JP2001100662A - Ｅｌ大型パネル及びその製造方法 - Google Patents
Ｅｌ大型パネル及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001100662A JP2001100662A JP28084399A JP28084399A JP2001100662A JP 2001100662 A JP2001100662 A JP 2001100662A JP 28084399 A JP28084399 A JP 28084399A JP 28084399 A JP28084399 A JP 28084399A JP 2001100662 A JP2001100662 A JP 2001100662A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- display
- panel
- adjacent
- tft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 72
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/18—Tiled displays
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/313—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being gas discharge devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数のＥＬ表示体をマトリクス状に配列する
場合に、ＴＦＴの画素部の画素ピッチを維持する。 【解決手段】 ＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃを隣接する
ＥＬ表示体１４の背面側に退避させることによって、隣
接するＥＬ表示体１４の周端の画素同士の間隔を１０μ
ｍとすることができ、見かけ上４個のＥＬ表示体１４が
一体となり、大型のＥＬ表示パネルを形成することがで
きる。
場合に、ＴＦＴの画素部の画素ピッチを維持する。 【解決手段】 ＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃを隣接する
ＥＬ表示体１４の背面側に退避させることによって、隣
接するＥＬ表示体１４の周端の画素同士の間隔を１０μ
ｍとすることができ、見かけ上４個のＥＬ表示体１４が
一体となり、大型のＥＬ表示パネルを形成することがで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬパネル等
のＥＬ表示体をマトリクス状に配列して形成したＥＬ大
型パネル及びその製造方法に関する。
のＥＬ表示体をマトリクス状に配列して形成したＥＬ大
型パネル及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリシリコンＴＦＴで駆動される小型の
ＥＬフラットパネル（ＥＬ表示体）は、通常、その平面
性を保持するために、硬質の透明基台に支持され、接着
剤等で貼り付けられている。これにより、ＥＬ表示体を
ＴＦＴで画素毎に駆動制御することで平面画像の表示が
可能となる。
ＥＬフラットパネル（ＥＬ表示体）は、通常、その平面
性を保持するために、硬質の透明基台に支持され、接着
剤等で貼り付けられている。これにより、ＥＬ表示体を
ＴＦＴで画素毎に駆動制御することで平面画像の表示が
可能となる。
【０００３】上記ＥＬ表示体は、対角が数（２〜６）イ
ンチ程度であるのが一般的であり、小型の画像表示装置
としては優れた機能を発揮している。
ンチ程度であるのが一般的であり、小型の画像表示装置
としては優れた機能を発揮している。
【０００４】従来、劇場やスタジアム等において、電光
掲示板に代わり、鮮明な画像が表示が可能な大型スクリ
ーンが見受けられる。この大型スクリーンは、複数の光
源（前記ＥＬ表示体や電球等）をマトリクス状に配列
し、この光源１つ１つを画素として画像表示している。
掲示板に代わり、鮮明な画像が表示が可能な大型スクリ
ーンが見受けられる。この大型スクリーンは、複数の光
源（前記ＥＬ表示体や電球等）をマトリクス状に配列
し、この光源１つ１つを画素として画像表示している。
【０００５】このような、劇場やスタジアムであれば、
画像を見る観客も充分に距離をとっているため、対角が
数インチ程度のＥＬ表示体等を用いても問題はない。
画像を見る観客も充分に距離をとっているため、対角が
数インチ程度のＥＬ表示体等を用いても問題はない。
【０００６】ところで、近年、テレビモニタやパーソナ
ルコンピュータのモニタとして、ＣＲＴに代わり、液晶
表示パネルが用いられることが多くなってきている。さ
らに、この液晶表示パネル画面のサイズとして、大型化
が要求されはじめている。
ルコンピュータのモニタとして、ＣＲＴに代わり、液晶
表示パネルが用いられることが多くなってきている。さ
らに、この液晶表示パネル画面のサイズとして、大型化
が要求されはじめている。
【０００７】この場合、液晶表示では、バックライトと
して、別途光源が必要となるため、このバックライトも
大型化する必要がある。このため、さらに大型画面サイ
ズ（対角が５０〜１００インチサイズ）かつ薄型が要求
された場合、バックライトの大型化による、発熱量の増
加や要求される薄さに対応しきれない状況となってい
る。
して、別途光源が必要となるため、このバックライトも
大型化する必要がある。このため、さらに大型画面サイ
ズ（対角が５０〜１００インチサイズ）かつ薄型が要求
された場合、バックライトの大型化による、発熱量の増
加や要求される薄さに対応しきれない状況となってい
る。
【０００８】ここで、ＴＦＴで駆動されるＥＬ表示体
（以下、ＴＦＴ−ＥＬ表示体という）を用いることが考
えられており、このＴＦＴ−ＥＬ表示体によれば、バッ
クライトが不要であり、ＴＦＴによる画素数のアップ、
応答性の向上により、解像度の高い画像を表示すること
ができる。
（以下、ＴＦＴ−ＥＬ表示体という）を用いることが考
えられており、このＴＦＴ−ＥＬ表示体によれば、バッ
クライトが不要であり、ＴＦＴによる画素数のアップ、
応答性の向上により、解像度の高い画像を表示すること
ができる。
【０００９】
【発明が解決するための課題】しかしながら、ＴＦＴ−
ＥＬ表示体は、大型のものは存在せず、このため、小型
（対角が数インチ程度）のＴＦＴ−ＥＬ表示体をマトリ
クス状に配列して大型（対角が２０〜１００インチ程
度）の表示パネルを形成する必要がある。
ＥＬ表示体は、大型のものは存在せず、このため、小型
（対角が数インチ程度）のＴＦＴ−ＥＬ表示体をマトリ
クス状に配列して大型（対角が２０〜１００インチ程
度）の表示パネルを形成する必要がある。
【００１０】この場合、ＴＦＴ−ＥＬ表示体は、通常、
平板状の透明基台に貼り合わせているため、この透明基
台の外形以内に複数のＴＦＴ−ＥＬ表示体を接近させる
ことができない。
平板状の透明基台に貼り合わせているため、この透明基
台の外形以内に複数のＴＦＴ−ＥＬ表示体を接近させる
ことができない。
【００１１】また、ＴＦＴには、画素部の他、各画素を
独立して発光制御可能な回路部（ドライバ）が実画像領
域外に存在し、これが隣接するＥＬ表示体を接近させる
妨げとなっている。
独立して発光制御可能な回路部（ドライバ）が実画像領
域外に存在し、これが隣接するＥＬ表示体を接近させる
妨げとなっている。
【００１２】本発明は上記事実を考慮し、複数のＥＬ表
示体をマトリクス状に配列する場合に、ＴＦＴの画素部
の画素ピッチを維持することができるＥＬ大型表示パネ
ル及びその製造方法を得ることが目的である。
示体をマトリクス状に配列する場合に、ＴＦＴの画素部
の画素ピッチを維持することができるＥＬ大型表示パネ
ル及びその製造方法を得ることが目的である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、蛍光物質を塗
布したベース層と、前記ベース層の一方の面に重ね合わ
された導電性の電極層と、前記電極層との間に所定の電
圧を印加することによって蛍光物質の発光を制御する回
路部、及び前記ベース層の他方の面に重ね合わされて前
記ベース層を分割し、分割領域毎に独立して前記電極層
との間に電位差を生じさせ、前記ベース層の蛍光物質を
発光制御可能な複数の画素部を備えたＴＦＴ（Thin-Fil
m-Transistor）層と、で形成されたＥＬ（Electro-Lumi
nescent）表示体を、このＥＬ表示体が複数個支持可能
なメイン透明基台上にマトリクス状に配列して形成した
ＥＬ大型パネルであって、当該ＥＬ表示体の実発光領域
が所定の間隔で隣接するように、この実発光領域外のＴ
ＦＴ層の回路部を、隣接するＥＬ表示体の前記背面側に
退避させたことを特徴とするＥＬ大型パネルである。
布したベース層と、前記ベース層の一方の面に重ね合わ
された導電性の電極層と、前記電極層との間に所定の電
圧を印加することによって蛍光物質の発光を制御する回
路部、及び前記ベース層の他方の面に重ね合わされて前
記ベース層を分割し、分割領域毎に独立して前記電極層
との間に電位差を生じさせ、前記ベース層の蛍光物質を
発光制御可能な複数の画素部を備えたＴＦＴ（Thin-Fil
m-Transistor）層と、で形成されたＥＬ（Electro-Lumi
nescent）表示体を、このＥＬ表示体が複数個支持可能
なメイン透明基台上にマトリクス状に配列して形成した
ＥＬ大型パネルであって、当該ＥＬ表示体の実発光領域
が所定の間隔で隣接するように、この実発光領域外のＴ
ＦＴ層の回路部を、隣接するＥＬ表示体の前記背面側に
