KR100644457B1 - 기판상에 포토레지스트를 증착하는 방법 - Google Patents

기판상에 포토레지스트를 증착하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 일반적으로 반도체 웨이퍼상에 포토레지스트 코팅부를 형성하는 방법 및 시스템에 관한 것이다. 특히, 본 발명에 따르면 포토레지스트 재료를 포함하는 용액이 반응용기내에서 원자화되어 반도체 웨이퍼쪽으로 인도된다. 반도체 웨이퍼는 예열된다. 원자화된 액체는 포토레지스트 재료가 기판상에 코팅부를 형성하도록 하는 광 에너지에 노출되는 것과 같이 가열된다.

Description

기판상에 포토레지스트를 증착하는 방법 {METHOD FOR DEPOSITING PHOTORESIST ONTO A SUBSTRATE}
본 발명은 일반적으로 기판상에 고체 재료를 증착하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 반도체 웨이퍼상에 포토레지스트 재료를 증착하는 공정에 관한 것이다. 예를 들면, 일 실시예에서, 웨이퍼가 적어도 하나의 에너지원과 접촉하는 동안 포토레지스트 재료를 포함하는 액체 용매가 원자화되고 반도체 웨이퍼상에 증착된다.
일반적으로, 집적회로는 능동 및 수동 회로 엘리먼트를 포함하는 단일 모놀리식(monolithic) 칩상에 포함된 전기회로를 말한다. 집적회로는 기판상에 미리 선택된 패턴으로 다양한 재료의 연속층을 확산 및 증착시킴으로써 제조된다. 재료는 실리콘과 같은 반도체 재료, 금속과 같은 도전체 재료 및 실리콘 이산화물과 같은 유전체 재료를 포함할 수 있다. 집적회로 칩내에 포함된 반도체 재료는 저항기, 커패시터, 다이오드 및 트랜지스터와 같은 통상적인 전기회로를 형성하는데 사용된다.
집적회로는 이들의 작은 크기, 저전력 소비 및 고신뢰성 때문에 디지털 컴퓨터와 같은 전자장치내에서 광범위하게 사용되고 있다. 단일 논리 게이트 및 메모리 유니트로부터 복잡한 비디오, 오디오 및 인쇄 데이터 가공을 가능케 하는 큰 어레이까지가 집적회로의 사용 범위이다. 하지만, 최근 들어 더 작은 동작 전압을 필요로 하면서도 적은 공간에서 더 많은 태스크를 수행할 수 있는 집적회로 칩에 대한 필요성이 대두되고 있다.
상술된 바와 같이, 집적회로 칩은 기판상에 다양한 재료로 구성된 층을 연속하여 증착시킴으로써 제조된다. 전형적으로, 기판은 n-형 또는 p-형 실리콘으로 구성된 얇은 슬라이스 또는 웨이퍼로 제조된다. 집적회로의 능동 및 수동 소자가 기판의 최상부상에 얇은 n-형 에피택셜층내에 제조된다. 집적회로의 소자는 저유전성의 절연체 재료로 둘러싸인 금속 및 반도체 재료와 같은 여러 도전체 재료로 구성된 층을 포함한다. 집적회로 칩을 개선하기 위한 시도로, 칩을 구성하기 위해 여러 재료를 사용할 뿐만 아니라 기판 상의 여러 재료층을 증착하는 새로운 방법을 찾는 것에 중점을 두고 있다.
반도체 웨이퍼상의 층내에 증착된 재료는 일반적으로 미리 설정된 패턴에 따라 웨이퍼상에 위치될 필요가 있다. 패턴에 따라 웨이퍼상에 재료를 위치시키기 위해, 전형적으로 코팅부가 가장 먼저 웨이퍼상에 형성된다. 다음으로, 채널 및 경로(pathway)가 집적회로를 형성하는데 사용된 재료를 제공하기 위한 패턴을 제공하는 코팅부내에 형성된다. 상술된 바와 같이 반도체 웨이퍼상에 전구체 코팅부를 제공하는 것은 일반적으로 리소그래피 공정을 통해 수행된다. 전형적으로, 각각의 웨이퍼상에서 집적회로의 형태에 따라 5 내지 20 단계의 완전한 리소그래피 동작이 요구된다. 대부분의 응용에서, 웨이퍼에 제공된 전구체 코팅부는 포토레지스트 재료로 제조된 웨이퍼상에 제공되고, 이러한 포토레지스트 재료는 소정 파장 범위 이 상의 광학 방사에 의해 변경되는 특성을 가진 광활성 재료이다. 포토레지스트 재료의 광활성 특성 때문에, 패턴이 광에너지를 사용하여 코팅부상에 형성될 수 있다.
예를 들면, 일 실시예에서, 가장 먼저 반도체 웨이퍼가 포토레지스트 재료로 코팅된다. 포토레지스트 재료의 코팅은 균일하여야 하고 웨이퍼에 잘 부착될 수 있어야 한다. 코팅부가 웨이퍼상에 제공된 이후, 코팅부는 전형적으로 코팅부내에 포함될 수 있는 임의의 용매를 제거하기 위해 대략 100℃의 온도에서 베이킹된다.
공정의 다음 단계는 포토레지스트 코팅부내에 채널과 경로를 형성하는 것이다. 이는 미리 설정된 패턴으로 인쇄되는 마스크에 웨이퍼를 우선 정렬시킴으로써 수행된다. 예를 들면, 마스크는 반도체 웨이퍼 상부에 위치하는 유리판상의 젤라틴 포토리소그래피 에멀젼일 수 있다. 다음으로, 웨이퍼는 포토레지스트 재료와 반응하는 광 에너지에 노출된다. 특히, 마스크가 웨이퍼 상부에 위치하기 때문에, 웨이퍼상에 조사되는 광 에너지는 오로지 마스크 상에 인쇄된 패턴에 따른 포토레지스트 코팅부와 접촉한다.
