴムとを有す
ることを特徴とするウエハ一括コンタクトボード。