退避させたことを特徴とするＥＬ大型パネルである。
【００１４】また、その製造方法は、前記ＥＬ表示体
と、前記ＴＦＴ層側に貼り付けられ、ＥＬ表示体を平面
的に支持するサブ透明基台と、で構成されたＥＬ表示体
を用いたＥＬ大型パネルの製造方法であって、前記ＥＬ
表示体を前記サブ透明基台から剥ぎ取り、前記サブ透明
基台よりも大型のメイン透明基台上に、複数の前記ＥＬ
表示体の実発光領域が隣接するように、マトリクス状に
配列し、実発光領域外となるＴＦＴ層の回路部を、隣接
するＥＬ表示体の前記背面側に退避させ、固定する、こ
とを特徴としている。
と、前記ＴＦＴ層側に貼り付けられ、ＥＬ表示体を平面
的に支持するサブ透明基台と、で構成されたＥＬ表示体
を用いたＥＬ大型パネルの製造方法であって、前記ＥＬ
表示体を前記サブ透明基台から剥ぎ取り、前記サブ透明
基台よりも大型のメイン透明基台上に、複数の前記ＥＬ
表示体の実発光領域が隣接するように、マトリクス状に
配列し、実発光領域外となるＴＦＴ層の回路部を、隣接
するＥＬ表示体の前記背面側に退避させ、固定する、こ
とを特徴としている。
【００１５】ＥＬ表示体を用いて大型表示パネルを形成
する場合の大きなネックとして、サブ透明基台の存在が
あった。このサブ透明基台は、一般的にＥＬ表示体の外
形寸法よりも大きく形成されているため、その分、配列
時の妨げになっていた。そこで、例えば特開平１０−１
２５９３０号、特開平１０−１２５９３１号に記載の剥
離・転写技術により、ＥＬ表示体同士の隣接が可能とな
る。
する場合の大きなネックとして、サブ透明基台の存在が
あった。このサブ透明基台は、一般的にＥＬ表示体の外
形寸法よりも大きく形成されているため、その分、配列
時の妨げになっていた。そこで、例えば特開平１０−１
２５９３０号、特開平１０−１２５９３１号に記載の剥
離・転写技術により、ＥＬ表示体同士の隣接が可能とな
る。
【００１６】この技術を利用し、前記ＥＬ表示体とサブ
透明基台とを接着している接着層に機械的又は化学的に
力を加えＥＬ表示体を剥ぎ取り、他基台に転写すること
ができる。
透明基台とを接着している接着層に機械的又は化学的に
力を加えＥＬ表示体を剥ぎ取り、他基台に転写すること
ができる。
【００１７】また、ＴＦＴ層には、画素部と回路部とが
存在し、画素部は当然ながらＥＬ表示体の実発光面と重
なりあっているため問題はない。一方、回路部において
は、ＥＬ表示回路の実発光領域から外れた外周（通常は
２辺）に位置しているため、この回路部の存在で、ＥＬ
表示体の接近度合いが制限されてしまい、ＴＦＴの持つ
高解像度を充分に発揮できなかった。しかし、本発明で
は、この回路部を隣接するＥＬ表示体の背面側に退避さ
せるようにしたため、隣接するＥＬ表示体間をさらに接
近させることができ、高解像度の大型のＥＬ表示パネル
を構成することができる。
存在し、画素部は当然ながらＥＬ表示体の実発光面と重
なりあっているため問題はない。一方、回路部において
は、ＥＬ表示回路の実発光領域から外れた外周（通常は
２辺）に位置しているため、この回路部の存在で、ＥＬ
表示体の接近度合いが制限されてしまい、ＴＦＴの持つ
高解像度を充分に発揮できなかった。しかし、本発明で
は、この回路部を隣接するＥＬ表示体の背面側に退避さ
せるようにしたため、隣接するＥＬ表示体間をさらに接
近させることができ、高解像度の大型のＥＬ表示パネル
を構成することができる。
【００１８】このＥＬ大型パネルを製造する際の手順
は、以下の通りである。上述した剥離及び転写の技術を
用いて、前記ＥＬ表示体を前記サブ透明基台から剥ぎ取
り、前記サブ透明基台よりも大型のメイン透明基台上
に、複数の前記ＥＬ表示体の実発光領域が隣接するよう
に、マトリクス状に配列し、実発光領域外となるＴＦＴ
層の回路部を、隣接するＥＬ表示体の背面側に退避さ
せ、固定する。
は、以下の通りである。上述した剥離及び転写の技術を
用いて、前記ＥＬ表示体を前記サブ透明基台から剥ぎ取
り、前記サブ透明基台よりも大型のメイン透明基台上
に、複数の前記ＥＬ表示体の実発光領域が隣接するよう
に、マトリクス状に配列し、実発光領域外となるＴＦＴ
層の回路部を、隣接するＥＬ表示体の背面側に退避さ
せ、固定する。
【００１９】本発明は、前記ＥＬ表示体が対角が数イン
チであり、前記メイン透明基台が対角２０〜１００イン
チとされたＥＬ大型パネルである。
チであり、前記メイン透明基台が対角２０〜１００イン
チとされたＥＬ大型パネルである。
【００２０】また、本発明は、前記ＥＬ表示体間の所定
の間隔が、前記ＴＦＴ層の画素部において設定される画
素間の間隔とほぼ一致するＥＬ大型パネルである。
の間隔が、前記ＴＦＴ層の画素部において設定される画
素間の間隔とほぼ一致するＥＬ大型パネルである。
【００２１】ここで、ＴＦＴ層の回路部の退避の実施態
様として、画素部と回路部との境界を折り曲げて、隣接
するＥＬ表示体の背面側に配置すればよい。
様として、画素部と回路部との境界を折り曲げて、隣接
するＥＬ表示体の背面側に配置すればよい。
【００２２】また、前記ＴＦＴ層の回路部の退避を、隣
接するＥＬ表示体間に肉厚方向の段差を設けるようにし
てもよい。
接するＥＬ表示体間に肉厚方向の段差を設けるようにし
てもよい。
【００２３】さらに、前記隣接するＥＬ表示体を表裏反
転し、ＴＦＴ層の層厚を調整して、複数のベース層を面
一としてもよい。
転し、ＴＦＴ層の層厚を調整して、複数のベース層を面
一としてもよい。
【００２４】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）図１には、
本実施の形態に係る大型ＥＬ表示パネル１０が示されて
いる。この大型ＥＬ表示パネル１０は、メイン透明基台
１２上に４個のＥＬ表示体１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１
４Ｄがマトリクス状（本実施の形態では、ｘ×ｙ＝２×
２）に配列されている。なお、本実施の形態では、ＥＬ
表示体１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄが共に同一の構
造であるため、以下総称する場合には、ＥＬ表示体１４
という。
本実施の形態に係る大型ＥＬ表示パネル１０が示されて
いる。この大型ＥＬ表示パネル１０は、メイン透明基台
１２上に４個のＥＬ表示体１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１
４Ｄがマトリクス状（本実施の形態では、ｘ×ｙ＝２×
２）に配列されている。なお、本実施の形態では、ＥＬ
表示体１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄが共に同一の構
造であるため、以下総称する場合には、ＥＬ表示体１４
という。
【００２５】図２に示される如く、ＥＬ表示体１４は、
ポリシリコンＴＦＴで駆動されるようになっており、複
数の画素に分割され、かつこの分割された画素毎に発光
制御（階調も含む）が可能となっている。単体のＥＬ表
示体１４は、そのサイズに制限があり、対角が数（２〜
６）インチ程度である。このため、１０数インチから１
００インチ程度の大きさの画面を形成するためには、こ
のＥＬ表示体１４をマトリクス状に配列して、構成する
ようになっている。
ポリシリコンＴＦＴで駆動されるようになっており、複
数の画素に分割され、かつこの分割された画素毎に発光
制御（階調も含む）が可能となっている。単体のＥＬ表
示体１４は、そのサイズに制限があり、対角が数（２〜
６）インチ程度である。このため、１０数インチから１
００インチ程度の大きさの画面を形成するためには、こ
のＥＬ表示体１４をマトリクス状に配列して、構成する
ようになっている。
【００２６】なお、図１では、４個のＥＬ表示体１４に
よって対角が２０インチ程度（ＪＩＳ規格ではＡ３程
度）の画像を構成している。
よって対角が２０インチ程度（ＪＩＳ規格ではＡ３程
度）の画像を構成している。
【００２７】図３には、ＥＬ表示体１４の断面構造が示
されている。
されている。
【００２８】本実施の形態で適用される、ＥＬ表示体１
４は、当初は製品（ＥＬパネル１６）として組み付けら
れており、サブ透明基台１８上に接着剤層２０を介して
貼り付けられている。
４は、当初は製品（ＥＬパネル１６）として組み付けら
れており、サブ透明基台１８上に接着剤層２０を介して
貼り付けられている。
【００２９】すなわち、ＥＬパネル１６単体において、
ＥＬ表示体１４を平面的に保持するべく、サブ透明基台
１８に保持されており、本実施の形態では、図４に示さ
れる如く、接着剤２０層を境目として、サブ透明基台１
６とＥＬ表示体１４とを分離している。この分離には、
剥離・転写技術が用いられており、確実にＥＬ表示体１
４のみがはぎ取られるようになっている。
ＥＬ表示体１４を平面的に保持するべく、サブ透明基台
１８に保持されており、本実施の形態では、図４に示さ
れる如く、接着剤２０層を境目として、サブ透明基台１
６とＥＬ表示体１４とを分離している。この分離には、
剥離・転写技術が用いられており、確実にＥＬ表示体１
４のみがはぎ取られるようになっている。
【００３０】また、ＥＬ表示体１４は、複数の層が積み
重ねられて構成されている。
重ねられて構成されている。
【００３１】ＥＬ表示体１４の最下層は、ＴＦＴ層２２
である。このＴＦＴ層２２は、画素部２２Ｐと回路部２
２Ｃとに分けられており、画素部２２Ｐは、マトリクス
状に分割され、独立して後述する蛍光物質の発光制御が
可能な画素の集合体である。また、回路部２２Ｃは、こ
の画素の発光制御を行うためのドライバであり、ＴＦＴ
層２２の隣り合う２辺に跨がって配設されている。
である。このＴＦＴ層２２は、画素部２２Ｐと回路部２