원한다면, 특정 파장의 광에 노출된 이후, 웨이퍼가 다시 한번 베이킹될 수 있다. 베이킹된 이후, 웨이퍼는 적정 용매에 린스된다. 사용된 포토레지스트 재료의 유형에 따라, 용매는 광에 노출된 포토레지스트 재료를 제거하거나 또는 광에 노출되지 않은 포토레지스트 재료를 제거한다. 용매가 포토레지스트 코팅부의 노출부를 제거한다면, 포토레지스트 재료는 "포지티브" 포토레지스트로서 간주된다. 한편, 용매가 노출된 영역에 영향을 주지 않고 노출되지 않은 영역을 제거한다면, 포토레지스트 재료는 "네가티브" 포토레지스트라 불린다. 여하튼, 일단 용매에 노출되면, 포토레지스트 코팅부의 일부가 제거되어 원하는 패턴을 남긴다.
특정 응용에 따라, 다음으로 웨이퍼가 포토레지스트에 의해 덮이지 않은 하부에 위치하는 막의 일부를 제거하도록 에칭된다. 에칭의 결과 마스크 막내에 윈도우가 형성된다. 에칭은 반도체 웨이퍼상에 증착되는 층을 미리 증착된 층에 연결하기 위하여 수행된다.
에칭 이후, 반도체 웨이퍼의 다음층이 구성된다. 상술된 바와 같이, 패터닝된 포토레지스트 코팅부 상에 증착된 층은 반도체 재료, 도전체 재료 또는 저유전체 재료일 수 있다.
따라서, 상술된 바와 같이, 리소그래피 공정은 전형적으로 포토레지스트로 웨이퍼를 코팅하는 단계, 다음 적절히 패터닝된 마스크를 선택하는 단계 및 사전코팅부(precoating)의 표면상에 이를 이미징하는 단계를 포함한다. 조판(engraving) 공정이 포토레지스트 코팅부내에 패턴을 형성하도록 수행된다. 상호연결부의 패턴을 형성하기 위해 코팅된 웨이퍼로부터 반도체 영역을 한정하고 및/또는 금속을 제거하도록 하부에 위치하는 층내에 윈도우를 개구시키는데 패턴이 사용된다.
과거에는, 웨이퍼상에 포토레지스트 코팅부를 형성하기 위해, 포토레지스트 재료가 기판상에 스핀 코팅되었다.
이러한 공정에 따르면, 우선 기판이 진공 척상에 위치하고 고속으로 회전된다. 다음으로, 포토레지스트를 포함하는 용액이 기판에 제공된다. 원심력 때문에, 열판 또는 노(furnace)상에서 건조되고 어닐링되는 기판상에 코팅부가 형성된다.
하지만, 기판에 포토레지스트를 부착시키고 우수한 물리적 특성을 가진 막을 제조하는 이러한 공정은 어려움이 있다. 이러한 증착 방법은 일반적으로 원하지 않는 물리적 특성을 가진 공정 과정상 물질(course material)을 생성한다. 더욱이, 큰 웨이퍼상에 제공될 때 막의 두께 및 균일성과 같은 여러 파라미터를 제어하는데 있어서의 다른 문제점 또한 가진다.
종래 기술의 상기한 문제점의 견지에서, 집적회로 칩에서 사용하기 위해 기판상에 포토레지스트를 증착하는 공정이 필요하다. 특히, 집적회로 제조시 실리콘과 같은 기판상에 포토레지스트를 균일하게 증착하기 위한 공정이 필요하다.
본 발명은 상기한 문제점 및 종래 기술의 구조 및 방법에 있어서의 문제점을 해결하는 것을 목적으로 한다.
따라서, 본 발명의 목적은 기판상에 포토레지스트 재료를 증착하기 위한 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 광 에너지를 사용하여 반도체 웨이퍼상에 포토레지스트 코팅부를 증착 및 부착하기 위한 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 광 에너지를 사용하여 액체 상태의 재료를 고체 상태로 변환함으로써 기판상에 포토레지스트 재료를 증착하기 위한 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 집적회로 칩을 제조하는 동안 실리콘과 같은 기판상에 포토레지스트 재료로 구성된 층을 증착하기 위한 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 이러한 목적 및 다른 목적은 개선된 화학기상증착에 의해 달성된다. 여기서 사용된 바와 같이, 화학기상증착은 액체 또는 기체 전구체로부터 고체막 또는 코팅부가 성장되는 공정으로 불린다. 일반적으로, 본 발명의 방법은 기판을 포함하는 반응용기내로 포토레지스트 재료를 함유하는 액체 전구체를 직접 주입하는 것을 포함한다. 일단 반응용기내로 주입되면, 액체 전구체는 광 에너지를 받게 되고, 액체 전구체가 기판상의 포토레지스트의 고체 코팅부를 형성하게 된다.
이러한 공정은 액체 형태의 포토레지스트를 포함하는 용액을 방울(droplet)로 가장 먼저 원자화하는 단계를 포함한다. 액체 방울은 반도체 웨이퍼상에 제공된다. 웨이퍼와 접촉하기 전 및/또는 접촉한 후, 액체 방울은 광 에너지에 노출되고, 이는 포토레지스트 재료가 기판상에 고체 코팅부를 형성하도록 한다. 몇몇 경우, 기판은 증착 공정동안 추가로 가열될 수 있다. 기판은 간접 광 에너지, 직접 광 에너지 또는 전기저항 히터를 사용함으로써 예열될 수 있다.
일 실시예에서, 액체 방울은 반응챔버내 기판에 제공된다. 반응 챔버는 원하는대로 진공을 유지할 수 있다. 액체 방울에 의해 흡수된 광 에너지는 램프로부터 생성된다.
포토레지스트 재료를 포함하는 용액으로부터 형성되는 액체 방울은 일반적으로 10미크론 내지 100미크론의 직경을 가진다. 용액은 노즐을 통해 공급됨으로써 원자화될 수 있다. 일 실시예에서, 노즐은 가열된다.
