JP2001093795A - ウェーハを加熱するための方法と装置及びウェーハ上にフォトレジストフィルムをベイキングするための方法と装置 - Google Patents
ウェーハを加熱するための方法と装置及びウェーハ上にフォトレジストフィルムをベイキングするための方法と装置Info
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Abstract
熱を供給する。 【解決手段】 本発明は熱は第1固体熱伝達媒体で流体
熱伝達媒体30に伝えられて、流体熱伝達媒体30は相
互連結されてそれぞれ液体を内蔵した多数の蒸発孔に分
割される。液体は多数の蒸発孔のそれぞれで熱により多
数の蒸気部に蒸発されて、多数の蒸気部は物体に向かっ
て上方に平行に案内される。蒸気部は第2固体熱伝達媒
体と接して第2固体熱伝達媒体を加熱することによっ
て、第2固体熱伝達媒体に熱を伝達する。第2固体熱伝
達媒体は物体と熱的に接触して物体に熱を伝達する。
Description
ウェーハ上にフォトレジストフィルムをベイキングする
ための方法、ウェーハ加熱装置、及びウェーハ上にフォ
トレジストフィルムをベイキングするための装置に関す
るもので、より詳細にはフォトレジストパターンを形成
するためのフォトリソグラフィ工程中にウェーハを均一
に加熱する方法、フォトレジストパターンを形成するた
めにウェーハ上にフォトレジストフィルムを均一にベイ
キングする方法、前記加熱方法を遂行するための装置、
及び前記ベイキング方法を遂行するための装置に関する
ものである。
リソグラフィ工程を含み、フォトリソグラフィ工程中に
ウェーハを液体フォトレジストに塗布してフォトレジス
トフィルムを形成する。光源により生成されてマスクま
たはレチクル(reticle)を通過した光にフォトレジスト
フィルムを露出させてフォトレジストフィルムにパター
ンを形成する。その後、パターンを現像し、前記過程を
たどる間に数回ウェーハを所定温度で加熱する。
を遂行する装置はフォトレジスト塗布器(coater)、露光
装置、現像器、及びベイキングユニットを必要とする。
このような技術において現在の傾向は、フォトレジスト
塗布器、現像器及びベイキングユニットが一つの場所に
密集しているシステムを使用して、装置から装置にウェ
ーハを移送することに必要な距離を最小化してそれによ
りウェーハを移送することに必要な時間を最小化するこ
とである。換言すれば、密集型システムは、高い効率で
従来のフォトリソグラフィ工程を遂行することができ
る。
を所定速度で回転させながら、回転するウェーハにフォ
トレジスト溶液を噴射するスピンコーティング方法を遂
行するタイプのものである。その結果、フォトレジスト
溶液は遠心力によりウェーハ上に均一に噴射される。
する工程は一般的に四つの段階の工程を含む。第1段階
はウェーハを所定の温度で加熱してウェーハ表面の有機
物または異物を蒸発させる予備焼きなまし(pre-baking)
段階である。第2段階はフォトレジストをウェーハに塗
布した直後にウェーハを加熱してフォトレジストを乾燥
させてウェーハの表面にフォトレジストフィルムを堅固
に付着させるソフト-ベイキング段階である。第3段階
は露出されたフォトレジストを加熱する露光後ベイキン
グ段階である。第4段階はフォトレジストフィルムを現
像するやいなやウェーハを加熱して生成されたフォトレ
ジストパターンをウェーハ表面に堅固に付着させるハー
ドベイキング段階である。
備する場合、光は回折してウェーハのような基板の反射
率及び屈折率と光が照射されるフォトレジストフィルム
の吸収度によって干渉を起こす。次いで、干渉現象によ
りフォトレジストのパターン形態が非正常的になってパ
ターンの線幅が不均一になる。露光後ベイキング段階は
前記問題を補償するように行われる。
トレジストフィルムは、所定温度で加熱して熱拡散によ
り光分解された樹脂を再配列することによって露光され
たパターンのプロファイル断面が洗浄される。露光で紫
外線光を使用する場合に、化学的に増幅されたレジスト
をフォトレジストとして使用する。化学的に増幅された
レジスト中の一部は、熱処理されて現像液により溶解で
きる酸状態に変わる。また、化学的に増幅されたレジス
トは連鎖反応により変化されて、そのため露光後ベイキ
ング段階でウェーハ全体に均一に加えられた熱は、フォ
トレジストパターンの線幅を均一にすることに最も大き
な影響を及ぼす。
てウェーハ表面全体を均一に加熱することが非常に重要
である。図1に示したように、従来のベイキングユニッ
トの加熱装置は、電気的熱源、すなわちヒーター21に
設置される下部板2を含む。ヒーター21は、ウェーハ
100を支持する上部板1の下面の真下に配置されてい
る。図2と図3を参照すれば、前記下部板2の上面に螺
旋形溝22が形成され、ヒーター21は前記溝22に固
定される。このような構造はヒーター21で発生した熱
が下部板2で上部板1に伝えられて上部板1上のウェー
ハ100を加熱するようになる。また、下部板2に装着
された温度センサー(図示せず)を利用して上部板1の温
度を検出することによってヒーター21の電力をフィー
ドバック方式で制御して、温度を所定範囲内で維持させ
る。従来の加熱装置は、上部板1と下部板2のそれぞれ
の本体を通じて熱を伝達する。したがって、以下で説明
するように、上部板1の表面は熱分布が不均一になる。
の表面での温度分布を例示した線図で、隣接した等温線
間の温度差は約0.02℃である。図4に図示したよう
に、温度分布が不規則的で非正常的に歪曲されており、
最低温度と最高温度の差は約1.76℃である。図面
で、ウェーハの中心部を通る太い等温線(A)は145.
