JP6239466B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
被処理体上にパターニングされたレジストに対して、前記レジストの表層を変質させる溶液を供給し、浸潤させることにより、前記レジストの表面を覆うように、弾性を有し、かつ、前記レジストと相溶性がない被膜を形成する被膜形成工程と、
前記レジストの流動性を増加させるように、前記被膜が形成された前記被処理体を加熱する加熱工程と、
を含み、
前記加熱工程において前記被膜と前記被処理体とは固定されている、半導体装置の製造方法が提供される。
先ず、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について、説明する。図1に、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例のフロー図を示す。
S10:被処理体上にパターニングされたレジストの表面を覆うように、弾性を有し、かつ、前記レジストと相溶性がない被膜を形成する被膜形成工程と、
S20:前記被膜が形成された前記被処理体を加熱する加熱工程と、
を有する。
前述した通り、被膜形成工程は、被処理体30上に予めパターニングされたレジスト32(レジストパターン32と呼ぶことがある)の表面を覆うように、弾性を有し、かつ、レジスト32と相溶性がない被膜34を形成する工程である(図2(b)、図3(c)、図4(b)及び図5(b)参照)。
加熱工程は、図2(c)、図3(d)、図4(c)及び図5(c)で示すように、被膜34が形成された被処理体30を、加熱する工程である。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、上述の工程に加えて、その他の工程を有していても良い。その他の工程としては、加熱処理後の被処理体を冷却する冷却工程や、加熱処理後の被処理体から被膜を除去する被膜除去工程が挙げられる。
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法を実施可能な、半導体製造装置について、図を参照して説明する。なお、ここでは、レジスト液塗布から現像処理までを一貫して実施するレジストパターン形成モジュールと、被処理体に被膜を形成する成膜モジュールと、レジストを熱処理する加熱モジュールとを有する半導体製造装置を例に挙げて説明する。
ホット/クーリングプレートユニット等)へと搬出される。そして、焼成処理等が施され、被膜34の形成が終了する。
本実施形態の半導体装置の製造方法が、粗さ特性及び線幅特性に優れたレジストパターンを得られることを実証した実施形態について、説明する。
32 レジスト
34 被膜
100 半導体製造装置
120 キャリア
121 載置台
122 開閉部
124 筐体
130 制御部
140 塗布ユニット
142 基板保持部
144 駆動部
146 カップ
148 排気管
150 ドレイン管
152 ノズル
154 移動機構
156 ガイド部材
158 搬入出口
160 開閉シャッタ
S1 キャリアブロック
S2 処理ブロック
S3 インターフェイスブロック
S4 露光装置
Claims (6)
- 被処理体上にパターニングされたレジストに対して、前記レジストの表層を変質させる溶液を供給し、浸潤させることにより、前記レジストの表面を覆うように、弾性を有し、かつ、前記レジストと相溶性がない被膜を形成する被膜形成工程と、
前記レジストの流動性を増加させるように、前記被膜が形成された前記被処理体を加熱する加熱工程と、
を含み、
前記加熱工程において前記被膜と前記被処理体とは固定されている、半導体装置の製造方法。 - 前記被膜は有機金属化合物膜である、
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記有機金属化合物膜は、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、金属アシレート化合物、金属イソシアネート化合物及びアミン系有機金属化合物の群から選択される1種類又は2種類以上の材料から形成される、
請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記加熱工程における加熱温度は、前記レジストのガラス転移点以上の温度である、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記加熱工程の後に前記被処理体を冷却する冷却工程を更に含む、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記被膜は、パターニングされた前記レジストに対してコンフォーマルに形成される、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014165364A JP6239466B2 (ja) | 2014-08-15 | 2014-08-15 | 半導体装置の製造方法 |
US14/818,409 US20160049292A1 (en) | 2014-08-15 | 2015-08-05 | Semiconductor Device Manufacturing Method |
TW104125466A TWI653515B (zh) | 2014-08-15 | 2015-08-05 | Light lithography processing method |
KR1020150112515A KR102376678B1 (ko) | 2014-08-15 | 2015-08-10 | 반도체 장치의 제조 방법 |
US15/237,840 US10211050B2 (en) | 2014-08-15 | 2016-08-16 | Method for photo-lithographic processing in semiconductor device manufacturing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014165364A JP6239466B2 (ja) | 2014-08-15 | 2014-08-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014209270A JP2014209270A (ja) | 2014-11-06 |
JP6239466B2 true JP6239466B2 (ja) | 2017-11-29 |
Family
ID=51903471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014165364A Active JP6239466B2 (ja) | 2014-08-15 | 2014-08-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20160049292A1 (ja) |
JP (1) | JP6239466B2 (ja) |
KR (1) | KR102376678B1 (ja) |
TW (1) | TWI653515B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6431472B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2018-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法 |
JP6236481B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2017-11-22 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法 |
JP6465189B2 (ja) * | 2016-07-21 | 2019-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び真空処理装置 |
TWI742515B (zh) | 2016-07-21 | 2021-10-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 半導體裝置之製造方法、真空處理裝置及基板處理裝置 |
JP6696491B2 (ja) * | 2016-12-26 | 2020-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び真空処理装置 |
JP6809315B2 (ja) * | 2017-03-15 | 2021-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び真空処理装置 |
JP2020150175A (ja) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | キオクシア株式会社 | 半導体装置の製造方法、パターン膜の製造方法および金属含有有機膜 |
US20220319838A1 (en) * | 2021-04-01 | 2022-10-06 | Tokyo Electron Limited | Method of Line Roughness Reduction and Self-Aligned Multi-Patterning Formation Using Tone Inversion |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6503693B1 (en) * | 1999-12-02 | 2003-01-07 | Axcelis Technologies, Inc. | UV assisted chemical modification of photoresist |
JP2001332484A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Toshiba Corp | パターン処理方法 |
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JP3858730B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2006-12-20 | 富士通株式会社 | レジストパターン改善化材料およびそれを用いたパターンの製造方法 |
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JP4772618B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2011-09-14 | 東京応化工業株式会社 | パターン形成方法、金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法 |
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JP2010102336A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Fujifilm Corp | パターン形成方法 |
JP4985987B2 (ja) * | 2008-10-15 | 2012-07-25 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5177434B2 (ja) * | 2009-04-08 | 2013-04-03 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5193121B2 (ja) * | 2009-04-17 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト塗布現像方法 |
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-
2014
- 2014-08-15 JP JP2014165364A patent/JP6239466B2/ja active Active
-
2015
- 2015-08-05 US US14/818,409 patent/US20160049292A1/en not_active Abandoned
- 2015-08-05 TW TW104125466A patent/TWI653515B/zh active
- 2015-08-10 KR KR1020150112515A patent/KR102376678B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-08-16 US US15/237,840 patent/US10211050B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10211050B2 (en) | 2019-02-19 |
KR20160021040A (ko) | 2016-02-24 |
US20160049292A1 (en) | 2016-02-18 |
US20160358769A1 (en) | 2016-12-08 |
KR102376678B1 (ko) | 2022-03-21 |
JP2014209270A (ja) | 2014-11-06 |
TW201610610A (zh) | 2016-03-16 |
TWI653515B (zh) | 2019-03-11 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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