증착 공정 동안, 바람직하게는 포토레지스트 재료로 코팅되는 반도체 웨이퍼는 균일한 코팅부가 용이하게 형성되도록 하는 방식으로 이동된다. 예를 들면, 코팅부 형성동안, 코팅부를 형성하는 동안, 반도체 웨이퍼는 회전될 수 있거나, 진동할 수 있거나, 또는 초음파 에너지로 처리될 수 있다. 대부분의 응용에서, 반도체 웨이퍼는 적어도 50℃, 특히, 대략 50℃ 내지 150℃의 온도로 예열된다. 공정 동안, 액체 방울과 형성된 코팅부는 대략 100℃ 내지 500℃의 온도로 가열될 수 있다. 대부분의 응용에서, 코팅부는 적어도 1,000옹스트롬의 두께를 가진다.
일 실시예에서, 액체 방울은 제 1 온도 범위 내의 온도로 반도체 웨이퍼상에 증착된다. 방울이 반도체 웨이퍼상에 증착되면, 웨이퍼의 온도는 제 2 온도 범위내 온도로 추가로 증가될 수 있다. 두 가지 다른 온도로 몇몇 포토레지스트 재료를 제공함으로써, 웨이퍼와 코팅부 사이에 더 우수한 부착이 달성될 것으로 생각된다.
본 발명은 최적의 실시예를 포함하여 명세서 전반적으로 당업자가 이해하기 용이하도록 이하에서 도면을 참조하여 상세히 설명된다.
또한, 본 발명의 명세서 및 도면을 통해 본 발명의 동일 또는 유사한 특징부 또는 엘리먼트를 나타내는데 참조부호를 반복 사용한다.
도 1a는 본 발명에 따라 반도체상에 고체 재료를 증착하기 위한 시스템의 일 실시예의 평면도.
도 1b는 본 발명의 방법에서 사용되는 반응용기의 일 실시예의 단면도.
도 2는 본 발명에 따라 고체 재료를 형성하는데 사용되는 노즐의 일 실시예의 평면도.
도 3은 본 발명의 방법에서 사용되는 노즐 및 액체 저장기의 선택적인 실시예의 단면도.
도 4는 열처리 챔버에 공급되는 재료를 정화하기 위한 공정의 일 실시예의 평면도.
당업자라면 본 발명이 예시를 위한 실시예를 통해 설명되지만, 그러한 것이 예시적인 구성으로 구현되는 더 넓은 범위의 태양들을 가진 본 발명을 제한하기 위한 것은 아니라는 것을 알 수 있을 것이다.
상술된 바와 같이, 집적회로 제조는 반도체 웨이퍼상에 여러 재료를 정확히 위치시키는 것을 필요로 한다. 특히, 웨이퍼상에 형성된 각각의 층은 전형적으로 미리 설정된 패턴으로 증착되어야 한다. 웨이퍼 표면상에 패턴을 형성하기 위해, 공정은 일반적으로 우선 포토레지스트 재료로 웨이퍼를 코팅하는 단계를 포함한다. 다음으로, 적절하게 패터닝된 마스크가 웨이퍼상에 위치한다. 마스크가 위치된 이후, 마스크내에 형성된 패턴에 따라 특정 파장에서 전자기 방사선에 포토레지스트층이 노출되는 조판 공정이 수행된다. 사용된 포토레지스트 재료에 따라, 포토레지스트 재료의 노출된 영역 또는 노출되지 않은 영역이 제거되어 원하는 패턴을 남긴다. 패턴은 반도체 영역을 한정하도록 하부에 위치하는 층내에 윈도우를 개구시키거나 또는 상호연결 패턴을 형성하도록 코팅된 웨이퍼로부터 금속을 제거하는데 사용된다. 과거에는, 반도체 웨이퍼는 스핀 코팅 기술을 사용하여 포토레지스트 재료로 코팅되었다.
일반적으로, 본 발명은 반도체 웨이퍼와 같은 기판상에 광 에너지를 사용하여 포토레지스트 재료를 증착하는 방법 및 시스템에 관한 것이다. 특히, 포토레지스트 재료를 포함하는 액체 방울이 기판에 제공되고 광 에너지에 노출된다. 광 에너지는 방울내에 포함된 포토레지스트 재료가 기판상에 고체 코팅부를 형성하도록 한다. 바람직하게는, 증착 공정 동안, 기판은 균일한 두께를 가진 코팅부의 형성을 촉진하기 위해 진동, 회전 또는 초음파 에너지를 받는다. 또한, 대부분의 응용에서, 기판은 바람직하게는 액체 방울로 코팅되기 전에 예열된다.
도 1a을 참조하면, 본 발명에 따라 포토레지스트 재료를 포함하는 액체 전구체를 기판상에 고체 코팅부로 변환하는 시스템이 도시된다. 공정을 시작하기 위해, 우선 액체 전구체가 형성되고 액체 저장기(10)내에 위치한다. 액체 전구체는 소정의 형태로 이후 고체로 변환될 포토레지스트 재료를 포함한다. 액체 전구체는 순수 액체 또는 용액일 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에서, 액체 전구체는 용매내 용해된 포토레지스트 재료를 포함할 수 있다.
본 발명에 따라 액체 저장기(10)내에 포함된 액체 포토레지스트 전구체는 도관(12)에 의해 노즐(14)에 공급되고, 이는 도 2에 잘 도시되어 있다. 노즐(14)은 액체 전구체를 액체 방울로 원자화한다. 액체 방울은 반응용기(16)에 곧바로 주입되어 기판(18)을 향한다.
도 1a과 도 2에 도시된 실시예에서, 노즐(14)은 가압된 기체를 사용하여 액 체 전구체를 원자화한다. 특히, 시스템은 기체 도관(22)을 통해 노즐(14)과 연통하는 기체 저장기(20)를 포함한다. 액체 전구체를 원자화하는데 사용되는 기체는 증착 공정에 악영향을 주지 말아야 한다. 대부분의 응용에서, 액체 전구체를 원자화하는데 사용되는 기체는 아르곤 또는 질소와 같은 불활성 기체이다.