31℃を表し、等温線(B)は146.28℃を表し、等
温線(C)は144.32℃を示す。このような温度分布
を通じて分かるように、ウェーハ表面の温度は太い等温
線(A)の一側で徐々に高まりウェーハの周縁部では14
6.28℃まで上昇して、太い等温線(A)の他の側部で
は徐々に低くなりウェーハの他の周縁部では144.3
2℃まで落ちる。このように不規則な温度分布と大きい
温度差は前述したように収率に相当な影響を及ぼす。し
たがって、あらゆる方法を利用してウェーハを加熱する
ことによって発生した温度分布を改善しなければならな
い。
の温度変化を示した温度−時間グラフであり、図6はウ
ェーハ表面の温度を測定した位置を示した図面である。
温度測定位置は、ウェーハ表面の中心部及びその中心部
と同心である二つの円弧上の種々の地点である。
照すれば、図5に示したように、温度は決められた時間
と測定地点ごとに非常に違っている。その上、所定の時
間が経過した後に、温度は急激に落ちる(図面でD区
域)。このように大きな温度差はウェーハだけでなくウ
ェーハ上に形成されたフォトレジストフィルムにも重大
な熱衝撃を加えるようになる。このような熱衝撃はフォ
トレジストフィルムの物理化学的性質に悪影響を及ぼ
す。
ェーハ上に正常的な形態と均一な線幅を有するフォトレ
ジストを形成することにおいてうまくフォトリソグラフ
ィ工程を行うことを妨害する。このような問題点は、パ
ターンの設計が回路の高集積化に対する要求に相応して
順次微細化されることによって(例えば、0.25μ
m、0.18μm、及び0.15μm)、特に深刻化し
ている。したがって、従来の加熱装置は収率を向上させ
ることに障害になっている。
て、本発明の第1目的はウェーハのような物体を均一に
加熱するための方法と装置を提供することにある。
上に形成されたフォトレジストフィルムに加えられる熱
衝撃を回避し又は少なくとも最小化するためにウェーハ
を均一に加熱するための方法と装置を提供することにあ
る。
避し又は少なくとも最小化して熱衝撃により誘発された
線幅変化を減らすためにウェーハ上のフォトレジストフ
ィルムを均一にベイキングするための方法と装置を提供
することにある。
ば、物体を均一に加熱するための方法において、第1固
体熱伝達媒体に熱を供給する。前記熱は前記第1固体熱
伝達媒体から相互連結されてそれぞれ液体が内蔵された
多数の蒸発孔で分割された流体熱伝達媒体に伝えられ
る。前記熱により前記液体が前記それぞれの蒸発孔内で
多数の蒸気部に蒸発され、前記多数の蒸気部は前記物体
に向かって上方に平行に案内される。前記蒸気部は第2
固体熱伝達媒体と接触して前記第2固体熱伝達媒体を加
熱することによって、前記第2固体熱伝達媒体に熱を伝
達する。前記第2固体熱伝達媒体は前記物体と熱的に接
して前記熱を前記物体に伝達する。
フォトレジストフィルムをベイキングするための方法に
おいて、ウェーハにフォトレジスト溶液を塗布してフォ
トレジストフィルムを形成する。前記フォトレジストフ
ィルムを光に露出させた後、前記ウェーハを高熱板上に
移送する。高熱板で、第1固体熱伝達媒体に熱を供給す
る。前記熱は第1固体熱伝達媒体から相互連結されてそ
れぞれ液体が内蔵された多数の蒸発孔に分割された流体
熱伝達媒体に伝えられる。前記熱により前記液体はそれ
ぞれの蒸発孔内で多数の蒸気部に蒸発して、前記多数の
蒸気部は前記ウェーハに向かって上方に平行に案内され
る。前記蒸気部は第2固体熱伝達媒体と接触して前記熱
を前記第2固体熱伝達媒体に伝達する。前記第2熱伝達
媒体は前記物体と熱的に接触して前記熱を前記ウェーハ
に伝達する。
を加熱するための前述した方法は、フォトレジストパタ
ーンを形成することに利用することもできる。ウェーハ
上にフォトレジスト溶液を塗布した後、前記フォトレジ
ストフィルムを深紫外線光のような光に露出させる。前
記露出されたフォトレジストフィルムは、現像して第1
大きさの第1開口を有する第1フォトレジストパターン
を形成する。前述した加熱方法で前記ウェーハを所定温
度で加熱して、前記第1フォトレジストパターンをリフ
ローさせ前記第1大きさより小さな第2大きさを有する
第2開口を具備した第2フォトレジストパターンを形成
する。
るための装置は、第1固体熱伝達媒体と、相互連結され
た多数の蒸発孔に分割されて前記第1固体熱伝達媒体と
熱的に結合された流体熱伝達媒体を含む。前記装置は、
前記流体熱伝達媒体と熱的に結合されて前記物体と熱的
に接触する第2熱伝達媒体をさらに含む。前記多数の蒸
発孔は前記第1固体熱伝達媒体と前記第2固体熱伝達媒
体との間の同一平面上で延長される。
を加熱するための装置は、加熱要素、前記加熱要素と熱
的に結合された固体の下部熱伝達媒体、前記固体の下部
熱伝達媒体の上面に熱的に結合される第1固体熱伝達媒
体、そしてウェーハ装着面を具備して前記ウェーハ装着
面の反対側の面が前記第1固体熱伝達媒体と熱的に結合
される第2固体熱伝達媒体を含む。前記装置は、前記第
1固体熱伝達媒体と前記第2固体熱伝達媒体間に位置し
て相互連結された多数の蒸発孔により形成された流体熱
伝達媒体をさらに含む。
長所などは次に参照する本発明の好適な実施形態に対す
る以下の説明から明確になるであろう。
に対して詳細に説明する。まず、図7を参照すれば、本
発明の第1実施形態によるウェーハ加熱装置は、ウェー
ハ100との接触方向に前記ウェーハ100を支持する
固体熱伝達媒体10、熱源20、及び前記固体熱伝達媒
体10と前記熱源20との間に配置される流体熱伝達媒
体30を含む。
体を前記熱源20に加熱して前記媒体を冷却させること
によって蒸気状態と液体状態で相変化させることができ
る。ここで、前記固体熱伝達媒体10と前記熱源20で
の矢印は熱の移動方向を表して、前記流体熱伝達媒体3
0での矢印は前記流体熱伝達媒体30の移動方向を示
す。前記固体熱伝達媒体10に隣接した前記流体熱伝達
媒体30のうち一部は蒸気状態(vapor)であり、前記
熱源20に隣接した前記流体熱伝達媒体30のうち一部
は液体状態(liquid)である。前記流体熱伝達媒体30は
前記熱源20から熱を吸収して、前記固体熱伝達媒体1
0に向かって移動して、移動中に蒸発する。前記流体熱
伝達媒体30の蒸気が前記固体熱伝達媒体10と接触す
れば、前記流体熱伝達媒体30の蒸気は前記固体熱伝達
媒体10に熱を伝達する。
て凝縮され、生成された液体は前記熱源20に向けて移
動する。前記流体熱伝達媒体30が前記熱源20から熱
を吸収して前記固体熱伝達媒体10に熱を伝達する過程
は連続的なサイクルであり、その間に前記流体熱伝達媒
体30の相変化が連続的に生じる。前記流体熱伝達媒体
の相変化は前記流体熱伝達媒体の臨界温度及び圧力によ
って左右される。
間で生じて、従来の加熱装置で発生する前記熱伝達サイ
クルに比べて非常に早い。本発明の前記流体熱伝達媒体
は前記固体熱伝達媒体10の表面に熱を迅速かつ均一に
伝達して、前記固体熱伝達媒体10の表面に熱が伝えら
れるやいなや前記熱は前記固体熱伝達媒体10が支持し
ている前記ウェーハ100で均一に伝えられる。したが
って、前記ウェーハ100の表面は前記熱により迅速か
つ均一に加熱されて、前記固体熱伝達媒体10全体にわ
たり均一に分布される。
0は加熱用電気コイルを具備するヒーター203と前記
ヒーター203が内蔵される上部及び下部ヒーターブロ
ック201,202を含む。より詳細には、前記ヒータ
ー203は前記上部ヒーターブロック201の下面また
は前記下部ヒーターブロック202の上面に形成された
溝204に内蔵される。
熱伝達媒体30が内蔵される空間は、図10に示したよ
うに多数の区域に分割することができる。
ン301が前記固体熱伝達媒体10と前記熱源20との
間に設置される。したがって、前記流体熱伝達媒体30