２Ｃとに分けられており、画素部２２Ｐは、マトリクス
状に分割され、独立して後述する蛍光物質の発光制御が
可能な画素の集合体である。また、回路部２２Ｃは、こ
の画素の発光制御を行うためのドライバであり、ＴＦＴ
層２２の隣り合う２辺に跨がって配設されている。
【００３２】ＴＦＴ層２２の画素部２２Ｐの領域面に
は、蛍光物質が塗布されたベース層２４が重ね合わされ
ている。このベース層２４の上からは前記ＴＦＴ層２２
の回路部２２Ｃも含み透明電極層２６が設けられてい
る。この透明電極層２６は、保護膜としての役目も有し
ている。
は、蛍光物質が塗布されたベース層２４が重ね合わされ
ている。このベース層２４の上からは前記ＴＦＴ層２２
の回路部２２Ｃも含み透明電極層２６が設けられてい
る。この透明電極層２６は、保護膜としての役目も有し
ている。
【００３３】ここで、ＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃで制
御され、所定の画素に電流を流すと、ＴＦＴ層２２と透
明電極層２６との間に電位差が生じ、この部分に挟持さ
れているベース層２４の蛍光物質が発光する構造となっ
ている。なお、本実施の形態では、発光色は３個の画素
が組となりそれぞれＲＧＢ色として得られるようになっ
ており、カラー画像の表示が可能となっている。
御され、所定の画素に電流を流すと、ＴＦＴ層２２と透
明電極層２６との間に電位差が生じ、この部分に挟持さ
れているベース層２４の蛍光物質が発光する構造となっ
ている。なお、本実施の形態では、発光色は３個の画素
が組となりそれぞれＲＧＢ色として得られるようになっ
ており、カラー画像の表示が可能となっている。
【００３４】ここで、上記の如く４個のＥＬ表示パネル
１４を隣接して、接着剤層２８を介してメイン透明基台
１２に貼り合わせる場合、ＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃ
が邪魔をして隣り合う２個のＥＬ表示パネル１４の周端
の画素同士に大きな隙間（ギャップ）が生じてしまう。
そこで、本実施の形態では、図５乃至図７に示される如
く、ＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃと画素部２２Ｐとの境
界でＴＦＴ層２２を折り曲げ、隣接するＥＬ表示体１４
の背面側に退避させる構造としている。これにより、前
記周端の画素同士を接近させることができる。
１４を隣接して、接着剤層２８を介してメイン透明基台
１２に貼り合わせる場合、ＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃ
が邪魔をして隣り合う２個のＥＬ表示パネル１４の周端
の画素同士に大きな隙間（ギャップ）が生じてしまう。
そこで、本実施の形態では、図５乃至図７に示される如
く、ＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃと画素部２２Ｐとの境
界でＴＦＴ層２２を折り曲げ、隣接するＥＬ表示体１４
の背面側に退避させる構造としている。これにより、前
記周端の画素同士を接近させることができる。
【００３５】図８に示される如く、この隣合うＥＬ表示
体１４の境界部分の画素間ピッチを１０μｍとすること
ができる。なお、画素ピッチは５０μｍ、ＴＦＴ層の厚
さは１μｍ、ＥＬ表示体１４の厚みは５μｍである。
体１４の境界部分の画素間ピッチを１０μｍとすること
ができる。なお、画素ピッチは５０μｍ、ＴＦＴ層の厚
さは１μｍ、ＥＬ表示体１４の厚みは５μｍである。
【００３６】以下に、本実施の形態の作用を大型ＥＬパ
ネル１０を製造するための手順に従説明する。
ネル１０を製造するための手順に従説明する。
【００３７】まず、所望の対角のインチサイズにするべ
く、複数のＥＬパネル１６を準備する。本実施の形態で
は、４個のＥＬパネル１６を準備する。
く、複数のＥＬパネル１６を準備する。本実施の形態で
は、４個のＥＬパネル１６を準備する。
【００３８】それぞれのＥＬパネル１６には、必要なＥ
Ｌ表示体１４が、サブ透明基台１８に接着剤層２０によ
って貼り合わされている。これを、前述した剥離・転写
技術によって、接着剤層２０を境として、ＥＬ表示体１
４をはぎ取る。
Ｌ表示体１４が、サブ透明基台１８に接着剤層２０によ
って貼り合わされている。これを、前述した剥離・転写
技術によって、接着剤層２０を境として、ＥＬ表示体１
４をはぎ取る。
【００３９】はぎ取ったＥＬ表示体１４をメイン透明基
台１２上に、マトリクス状（２×２）に配列する。
台１２上に、マトリクス状（２×２）に配列する。
【００４０】このとき、ＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃが
隣接して配置する他のＥＬ表示体１４と干渉する。この
ため、ＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃと画素部２２Ｐとの
間の境界で折り曲げ、回路部２２Ｃを隣りのＥＬ表示体
１４の背面側に退避させる。この状態で、接着層２８に
よって４個のＥＬ表示体１４を貼り付ける。
隣接して配置する他のＥＬ表示体１４と干渉する。この
ため、ＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃと画素部２２Ｐとの
間の境界で折り曲げ、回路部２２Ｃを隣りのＥＬ表示体
１４の背面側に退避させる。この状態で、接着層２８に
よって４個のＥＬ表示体１４を貼り付ける。
【００４１】上記の如く、ＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃ
を隣接するＥＬ表示体１４の背面側に退避させることに
よって、隣接するＥＬ表示体１４の周端の画素同士の間
隔を１０μｍとすることができ、見かけ上４個のＥＬ表
示体１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄが一体となり、大
型のＥＬ表示パネル１０を形成することができる。 （第２の実施の形態）以下に本発明の第２の実施の形態
について説明する。なお、前記第１の実施の形態と同一
構成部分については、同一の符号を付してその構成の説
明を省略する。
を隣接するＥＬ表示体１４の背面側に退避させることに
よって、隣接するＥＬ表示体１４の周端の画素同士の間
隔を１０μｍとすることができ、見かけ上４個のＥＬ表
示体１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄが一体となり、大
型のＥＬ表示パネル１０を形成することができる。 （第２の実施の形態）以下に本発明の第２の実施の形態
について説明する。なお、前記第１の実施の形態と同一
構成部分については、同一の符号を付してその構成の説
明を省略する。
【００４２】第２の実施の形態の特徴は、ＴＦＴ層２２
の回路部２２Ｃの退避にあり、第１の実施の形態のよう
にＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃと画素部２２Ｐとの境界
で折り曲げるようなことは行っていない。
の回路部２２Ｃの退避にあり、第１の実施の形態のよう
にＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃと画素部２２Ｐとの境界
で折り曲げるようなことは行っていない。
【００４３】図９に示される如く、メイン透明基台１２
に、ＥＬ表示体１４を重ね合わせて固定するための接着
剤層２８を、隣接するＥＬ表示体１４との間で肉厚方向
の段差部３０を設けている。
に、ＥＬ表示体１４を重ね合わせて固定するための接着
剤層２８を、隣接するＥＬ表示体１４との間で肉厚方向
の段差部３０を設けている。
【００４４】この段差部３０は、ＴＦＴ層２２とベース
層２４とを重ね合わせた厚さに相当し、この結果、ＴＦ
Ｔ層２２の回路部２２Ｃを、折り曲げることなく、隣接
するＥＬ表示体１４の背面に配置することができる。 （第３の実施の形態）以下に本発明の第３の実施の形態
について説明する。なお、前記第１の実施の形態と同一
構成部分については、同一の符号を付してその構成の説
明を省略する。
層２４とを重ね合わせた厚さに相当し、この結果、ＴＦ
Ｔ層２２の回路部２２Ｃを、折り曲げることなく、隣接
するＥＬ表示体１４の背面に配置することができる。 （第３の実施の形態）以下に本発明の第３の実施の形態
について説明する。なお、前記第１の実施の形態と同一
構成部分については、同一の符号を付してその構成の説
明を省略する。
【００４５】第３の実施の形態の特徴は、ＴＦＴ層２２
の回路部２２Ｃの退避にあり、第１の実施の形態のよう
にＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃと画素部２２Ｐとの境界
で折り曲げるようなことは行っていない。
の回路部２２Ｃの退避にあり、第１の実施の形態のよう
にＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃと画素部２２Ｐとの境界
で折り曲げるようなことは行っていない。
【００４６】図１０に示される如く、本第３の実施の形
態では、メイン透明基台１２に対して接着剤層を介して
貼り付けられる第１の層を透明電極層２６としている。
以下、第２層はベース層２４、第３層がＴＦＴ層２２と
されている。すなわち、第１及び第２の実施の形態に対
して反対向きにメイン透明基台１２に重ね合わされ、貼
り付けられている。また、このとき、ＴＦＴ層２２の画
素部２２Ｐは、通常の厚さである隣接したＥＬ表示体１
４の画素部２２Ｐの厚さの２倍とされている。この結
果、回路部２２Ｃを、画素部２２Ｐとの境界で折り曲げ