일반적으로, 어떠한 적합한 원자화 노즐도 본 발명의 방법에 사용될 수 있다. 또한, 몇몇 응용에서, 시스템에서 사용되는 하나 이상의 노즐이 액체 전구체가 더욱 균일하게 제공되도록 한다. 대부분의 응용에서, 노즐은 대략 100미크론 이하 특히, 대략 10미크론 내지 100미크론의 직경을 가진 액체 방울을 형성하도록 설계된다. 도 1a에 도시된 시스템에 대한 선택적인 실시예에서, 노즐은 액체를 원자화하기 위해 가압된 기체를 사용하지 않도록 선택된다. 예를 들면, 노즐은 음파 또는 다른 고압원을 사용하여 액체를 원자화한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 방법에서 사용되는 노즐(14)의 선택적인 실시예가 도시된다. 일 실시예에서, 노즐(14)은 포토레지스트 재료를 포함하는 용액을 원자화하도록 설계되는 다수의 개구부(15)를 포함한다. 특히, 노즐(14)은 기판(18) 표면 상부에 액체 방울을 균일하게 분산시키도록 하기 위한 다수의 개구부를 가진다.
원한다면, 포토레지스트 재료를 포함하는 용액은 원자화되기 전에 컨디셔닝(conditioning)될 수 있다. 예를 들면, 포토레지스트를 포함하는 용액의 화학 조성 및 점성, 감광성, Ph값, 순도 등과 같은 용액의 파라미터가 특정 응용에 따라 선택되고 변화될 수 있다. 더욱이, 용액의 온도는 원자화되기 전에 원하는 범위 내로 설정될 수 있다. 이러한 견지에서, 일 실시예에서는, 용액이 원자화될 때 용액을 가열하도록 노즐(14)이 설계된다. 특히, 노즐(14)이 가열되어 액체의 어떠한 응축도 없으며, 포토레지스트 용액은 노즐이 약간 증기화된 상태로 남겨두지만 액체의 유체 특성은 유지하도록 한다. 대부분의 응용에서, 용액은 액체가 기판상에 증착되고 가능한 빨리 코팅되도록 증기를 형성함없이 가능한 한 고온으로 가열되어야 한다.
일단 액체 전구체가 원자화되면, 형성된 액체 방울은 반응용기(16)내 반도체 웨이퍼(18)를 향한다. 바람직하게는, 증착 동안 및/또는 증착 이후, 웨이퍼(18)는 포토레지스트와 코팅부 사이의 부착을 촉진할 뿐만 아니라 균일한 두께를 가진 코팅부를 형성하는 것을 조력하는 방식으로 이동된다. 예를 들면, 반도체 웨이퍼(18)는 공정 동안 회전되거나, 진동되고 및/또는 초음파 에너지를 받을 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 웨이퍼는 8분의 1 서클 진동(half a quarter circle vibration)한다. 선택적으로, 웨이퍼가 회전 및 진동 효과를 가지도록 초음파 회전이 사용될 수 있다.
선택적인 예에서, 포토레지스트 형성 이전에, 얇은 부착층이 반도체 웨이퍼상에 형성될 수 있다. 부착층이 웨이퍼와 포토레지스트 코팅부 사이의 결합을 개선시키기 위해 포함된다. 예를 들면, 일 실시예에서, 포토레지스트와 유사한 재료로 구성된 스퍼터링된 층이 사용된다.
다른 선택적인 실시예에서, 본 발명의 방법은 포토레지스트 코팅부를 형성하는 통상적인 방법과 조합될 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 방법에 따라 제조된 포토레지스트층이 통상적인 방법에 따라 제조된 포토레지스트층의 상부 또는 하부에 위치할 수 있다. 일례로, 얇은 포토레지스트층이 본 발명에 따라 반도체 웨이퍼상에 증착될 수 있다. 다른 포토레지스트층이 상술된 바와 같은 스핀 코팅 기술을 사용하여 이전의 층의 상부상에 형성될 수 있다. 선택적으로, 반도체 웨이퍼는 스핀 코팅 기술을 사용하여 포토레지스트로 우선 코팅될 수 있고 다음으로 본 발명의 공정을 사용하여 추가의 포토레지스트층에 제공될 수 있다. 이러한 방식으로, 포토레지스트 코팅부가 특정 응용에 필요한 여러 특성을 가지도록 제조될 수 있다. 결합 기술 또한 개선된 특성을 가진 매우 두꺼운 코팅부를 형성할 수 있다.
용액을 원자화하기 전에, 반도체 웨이퍼(18)가 코팅부 형성에 조력하도록 예열될 수 있다. 예를 들면, 대부분의 응용에서, 기판은 대략 50℃ 내지 150℃의 온도로 가열될 수 있다. 기판은 여러 다른 에너지원을 사용하여 가열될 수 있다. 예를 들면, 반도체 웨이퍼(18)는 열적 광 에너지를 사용하여 예열되거나 전기 저항 히터에 의해 가열될 수 있다.
도 1a, 도 1b 및 도 2를 참조하면, 반응용기(16)는 반도체 웨이퍼(18) 하부에 위치하는 램프(28)를 포함한다. 램프(28)는 웨이퍼 온도를 증가시키는 열 에너지를 방출하도록 설계될 수 있다. 램프(28)는 웨이퍼(18)를 직접 가열하도록 위치하거나 또는 웨이퍼를 간접적으로 가열하도록 위치할 수 있다. 일 실시예에서, 열 에너지를 방출하는 것 이외에, 램프(28)는 또한 진공 자외선광을 포함한 자외선광을 방출할 수 있다. 자외선광은 포토레지스트 코팅부와 웨이퍼 사이에 형성되는 결합을 강화하기 위해 몇몇 응용에서 필요하다. 하지만, 상술된 바와 같이 포토레지스트 재료는 전형적으로 특정 파장에서 자외선광에 반응한다. 따라서, 본 발명 의 방법에서 사용될 때, 자외선광은 웨이퍼에만 접촉하거나 또는 원하지 않는 반응을 발생시키지 않는 양으로 제공되어야 한다. 예를 들면, 자외선광은 넓은 파장 범위로 자외선광을 발생시키는 비간섭성 광원에 의해 방출될 수 있다.