は、前記多数のパーティション301により分割された
前記区域内に位置して、前記多数のパーティション30
1により決められた独立の空間で相変化が生じる。
(A)と図11(B)に図示したように長方形または蜂の
巣形状の格子302とから構成することもできる。前記
格子302のユニットの断面は、前記ユニットが前記流
体熱伝達媒体30に対して毛細管の役割をするように構
成することが望ましい。
態によれば、不連続断面を有する耐火性の多孔性本体3
03は、前記熱源20と接触している前記格子302の
ユニット内に提供される。前記流体熱伝達媒体30が、
前記耐火性の多孔性本体303に充填される。したがっ
て、前記耐火性の多孔性本体303の空洞内に含まれた
前記流体熱伝達媒体30を速かに加熱して蒸発させるこ
とができる。また、前記空洞は毛細管役割をして、前記
流体熱伝達媒体30の移動を促進させる。
発明の第4実施形態による耐火性の多孔性本体303は
前記固体熱伝達媒体10と前記熱源20との間に配置さ
れた単一体である。この場合に、前記耐火性の多孔性本
体303は前記熱源20と前記固体熱伝達媒体10すべ
ての内面または前記熱源20または前記固体熱伝達媒体
10の内面に堅固に接着される。
よる加熱装置を示す。本実施形態において、前記固体熱
伝達媒体10は前記熱源20に接着されて、前記流体熱
伝達媒体30が内蔵された溝101は前記固体熱伝達媒
体10と前記熱源20との間の境界面に形成されてい
る。
10の底面に形成されている。しかし、前記溝101は
いくつかの環境で前記熱源20の表面に形成することも
できる。前記溝101は前記固体熱伝達媒体10と前記
熱源20との間の境界面で閉鎖ループを形成し、前記閉
鎖ループを通じて前記流体熱伝達媒体30が循環するこ
とができる。前記溝101の端部101aは前記固体熱
伝達媒体10または前記熱源20の側面で開放されてお
り、前記流体熱伝達媒体30が前記溝101内に位置す
ることができる。栓10aで前記溝101の開放端部1
01aを密閉する。
体30が前記溝101に沿って循環する間に、前記流体
熱伝達媒体30は前述したように熱吸収及び熱伝達によ
って相が変わる。前記流体熱伝達媒体30のループは、
前記固体熱伝達媒体10と前記熱源10が互いに直接接
する部分で終了される。したがって、熱は、前記固体熱
伝達媒体10と前記熱源20の接点部を通じて前記熱源
20から前記固体熱伝達媒体10にさらに伝えられる。
体熱伝達媒体30を通した熱伝達は、前記固体熱伝達媒
体10と前記熱源20の接点部を通じて直接熱伝達する
ことよりはるかに速い速度で進行される。
形状とは別の形状を有することができる。すなわち、前
記固体熱伝達媒体10の前記下面または前記熱源20の
表面に多数の溝101を形成することができる。前記多
数の溝101は、前記固体熱伝達媒体10と前記熱源2
0との間の前記境界面を横切る長方形の隙間に位置す
る。それぞれの溝は不連続閉鎖空間を形成して、前記不
連続閉鎖空間で前記流体熱伝達媒体30の相が変わる。
記実施形態で前記溝101は前述したように多数の独立
空間を形成する。図16を参照すれば、多数の溝101
は前記熱源20の前記上部面に形成される。前記溝10
1を互いに分離する壁部104は三角形断面形状を有す
る。それぞれの三角形壁部104の頂点は前記固体熱伝
達媒体10の前記下面と接する。前記壁部104と前記
固体熱伝達媒体10間の接触を最小化することによっ
て、前記固体熱伝達媒体10から前記壁部104への熱
伝達が最小化される。
記実施形態で冠状体102が前記溝101内で延長され
る。前記流体熱伝達媒体は前記冠状体102内に内蔵さ
れる。前述した構造において、前記溝101は、前記固
体熱伝達媒体10と前記熱源20との間の境界面で前記
閉鎖ループ内に延長される。
は、前記流体熱伝達媒体30の相変化を促進させるため
に前記流体熱伝達媒体30と接するピン103を含む。
前記ピン103は前記冠状体102に沿って前記流体熱
伝達媒体30が移動する方向の軸方向に延長される。前
記ピン103の代替物として、所定の厚さを有する多孔
性層を前記冠状体102の内壁部上に形成することがで
きる。
熱伝達媒体は、半導体製造工程、例えばフォトリソグラ
フィ工程中にウェーハを加熱するように設定された所定
の温度範囲内でその相が蒸気と液体との間で変更できる
ものでなければならない。ウェーハを加熱する目標温度
が200℃と300℃である点を考慮すれば、前記流体
熱伝達媒体は水、エタノール、メタノール、アセトン、
アンモニア、またはフレオン(商標)でありうる。しか
し、前記流体熱伝達媒体は水、エタノール、メタノー
ル、アセトン、アンモニア、またはフレオン(商標)に
限定されない。
液体を選択することは、物体を加熱する温度範囲によっ
て大きく左右されることである。本発明を限定しなかっ
たが、下の表は表示した温度範囲で使用できる液体の種
々の例を示す。
は使用する液体によって大きく左右される。本発明を限
定しなかったが、次の表は表示した流体を推奨される材
料または適合しない材料の例を示す。
明の一実施形態による加熱装置で加熱したウェーハの表
面温度分布を示した等温線図である。前記図面から分か
るように、前記等温線は環形であり、前記ウェーハの中
心部は高温であり、前記温度は前記中心部で始まって前
記ウェーハの周縁部に向かって移動するほど均一なパタ
ーンで低くなる。図20に示した等温分布が図19に図
示された等温分布より望ましいということは確かであ
る。
との間の温度差は0.73℃であり、太い等温線は15
5.63℃を表して、前記ウェーハ中心部での温度は1
56.00℃であり、ウェーハ周縁部の最低温度は15
5.26℃である。図20の等温線図で、最高温度と最
低温度との間の温度差は0.72℃であり、太い等温線
は155.63℃であり、前記ウェーハ中心部での温度
は155.96℃であり、前記ウェーハ周縁部の最低温
度は155.32℃である。
ェーハの表面上での温度分布が均一で、特に最高温度と
最低温度との間の偏差、0.73℃と0.72℃は優秀
な結果であり、従来のウェーハ加熱装置では獲得できな
い。
置でウェーハを加熱する間に多数の測定地点から獲得し
た温度−時間変化を示したグラフである。図21に図示
したように、加熱を始めた後、温度が急激に上昇して、
熱的振動、すなわち時間が経過することによる温度変化
は緩やかである。特に、従来の加熱装置を使用する時、
発生する急激な温度降下は本発明の実施形態を実施する
ときには発生しない。前記ウェーハ上での弱い温度変化
と小さな熱的振動は、前記ウェーハと前記ウェーハに形
成されたフォトレジストフィルムに非常に弱い熱衝撃が
加えられることを示す。
れば、温度偏差が非常に小さくウェーハを安定的に加熱
すれば、前記ウェーハとそのウェーハ上のフォトレジス
トフィルムに加えられる熱衝撃の強度が相当に減少され
る。特に、規則的で均一な温度分布で前記ウェーハを加
熱することができる。したがって、本発明は、線幅の設
計ルールが0.25μm、0.18μm、または0.1
5μmであるときさえもより微細なパターンをうまく形
成できるようにして、回路集積水準を向上させることが
できて、したがって収率を相当に高められる。
ーハ加熱装置を示した概略斜視図である。図22を参照
すれば、ウェーハ加熱装置として機能する高温板500
は主熱伝達体510と固体の下部熱伝達媒体520を含
み、前記主熱伝達体510と下部熱伝達媒体520はそ
れぞれ加熱するウェーハと大きさが同じであるか又はよ
り大きな円形板で形成される。前記固体の下部熱伝達媒
体520は前記主熱伝達体510の下面下に配置され
る。
て浅い溝512が形成され加熱されるウェーハを受け入
れる。また、多数のウェーハガイド513が前記上部面