ることなく、隣接するＥＬ表示体１４の背面側に配置す
ることができる。
態では、メイン透明基台１２に対して接着剤層を介して
貼り付けられる第１の層を透明電極層２６としている。
以下、第２層はベース層２４、第３層がＴＦＴ層２２と
されている。すなわち、第１及び第２の実施の形態に対
して反対向きにメイン透明基台１２に重ね合わされ、貼
り付けられている。また、このとき、ＴＦＴ層２２の画
素部２２Ｐは、通常の厚さである隣接したＥＬ表示体１
４の画素部２２Ｐの厚さの２倍とされている。この結
果、回路部２２Ｃを、画素部２２Ｐとの境界で折り曲げ
ることなく、隣接するＥＬ表示体１４の背面側に配置す
ることができる。
【００４７】上記、第２及び第３の実施の形態では、Ｔ
ＦＴ層２２の回路部２２Ｃと画素部２２Ｐとの間の境界
で折り曲げ加工が不要であるため、層厚を変更するとい
った修正変更が必要ではあるが、ＴＦＴ層２２に負荷が
かからず、接触不良等の問題もない。 （第４の実施の形態）４個のＥＬ表示体１４の組み合わ
せに限り、以下の実施態様を取ることができる。
ＦＴ層２２の回路部２２Ｃと画素部２２Ｐとの間の境界
で折り曲げ加工が不要であるため、層厚を変更するとい
った修正変更が必要ではあるが、ＴＦＴ層２２に負荷が
かからず、接触不良等の問題もない。 （第４の実施の形態）４個のＥＬ表示体１４の組み合わ
せに限り、以下の実施態様を取ることができる。
【００４８】図１１は、４個のＥＬ表示体１４を隣接し
て配置するための第１の変形例が示されており、この場
合、同一の４個のＥＬ表示体１４を用い、左右それぞれ
２個のＥＬ表示体１４間で上下の向きを逆にする。これ
により、ＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃが隣接するＥＬ表
示体１４に重なることが回避できる。 （第５の実施の形態）図１２には、第２の変形例を示し
ており、この場合、左右のＥＬ表示体１４は構成が若干
異なっている。すなわち、ＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃ
の位置が、左右の２個のＥＬ表示体１４間で対称形とな
っており、このような構成とした場合には、ＴＦＴ層２
２の回路部２２Ｃは隣接するＥＬ表示体１４に干渉する
ことはない。
て配置するための第１の変形例が示されており、この場
合、同一の４個のＥＬ表示体１４を用い、左右それぞれ
２個のＥＬ表示体１４間で上下の向きを逆にする。これ
により、ＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃが隣接するＥＬ表
示体１４に重なることが回避できる。 （第５の実施の形態）図１２には、第２の変形例を示し
ており、この場合、左右のＥＬ表示体１４は構成が若干
異なっている。すなわち、ＴＦＴ層２２の回路部２２Ｃ
の位置が、左右の２個のＥＬ表示体１４間で対称形とな
っており、このような構成とした場合には、ＴＦＴ層２
２の回路部２２Ｃは隣接するＥＬ表示体１４に干渉する
ことはない。
【００４９】なお、本実施の形態では、４個のＥＬ表示
体１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄを用いて、ＥＬ大型
表示パネル１０を構成したが、さらに大きなサイズのパ
ネルを作成することも可能である。
体１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄを用いて、ＥＬ大型
表示パネル１０を構成したが、さらに大きなサイズのパ
ネルを作成することも可能である。
【００５０】また、上記実施の形態では、ＥＬ大型パネ
ル１０の基となるＥＬパネル１６の実際の製造プロセス
については、図１３にＥＬパネル１６の製造プロセスの
概要を示す。
ル１０の基となるＥＬパネル１６の実際の製造プロセス
については、図１３にＥＬパネル１６の製造プロセスの
概要を示す。
【００５１】すなわち、ＥＬパネル１４は、図１３の上
から順番に記載されている工程を経て形成される。工程
順は、ＴＦＴ素子形成→層間絶縁膜形成→コンタクトホ
ール形成→透明電極層形成→バンク形成→ホール輸送層
形成→ＥＬ層形成→電極層形成となっている。
から順番に記載されている工程を経て形成される。工程
順は、ＴＦＴ素子形成→層間絶縁膜形成→コンタクトホ
ール形成→透明電極層形成→バンク形成→ホール輸送層
形成→ＥＬ層形成→電極層形成となっている。
【００５２】
【発明の効果】以上説明した如く本発明に係るＥＬ大型
パネル及びその製造方法は、複数のＥＬ表示体をマトリ
クス状に配列する場合に、ＴＦＴの画素部の画素ピッチ
を維持することができるという優れた効果を有する。
パネル及びその製造方法は、複数のＥＬ表示体をマトリ
クス状に配列する場合に、ＴＦＴの画素部の画素ピッチ
を維持することができるという優れた効果を有する。
【図１】本実施の形態に係るＥＬ大型パネルの正面図で
ある。
ある。
【図２】図１の一部拡大図である。
【図３】ＥＬ表示体の断面図である。
【図４】ＥＬ表示体とサブ透明基台とを分離した場合の
断面図である。
断面図である。
【図５】ＥＬ表示体を隣接してメイン透明基台に配置し
たときの断面図である。
たときの断面図である。
【図６】ＴＦＴ層の回路部の重なり状態のイメージを示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図７】ＥＬ表示体を隣接してメイン透明基台に配置し
たときの正面図である。
たときの正面図である。
【図８】ＥＬ表示体を隣接してメイン透明基台に配置し
たときの詳細断面図である。
たときの詳細断面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係るＴＦＴ層の回
路部の退避構造を示すＥＬ大型パネルの断面図である。
路部の退避構造を示すＥＬ大型パネルの断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係るＴＦＴ層の
回路部の退避構造を示すＥＬ大型パネルの断面図であ
る。
回路部の退避構造を示すＥＬ大型パネルの断面図であ
る。
【図１１】本発明の第４の実施の形態に係るＴＦＴ層の
回路部の正面図である。
回路部の正面図である。
【図１２】本発明の第５の実施の形態に係るＴＦＴ層の
回路部の正面図である。
回路部の正面図である。
【図１３】ＥＬパネルの製造プロセス図である。
１０ 大型ＥＬパネル １２ メイン透明基台 １４（１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄ） ＥＬ表示
体 １６ ＥＬパネル １８ サブ透明基台 ２０ 接着剤層 ２２ ＴＦＴ層 ２２Ｐ 画素部 ２２Ｃ 回路部 ２４ ベース層 ２６ 透明電極層 ２８ 接着剤層 ３０ 段差部
体 １６ ＥＬパネル １８ サブ透明基台 ２０ 接着剤層 ２２ ＴＦＴ層 ２２Ｐ 画素部 ２２Ｃ 回路部 ２４ ベース層 ２６ 透明電極層 ２８ 接着剤層 ３０ 段差部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｚ 33/14 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB17 AB18 BA06 BA07 BB07 CA01 CA06 CB01 DA01 DB03 EB00 FA02 5C094 AA03 AA05 AA14 AA43 AA47 AA48 AA55 BA03 BA29 CA19 DA01 DA06 DA09 DA12 DB01 DB02 DB04 EA04 EA05 EB10 FA01 FA02 FB01 FB12 FB15 GB01 JA08
Claims (10)
- 【請求項１】 蛍光物質を塗布したベース層と、 前記ベース層の一方の面に重ね合わされた導電性の電極
層と、 前記電極層との間に所定の電圧を印加することによって
蛍光物質の発光を制御する回路部、及び前記ベース層の
他方の面に重ね合わされて前記ベース層を分割し、分割
領域毎に独立して前記電極層との間に電位差を生じさ
せ、前記ベース層の蛍光物質を発光制御可能な複数の画
素部を備えたＴＦＴ層と、で形成されたＥＬ表示体を、
このＥＬ表示体が複数個支持可能なメイン透明基台上に
マトリクス状に配列して形成したＥＬ大型パネルであっ
て、 当該ＥＬ表示体の実発光領域が所定の間隔で隣接するよ
うに、この実発光領域外のＴＦＴ層の回路部を、隣接す
るＥＬ表示体の前記背面側に退避させたことを特徴とす
るＥＬ大型パネル。 - 【請求項２】 前記ＥＬ表示体の対角が数インチであ
り、前記メイン透明基台の対角が２０〜１００インチと
された、請求項１記載のＥＬ大型パネル。 - 【請求項３】 前記ＥＬ表示体間の所定の間隔が、前記
ＴＦＴ層の画素部において設定される画素間のギャップ
とほぼ一致する、ことを特徴とする請求項１又は請求項
２記載のＥＬ大型パネル。 - 【請求項４】 前記ＴＦＴ層の回路部の退避が、画素部
と回路部との境界を折り曲げて、隣接するＥＬ表示体の
背面側に配置したことを特徴とする請求項１乃至請求項
３の何れか１項記載のＥＬ大型表示パネル。 - 【請求項５】 前記ＴＦＴ層の回路部の退避が、隣接す
るＥＬ表示体間に肉厚方向の段差を設ける、ことを特徴
とする請求項１乃至請求項３の何れか１個記載のＥＬ大
型パネル。 - 【請求項６】 前記隣接するＥＬ表示体を表裏反転し、
複数のベース層を面一としたことを特徴とする請求項５
記載のＥＬ大型パネル。 - 【請求項７】 蛍光物質を塗布したベース層と、前記ベ
ース層の一方の面に重ね合わされた導電性電極層と、前
記電極層との間に所定の電圧を印加することによって蛍
光物質の発光を制御する回路部、及び前記ベース層の他