본 발명에 따르면, 액체 방울이 기판(18)쪽으로 향하는 동안 광 에너지에 노출되는 것과 같이 가열된다. 예를 들면, 도면에 도시된 바와 같이, 기판(18)은 램프(28)에 추가하여 램프(24, 26)에 의해 둘러싸인다. 램프(24, 26)는 광 에너지 또는 열 에너지 중 하나를 방출하거나 이들 모두를 방출할 수 있다. 광 에너지가 방울내에서 원자 및 분자 여기를 야기하는 반면, 열 에너지는 방울내에서 진동 운동을 증가시킨다. 광 에너지는 자외선광, 진공 자외선광 및 대략 0.05미크론 내지 0.8미크론의 파장에서 제공되는 가시광에 의해 제조될 수 있다. 하지만, 광 에너지가 제공된다면, 광 에너지는 반드시 포토레지스트 재료가 어떠한 원하지 않는 화학 반응을 겪도록 할 수 있는 양으로는 추가되지 말아야 한다.
예를 들면, 방울 및 형성된 막이 광 에너지에 노출될 때, 광 에너지는 바람직하게는 많은 여러 파장에서 자외선광 및/또는 진공 자외선광을 제공하는 하나 이상의 비간섭성 광원에 의해 발생된다. 대부분의 응용에서, 포토레지스트 재료는 특정 파장 또는 특정 파장 범위에서 광 에너지에 반응할 것이다. 포토레지스트층을 형성할 때, 비간섭성광원은 포토레지스트가 반응하는 특정 파장 범위에서 상당량의 광 에너지를 생성하지 말아야 한다.
한편, 열 에너지는 대략 0.4미크론 이상의 파장을 가진 광내에 포함되어 있다. 대략 0.4 내지 0.8미크론 범위의 파장의 광이 광 에너지 및 열 에너지 모두를 제공한다.
액체 방울이 기판(18)쪽으로 떨어지기 때문에, 방울을 포함하는 광 에너지가 액체 전구체내에 포함된 모재(parent material)가 기판상에 고체 코팅부를 형성하도록 한다. 특히, 광 에너지는 여러 화학적 변형이 발생하도록 할 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에서 액체 전구체는 광 에너지에 의해 증기화된 용매를 포함하는 용액일 수 있다. 용매가 증기화됨에 따라, 모재가 용액으로부터 떨어져 나와 고체를 형성한다.
램프(24, 26, 28)는 액체 방울이 증기화되거나, 반응하거나 또는 분해되도록 하기에 충분한 양의 에너지를 액체 방울에 전달하여, 모재를 고체로 변형시킨다. 일반적으로, 모재는 공정 동안 대략 50℃ 내지 700℃ 특히, 대략 100℃ 내지 500℃의 온도로 가열된다.
본 발명의 시스템에서 사용되는 여러 램프는 아크 램프 및 텅스텐 할로겐 램프를 포함하고, 이들은 열 에너지 및 광 에너지 모두 방출한다. 주로 자외선광을 방출하며 본 발명에서 사용될 수 있는 램프는 중수소 램프, 수은 증기 램프, 크세논 램프 및 비간섭성 엑시머 램프를 포함한다. 램프가 공정에 필요한 만큼 사용되고, 램프는 임의의 적절한 구성으로도 위치할 수 있다. 도면에 도시된 램프의 위치는 단순히 예시를 위한 것이다.
램프와 광 에너지를 사용함으로써, 본 발명의 방법은 고체 재료를 생성할 수 있는 노 및 다른 유사 열원을 통합한 통상적인 화학 기상 증착 공정을 제공한다. 예를 들면, 램프는 통상적인 노보다 훨씬 더 높은 가열율 및 냉각율을 가진다. 램 프를 사용함으로써, 빠른 등온 처리 시스템이 제조된다. 램프는 전형적으로 어떠한 시동(start up) 주기도 필요로 하지 않는 순간 에너지를 제공한다.
더욱이, 램프로부터 방출된 에너지는 용이하고 정확하게 제어되고 가변된다. 예를 들면, 본 발명의 방법 동안, 액체 전구체가 고체로 형성되기 때문에, 액체 방울에 의해 흡수된 에너지는 주변 환경을 냉각시키는 경향이 있다. 다른 에너지원과는 달리 광 에너지는 반응 조건을 일정하게 유지하기 위해 필요하다면 공정 동안 순간적으로 증가될 수 있다. 특히, 광 에너지는 흡열 반응 또는 흡열 변환으로부터 순간적으로 회복가능하도록 한다.
광 에너지 사용 및 램프의 사용으로, 반응율 및 고체 형성율은 정확하게 제어될 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 공정 동안 고체의 형성은 램프를 끄고 반응 챔버로의 광 에너지의 흐름을 차단함으로써 간단하게 어떠한 시간에도 중단될 수 있다. 램프는 또한 매우 빠른 반응 시간으로 반응율을 증가 또는 감소시키는데 사용될 수 있다.
광 에너지의 사용은 균일한 포토레지스트 코팅부의 형성 이외에도 다른 장점 및 이득을 가진다. 예를 들면, 집적회로 제조 동안, 여러 에칭 단계가 수행된다. 웨이퍼를 자외선광 에너지 특히, 진공 자외선광 에너지에 노출시키는 것이 에칭 단계 이후 남는 불순물 또는 원하지 않는 여분의 물질을 제거한다는 것을 알 수 있었다. 특히, 자외선광 에너지는 여분의 물질을 휘발시키고, 다음 증착 단계 이전에 기판의 추가의 세정을 야기하는 것으로 판명되었다.