の周縁部に提供される。前記ウェーハガイド513は、
ウェーハが前記溝512上に配置されるとき前記ウェー
ハを案内する。前記溝512は前記ウェーハ上に流入さ
れる雰囲気を減少させ、望ましくない前記雰囲気の影響
を低くする。
高温板500の断面図である。図24は図23のF部分
を拡大した拡大図である。
0は第1固体熱伝達媒体514と第2固体熱伝達媒体5
16を含む。前記熱伝達媒体514,516は一体で形
成し、ウェーハの大きさより大きい円形板で形成するこ
とが望ましい。前記第1固体熱伝達媒体514は前記主
熱伝達体510の下部に設けられ、前記第2固体熱伝達
媒体516は前記主熱伝達体510の上部に設けられて
いる。前述したように、ウェーハを受け入れるための溝
512は前記第2固体熱伝達媒体516の上部に形成す
る。
部518は、前記第1固体熱伝達媒体514と前記第2
固体熱伝達媒体516の外側周縁部に形成する。すなわ
ち、前記第1固体熱伝達媒体514と前記第2固体熱伝
達媒体516は前記外側壁部518として一体で形成す
る。また、流体熱伝達媒体を形成する空洞515は、前
記第1及び第2熱伝達媒体514,516の間で限定さ
れる。
て、またその外側区域は略円形状を有する。前記空洞5
15の直径2rが前記主熱伝達体510(または第1及び
第2熱伝達媒体514,516)の直径2R0より小さく
て前記直径2R0の約0.9倍であれば、ウェーハに塗布
されたフォトレジストフィルムをベイキングするとき望
ましくない熱伝達が発生する。前記空洞の直径2rが前
記主熱伝達体510の直径2R0の0.98倍を超過すれ
ば、空洞515を具備した前記主熱伝達体510を製造
することが困難になる。したがって、前記空洞515の
直径2rは、前記主熱伝達体510直径2R0の約0.9
ないし0.98倍であることが望ましくて、前記直径2
R0の約0.94ないし0.98倍であることがより望ま
しい。特に、8インチウェーハを加熱するための前記主
熱伝達体510の直径2R0が240mmであると、前記空
洞515の直径2rは約225ないし235mmであり、
より明確には約230mmである。
530が設けられて空洞515を相互連結された多数の
小さな蒸発孔515a,515b,515c,等等で分割
して、前記小さな蒸発孔により前記第1熱伝達媒体51
4から前記第2熱伝達媒体516に多数の蒸気部が平行
に案内されている。
記空洞515内に配置されている。前記空洞515を形
成する前記蒸発孔515a,515b,515c,等等の
それぞれはその上部が湾曲された断面形状を有する。前
記液体540は前記第1固体熱伝達媒体514から熱を
受け入れるやいなや蒸発する。前記蒸発された液体、す
なわち蒸気542は前記蒸発孔515a,515b,51
5c,等等で前記第2固体熱伝達媒体516に向かって
平行に案内される。それぞれの空洞の最上部で、前記蒸
気542が前記第2固体熱伝達媒体516と接触して、
潜熱を前記第2固体熱伝達媒体516に伝達する間に一
部分が液体状態で凝縮される。前記凝縮された液体54
4は前記内側分割壁部530の内面(湾曲された天井部
と側壁部)に形成された通路に沿って前記第1固体熱伝
達媒体516に復帰する。
2が凝縮される間に、前記第1固体熱伝達媒体514で
前記第2固体熱伝達媒体516への熱伝達が引続きなさ
れて、前記第1固体熱伝達媒体514から前記第2固体
熱伝達媒体516に熱が均一に伝えられる。
の内側分割壁部530により多数の小さな蒸発孔515
a,515b,515c,等等で分割されて、前記多数の
小さな蒸発孔515a,515b,515c,等等は前記
蒸気542を前記第2固体熱伝達媒体516に向かって
平行に案内する。
515の容積の約15%未満であれば、蒸気が不充分に
発生され得る。他方で、前記液体540が占有した容積
が前記空洞515の容積の約25%を超過すれば、前記
液体540から前記第2熱伝達媒体516までの距離が
短くて発生した蒸気を混合することが不適切で、それに
より熱伝達が不均一になる。したがって、前記液体54
0が占有した容積は前記空洞515の容積の約15ない
し25%が望ましくて、前記空洞515容積の20%であ
ることがより望ましい。
ロカーボン(perfluorocarbon)型不活性溶媒を使用する
ことが望ましい。パーフルオロカーボン(perfluorocarb
on)型不活性溶媒の例には、FC−72、FC−40、FC−
43、FC−70(すべて韓国3M株式会社が製造した製品
の商品名である)、等等がある。このうちで、目標温度
に100℃を足した合計より(大気圧下での)臨界温度が
高い溶媒が望ましい。例えば、FC−40溶媒は沸騰点1
55℃であり臨界点が270℃である。
2mmであるが、11mmが望ましい。前記主熱伝達体50
0の厚さが11mmであると、前記内側分割壁部530に
より定められた前記蒸発孔515a,515b,515
c,等等の幅(W)は5ないし7mmであり、高さ(H)は5
または6mmで、幅(W)は6mmが望ましく高さ(H)は5.
5mmが望ましい。
等等の存在によって、前記第1固体熱伝達媒体514の
厚さは2ないし4mmの範囲内で変更でき、前記第2固体
熱伝達媒体516の厚さは1ないし2mmの範囲内で変更
でき、溝512での厚さは1.5mmが望ましい。また、
前記内側分割壁部530の厚さ(Wp)は約2ないし3mm
の範囲内で変更できる。
達媒体514,516の厚さは、前記主熱伝達体510
を製造するかぎり前述した厚さに限定されない。前記分
離された空間515の高さ(H)は前記主熱伝達体510
の厚さの0.4ないし0.6倍であることが望ましい。
を示した断面図であり、特に前記内側分割壁部530の
レイアウトを示す。
平区域は前記外側壁部518により限定されるように円
形である。また、多数の内側分割壁部530は前記空洞
515内に設けられて、前記空洞515を放射状で、そ
して螺旋形で(または円形で)多数の蒸発孔515a,5
15b,515c,等等に分割する。
515内に螺旋形状で形成する。その後、前記内側分割
壁部530を半径方向に切開して前記主熱伝達体510
の中心部から周縁部側に5個の混合された半径方向の通
路を形成する。したがって、図25に図示したように、
それぞれの螺旋部は5個の放射状セクタで分割されて、
各セクタの角度θ1は約72゜である。
媒体520に前記主熱伝達体510を結合するために設
けられるねじ孔を示す。
形態を示した断面図であり、特に前記内側分割壁部53
0の他のレイアウトを示す。
30は同心円形態で配列されて、図25に図示された実
施形態の内側分割壁部より前記空洞515にさらに高密
度に設けられている。すなわち、本実施形態で、前記蒸
発孔515a,515b,515c,等等のそれぞれの円
は24個の放射状セクタで分割されて、各セクタの角度
θ2は約15゜である。
多数の同心円形状の蒸発孔515ca,515cb,515
cc,等等で分割される。さらに、円形状の蒸発孔515
ca,515cb,515cc,等等はそれぞれ半径方向に多
数の弧状蒸発孔515ca1,515ca2,...515
cb1,515cb2,...,515cc1,515cc
2,...,等等で分割される。
の底面図である。前記図面に図示したように、前記固体
の下部熱伝達媒体の下面には螺旋形溝522が形成され
る。螺旋形溝522には、加熱コイルのようなヒーター
524が設けられている。前記ヒーター524は電力源
(図示せず)に連結される。電流が前記ヒーター524に
印加されれば、熱が発生してまず前記固体の下部熱伝達
媒体520を加熱する。
触することによって、多くの量の熱損失が発生する。し
たがって、本発明の望ましい実施形態では、前記固体の
下部熱伝達媒体520底面の外側周縁部(半径rが約0.