方の面に重ね合わされて前記ベース層を分割し、分割領
域毎に独立して前記電極層との間で電位差を生じさせ、
前記ベース層の蛍光物質を発光制御可能な複数の画素部
を備えたＴＦＴ層と、で形成されたＥＬ表示体と、 前記ＴＦＴ層側に貼り付けられ、ＥＬ表示体を平面的に
支持するサブ透明基台と、で構成されたＥＬ表示体を用
いたＥＬ大型パネルの製造方法であって、前記ＥＬ表示
体を前記サブ透明基台から剥ぎ取り、前記サブ透明基台
よりも大型のメイン透明基台上に、複数の前記ＥＬ表示
体の実発光領域が隣接するように、マトリクス状に配列
し、実発光領域外となるＴＦＴ層の回路部を、隣接する
ＥＬ表示体の前記背面側に退避させ、固定する、ことを
特徴とするＥＬ大型パネルの製造方法。 - 【請求項８】 前記ＴＦＴ層の回路部の退避は、ＴＦＴ
層の回路部と画素部との境界部を折り曲げて隣接するＥ
Ｌ表示体の背面側へ逃がした状態で接着固定する、こと
を特徴とする請求項７記載のＥＬ大型パネルの製造方
法。 - 【請求項９】 前記ＴＦＴ層の回路部の退避が、前記メ
イン透明基台へＥＬ表示体を貼り付けるときの接着剤の
層厚を、隣接するＥＬ表示体間で変更し、前記ＥＬ表示
体の肉厚方向の段差を設ける、ことを特徴とする請求項
７記載のＥＬ大型パネルの製造方法。 - 【請求項１０】 前記ＴＦＴ層の回路部の退避が、前記
隣接するＥＬ表示体を互い違いに表裏反転し、前記ＴＦ
Ｔ層の画素部の肉厚を増加することによって、反転によ
って生じるベース層の段差分を相殺した、ことを特徴と
する請求項７記載のＥＬ大型パネルの製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28084399A JP4009923B2 (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | Ｅｌパネル |
| US09/856,852 US6642542B1 (en) | 1999-09-30 | 2000-09-26 | Large EL panel and manufacturing method therefor |
| KR10-2001-7006736A KR100398542B1 (ko) | 1999-09-30 | 2000-09-26 | 대형 전자 발광 패널 및 그 제조 방법 |
| EP00961233A EP1143772A4 (en) | 1999-09-30 | 2000-09-26 | Large EL display and its manufacture |
| PCT/JP2000/006622 WO2001024585A1 (en) | 1999-09-30 | 2000-09-26 | Large el panel and production method therefor |
| CNB008032645A CN100340137C (zh) | 1999-09-30 | 2000-09-26 | El屏、显示装置及el屏的制造方法 |
| TW089119913A TW474118B (en) | 1999-09-30 | 2000-09-27 | Large EL panel and production method therefor |
| US10/617,746 US6967114B2 (en) | 1999-09-30 | 2003-07-14 | Large EL panel and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28084399A JP4009923B2 (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | Ｅｌパネル |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001100662A true JP2001100662A (ja) | 2001-04-13 |
| JP2001100662A5 JP2001100662A5 (ja) | 2005-04-07 |
| JP4009923B2 JP4009923B2 (ja) | 2007-11-21 |
Family
ID=17630766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28084399A Expired - Fee Related JP4009923B2 (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | Ｅｌパネル |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6642542B1 (ja) |
| EP (1) | EP1143772A4 (ja) |
| JP (1) | JP4009923B2 (ja) |
| KR (1) | KR100398542B1 (ja) |
| CN (1) | CN100340137C (ja) |
| TW (1) | TW474118B (ja) |
| WO (1) | WO2001024585A1 (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002297066A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
| JP2003195787A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-07-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| JP2005509904A (ja) * | 2001-11-10 | 2005-04-14 | イメージ ポータル リミテッド | ディスプレイ |
| JP2005301020A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Kyodo Printing Co Ltd | 表示装置用素子基板及びその製造方法 |
| JP2005308904A (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Toshiba Corp | 表示装置 |
| JP2006203220A (ja) * | 2001-07-16 | 2006-08-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 剥離方法 |
| JP2006224697A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Seiko Epson Corp | 移動体の表示モジュール |
| JP2009104175A (ja) * | 2009-01-26 | 2009-05-14 | Toshiba Corp | 表示装置 |
| JP2010134466A (ja) * | 2001-07-16 | 2010-06-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法及び液晶表示装置の作製方法 |
| WO2011043099A1 (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | シャープ株式会社 | 発光部を有する複数のパネルを繋げてなる発光パネル装置、それを備えた画像表示装置および照明装置 |
| WO2011068158A1 (ja) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | シャープ株式会社 | 画像表示装置、パネルおよびパネルの製造方法 |
| JP2012238001A (ja) * | 2005-07-01 | 2012-12-06 | Ind Technol Res Inst | 電子標識のためのタイル状ディスプレイ |
| JP2014182306A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Japan Display Inc | 表示装置、電子機器及び表示装置の製造方法 |
| WO2015198803A1 (ja) * | 2014-06-25 | 2015-12-30 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
| WO2017038495A1 (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | コニカミノルタ株式会社 | 照明装置および照明装置の製造方法 |
| US9768201B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US9854629B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP2019207421A (ja) * | 2014-10-08 | 2019-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2022058677A (ja) * | 2014-11-28 | 2022-04-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および表示装置の画像処理方法 |