광 에너지가 본 발명의 공정 동안 사용될 때, 반응용기(16)는 절연체로서 역할을 하는 재료로 제조 또는 라이닝되어야 하고, 낮은 열량을 가지며, 낮은 열전도체여야 한다. 열 또는 광 에너지를 흡수하지 않는 재료를 사용함으로써, 공정의 에너지 요구조건이 최소화된다. 예를 들면, 일 실시예에서 반응용기(16)는 석영으로 제조될 수 있고 석영으로 제조된 기판 홀더를 구비할 수 있다. 선택적으로, 기판 홀더는 실리콘 카바이드로 코팅된 그래파이트로 제조될 수 있다.
일 실시예에서, 광 에너지를 본 발명의 공정에 제공하는데 사용된 램프는 반응용기 내부에 위치할 수 있다. 이러한 실시예에서, 반응용기(16)는 금속을 포함하는 어떠한 적절한 재료로 제조될 수 있다. 반응용기(16) 내부에 램프를 위치시킴으로써, 용기는 절연 재료로 제조될 필요가 없다.
반응용기(16)는 또한 챔버 내부에 진공을 형성하기 위해 진공화될 수 있다. 특히, 진공은 대략 0.2미크론 이하의 파장을 가진 반응용기내로 자외선광선을 전송할 때 필요하다. 하지만, 이러한 자외선광선이 필요하지 않을 때, 반응용기(16)는 보통의 대기압에서 동작될 수 있다.
도 1b를 참조하면, 본 발명의 공정에서 사용되는 반응용기(16)의 일 실시예가 도시된다. 반응용기(16)는 기판 홀더(19)상에 지지되는 기판상에 액체 전구체를 원자화하여 유도하는 노즐(14)을 포함한다. 기판 홀더(19)는 공정 동안 기판의 온도를 모니터링하기 위한 온도 감지 장치(21)를 수용한다. 예를 들면, 온도 감지 장치(21)는 열전쌍(thermocouple) 또는 고온계(pyrometer)이다.
이러한 실시예에서, 반응용기(16)는 또한 용기내 진공을 형성하는데 사용될 수 있는 진공라인(23)을 포함한다. 한편, 용기에 압력을 가하거나 또는 용기내 불 활성 분위기를 유지하고자 한다면, 기체라인(27)이 반응용기(16) 내부에 기체를 유입시키기 위해 제공된다.
도 1b에 도시된 반응용기(16)는 냉각라인(29)을 포함하고, 이는 용기의 외주주위를 감싼다. 냉각라인(29)은 원한다면 웨이퍼와 같은 냉각액을 순환시킨다. 예를 들면, 냉각액은 반응용기(16) 내의 온도를 제어 및 유지하기 위해 라인(29)을 통해 순환된다.
도 1a를 참조하면, 본 발명의 공정이 필요에 따라 완전히 자동화될 수 있다. 예를 들면, 시스템은 마이크로프로세서 또는 컴퓨터와 같은 제어기(30)를 포함한다. 제어기(30)는 램프(24,, 26, 28)와 연통하고 온도 제어기(32)와 연통한다. 온도 제어기(32)는 도 1b에 도시된 바와 같은 열전쌍을 통해 기판(18)의 온도를 모니터링한다. 온도 제어기(32)는 또한 솔레노이드 밸브와 같은 밸브(34)와 연통한다.
이러한 배치에서, 제어기(30)는 온도 제어기(32)로부터 정보를 수신하고, 이러한 정보에 기초하여 램프(24, 26, 28)에 의해 방출된 광 에너지의 양을 제어한다. 제어기(30)는 또한 액체 저장기(10)로부터 노즐(14)로의 액체 전구체의 유량을 제어한다. 예를 들면, 제어기(30)는 기판(18)이 특정 온도 범위에 있을 때 반응용기(16) 내부로 액체 전구체만을 공급받도록 프로그램된다. 더욱이, 반응용기(16)내 온도는 램프(24, 26, 28)에 의해 방출된 에너지의 양을 자동적으로 조정함으로써 유지 및 제어된다. 따라서, 본 발명의 공정에서 광 에너지를 사용하는 것에 따른 추가의 장점은 이격한 위치에서 공정 및 반응 상황을 정확히 제어할 수 있는 능력이다.
일 실시예에서 본 발명의 공정에 따르면, 코팅부와 반도체 웨이퍼 사이의 부착을 증진시키기 위해 포토레지스트 코팅부의 증착이 두 가지 다른 온도에서 수행된다. 예를 들면, 일 실시예에서 코팅부가 제 1 온도 범위에서 기판상에 형성된다. 코팅부가 기판상에 증착된 이후, 온도는 제 2 온도 범위로 증가될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에서 코팅부가 대략 500℃ 내지 700℃의 온도에서 증착되고, 다음으로 대략 100℃ 내지 700℃의 온도로 추가로 가열된다. 하지만, 본 발명에 따른 포토레지스트 코팅부는 스핀 코팅 기술과 같은 많은 통상적인 기술에서 필요한 바와 같이 반도체 웨이퍼상에 증착된 이후 베이킹될 필요가 없다. 특히, 본 발명의 공정은 증착 공정에서 원하지 않는 용매를 제거하는 종래 기술의 공정에 비해 효율적이고, 이후 코팅부를 베이킹해야 할 필요성을 제거한다.
본 발명의 다른 특징으로, 형성된 코팅부를 열에 노출시키는 것 대신에, 코팅부는 코팅부의 특성을 개선시키는 양의 광 에너지에 노출될 수 있다. 예를 들면, 코팅부가 형성된 이후, 코팅부는 비간섭성 광원에 의해 방출된 자외선광 및/또는 진공 자외선광에 노출된다. 본 발명의 이러한 특징은 본 발명의 공정에 따라 형성된 포토레지스트 코팅부 또는 스핀 코팅 기술과 같은 통상적인 기술에 따라 형성된 포토레지스트 코팅을 사용할 수 있다.
본 발명에 따라 제조된 포토레지스트 코팅부는 여러 두께를 가질 수 있고 여러 기판상에 증착될 수 있다. 본 발명은 특히 더 큰 직경의 웨이퍼에 코팅부를 제공하기에 적합하다. 특히, 균일한 두께를 가진 코팅부를 형성하는데 매우 적합하 다. 대부분의 응용에서, 코팅부는 적어도 500옹스트롬, 예를 들면 10,000옹스트롬 내지 25,000옹스트롬의 두께를 가진다.