75Roより大きく、Roは前記主熱伝達体510の半径で
ある所)のピッチ(Po)は中心部でのピッチ(Pc)より短
い。前記形状は前記周縁部での熱損失を補償する。本発
明者の経験によれば、外側周縁部でのピッチ(Po)は中
心部のピッチ(Pc)の0.1ないし0.5倍であること
が望ましい。
細に説明する。まず、前記固体の下部熱伝達媒体520
の底面の螺旋形溝522に設けられた前記ヒーター52
4に電流を供給して、熱を発生させる。前記第1固体熱
伝達媒体514と接する前記固体の下部熱伝達媒体52
0に前記熱を伝達する。
で前記第1固体熱伝達媒体514に前記熱を伝達する。
体540が内蔵された空洞515、外側壁部518、及
び多数の内側分割壁部530が設けられている。
30を通じて前記熱を伝導して前記第1固体熱伝達媒体
514で前記第2固体熱伝達媒体516に前記熱を伝達
する。しかし、このような熱伝導は、前記空洞515に
内蔵された前記液体540を通した熱伝達に比べて非常
に小さい。
の大部分の熱は前記液体540を加熱することに使われ
て、前記液体540を蒸気状態で蒸発させる。前記蒸気
は前記第2固体熱伝達媒体516に向かって上方に平行
に案内されて、ウェーハを受け入れるための溝512を
具備した前記第2固体熱伝達媒体516に熱を伝達す
る。
割壁部530は、弧状で形成されている。前記内側分割
壁部530は、前記空洞515を半径方向及び円周方向
(螺旋方向)で多数の蒸発孔515a,515b,515
c,等等で分割する。したがって、蒸気が上方向に移動
すれば、前記蒸発孔515a,515b,515c,等等
内の蒸気は、一部分が隣接した蒸発孔から移動する蒸気
と混合されて、温度分布が均一になるようにすることに
寄与し、前記熱を前記第2固体熱伝達媒体516に均一
に伝達する。
5c,等等それぞれの上部面は、断面が湾曲された(また
は円形の)形状である。前記内側分割壁部530により
案内されたそれぞれの蒸気部が前記蒸発孔515a,5
15b,515c,等等の上部面に到達して前記第2固体
熱伝達媒体516と接触すれば、前記蒸気は一部分が液
体に凝縮されて前記第2固体熱伝達媒体516に潜熱を
発生し、前記第2固体熱伝達媒体516を加熱する。そ
の後、前記凝縮された液体544は前記第1固体熱伝達
媒体514に復帰して前記第1固体熱伝達媒体514か
ら熱を受け入れる。
前記第1固体熱伝達媒体514に向かってやはり循環さ
れる。その後、復帰した蒸気は第1固体熱伝達媒体51
4と接触して再び熱を吸収して、前記第2固体熱伝達媒
体516に向かって上方に案内される。すなわち、熱伝
達は対流により行われる。
合通路は、前記中心部から前記周縁部方向に放射状パタ
ーン形態にて及び円周方向に形成されている。前記主熱
伝達体510の中心部から周縁部に向かって半径方向に
直接蒸気を混合できるために、前記主熱伝達体510の
中心部と周縁部での蒸気の温度差を相当に減らすことが
できる。
6は前記第1固体熱伝達媒体514から前記蒸発孔を通
じて熱を受け入れる。したがって、加熱された固体熱伝
達媒体516は、溝512に位置したウェーハと接触す
る。その自体で、均一に加熱された固体熱伝達媒体51
6から前記ウェーハに熱を伝達して前記ウェーハを所定
の温度まで均一に加熱する。
付着されている熱伝達媒体の断面図であり、特に温度分
布を例示するための等温線図である。
の熱伝達媒体を例示する。図28に図示したように、観
察された混合温度は152.447℃であり、最低温度
は151.566℃であった。
ッチが規則的な溝に加熱コイルを具備した本発明の一実
施形態を例示する。前記図面に示したように、観察され
た最高温度は152.769℃であり、最低温度は15
1.259℃であった。
倍の直径を有する空洞が形成されており、周縁部でのピ
ッチが中心部より短い溝に加熱コイルを具備した本発明
の他の実施形態を例示する。前記図面に図示したよう
に、観察された最高温度は152.765℃であり、最
低温度は151.492℃であった。
の温度分布が最も均一で、図29の高温板、図28の高
温板の順で温度分布が均一である。
の最上面での温度分布を例示したグラフである。図31
で、三角形と連結された線は図28の前記主熱伝達体か
ら得たものである。円と連結された線は図29の前記主
熱伝達体から得たものである。長方形と連結された線は
図30の前記主熱伝達体から得たものである。
の最上面のより均一な温度分布が本発明から得ることが
できる。また、空洞を増加させて、周縁部での加熱要素
のピッチを減らすことによって、最上面の温度分布がよ
り一層改善される。
(A)ないし図32(D)は本発明の一実施形態によって
前記加熱装置を使用してフォトレジストパターンを形成
するための方法を例示した断面図である。
脂を含有したポジティブタイプのフォトレジスト組成物
をスピン塗布器を利用してシリコンウェーハ610に塗
布してフォトレジストフィルム612を形成する。その
後、従来の高温板を使用して前記フォトレジストフィル
ム612を90ないし120℃で60秒間ソフトベイキ
ングする。前記フォトレジストフィルム612の厚さは
0.8ないし0.9μmである。
びフォトマスク(図示せず)を使用して前記フォトレジス
トフィルム612を深紫外線光614に選択的に露出さ
せる。その後に、本発明による加熱方法と図22と図2
6で図示したように主熱伝達体510を利用して前記露
出されたフォトレジストフィルム612をポストベイキ
ングする。前記ポストベイキングは、140℃ないし1
50℃の温度で30ないし90秒の間遂行する。
して前記露出されたフォトレジストフィルム612を1
分間現像し、その後水を使用して約30秒間洗浄しかつ
乾燥させて前記フォトレジストフィルムの露出された部
分を除去する。第1フォトレジストパターン612a
は、前記シリコンウェーハ610の一部を露出させるこ
とができる第1大きさの開口部616を具備するように
形成する。
トレジストパターン612を約140℃ないし160℃
の温度で約1分ないし3分間加熱する。この時、本発明
による加熱方法と図22と図26で図示したように主熱
伝達体510を含む高温板をさらに使用する。その後、
第1フォトレジストパターン612をリフローさせ、前
記第1フォトレジストパターン612aの第1開口大き
さより小さな第2開口大きさの第2開口部616aを具
備する最終フォトレジストパターン612b(点線で図示
する)を形成する。
5に示した前記主熱伝達体を使用して加熱したウェーハ
の表面温度分布を示す等温線図である。図33で、一等
温線とそれに隣接した等温線間の温度差は0.04℃で
ある。図面で、最高温度は前記ウェーハの中心部で15
5.02℃であり、最低温度は前記ウェーハの周縁部で
153.91℃である。温度範囲(最高温度と最低温度
間の温度差)は0.97℃である。太い等温線で表示し
た平均温度は154.65℃であり、表面温度の標準偏
差は0.31℃である。
を使用して加熱したウェーハの表面温度分布を示した等
温線図である。図34で、一等温線とそれに隣接した等
温線間の温度差は0.03℃である。前記図面で、最高
温度は前記ウェーハの中心部で137.97℃であり、
最低温度は前記ウェーハの周縁部で137.42℃であ
る。温度範囲(最高温度と最低温度間の温度差)は0.
