JP2005107226A - パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板101上にレジスト膜102を形成し、形成したレジスト膜102に露光光103を選択的に照射してパターン露光を行なう。パターン露光を行なったレジスト膜102を現像して第1レジストパターン102bを形成し、続いて、基板101の上に第1レジストパターン102bを含む全面にわたって、レジストの構成材と架橋する架橋剤と該架橋剤の架橋反応を促進する架橋促進剤である酸とを含む水溶性膜105を形成する。続いて、加熱により水溶性膜105及び第1レジストパターン102bの側面上で接する部分同士を架橋反応させた後、水溶性膜105の第1レジストパターン102bとの未反応部分を除去することにより、第1レジストパターン102bからその側面上に水溶性膜105が残存してなる第2レジストパターン107を形成する。
【選択図】 図2
Description
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.06g
プロプレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図9(a) に示すように、基板1の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.4μmの厚さを持つレジスト膜2を形成する。
2,4,6-トリス(メトキシメチル)アミノ-1,3,5-s-トリアジン (架橋剤)……0.2g
水(溶媒)…………………………………………………………………………………30g
次に、図10(b) に示すように、成膜した水溶性膜5に対して130℃の温度下で60秒間の加熱を行なって、初期レジストパターン2aにおける開口部の側壁部分と該側壁部分と接する水溶性膜5とを架橋反応させる。
T.Ishibashi et al., "Advanced Micro-Lithography Process with Chemical Shrink Technology", Jpn. J. Appl. Phys., Vol.40, 419 (2001)
本発明の第1の実施形態に係るパターン形成方法について図1(a) 〜図1(d) 及び図2(a) 〜図2(c) を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.06g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図1(a) に示すように、基板101の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.4μmの厚さを持つレジスト膜102を形成する。
2,4,6-トリス(メトキシメチル)アミノ-1,3,5-s-トリアジン (架橋剤)……0.2g
酢酸(酸)……………………………………………………………………………0.06g
水(溶媒)…………………………………………………………………………………30g
次に、図2(b) に示すように、成膜した水溶性膜105に対して130℃の温度下で60秒間の加熱を行なって、第1レジストパターン102bにおける開口部102aの側壁部と該側壁部と接する水溶性膜105とを架橋反応させる。ここで、水溶性膜105が第1レジストパターン102bの開口部102aの側壁部とのみ反応するのは、第1レジストパターン102bの上面が露光光103を照射されない未露光部であるため、レジスト膜102から酸が残存していないからである。
以下、本発明の第2の実施形態に係るパターン形成方法について図3(a) 〜図3(d) 及び図4(a) 〜図4(c) を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.06g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図3(a) に示すように、基板201の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.4μmの厚さを持つレジスト膜202を形成する。
2,4,6-トリス(メトキシメチル)アミノ-1,3,5-s-トリアジン (架橋剤)……0.2g
ポリアクリル酸(酸性ポリマー)…………………………………………………0.05g
水(溶媒)…………………………………………………………………………………30g
次に、図4(b) に示すように、成膜した水溶性膜205に対して130℃の温度下で60秒間の加熱を行なって、第1レジストパターン202bにおける開口部202aの側壁部と該側壁部と接する水溶性膜205とを架橋反応させる。ここで、水溶性膜205が第1レジストパターン202bの開口部202aの側壁部とのみ反応するのは、第1レジストパターン202bの上面が露光光203を照射されない未露光部であるため、レジスト膜202から酸が残存していないからである。
以下、本発明の第3の実施形態に係るパターン形成方法について図5(a) 〜図5(d) 及び図6(a) 〜図6(c) を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.06g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図5(a) に示すように、基板301の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.4μmの厚さを持つレジスト膜302を形成する。
2,4,6-トリス(メトキシメチル)アミノ-1,3,5-s-トリアジン (架橋剤)……0.2g
パーフルオロベンゼントリフルオロメタンスルフォン酸エステル(酸発生剤)…………
……………………………………………………………………………………………0.04g
水(溶媒)…………………………………………………………………………………30g
次に、図6(b) に示すように、成膜した水溶性膜305に対して130℃の温度下で60秒間の加熱を行なって、第1レジストパターン302bにおける開口部302aの側壁部と該側壁部と接する水溶性膜305とを架橋反応させる。ここで、水溶性膜305が第1レジストパターン302bの開口部302aの側壁部とのみ反応するのは、第1レジストパターン302bの上面が露光光303を照射されない未露光部であるため、レジスト膜302から酸が残存していないからである。
以下、本発明の第4の実施形態に係るパターン形成方法について図7(a) 〜図7(d) 及び図8(a) 〜図8(c) を参照しながら説明する。
トリフェニルスルフォニウムノナフレート(酸発生剤)………………………0.06g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………………20g
次に、図7(a) に示すように、基板401の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、0.4μmの厚さを持つレジスト膜402を形成する。
2,4,6-トリス(メトキシメチル)アミノ-1,3,5-s-トリアジン (架橋剤)……0.2g
ビスフェノールA(水溶性化合物)………………………………………………0.03g
水(溶媒)…………………………………………………………………………………30g
次に、図8(b) に示すように、成膜した水溶性膜405に対して130℃の温度下で60秒間の加熱を行なって、第1レジストパターン402bにおける開口部402aの側壁部と該側壁部と接する水溶性膜405とを架橋反応させる。ここで、水溶性膜405が第1レジストパターン402bの開口部402aの側壁部とのみ反応するのは、第1レジストパターン402bの上面が露光光403を照射されない未露光部であるため、レジスト膜402から酸が残存していないからである。
102 レジスト膜
102a 開口部
102b 第1レジストパターン
103 露光光
104 マスク
105 水溶性膜
105a 水溶性膜の側壁上部分
107 第2レジストパターン
201 基板
202 レジスト膜
202a 開口部
202b 第1レジストパターン
203 露光光
204 マスク
205 水溶性膜
205a 水溶性膜の側壁上部分
207 第2レジストパターン
301 基板
302 レジスト膜
302a 開口部
302b 第1レジストパターン
303 露光光
304 マスク
305 水溶性膜
305a 水溶性膜の側壁上部分
307 第2レジストパターン
401 基板
402 レジスト膜
402a 開口部
402b 第1レジストパターン
403 露光光
404 マスク
405 水溶性膜
405a 水溶性膜の側壁上部分
407 第2レジストパターン
Claims (13)
- 基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なうことにより、第1レジストパターンを形成する工程と、
前記基板の上に前記第1レジストパターンを含む全面にわたって、前記第1レジストパターンを構成する材料と架橋する架橋剤及び該架橋剤の反応を促進する架橋促進剤を含む水溶性膜を形成する工程と、
前記水溶性膜を加熱することにより、前記水溶性膜及び第1レジストパターンにおける該第1レジストパターンの側面上で接する部分同士を架橋反応させる工程と、
前記水溶性膜における前記第1レジストパターンとの未反応部分を除去することにより、前記第1レジストパターンからその側面上に前記水溶性膜が残存してなる第2レジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記架橋促進剤は、酸であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記架橋促進剤は、酸性ポリマーであることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記架橋促進剤は、熱により酸を発生する酸発生剤であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記架橋促進剤は、水溶性化合物であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記レジスト膜は、化学増幅型レジストからなることを特徴とする請求項1〜5のうちのいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記架橋剤は、1,3,5−N−(トリヒドロキシメチル)メラミン、2,4,6-トリス(メトキシメチル)アミノ-1,3,5-s-トリアジン、2,4,6-トリス(エトキシメチル)アミノ-1,3,5-s-トリアジン、テトラメトキシメチルグリコール尿素、テトラメトキシメチル尿素、1,3,5-トリス(メトキシメトキシ)ベンゼン又は1,3,5-トリス(イソプロポキシメトキシ)ベンゼンであることを特徴とする請求項1〜5のうちのいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記水溶性膜は、ポリビニールアルコール又はポリビニールピロリドンからなることを特徴とする請求項1〜5のうちのいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記酸は、酢酸、塩酸、トリフルオロメタンスルフォン酸又はノナフルオロブタンスルフォン酸であることを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記酸性ポリマーは、ポリアクリル酸又はポリスチレンスルフォン酸であることを特徴とする請求項3に記載のパターン形成方法。
- 前記酸発生剤は、芳香族スルフォン酸エステルであることを特徴とする請求項4に記載のパターン形成方法。
- 前記芳香族スルフォン酸エステルは、パーフルオロベンゼントリフルオロメタンスルフォン酸エステル、4-フルオロベンゼントリフルオロメタンスルフォン酸エステル、2,3,4-トリフルオロベンゼントリフルオロメタンスルフォン酸エステル、ベンゼントリフルオロメタンスルフォン酸エステル、パーフルオロベンゼンノナフルオロブタンスルフォン酸エステル、4-フルオロベンゼンノナフルオロブタンスルフォン酸エステル、2,3,4-トリフルオロベンゼンノナフルオロブタンスルフォン酸エステル又はベンゼンノナフルオロブタンスルフォン酸エステルであることを特徴とする請求項11に記載のパターン形成方法。
- 前記水溶性化合物は、フェノール又はビスフェノールAであることを特徴とする請求項5に記載のパターン形成方法。
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