| JP7430765B2 (ja) | 2014-02-11 | 2024-02-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP7443459B2 (ja) | 2021-11-12 | 2024-03-05 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 大面積表示装置及び大面積表示装置駆動システム |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7351300B2 (en) | 2001-08-22 | 2008-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and method of manufacturing semiconductor device |
| US7362046B2 (en) | 2001-11-10 | 2008-04-22 | Image Portal Limited | Partial overlapping display tiles of organic light emitting device |
| US6953735B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature |
| US20060044215A1 (en) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Brody Thomas P | Scalable tiled display assembly for forming a large-area flat-panel display by using modular display tiles |
| US20060108915A1 (en) * | 2004-11-23 | 2006-05-25 | Eastman Kodak Company | Tiled OLED display |
| CN101523469B (zh) | 2005-11-14 | 2012-05-30 | 伊里娜·基留谢夫 | 显示模块及拼接显示器制造方法 |
| US8223087B2 (en) * | 2006-09-25 | 2012-07-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-display apparatus and method of manufacturing the same |
| US8080926B2 (en) * | 2006-09-25 | 2011-12-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-display apparatus and method of manufacturing the same |
| KR20080030262A (ko) * | 2006-09-29 | 2008-04-04 | 삼성전자주식회사 | 멀티 디스플레이 장치 |
| KR100922069B1 (ko) * | 2007-12-06 | 2009-10-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 멀티 비전 디스플레이 |
| US8305294B2 (en) * | 2009-09-08 | 2012-11-06 | Global Oled Technology Llc | Tiled display with overlapping flexible substrates |
| KR101298285B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2013-08-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 옥외용 대면적 표시장치 및 그 제조 방법 |
| WO2014129519A1 (en) | 2013-02-20 | 2014-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus |
| GB2511549B (en) * | 2013-03-07 | 2020-04-22 | Plastic Logic Ltd | Tiled Displays |
| WO2015087192A1 (en) | 2013-12-12 | 2015-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and peeling apparatus |
| JPWO2016116833A1 (ja) | 2015-01-22 | 2017-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
| WO2019021147A1 (ja) | 2017-07-27 | 2019-01-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
| TWI781241B (zh) | 2017-11-08 | 2022-10-21 | 美商康寧公司 | 用於組裝顯示區域的裝置及方法 |
| US10629566B1 (en) * | 2019-01-28 | 2020-04-21 | GM Global Technology Operations LLC | Seamlessly integrated soft OLEDs |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3861783A (en) * | 1973-06-28 | 1975-01-21 | Hughes Aircraft Co | Liquid crystal display featuring self-adjusting mosaic panel |
| JPS56121014A (en) * | 1980-02-28 | 1981-09-22 | Sharp Corp | Liquid-crystal display device |
| DE3305093A1 (de) | 1983-02-14 | 1984-08-16 | Herion-Werke Kg, 7012 Fellbach | Mengenventil |
| JPS59147176U (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-01 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | Ｅｌ表示装置 |
| JPH01297864A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ回路及びその駆動方法 |
| JPH0661023B2 (ja) * | 1988-06-28 | 1994-08-10 | スタンレー電気株式会社 | ドットマトリックス式ｅｌ表示装置 |
| US5164853A (en) * | 1989-04-06 | 1992-11-17 | Ricoh Company, Ltd. | Liquid crystal display panel with plural substrates |
| FR2652655A1 (fr) * | 1989-10-04 | 1991-04-05 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif matriciel de grandes dimensions pour la prise ou la restitution d'images. |
| US5475514A (en) * | 1990-12-31 | 1995-12-12 | Kopin Corporation | Transferred single crystal arrayed devices including a light shield for projection displays |
| JPH05205875A (ja) | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP3164179B2 (ja) | 1992-08-11 | 2001-05-08 | 旭化成株式会社 | 希土類ボンド磁石 |
| FR2701586B1 (fr) * | 1993-02-12 | 1995-03-24 | Souriau Diagnostic Electron | Dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant un réseau de points images. |
| JPH07302685A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-14 | Nec Kansai Ltd | 電界発光灯の製造方法 |
| US5550066A (en) * | 1994-12-14 | 1996-08-27 | Eastman Kodak Company | Method of fabricating a TFT-EL pixel |
| US5801797A (en) * | 1996-03-18 | 1998-09-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image display apparatus includes an opposite board sandwiched by array boards with end portions of the array boards being offset |