55℃である。太い等温線で表示した平均温度は13
7.68℃であり、表面温度の標準偏差は0.15℃で
ある。
に、図26のように内側分割壁部に空洞515を半径方
向により高密度に分割するならば、より均一な温度分布
を得ることができる。多くの経験の結果として、蒸発孔
515a,515b,515c,等等を半径方向に18個
ないし36個のセクタで分割して、各セクタの角度は1
0ないし20度、より望ましくは15度で設定して、温
度範囲は0.6℃より小さくすることが定められ、それ
に従ってより均一な温度分布を得ることができた。
ングした後の線幅測定>図32(A)を参照すれば、ウ
ェーハ610上にフォトレジスト溶液を塗布してフォト
レジスト層612を形成して、生成されたフォトレジス
ト層612を110℃で約60秒間予備焼きなましす
る。
前記フォトレジスト層612を深紫外線光614に露出
させた。この時、135nm(目標線幅)のコンタクト
ホールを形成するためのパターンを有するマスクを使用
した。前記露出されたフォトレジスト層612をポスト
ベイキングした。この時、図22と図26に図示したよ
うな主熱伝達体510を含む高温板を使用した。主熱伝
達体510を製造するために、アルミニウム合金を使用
して第1及び第2固体熱伝達媒体514,516、外側
壁部518及び内側分割壁部530を製造した。液体5
40としては、沸騰点が約155℃であり、臨界温度が
約270℃であるFC−40(韓国3M社の製品名)を選択
した。前記主熱伝達体510を形成した後に、前記空洞
515を107Torrまで真空にし、その後、前記空洞5
15の容積の約20%を前記液体540で満たした。そ
の後、前記空洞515を密封した。
前記露出されたフォトレジスト層612を現像して第1
開口部616を有する第1フォトレジストパターン61
2を形成した。
前記主熱伝達媒体を使用してポストベイキングし露出さ
れたフォトレジストフィルムを現像した後に獲得した第
1開口の線幅分布線図である。
幅と最小線幅はそれぞれ140nmと129nmであった。
また、平均線幅は135nmであり、線幅範囲は11nmで
あった。許容線幅範囲を120ないし150nmで設定し
たとき、測定したあらゆるコンタクトホールの大きさは
許容線幅範囲内に入った。
後、フォトレジストパターンの線幅測定>図32(A)
を参照すれば、ウェーハ610にフォトレジスト溶液を
塗布してフォトレジスト層612を形成したし、獲得し
たフォトレジスト層612を110℃の温度で約60秒
間予備焼きなましをした。
フォトレジスト層612を深紫外線光614に露出させ
た。この時、185nmのコンタクトホールを形成するた
めのパターンを有したマスクを使用した。前記露出され
たフォトレジスト層612をポストベイキングした。こ
の時、図22と図26に図示したような主熱伝達体を含
む高温板を使用した。前記高温板は、前記フォトレジス
トパターンを露出後ベイキングした後に前述した線幅を
測定することに使用したものと同じものである。
現像して図32(C)に示したように第1開口部616
を有する第1フォトレジスタパターン612aを形成し
た。その後、第1フォトレジストパターン612aを1
50℃の温度で2分間加熱した。この時、同一な高温板
を使用した。その結果、図31Dに図示したように、前
記第1開口部616より大きさが小さい第2開口部61
6aを有する第2フォトレジストパターン612bを獲得
した。
リフロー段階で二つとも従来の高温板を使用して同じ手
順を遂行した。すなわち、本発明による高温板の代りに
図1と図2の高温板を使用した。
ェーハにわたり一つのマップ単位で測定した。
伝達媒体を使用して獲得した第2開口の線幅分布線図で
ある。図37は図22と図26に図示した本発明の主熱
伝達媒体を使用して獲得した線幅分布線図である。
使用する場合、最大線幅と最小線幅はそれぞれ201nm
と159nmであった。また、平均線幅は177nmであ
り、線幅範囲は43nmであった。
線幅と最小線幅はそれぞれ205nmと182nmであっ
た。また、図37に示したように、平均線幅は194nm
であり、線幅範囲は23nmであった。
3nmに改善されたことを分かることができる。
ーハを加熱すれば、温度偏差が1℃未満、望ましくは
0.6℃未満になるように前記ウェーハを均一に加熱す
ることができる。
塗布されたフォトレジストフィルムに加えられる熱衝撃
を大きく減少させることができる。結果的に、露出後ベ
イキング段階で本発明の加熱方法と装置を使用する場
合、前記ウェーハ上に均一な大きさを有するフォトレジ
ストパターンを形成することができる。また、前記フォ
トレジストパターンをリフローすることに本発明の加熱
方法と装置を効果的に使用して微細なフォトレジストパ
ターンを形成することができる。
体を均一に加熱する他の分野でも使用することができ
る。もちろん、ウェーハを均一に加熱する必要がある半
導体分野でも、本発明の加熱方法と装置を効果的に使用
することができる。
が、本発明は実施形態によって限定されず、本発明が属
する技術分野において通常の知識を有するものであれば
本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正ま
たは変更できるであろう。
置の概略断面図である。
る。
大図である。
ェーハの表面温度分布を示した線図である。
る時間と関連してウェーハ領域での温度変化を示したグ
ラフである。
ために従来のウェーハ加熱装置により加熱されたウェー
ハの表面温度を測定した位置を示した図面である。
置の概略側面図である。
断面図である。
装置の概略側面図である。
ーハ加熱装置に適用できる格子の概略斜視図であり、
(B)は本発明の第2実施形態によるウェーハ加熱装置
で使用することに適合な格子の他の形態を示した概略斜
視図である。
装置の概略側面図である。
装置の概略側面図である。
装置の概略断面図である。
装置に適用できる固体熱媒体の底面図である。
装置の概略断面図である。
装置の部分断面図である。
装置に適用できる冠状体の概略断面図である。
されたウェーハの表面温度分布を示した線図である。
された他のウェーハの表面温度分布を示した線図であ
る。
を加熱する時間と関連してウェーハ領域での温度変化を
示したグラフである。
装置の概略斜視図である。
ウェーハ加熱装置の断面図である。
部のレイアウトを示した断面図である。
壁部のレイアウトを示した断面図である。
は温度分布を例示するための等温線図を含む熱ブロック
が付着されている。
面図で、その下部には温度分布を例示するための等温線
図を含む熱ブロックが付着されている。
断面図で、その下部には温度分布を例示するための等温
線図を含む熱ブロックが付着されている。
達体の上面温度を例示したグラフである。
明の一実施形態によるフォトレジストパターンを形成す
るための方法を例示するための断面図であり、(B)は
本発明の加熱装置を使用して本発明の一実施形態による
フォトレジストパターンを形成するための方法を例示す
るための断面図であり、(C)は本発明の加熱装置を使
用して本発明の一実施形態によるフォトレジストパター
ンを形成するための方法を例示するための断面図であ
り、(D)は本発明の加熱装置を使用して本発明の一実
施形態によるフォトレジストパターンを形成するための
方法を例示するための断面図である。
て加熱したウェーハの表面温度分布を示した等温線図で
ある。
て加熱したウェーハの表面温度分布を示した等温線図で
ある。
てベイキングした露出されたフォトレジストフィルムを
現像した後に獲得した第1開口の線幅分布線図である。
した第2開口の線幅分布線図である。
獲得した第2開口の線幅分布線図である。
Claims (34)
- 【請求項1】 第1固状熱伝達媒体に熱を供給する段階
と、 前記第1固体熱伝達媒体から流体熱伝達媒体に前記熱を
伝達する段階と、 蒸気部と第2固体熱伝達媒体を連結して前記第2固体熱
伝達媒体を加熱することによって前記熱を第2固体熱伝
達媒体に伝達する段階と、そして前記第2固体熱伝達媒
体と物体を熱的に連結して、前記第2固体熱伝達媒体か
ら前記物体に前記熱を伝達する段階を含んでなり、 前記流体熱伝達媒体は相互連結されてそれぞれ液体を内
蔵した多数の蒸発孔で分割されており、前記熱により前
記液体が前記多数の蒸発孔内のそれぞれの多数の蒸気部
に蒸発されて、前記多数の蒸気部は物体に向かって上方
に平行に案内されることを特徴とする物体を均一に加熱
するための方法。 - 【請求項2】 前記熱を発生させる段階と、 前記熱を下部の固体熱伝達媒体に伝達して前記下部の固
体熱伝達媒体を加熱する段階と、そして前記下部の固体
熱伝達媒体と前記第1固体熱伝達媒体を熱的に連結して
前記熱を前記第1固体熱伝達媒体に伝達する段階をさら
に含むことを特徴とする請求項1に記載の物体を均一に
加熱するための方法。 - 【請求項3】 前記多数の蒸発孔それぞれの上部は湾曲
された断面形状を有して、前記多数の蒸発部は前記多数
の蒸発孔それぞれの上部で前記第2固体熱伝達媒体と接
することを特徴とする請求項1に記載の物体を均一に加
熱するための方法。 - 【請求項4】 前記多数の蒸気部は、一部が凝縮されて
潜熱を発生させて、前記潜熱は前記第2固体熱伝達媒体
に伝えられることを特徴とする請求項3に記載の物体を
均一に加熱するための方法。 - 【請求項5】 前記多数の蒸気部を凝縮して前記液体で
再生する段階をさらに含み、前記液体は前記蒸気部に反
復的に蒸発して、前記蒸気部は前記液体状態で反復的に
凝縮されて前記流体熱伝達媒体の前記蒸発孔それぞれで
循環することを特徴とする請求項1に記載の物体を均一
に加熱するための方法。 - 【請求項6】 前記蒸気部それぞれは、前記物体に向か
って上方に案内される間に前記流体熱伝達媒体の隣接し
た蒸発孔に内蔵された蒸気と部分的に混合されることを
特徴とする請求項1に記載の物体を均一に加熱するため
の方法。 - 【請求項7】 前記流体熱伝達媒体の外周縁は円形であ
り、前記蒸気部それぞれは半径方向または円周方向に隣
接した蒸発孔内に内蔵された蒸気部と混合されることを
特徴とする請求項6に記載の物体を均一に加熱するため
の方法。 - 【請求項8】 前記流体熱伝達媒体の外周縁は円形であ
り、前記多数の蒸発孔の多数の同心円または螺旋形円に
分割されて、前記同心円または螺旋形円は多数の半径方
向セクタで分割されることを特徴とする請求項1に記載
の物体を均一に加熱するための方法。 - 【請求項9】 前記多数の半径方向セクタそれぞれのセ
クタ角は約10ないし20度であることを特徴とする請
求項8に記載の物体を均一に加熱するための方法。 - 【請求項10】 前記物体はウェーハ上に塗布されたフ
ォトレジストフィルムであることを特徴とする請求項1
に記載の物体を均一に加熱するための方法。 - 【請求項11】 前記液体はパーフルオロカーボン類の
不活性溶媒で、その臨界温度は大気圧下で物体の目標温
度に100℃を足した温度より高いことを特徴とする請
求項1に記載の物体を均一に加熱するための方法。 - 【請求項12】 ウェーハにフォトレジスト溶液を塗布
してフォトレジストフィルムを形成する段階と、 前記フォトレジストフィルムを光に露出させる段階と、 第1固体熱伝達媒体に熱を供給する段階と、 前記第1固体熱伝達媒体から流体熱伝達媒体に前記熱を
伝達する段階と、 蒸気部を第2固体熱伝達媒体に接触させて前記第2固体
熱伝達媒体を加熱することにより、前記熱を前記第2固
体熱伝達媒体に伝達する段階と、そして前記第2固体熱
伝達媒体と前記ウェーハを熱的に接触させて前記第2固
体熱伝達媒体から前記ウェーハに前記熱を伝達すること
によって、前記ウェーハ上に前記フォトレジストフィル
ムをベイキングする段階を含んでなり、 前記流体熱伝達媒体は、相互連結されそれぞれ液体を内
蔵している多数の蒸発孔で分割されており、前記熱によ
り前記液体が前記それぞれの蒸発孔で多数の蒸気部に蒸
発して、前記多数の蒸気部は前記ウェーハに向かって上
方に平行に案内されることを特徴とするウェーハ上にフ
ォトレジストフィルムをベイキングするための方法。 - 【請求項13】 前記光は深紫外線光であることを特徴
とする請求項12に記載のウェーハ上にフォトレジスト
フィルムをベイキングするための方法。 - 【請求項14】 前記フォトレジストフィルムは、約1
40ないし150℃の温度で0.5ないし1.5分間ベ
イキングすることを特徴とする請求項12に記載のウェ
ーハ上にフォトレジストフィルムをベイキングするため
の方法。 - 【請求項15】 ウェーハ上にフォトレジスト溶液を塗
布してフォトレジストフィルムを形成する段階と、 前記フォトレジストフィルムを光に露出させる段階と、
前記露出されたフォトレジストフィルムを現像して第1
大きさの第1開口を有する第1フォトレジストパターン
を形成する段階と、そして前記第1フォトレジストパタ
ーンをリフローさせ前記第1開口より小さな第2大きさ
の第2開口を有する第2フォトレジストパターンを形成
する段階を含んで、 前記第1フォトレジストパターンをリフローさせる段階
は、 第1固体熱伝達媒体に熱を供給する段階と、 前記第1固体熱伝達媒体から流体熱伝達媒体に前記熱を
伝達する段階と、 蒸気部を第2固体熱伝達媒体と接触させて前記第2固体
熱伝達媒体を加熱することによって、前記第2固体熱伝
達媒体に前記熱を伝達する段階と、そして前記第2固体
熱伝達媒体と前記ウェーハを熱的に接触させて前記第2
固体熱伝達媒体から前記ウェーハに前記熱を伝達するこ
とによって、前記第1フォトレジストがリフローされる
ように加熱する段階を含んで、 前記流体熱伝達媒体は相互連結されてそれぞれ液体を内
蔵した多数の蒸発孔で分割されて、前記熱により前記液
体が前記それぞれの蒸発孔内で多数の蒸気部に蒸発され
て、前記多数の蒸気部は前記ウェーハに向かって上方に
平行に案内されることを特徴とするフォトレジストパタ
ーンを形成するための方法。 - 【請求項16】 第1固体熱伝達媒体と、 相互連結された多数の蒸発孔で分割されて、前記第1固
体熱伝達媒体と熱的に結合された流体熱伝達媒体と、そ
して前記流体熱伝達媒体と熱的に結合されて前記物体と
熱的に接する第2固体熱伝達媒体を含んで、 前記多数の蒸発孔は、同一平面で前記第1固体熱伝達媒
体と第2固体熱伝達媒体間で延長されることを特徴とす
る物体を加熱するための装置。 - 【請求項17】 前記流体熱伝達媒体の前記多数の蒸発
孔内に密閉された液体をさらに具備することを特徴とす
る請求項16に記載の物体を加熱するための装置。 - 【請求項18】 加熱要素及び前記加熱要素と前記第1
固体熱伝達媒体との間で熱的に結合される固体の下部熱
伝達媒体をさらに具備することを特徴とする請求項16
に記載の物体を加熱するための装置。 - 【請求項19】 前記加熱要素は、少なくとも一部分が
前記固体の下部熱伝達媒体の下面に形成された溝に内蔵
されることを特徴とする請求項18に記載の物体を加熱
するための装置。 - 【請求項20】 前記溝は螺旋形状であり、前記螺旋形
状のピッチは前記下面の中心部におけるよりも外周縁に
おいて短いことを特徴とする請求項19に記載の物体を
加熱するための装置。 - 【請求項21】 前記第2固体熱伝達媒体は前記第1固
体熱伝達媒体と一体で形成されることを特徴とする請求
項16に記載の物体を加熱するための装置。 - 【請求項22】 前記第1及び第2固体熱伝達媒体及び
前記流体熱伝達媒体はそれぞれ円形及び平面形状である
ことを特徴とする請求項16に記載の物体を加熱するた
めの装置。 - 【請求項23】 前記流体熱伝達媒体の直径は、前記第
1及び第2固体熱伝達媒体の直径の約0.9ないし0.
98倍であることを特徴とする請求項22に記載の物体
を加熱するための装置。 - 【請求項24】 前記流体熱伝達媒体は、外周縁が円形
であり、前記多数の蒸発孔の多数の半径方向セクタで分
割された多数の同心円または螺旋形円で分割されること
を特徴とする請求項22に記載の物体を加熱するための
装置。 - 【請求項25】 前記流体熱伝達媒体内で前記液体の占
有容積は流体熱伝達媒体容積の約15ないし25%であ
ることを特徴とする請求項17に記載の物体を加熱する
ための装置。 - 【請求項26】 前記流体熱伝達媒体の厚さは前記第1
及び第2固体熱伝達媒体と前記流体熱伝達媒体の総厚さ
の約40ないし60%であることを特徴とする請求項1
6に記載の物体を加熱するための装置。 - 【請求項27】 前記流体はパーフルオロカーボン類の
不活性溶媒で、その臨界温度は大気圧下で物体の目標温
度に100℃を足した温度より高いことを特徴とする請
求項17に記載の物体を加熱するための装置。 - 【請求項28】 加熱要素と、 前記加熱要素に熱的に結合される固体の下部熱伝達媒体
と、 前記固体の下部熱伝達媒体の上面に熱的に結合される第
1固体熱伝達媒体と、 ウェーハ装着面を具備して、前記ウェーハ装着面の反対
側の面が前記第1固体熱伝達媒体に熱的に結合される第
2固体熱伝達媒体と、そして前記第1及び第2固体熱伝
達媒体間に形成されて相互連結された多数の蒸発孔によ
り限定される流体熱伝達媒体を具備することを特徴とす
るウェーハを加熱するための装置。 - 【請求項29】 前記多数の蒸発孔は多数の同心円また
は螺旋形円で区画され、前記同心円または螺旋形円は多
数の半径方向セクタで分割されることを特徴とする請求
項28に記載のウェーハを加熱するための装置。 - 【請求項30】 前記多数の蒸発孔内に密閉された液体
をさらに具備することを特徴とする請求項29に記載の
ウェーハを加熱するための装置。 - 【請求項31】 前記第1及び第2固体熱伝達媒体は円
形であり、その直径が前記ウェーハ装着面の直径より大
きいことを特徴とする請求項29に記載のウェーハを加
熱するための装置。 - 【請求項32】 前記第1及び第2固体熱伝達媒体は一
体で形成されることを特徴とする請求項31に記載のウ
ェーハを加熱するための装置。 - 【請求項33】 前記加熱要素は、前記固体の下部熱伝
達媒体の下面に形成された螺旋形溝に配置されることを
特徴とする請求項28に記載のウェーハを加熱するため
の装置。 - 【請求項34】 前記多数の蒸発孔それぞれの上部は、
湾曲された断面形状を有することを特徴とする請求項2
8に記載のウェーハを加熱するための方法。
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GB (2) | GB2352507A (ja) |
TW (2) | TW428224B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102236933B1 (ko) * | 2019-10-21 | 2021-04-05 | 정승수 | 반도체 및 디스플레이 패널 제조용 히터 블록 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3882141B2 (ja) * | 2002-06-13 | 2007-02-14 | 日鉱金属株式会社 | 気相成長装置および気相成長方法 |
US7170582B2 (en) * | 2004-12-13 | 2007-01-30 | Asml Netherlands B.V. | Support device and lightographic apparatus |
JP4657940B2 (ja) * | 2006-02-10 | 2011-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理システム |
JP2007258303A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板熱処理装置 |
CN101495922B (zh) * | 2006-07-28 | 2012-12-12 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 光刻系统、热消散方法和框架 |
US20080145038A1 (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for heating a substrate |
US20080142208A1 (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for heating a substrate |
NL2003258A1 (nl) | 2008-08-08 | 2010-02-09 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
TWI835063B (zh) * | 2016-07-28 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 基板夾持裝置、用於製造此裝置之方法及用於處理或將樣本成像之儀器及方法 |
US20180096867A1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Momentive Performance Materials Inc. | Heating apparatus with controlled thermal contact |
JP6837202B2 (ja) * | 2017-01-23 | 2021-03-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 基材加熱装置および方法および電子デバイスの製造方法 |
CN108662930A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-10-16 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种热板装置 |
CN108158039B (zh) * | 2018-01-03 | 2023-07-11 | 云南中烟工业有限责任公司 | 一种集成多个Pt温度传感器的MEMS发热芯片及其制造方法 |
CN108354228B (zh) * | 2018-01-03 | 2023-07-25 | 云南中烟工业有限责任公司 | 一种集成Pt温度传感器的MEMS发热芯片及其制造方法 |
CN108185526B (zh) * | 2018-01-03 | 2023-09-01 | 云南中烟工业有限责任公司 | 一种集成二极管温度传感器的mems发热芯片及其制造方法 |
CN108158040B (zh) * | 2018-01-03 | 2023-11-21 | 云南中烟工业有限责任公司 | 一种均匀发热的mems电子烟芯片及其制造方法 |
CN108538760B (zh) * | 2018-04-03 | 2020-11-27 | 德淮半导体有限公司 | 热板结构 |
JP7477498B2 (ja) * | 2018-08-01 | 2024-05-01 | モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド | 取り外し可能なサーマルレベラー |
US11487206B2 (en) * | 2019-12-30 | 2022-11-01 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus for digital material deposition onto semiconductor wafers |
JP7491556B2 (ja) * | 2020-06-23 | 2024-05-28 | トクデン株式会社 | 伝熱プレート |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2129018B (en) * | 1982-08-30 | 1986-01-29 | Ricoh Kk | Vacuum evaporation apparatus |
JPH06103670B2 (ja) * | 1989-04-04 | 1994-12-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウェハ加熱装置 |
DE3915039A1 (de) * | 1989-05-08 | 1990-11-15 | Balzers Hochvakuum | Hubtisch |
JP2935867B2 (ja) * | 1990-03-28 | 1999-08-16 | ホーヤ株式会社 | 基板熱処理装置 |
JP3119950B2 (ja) * | 1992-09-30 | 2000-12-25 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP2907687B2 (ja) * | 1993-06-10 | 1999-06-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板加熱装置 |
JPH07152158A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Sigma Merutetsuku Kk | 基板加熱装置 |
JP3614503B2 (ja) * | 1995-04-18 | 2005-01-26 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性平版印刷版の加熱処理方法及び装置 |
JP3983831B2 (ja) * | 1995-05-30 | 2007-09-26 | シグマメルテック株式会社 | 基板ベーキング装置及び基板ベーキング方法 |
JPH10189611A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-07-21 | Sony Corp | 半導体ウェーハの加熱装置 |
KR100339875B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2002-10-11 | (주) 대홍기업 | 판형 히팅 장치 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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