JP2006243499A - フォトレジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下地13上の反射防止膜14と、反射防止膜と接触し、かつ反射防止膜上の化学増幅フォトレジストからなるレジストパターン16とを含むフォトレジスト構造体12に、エネルギー線を照射し、その後、フォトレジスト構造体を、レジストパターンのガラス転移点以上かつ融点未満の加熱温度で加熱する
【選択図】図1
Description
図1〜図3を参照して、実施の形態1のフォトレジストパターンの形成方法を含む半導体装置の製造方法の一好適例につき説明する。
図1(A)に示すように、フォトレジスト構造体12が形成されたSi基板10を準備する。
つづいて、図1(B)に示すように、フォトレジスト構造体12にエネルギー線を照射する。より詳細には、少なくとも250〜450nmの波長範囲に亘る紫外線を発生することが可能な高圧水銀ランプを用いて、たとえば、約220mW/cm2の放射照度で、フォトレジスト構造体12に紫外線を照射する。これにより、レジストパターン16に残存する酸発生剤からプロトンが発生し、このプロトンが主鎖(PHS)の保護基を脱離させる。これとともに主鎖(PHS)間で架橋反応が生じ、レジストパターン16を構成するPHSポリマーの自由体積が減少する。なお、脱離した保護基は、たとえば、二酸化炭素などの気体となり、レジストパターン16から離脱する。このように、架橋反応の進行、保護基の気体化による離脱および自由体積の減少により、レジストパターン16は、硬化するとともに等方的に収縮(体積減少)する。また、これにより、レジストパターン16は、ガラス転移温度が150℃を超える温度に上昇する。
つづいて、紫外線が照射されたフォトレジスト構造体12を、レジストパターン16のガラス転移点以上かつ融点未満の加熱温度で加熱する。より詳細には、350℃に加熱されたホットプレートに、フォトレジスト構造体12を、約90秒間載置する。これにより、上述したエネルギー線照射工程で説明した保護基の、気体化による離脱および架橋反応が促進され、レジストパターン16の収縮および硬化が進行する。この条件で加熱を行うことにより、最終的に、レジストパターン16は、幅W1が約65nm(設計寸法)にまで収縮するとともに、その厚みhが約360nmにまで収縮する。
そののち、レジストパターン16をエッチングマスクとして、下地膜13のドライエッチングを行う(図1(C)参照)。より詳細には、RIE(リアクティブイオンエッチング)法を用いてドライエッチングを行う。すなわち、RIE装置のエッチングチャンバを正極とし、かつSi基板10を陰極として、両者の間に高周波(13.56MHz)を印加する。これにより反応ガスとしてのCF4(ガス圧:約10Pa)を、プラズマ化し、このプラズマにより下地膜13のレジストパターン16で被覆されていない領域を除去する。
すなわち、工程(2)において、レジストパターン16に紫外線を照射し、工程(3)において、レジストパターン16を加熱することにより、レジストパターン16では架橋反応が進行する。これにより、レジストパターン16は等方的に収縮するとともに、硬化する。この架橋反応によりレジストパターン16の機械的強度が増加し、前述した(ii)型および(iii)型の倒壊が抑制されたものと推測される。
すなわち、工程(2)において、紫外線を照射した際に、レジストパターン16と反射防止膜14との間で架橋反応が生じる可能性がある。つまり、接合面15近傍のレジストパターン16の主鎖(PHS)と、接合面15近傍の反射防止膜14の主鎖との間に、接合面を超えたなんらかの架橋反応が生じ、その結果、反射防止膜14とレジストパターン16との密着力が増大し、前述した(i)型の倒壊が抑制されたものと推測される。なお、この点については、後述する実験例において、反射防止膜14とレジストパターン16との密着力が増大したことを示唆する実験結果を示す。
つづいて、工程(2)および工程(3)を経ることによって、反射防止膜14とレジストパターン16との密着力が増大したことを示唆する実験例を示す。
実験に用いた試料につき、図4を参照して説明する。図4は、試料の断面図である。
工程(2)および工程(3)を実施しない以外は、(実験例1)と同様にして、試料2を作成し、フォトレジスト構造体モデル層40と第1主面30aとの密着力を測定した。
10a,30a 第1主面
12 フォトレジスト構造体
13 下地膜
14,36 反射防止膜
14a 上面
15 接合面
16 レジストパターン
16a 下面
18,38 ポジ型化学増幅レジスト層
19 中間構造体
22 マスク
30 ベアSiウエハ
40 フォトレジスト構造体モデル層
Claims (7)
- 下地上の反射防止膜と、
該反射防止膜と接触し、かつ該反射防止膜上の化学増幅フォトレジストからなるレジストパターンと
を含むフォトレジスト構造体を準備する工程と、
エネルギー線を照射する照射工程と、
その後、前記フォトレジスト構造体を、前記レジストパターンのガラス転移点以上かつ融点未満の加熱温度で加熱する工程と
をことを特徴とするフォトレジストパターンの形成方法。 - 前記加熱を150℃以上かつ360℃以下の温度で行うことを特徴とする請求項1に記載のフォトレジストパターンの形成方法。
- 前記化学増幅フォトレジストとして、ポジ型の化学増幅フォトレジストを用いることを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトレジストパターンの形成方法。
- 前記エネルギー線の照射を、250〜450nmの波長範囲内の、任意の単一波長の紫外線を用いて行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のフォトレジストパターンの形成方法。
- 前記エネルギー線の照射を、250〜450nmの波長範囲に亘る連続波長の紫外線を用いて行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のフォトレジストパターンの形成方法。
- 前記エネルギー線の照射を、電子線を用いて行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のフォトレジストパターンの形成方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のフォトレジストパターンの形成方法を含む半導体装置の製造方法であって、前記加熱の後に、前記フォトレジスト構造体をマスクとして前記下地のドライエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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