| JP4619461B2 (ja) | 1996-08-27 | 2011-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜デバイスの転写方法、及びデバイスの製造方法 |
| EP0858110B1 (en) * | 1996-08-27 | 2006-12-13 | Seiko Epson Corporation | Separating method, method for transferring thin film device, and liquid crystal display device manufactured by using the transferring method |
| JP4619462B2 (ja) | 1996-08-27 | 2011-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜素子の転写方法 |
| US5796452A (en) * | 1997-03-21 | 1998-08-18 | International Business Machines Corporation | Simplified wiring escape technique for tiled display |
| JP3566028B2 (ja) * | 1997-05-15 | 2004-09-15 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP3483730B2 (ja) * | 1997-05-21 | 2004-01-06 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100277309B1 (ko) * | 1997-06-13 | 2001-01-15 | 마찌다 가쯔히꼬 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US5903328A (en) * | 1997-06-16 | 1999-05-11 | Rainbow Displays, Inc. | Tiled flat-panel display with tile edges cut at an angle and tiles vertically shifted |
| JP3494859B2 (ja) * | 1997-10-02 | 2004-02-09 | シャープ株式会社 | 液晶パネルおよびその製造方法 |
| JP4547723B2 (ja) * | 1998-03-09 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| US6246070B1 (en) * | 1998-08-21 | 2001-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device provided with semiconductor circuit made of semiconductor element and method of fabricating the same |
| JP4366743B2 (ja) * | 1998-09-11 | 2009-11-18 | ソニー株式会社 | 平面表示装置 |
| JP6061023B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2017-01-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-09-30 JP JP28084399A patent/JP4009923B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-09-26 KR KR10-2001-7006736A patent/KR100398542B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-09-26 US US09/856,852 patent/US6642542B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-26 WO PCT/JP2000/006622 patent/WO2001024585A1/ja active IP Right Grant
- 2000-09-26 EP EP00961233A patent/EP1143772A4/en not_active Withdrawn
- 2000-09-26 CN CNB008032645A patent/CN100340137C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-27 TW TW089119913A patent/TW474118B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-07-14 US US10/617,746 patent/US6967114B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002297066A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
| JP4527068B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2010-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法、半導体装置の作製方法、及び電子書籍の作製方法 |
| US9202987B2 (en) | 2001-07-16 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
| JP4567282B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2010-10-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| US9608004B2 (en) | 2001-07-16 | 2017-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2003195787A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-07-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| US10586816B2 (en) | 2001-07-16 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2010134466A (ja) * | 2001-07-16 | 2010-06-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法及び液晶表示装置の作製方法 |
| JP2006203220A (ja) * | 2001-07-16 | 2006-08-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 剥離方法 |
| JP2005509904A (ja) * | 2001-11-10 | 2005-04-14 | イメージ ポータル リミテッド | ディスプレイ |
| JP4606767B2 (ja) * | 2004-04-14 | 2011-01-05 | 共同印刷株式会社 | 表示装置用素子基板の製造方法 |
| JP2005301020A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Kyodo Printing Co Ltd | 表示装置用素子基板及びその製造方法 |
| JP2005308904A (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Toshiba Corp | 表示装置 |
| JP4496983B2 (ja) * | 2005-02-15 | 2010-07-07 | セイコーエプソン株式会社 | 移動体の表示モジュール |
| JP2006224697A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Seiko Epson Corp | 移動体の表示モジュール |
| JP2012238001A (ja) * | 2005-07-01 | 2012-12-06 | Ind Technol Res Inst | 電子標識のためのタイル状ディスプレイ |
| JP2009104175A (ja) * | 2009-01-26 | 2009-05-14 | Toshiba Corp | 表示装置 |
| JPWO2011043099A1 (ja) * | 2009-10-08 | 2013-03-04 | シャープ株式会社 | 発光部を有する複数のパネルを繋げてなる発光パネル装置、それを備えた画像表示装置および照明装置 |
| CN102576508A (zh) * | 2009-10-08 | 2012-07-11 | 夏普株式会社 | 将具有发光部的多个面板连接而成的发光面板装置、具备该装置的图像显示装置和照明装置 |
| JP5356532B2 (ja) * | 2009-10-08 | 2013-12-04 | シャープ株式会社 | 発光部を有する複数のパネルを繋げてなる発光パネル装置、それを備えた画像表示装置および照明装置 |