일 실시예에서, 본 발명의 공정은 비교적 두꺼운 포토레지스트 코팅부를 사용하는데 바람직하게 사용될 수 있다. 특히, 본 발명에 따르면 매우 두꺼운 포토레지스트 코팅부가 감소된 응력을 가지며, 이에 따라 많은 통상적인 공정에서 전형적으로 발생하는 것과 같은 코팅부의 후속하는 균열 등을 감소시키는 반도체 웨이퍼상에 형성될 수 있다는 것이 판명되었다.
본 발명은 또한 얇은 포토레지스트 코팅부를 제조하는데 매우 적합한 것을 알 수 있다. 공정이 정확하게 제어될 수 있고 매우 균일한 코팅부가 형성될 수 있기 때문에, 매우 얇은 코팅부를 형성하기에 이러한 공정이 매우 적합해진다.
본 발명의 공정에서 사용된 실제 포토레지스트 재료가 특정 응용에 따라 변화될 수 있다. 일반적으로, 어떠한 적합한 포지티브 또는 네가티브 포토레지스트도 사용될 수 있다. 네가티브 포토레지스트의 예로, 폴리(비닐신나메이트)와 같은 중합체 유기 재료 및 비스아지드와 같은 교차결합 성분과 조합된 고리화된 시스-폴리-이소프렌과 같은 폴리이소프렌을 포함한다. 이러한 네가티브 포토레지스트 재료는 자외선 광에 노출되기 이전에 여러 용매에 쉽게 용해된다. 이러한 용매는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 이소데칸, "N"부틸 아세테이트 또는 이소프로필 알코올과 같은 방향성 용매이다.
본 발명에서 사용된 포지티브 포토레지스트 재료는 예를 들면, 페놀 포름알데히드 노보락과 같은 저분자 중량의 알킬-가용성 레진, 오르토퀴논 디아지드 또는 유사 화합물인 광활성 분해 억제제 및 크실렌 또는 셀로솔브 아세테이트와 같은 용매의 조합을 포함한다. 특정 파장의 광에 노출되자마자, 포지티브 포토레지스트는 저하되고 여러 용매 특히, 소디움 하이드록사이드, 포타슘 하이드록사이드 또는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드에 용해된다.
본 발명의 일 실시예에서, 본 발명의 공정에서 사용되는 포지티브 포토레지스트 용액은 대략 10중량% 내지 25중량%의 노보락 레진, 대략10% 내지 25%의 나프토퀴논 디아지드와 같은 광활성 화합물, 대략 50% 내지 70%의 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 또는 프로포일렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트와 같은 용매 및 원한다면 건조와 균일한 제공을 용이하게 하기 위한 크실렌 또는 부틸 아세테이트와 같은 다른 첨가제를 포함한다.
다른 포지티브 포토레지스트는 폴리메틸 메타크릴레이트 및 그 유도체를 포함한다. 최근에, 폴리(부텐술폰)와 같은 폴리올레핀 술폰을 포함하는 전자빔 및 X-선 레지스트 시스템이 개발되었다.
본 발명에 따라 포토 레지스트 코팅이 형성된 이후, 코팅 또는 막은 미리 설정된 패턴이 코팅부내에 형성되는 조판 공정을 겪는다. 조판된 이후, 코팅부는 집적회로를 형성하는데 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 챔버에 공급된 포토레지스트 재료는 증기와 같은 기체 형태이다. 이러한 실시예에서, 본 발명은 상술된 바와 같이 액체가 원자화되도록 하는 공정과 유사하게 수행된다. 기체가 챔버로 공급될 때, 램프에 의해 방출된 광은 기체를 반도체 웨이퍼상에 고체 형태로 변환시키는데 사용된다.
기체를 챔버 내부의 기판과 반응을 위해 기체를 열처리 챔버에 공급할 때, 본 발명은 추가로 챔버에 유입되기 이전에 기체를 정화하기 위한 시스템에 제공된다. 이러한 공정 및 시스템이 포토레지스트 코팅부를 형성하는 기체 전구체와의 사용에 매우 적합도록 설계되었지만, 이러한 공정은 또한 금속 유전체 및 반도체 전구체 기체를 정화하는데 사용될 수도 있다.
도 4를 참조하면, 기체 정화 시스템(100)의 일 실시예가 도시된다. 이러한 실시예에서, 두 기체 스트림(112, 114)은 열처리 챔버(110)에 공급된다. 기체 스트림(112, 114)은 동일한 기체를 챔버로 공급하는데 사용될 수 있거나 또는 상호 반응하는 다른 기체를 공급하는데 사용될 수 있다. 이러한 실시예에서 도시된 바와 같이, 기체라인(112, 114)을 통해 공급되는 기체는 액체를 증기화함으로써 형성된다.
본 발명에 따르면, 기체 스트림(112)은 다수의 램프(118)에 의해 둘러싸인 촉매용 미니챔버(116)를 포함한다. 램프(118)는 열 에너지를 방출하지만 바람직하게는 진공 자외선을 포함한 자외선을 방출하도록 설계된다. 본 발명에 따르면, 기체는 램프에 의해 방출된 전자기 방사선에 노출된다. 자외선과 같은 전자기 방사선은 기체 스트림에 포함되는 원하지 않는 탄소와 같은 기체내 불순물을 감소시킨다. 원한다면, 촉매용 미니챔버(116)는 챔버내에서 발생하는 화학 분해율을 증가시키도록 설계되는 촉매판(120)을 포함한다. 촉매판(120)은 여러 재료로 구성될 수 있고 니켈과 같은 표준 금속으로 코팅될 수 있다.
시스템은 촉매용 미니챔버(116)를 통해 공급되는 기체를 분석하도록 설계되는 분광 분석기(122)를 더 포함할 수 있다. 분광 분석기(122)는 대부분의 불순물이 기체 스트림으로부터 제거되도록 하는데 사용된다.
촉매용 미니챔버(116)를 나온 이후, 기체는 필터(124)를 통해 공급된다. 필터(124)는 반응 챔버로 기체가 유입되기 전에 기체내에 포함된 금속, 탄화수소 및 다른 불순물을 필터링하여 제거(filter out)한다.
당업자라면 본 발명의 정신과 범위를 벗어남 없이 본 발명에 대한 이러한 및 다른 변경과 변화가 가능하다는 것을 알 수 있을 것이고, 이는 특히 첨부된 청구범위에 개시되어 있다. 추가로, 여러 실시예의 특징은 전체 또는 일부가 상호변화될 수 있다. 더욱이, 당업자라면 이상의 설명은 예시를 위한 것이지 이러한 첨부된 청구범위에 개시된 바와 같은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라는 것을 알 수 있을 것이다.

Claims (29)

  1. 반도체 웨이퍼상에 포토레지스트 재료를 증착하는 방법으로서,
    포토레지스트 재료를 포함하는 용액을 액체 방울로 원자화하는 단계;
    열처리 챔버내에 위치하며 적어도 50℃의 온도로 예열되는 반도체 웨이퍼상에 상기 액체 방울을 유도하는 단계;
    상기 포토레지스트 재료가 상기 반도체 웨이퍼상에 고체 코팅부를 형성하기에 충분한 온도로 상기 액체 방울을 가열하는 단계; 및
    상기 포토레지스트 재료로 구성된 상기 고체 코팅부내에 집적회로의 형성을 용이하게 하도록 설계된 미리 설정된 패턴을 조판하는 단계
    를 포함하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 액체 방울은 상기 열처리 챔버 내에서 광 에너지에 노출됨으로써 가열되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 액체 방울은 상기 고체 코팅부를 형성하는 단계에서 100℃ 내지 700℃의 온도로 가열되는 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 액체 방울은 적어도 10 미크론의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 액체 방울은 가열된 노즐을 통해 상기 용액을 통과시킴으로써 원자화되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 상기 고체 코팅부를 형성하는 동안 회전되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 상기 고체 코팅부를 형성하는 동안 진동하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 상기 방법을 수행하는 동안 자외선 광선에 노출되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 고체 코팅부는 적어도 1,000옹스트롬의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 상기 반도체 웨이퍼상에 상기 포토레지스트 재료의 상기 고체 코팅부를 형성하기 이전에 상기 포토레지스트 재료로 구성된 스핀 코팅된 층으로 사전 코팅된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 형성된 고체 코팅부상에 상기 포토레지스트 재료로 구성된 추가의 층을 스핀 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 액체 방울은 상기 고체 코팅부를 형성하는 동안 상기 액체 방울내에 포함될 수 있는 실질적으로 임의의 모든 용매를 제거하기에 충분한 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  13. 반도체 웨이퍼상에 포토레지스트 재료를 증착하는 방법으로서,
    포토레지스트 재료를 포함하는 용액을 액체 방울로 원자화하는 단계;
    열처리 챔버내 예열된 반도체 웨이퍼상에 상기 액체 방울을 유도하는 단계; 및
    상기 열처리 챔버 내에서 광 에너지에 상기 액체 방울을 노출시키는 단계 - 상기 광 에너지는 상기 방울내 포함된 액체를 증기화하고 상기 포토레지스트 재료가 상기 반도체 웨이퍼상 고체 코팅부를 형성하도록 하기에 충분한 양으로 상기 액체 방울을 가열함 - ;
    를 포함하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 방법은 코팅부 두께 균일성을 증진시키도록, 상기 코팅부를 형성하는 동안 상기 반도체 웨이퍼를 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 회전하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 상기 코팅부를 형성하는 동안 진동하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 상기 코팅부를 형성하는 동안 초음파 에너지로 처리되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 광 에너지는 열적 광 에너지를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 액체 방울은 제 1 온도 범위내 온도에서 상기 반도체 웨이퍼상에 증착되고, 증착된 이후 상기 코팅부는 제 2 온도 범위내 온도에 노출되며, 상기 제 2 온도 범위는 상기 제 1 온도 범위보다 높은 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  20. 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 전기 저항 히터에 의해 예열되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  21. 반도체 웨이퍼상에 포토레지스트 재료를 증착하는 방법으로서,
    포토레지스트 재료를 포함하는 용액을 10미크론 내지 100미크론의 직경을 가진 액체 방울로 원자화하는 단계;
    열처리 챔버내에 위치하며 적어도 50℃의 온도로 예열되는 반도체 웨이퍼상에 상기 액체 방울을 유도하는 단계;
    상기 액체 방울을 광 에너지에 노출시키는 단계 - 상기 광 에너지는 상기 액체 방울내에 포함된 상기 포토레지스트 재료가 상기 반도체 웨이퍼상에 고체 코팅부를 형성하도록 하기에 충분한 양으로 상기 액체 방울을 가열하며, 상기 광 에너지는 열적 광 에너지를 포함함 -; 및
    코팅부 두께 균일성을 개선하도록, 상기 코팅부를 형성하는 동안 상기 반도체 웨이퍼를 이동시키는 단계
    를 포함하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 액체 방울은 상기 코팅부를 형성하는 동안 100℃ 내지 500℃의 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 상기 코팅부를 형성하는 동안 진동하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  24. 제 21 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 상기 코팅부를 형성하는 동안 회전하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  25. 제 21 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 상기 코팅부를 형성하는 동안 자외선에 노출되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 광 에너지를 사용하여 적어도 50℃로 예열되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  27. 제 21 항에 있어서,
    상기 용액은 적어도 하나의 가열된 노즐을 통해 공급됨으로써 원자화되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  28. 제 21 항에 있어서,
    상기 형성된 코팅부는 적어도 500옹스트롬의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
  29. 제 21 항에 있어서,
    상기 액체 방울은 상기 코팅부를 형성하는 동안 상기 액체 방울내에 포함되는 실질적으로 임의의 모든 용매를 제거하기에 충분한 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 재료 증착 방법.
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