| US8674370B2 (en) | 2009-10-08 | 2014-03-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting panel device wherein a plurality of panels respectively having light emitting sections are connected, and image display device and illuminating device provided with the light emitting panel device |
| WO2011043099A1 (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | シャープ株式会社 | 発光部を有する複数のパネルを繋げてなる発光パネル装置、それを備えた画像表示装置および照明装置 |
| JP5254469B2 (ja) * | 2009-12-03 | 2013-08-07 | シャープ株式会社 | 画像表示装置、パネルおよびパネルの製造方法 |
| WO2011068158A1 (ja) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | シャープ株式会社 | 画像表示装置、パネルおよびパネルの製造方法 |
| JP2014182306A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Japan Display Inc | 表示装置、電子機器及び表示装置の製造方法 |
| JP7430765B2 (ja) | 2014-02-11 | 2024-02-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| WO2015198803A1 (ja) * | 2014-06-25 | 2015-12-30 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
| JP2020034921A (ja) * | 2014-08-08 | 2020-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
| US9854629B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US10776065B2 (en) | 2014-10-08 | 2020-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising two display panels |
| JP2019207421A (ja) * | 2014-10-08 | 2019-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2022058677A (ja) * | 2014-11-28 | 2022-04-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および表示装置の画像処理方法 |
| WO2017038495A1 (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | コニカミノルタ株式会社 | 照明装置および照明装置の製造方法 |
| US10312264B2 (en) | 2015-09-08 | 2019-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US9768201B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| JP7443459B2 (ja) | 2021-11-12 | 2024-03-05 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 大面積表示装置及び大面積表示装置駆動システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100340137C (zh) | 2007-09-26 |
| KR20010080628A (ko) | 2001-08-22 |
| JP4009923B2 (ja) | 2007-11-21 |
| KR100398542B1 (ko) | 2003-09-19 |
| US6642542B1 (en) | 2003-11-04 |
| TW474118B (en) | 2002-01-21 |
| US6967114B2 (en) | 2005-11-22 |
| EP1143772A4 (en) | 2006-03-29 |
| WO2001024585A1 (en) | 2001-04-05 |
| US20040014252A1 (en) | 2004-01-22 |
| CN1339240A (zh) | 2002-03-06 |
| EP1143772A1 (en) | 2001-10-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001100662A (ja) | Ｅｌ大型パネル及びその製造方法 | |
| JP2001100662A5 (ja) | ||
| US20060044215A1 (en) | Scalable tiled display assembly for forming a large-area flat-panel display by using modular display tiles | |
| KR101138261B1 (ko) | 액정표시장치 | |
| JP4913323B2 (ja) | ディスプレイ | |
| US10727439B2 (en) | Display panel for maintaining parallel substrates with constant space and display device including the same | |
| CN110838265A (zh) | 拼接显示装置 | |
| CN111489658B (zh) | 双面显示面板及其制作方法、双面显示装置 | |
| US11706963B2 (en) | Display panel and large display apparatus having the same | |
| CN112735261A (zh) | 一种柔性显示屏、显示终端 | |
| JP2001296814A (ja) | 直視型表示装置 | |
| US6683417B2 (en) | Organic electro luminescent display device | |
| JP2006064911A (ja) | 表示装置 | |
| KR20220014954A (ko) | 표시 장치 | |
| WO2019238038A1 (zh) | 有机发光二极管显示面板、其制造方法、以及显示装置 | |
| US20090179546A1 (en) | Thin-shaped display device | |
| US11508328B2 (en) | Circular display device with narrow bezel and driving method thereof | |
| JP2005107445A (ja) | 透明ディスプレイ構造体及び透明ディスプレイ表示装置 | |
| JP2014106297A (ja) | 表示パネルおよびそれを用いた表示装置 | |
| JP2002296588A (ja) | 液晶表示装置とその駆動方法 | |
| JP2003295782A (ja) | フラットパネルディスプレイ、およびこれを備えた携帯型端末機 | |
| KR100740906B1 (ko) | 타일링 기술을 이용한 대면적 일렉트로루미네센스 표시장치 | |
| JP2004177891A (ja) | 表示パネルおよびこれを用いた大型表示装置 | |
| JP2008233285A (ja) | 表示装置 | |
| KR20200030291A (ko) | 플렉서블 표시 패널 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040120 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040521 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040528 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070223 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070424 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070525 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070720 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070810 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070823 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130914 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |