JP2001091452A - Ａｔｒマッピング測定装置 - Google Patents
Ａｔｒマッピング測定装置Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
- G01N21/552—Attenuated total reflection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/12—Circuits of general importance; Signal processing
- G01N2201/121—Correction signals
- G01N2201/1218—Correction signals for pressure variations
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 測定試料の材質（硬軟の程度）や表面の凹凸
に影響されずに、一定の圧力で良好なＡＴＲスペクトル
が測定できるＡＴＲマッピング測定装置を提供する。 【解決手段】 試料ＳをＸ・Ｙ・Ｚステージ８にセット
し、モータＺ１１で上昇させ、試料ＳがＡＴＲプリズム
５に接触し、さらに密着すると、ＡＴＲプリズム５を保
持している基体２１が上部の圧力センサ２０を動作させ
る。その信号が制御・測定装置９に入力され、所定の圧
力値になれば、解放機構１０のクラッチを解放し、Ｘ・
Ｙ・Ｚステージ８の上下動を停止させる。これにより、
試料Ｓに一定の圧力がかかった状態でスペクトル測定を
することができる。
に影響されずに、一定の圧力で良好なＡＴＲスペクトル
が測定できるＡＴＲマッピング測定装置を提供する。 【解決手段】 試料ＳをＸ・Ｙ・Ｚステージ８にセット
し、モータＺ１１で上昇させ、試料ＳがＡＴＲプリズム
５に接触し、さらに密着すると、ＡＴＲプリズム５を保
持している基体２１が上部の圧力センサ２０を動作させ
る。その信号が制御・測定装置９に入力され、所定の圧
力値になれば、解放機構１０のクラッチを解放し、Ｘ・
Ｙ・Ｚステージ８の上下動を停止させる。これにより、
試料Ｓに一定の圧力がかかった状態でスペクトル測定を
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料表面の分光分
析を行う表面分析装置に係わり、特に、顕微全反射法に
より赤外線顕微鏡等の顕微鏡で試料表面のマッピングを
行うＡＴＲマッピング測定装置に関する。
析を行う表面分析装置に係わり、特に、顕微全反射法に
より赤外線顕微鏡等の顕微鏡で試料表面のマッピングを
行うＡＴＲマッピング測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】試料表面の光学的測定方法として、高屈
折率媒質と低屈折率試料物質との界面で生じる全反射を
利用するＡＴＲ（Ａｔｔｅｎｕａｔｄ Ｔｏｔａｌ Ｒ
ｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）法が知られている。ＡＴＲ法は赤
外領域のみでなく可視光領域でも用いることができ、高
屈折率媒質に接する試料の表面層のみの測定ができるも
のであり、高屈折率のプリズムと試料を密着させること
によって、試料表面付近の情報を得ることができる。そ
して、このプリズムを反射対物鏡に取付けて赤外顕微鏡
と組み合わせることによって微小部分の測定を行うこと
ができる。従来、このようなＡＴＲ法と顕微鏡とを組み
合わせた測定装置において、試料の面分析を行うため
に、例えば、図６に示すような構成の顕微装置が知られ
ている。図６において、１は光学顕微鏡であり、この光
学顕微鏡の対物側にはＡＴＲ法による顕微を行うための
ＡＴＲプリズム５が取り付けられている。光学顕微鏡１
の光源である赤外線光源２から放出された赤外線は、ハ
ーフミラー３、対物反射鏡４、及びその他の光学素子
(図示していない)を介してＡＴＲプリズム５に入射す
る。ＡＴＲプリズム５の赤外線光源２側の界面の角度
は、入射光が全反射することなくプリズム内に入射する
ように、入射光に対して小さな角度に形成され、一方試
料Ｓ側の界面の角度は、プリズム内の光が全反射するよ
う入射光に対して臨界角以上の大きな角度に形成されて
いる。さらに、ＡＴＲプリズムの試料側の形状は、試料
Ｓの分析点と点接触を行うために、試料の表面に対して
少なくとも凸の曲率半径を有する。また、このＡＴＲプ
リズム５は、高屈折率を得るために、例えば、ＺｎＳｅ
またはＧｅ等により形成されている。なお、対物反射鏡
４としては、例えば、シュバルツシルト型反射対物鏡等
が用いられる。ＡＴＲプリズム５及び対物反射鏡４を保
持する基体２１は、光学顕微鏡１の枠体２２に取り付け
られている。また、試料ＳとＡＴＲプリズム５との密着
の検出手段として、接触センサ１４がＸ・Ｙ・Ｚステー
ジ８側、あるいは、光学顕微鏡１側に取り付けられる。
図６では、光学顕微鏡１側に接触センサ１４が取り付け
られている。そして、試料ＳがＡＴＲプリズム５に密着
すると、ＡＴＲプリズム５を保持している基体２１が接
触センサ１４に触れる。そこで、制御・測定装置９は、
接触センサ１４の接触信号により密着状態を検出するこ
とができる。そして、制御・測定装置９はモータＺ１１
の回転を止めて、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８の上下動作を停
止させる。赤外線光源２から放出された赤外線は、ハー
フミラー３を通過し、対物反射鏡４によって、ＡＴＲプ
リズム５に入射される。一方、ＡＴＲプリズム５で全反
射された反射光は、再び対物反射鏡４によって赤外線光
源２方向に進み、ハーフミラー３により検出器６に入射
される。検出器６は、入射光の光強度を測定し、その測
定信号を制御・測定装置９に入力する。制御・測定装置
９は、検出器６からの測定信号により試料の分析点にお
ける吸光度を求めて、測定結果をＣＲＴ７に表示すると
ともに、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８の制御を行う。Ｘ・Ｙ・
Ｚステージ８は、試料Ｓを保持するとともに試料Ｓを３
軸方向（Ｘ、Ｙ、Ｚ）に移動可能とする装置であり、Ｚ
軸方向の１軸の移動をモータＺ１１によって支持棒Ｚ１
３を介して、試料ＳとＡＴＲプリズム５との密着及び離
隔する動作を行い、Ｘ軸及びＹ軸の２軸の移動をモータ
Ｘ・Ｙ１２によって、試料Ｓの分析点を変更する動作を
行う。
折率媒質と低屈折率試料物質との界面で生じる全反射を
利用するＡＴＲ（Ａｔｔｅｎｕａｔｄ Ｔｏｔａｌ Ｒ
ｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）法が知られている。ＡＴＲ法は赤
外領域のみでなく可視光領域でも用いることができ、高
屈折率媒質に接する試料の表面層のみの測定ができるも
のであり、高屈折率のプリズムと試料を密着させること
によって、試料表面付近の情報を得ることができる。そ
して、このプリズムを反射対物鏡に取付けて赤外顕微鏡
と組み合わせることによって微小部分の測定を行うこと
ができる。従来、このようなＡＴＲ法と顕微鏡とを組み
合わせた測定装置において、試料の面分析を行うため
に、例えば、図６に示すような構成の顕微装置が知られ
ている。図６において、１は光学顕微鏡であり、この光
学顕微鏡の対物側にはＡＴＲ法による顕微を行うための
ＡＴＲプリズム５が取り付けられている。光学顕微鏡１
の光源である赤外線光源２から放出された赤外線は、ハ
ーフミラー３、対物反射鏡４、及びその他の光学素子
(図示していない)を介してＡＴＲプリズム５に入射す
る。ＡＴＲプリズム５の赤外線光源２側の界面の角度
は、入射光が全反射することなくプリズム内に入射する
ように、入射光に対して小さな角度に形成され、一方試
料Ｓ側の界面の角度は、プリズム内の光が全反射するよ
う入射光に対して臨界角以上の大きな角度に形成されて
いる。さらに、ＡＴＲプリズムの試料側の形状は、試料
Ｓの分析点と点接触を行うために、試料の表面に対して
少なくとも凸の曲率半径を有する。また、このＡＴＲプ
リズム５は、高屈折率を得るために、例えば、ＺｎＳｅ
またはＧｅ等により形成されている。なお、対物反射鏡
４としては、例えば、シュバルツシルト型反射対物鏡等
が用いられる。ＡＴＲプリズム５及び対物反射鏡４を保
持する基体２１は、光学顕微鏡１の枠体２２に取り付け
られている。また、試料ＳとＡＴＲプリズム５との密着
の検出手段として、接触センサ１４がＸ・Ｙ・Ｚステー
ジ８側、あるいは、光学顕微鏡１側に取り付けられる。
図６では、光学顕微鏡１側に接触センサ１４が取り付け
られている。そして、試料ＳがＡＴＲプリズム５に密着
すると、ＡＴＲプリズム５を保持している基体２１が接
触センサ１４に触れる。そこで、制御・測定装置９は、
接触センサ１４の接触信号により密着状態を検出するこ
とができる。そして、制御・測定装置９はモータＺ１１
の回転を止めて、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８の上下動作を停
止させる。赤外線光源２から放出された赤外線は、ハー
フミラー３を通過し、対物反射鏡４によって、ＡＴＲプ
リズム５に入射される。一方、ＡＴＲプリズム５で全反
射された反射光は、再び対物反射鏡４によって赤外線光
源２方向に進み、ハーフミラー３により検出器６に入射
される。検出器６は、入射光の光強度を測定し、その測
定信号を制御・測定装置９に入力する。制御・測定装置
９は、検出器６からの測定信号により試料の分析点にお
ける吸光度を求めて、測定結果をＣＲＴ７に表示すると
ともに、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８の制御を行う。Ｘ・Ｙ・
Ｚステージ８は、試料Ｓを保持するとともに試料Ｓを３
軸方向（Ｘ、Ｙ、Ｚ）に移動可能とする装置であり、Ｚ
軸方向の１軸の移動をモータＺ１１によって支持棒Ｚ１
３を介して、試料ＳとＡＴＲプリズム５との密着及び離
隔する動作を行い、Ｘ軸及びＹ軸の２軸の移動をモータ
Ｘ・Ｙ１２によって、試料Ｓの分析点を変更する動作を
行う。
【０００３】図７にこの面分析を行う場合の動作を説明
するためのフローチャートを示す。はじめに、分析する
試料Ｓの始点と終点とＸ、Ｙ方向のステップ量を入力し
て設定する（Ｆ１）。そして、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８を
降下させ、ＡＴＲプリズム５の下方位置に、試料Ｓの始
点を位置させる（Ｆ２）。試料ＳとＡＴＲプリズム５を
離した状態でバックグラウンドの測定を行う（Ｆ３）。
次に、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８を上昇させる（Ｆ５）。そ
の時、接触センサ１４は試料Ｓの面がＡＴＲプリズム５
に密着するとそれを感知し、その信号を制御・測定装置
９に入力し、モータＺ１１を介して、Ｘ・Ｙ・Ｚステー
ジ８を停止させる。そしてサンプル測定を行う（Ｆ
７）。その時Ｚ方向の上昇量が装置のメモリに記憶され
る（Ｆ８）。次に、制御・測定装置９はバックグラウン
ド値で補正を行い吸光度を算出する（Ｆ９）。そして、
Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８を降下させる（Ｆ１０）。次に、
Ｘ方向に１ステップ量だけＸ・Ｙ・Ｚステージ８を移動
させる（Ｆ１２）。再びバックグラウンドを測定する
（Ｆ３）。そして、Ｚ方向の上昇量を読み出す（Ｆ１
５）。その上昇量分だけＸ・Ｙ・Ｚステージ８を上昇さ
せる（Ｆ１６）。その時、接触センサ１４は試料Ｓの面
がＡＴＲプリズム５に密着するとそれを感知し、その信
号を制御・測定装置９に入力し、モータＺ１１を介し
て、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８を停止させる。そしてサンプ
ル測定を行う（Ｆ１８）。次に、制御・測定装置９はバ
ックグラウンド値で補正を行い吸光度を算出する（Ｆ
９）。そして、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８を降下させる（Ｆ
１０）。次に、Ｘ方向に１ステップ量だけＸ・Ｙ・Ｚス
テージ８を移動させる（Ｆ１２）。そして、Ｘ方向の第
２端部になれば、Ｘ方向の第１端部に戻し、Ｙ方向に１
ステップ量移動させる（Ｆ１４）。以上の動作を繰り返
し、終点（Ｆ１１）になれば、データがＣＲＴ７に表示
される（Ｆ１９）。
するためのフローチャートを示す。はじめに、分析する
試料Ｓの始点と終点とＸ、Ｙ方向のステップ量を入力し
て設定する（Ｆ１）。そして、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８を
降下させ、ＡＴＲプリズム５の下方位置に、試料Ｓの始
点を位置させる（Ｆ２）。試料ＳとＡＴＲプリズム５を
離した状態でバックグラウンドの測定を行う（Ｆ３）。
次に、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８を上昇させる（Ｆ５）。そ
の時、接触センサ１４は試料Ｓの面がＡＴＲプリズム５
に密着するとそれを感知し、その信号を制御・測定装置
９に入力し、モータＺ１１を介して、Ｘ・Ｙ・Ｚステー
ジ８を停止させる。そしてサンプル測定を行う（Ｆ
７）。その時Ｚ方向の上昇量が装置のメモリに記憶され
る（Ｆ８）。次に、制御・測定装置９はバックグラウン
ド値で補正を行い吸光度を算出する（Ｆ９）。そして、
Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８を降下させる（Ｆ１０）。次に、
Ｘ方向に１ステップ量だけＸ・Ｙ・Ｚステージ８を移動
させる（Ｆ１２）。再びバックグラウンドを測定する
（Ｆ３）。そして、Ｚ方向の上昇量を読み出す（Ｆ１
５）。その上昇量分だけＸ・Ｙ・Ｚステージ８を上昇さ
せる（Ｆ１６）。その時、接触センサ１４は試料Ｓの面
がＡＴＲプリズム５に密着するとそれを感知し、その信
号を制御・測定装置９に入力し、モータＺ１１を介し
て、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８を停止させる。そしてサンプ
ル測定を行う（Ｆ１８）。次に、制御・測定装置９はバ
ックグラウンド値で補正を行い吸光度を算出する（Ｆ
９）。そして、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８を降下させる（Ｆ
１０）。次に、Ｘ方向に１ステップ量だけＸ・Ｙ・Ｚス
テージ８を移動させる（Ｆ１２）。そして、Ｘ方向の第
２端部になれば、Ｘ方向の第１端部に戻し、Ｙ方向に１
ステップ量移動させる（Ｆ１４）。以上の動作を繰り返
し、終点（Ｆ１１）になれば、データがＣＲＴ７に表示
される（Ｆ１９）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＡＴＲマッピン
グ測定装置は以上のように構成されているが、Ｘ・Ｙ・
Ｚステージ８上にセットされた試料Ｓが上昇して、ＡＴ
Ｒプリズム５に接触し、密着することによって接触セン
サ１４が感知し、その信号を制御・測定装置９に入力
し、上昇量をメモリに記憶させ、モータＺ１１を介して
Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８の上昇を停止しており、順次、マ
ッピング測定をする時には、メモリに記憶された上昇量
にしたがって、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８の上下位置を決め
て測定している。そのため、試料Ｓの凹凸や硬軟にかか
わらず、試料ＳとＡＴＲプリズム５がセットされるの
で、試料Ｓの表面状態によって測定されたデータが変化
するという問題があった。
グ測定装置は以上のように構成されているが、Ｘ・Ｙ・
Ｚステージ８上にセットされた試料Ｓが上昇して、ＡＴ
Ｒプリズム５に接触し、密着することによって接触セン
サ１４が感知し、その信号を制御・測定装置９に入力
し、上昇量をメモリに記憶させ、モータＺ１１を介して
Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８の上昇を停止しており、順次、マ
ッピング測定をする時には、メモリに記憶された上昇量
にしたがって、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８の上下位置を決め
て測定している。そのため、試料Ｓの凹凸や硬軟にかか
わらず、試料ＳとＡＴＲプリズム５がセットされるの
で、試料Ｓの表面状態によって測定されたデータが変化
するという問題があった。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、測定試料Ｓの材質（硬軟の程度）や表
面の高さ（凹凸の状態）に変化のある試料Ｓの場合で
も、良好なＡＴＲスペクトルが測定できるＡＴＲマッピ
ング測定装置を提供することを目的とする。
たものであって、測定試料Ｓの材質（硬軟の程度）や表
面の高さ（凹凸の状態）に変化のある試料Ｓの場合で
も、良好なＡＴＲスペクトルが測定できるＡＴＲマッピ
ング測定装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のＡＴＲマッピング測定装置は、試料の表面
に対して凸形状を有するプリズムと、前記試料を保持す
るとともに少なくとも２方向の移動が可能であって、一
方のＺ方向移動により試料とプリズムとの密着及び隔離
を行い他方のＸ−Ｙ方向移動により試料とプリズムとの
密着位置の変更を行う保持移動機構と、前記プリズムに
密着された試料の全反射光を測定する光学装置とからな
るＡＴＲマッピング測定装置において、前記プリズムに
試料が密着する圧力を検知する圧力センサと、この圧力
センサの出力が所定値になったとき、前記保持移動機構
のＺ方向駆動軸に駆動力を解放する解放機構とを備える
ものである。
め、本発明のＡＴＲマッピング測定装置は、試料の表面
に対して凸形状を有するプリズムと、前記試料を保持す
るとともに少なくとも２方向の移動が可能であって、一
方のＺ方向移動により試料とプリズムとの密着及び隔離
を行い他方のＸ−Ｙ方向移動により試料とプリズムとの
密着位置の変更を行う保持移動機構と、前記プリズムに
密着された試料の全反射光を測定する光学装置とからな
るＡＴＲマッピング測定装置において、前記プリズムに
試料が密着する圧力を検知する圧力センサと、この圧力
センサの出力が所定値になったとき、前記保持移動機構
のＺ方向駆動軸に駆動力を解放する解放機構とを備える
ものである。
【０００７】また、本発明のＡＴＲマッピング測定装置
は、前記プリズムに試料が密着する圧力が所定の圧力値
になったとき、前記保持移動機構のＺ方向駆動軸に駆動
力を自動的に解放する解放機構を備えるものである。
は、前記プリズムに試料が密着する圧力が所定の圧力値
になったとき、前記保持移動機構のＺ方向駆動軸に駆動
力を自動的に解放する解放機構を備えるものである。
【０００８】本発明のＡＴＲマッピング測定装置は上記
のように構成されており、プリズムに試料を所定の圧力
で密着し、その圧力を検知する圧力センサからの出力が
制御装置に入力され、試料がセットされたＸ・Ｙ・Ｚス
テージの保持移動機構のＺ方向駆動軸に、駆動力を解放
する解放機構が備えられているので、また、自動的に駆
動力を解放する解放機構が備えられているので、一定の
圧力で試料をプリズムに密着することができる。そのた
め試料の材質（硬軟）や高さ（凹凸）に影響されずに良
好なＡＴＲスペクトルを得ることができる。
のように構成されており、プリズムに試料を所定の圧力
で密着し、その圧力を検知する圧力センサからの出力が
制御装置に入力され、試料がセットされたＸ・Ｙ・Ｚス
テージの保持移動機構のＺ方向駆動軸に、駆動力を解放
する解放機構が備えられているので、また、自動的に駆
動力を解放する解放機構が備えられているので、一定の
圧力で試料をプリズムに密着することができる。そのた
め試料の材質（硬軟）や高さ（凹凸）に影響されずに良
好なＡＴＲスペクトルを得ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明のＡＴＲマッピング測定装
置の一実施例を、図１を参照しながら説明する。図１は
本発明のＡＴＲマッピング測定装置のブロック構成を示
す図である。この実施例では光学顕微鏡１として赤外顕
微鏡の場合を説明する。本装置は、試料Ｓに赤外光を投
影する赤外線光源２と、高屈折率媒質と低屈折率試料物
質との界面で生じる全反射を利用するＡＴＲ（Ａｔｔｅ
ｎｕａｔｄ Ｔｏｔａｌ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）プリ
ズム５と、密着した試料Ｓに赤外光を投影し試料Ｓから
の反射光を捉える大口径の対物反射鏡４と、赤外光を透
過し試料Ｓからの反射光を反射するハーフミラー３と、
その反射光を受けてその信号を制御・測定装置９に入力
する検出器６と、測定試料ＳがセットされたＸ・Ｙ・Ｚ
ステージ８をＺ方向に駆動するモータＺ１１と、その駆
動支持棒Ｚ１３の中間に設けられた駆動を解放する解放
機構１０と、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８をＸ−Ｙ方向に駆動
するモータＸ・Ｙ１２と、ＡＴＲプリズム５に試料Ｓが
一定の圧力で密着したことを検知する圧力センサ２０
と、システム全体を制御し、測定したデータから演算し
て試料Ｓの表面のスペクトルを、ＣＲＴ７上に表示する
制御・測定装置９とから構成されている。
置の一実施例を、図１を参照しながら説明する。図１は
本発明のＡＴＲマッピング測定装置のブロック構成を示
す図である。この実施例では光学顕微鏡１として赤外顕
微鏡の場合を説明する。本装置は、試料Ｓに赤外光を投
影する赤外線光源２と、高屈折率媒質と低屈折率試料物
質との界面で生じる全反射を利用するＡＴＲ（Ａｔｔｅ
ｎｕａｔｄ Ｔｏｔａｌ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）プリ
ズム５と、密着した試料Ｓに赤外光を投影し試料Ｓから
の反射光を捉える大口径の対物反射鏡４と、赤外光を透
過し試料Ｓからの反射光を反射するハーフミラー３と、
その反射光を受けてその信号を制御・測定装置９に入力
する検出器６と、測定試料ＳがセットされたＸ・Ｙ・Ｚ
ステージ８をＺ方向に駆動するモータＺ１１と、その駆
動支持棒Ｚ１３の中間に設けられた駆動を解放する解放
機構１０と、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８をＸ−Ｙ方向に駆動
するモータＸ・Ｙ１２と、ＡＴＲプリズム５に試料Ｓが
一定の圧力で密着したことを検知する圧力センサ２０
と、システム全体を制御し、測定したデータから演算し
て試料Ｓの表面のスペクトルを、ＣＲＴ７上に表示する
制御・測定装置９とから構成されている。
【００１０】赤外線光源２から放出された赤外線は、ハ
ーフミラー３、対物反射鏡４を介してＡＴＲプリズム５
に入射する。ＡＴＲプリズム５の赤外線光源２側の界面
の角度は、入射光が全反射することなくプリズム内に入
射するように、入射光に対して小さな角度に形成され、
一方、試料Ｓ側の界面の角度は、プリズム内の光が全反
射するよう、入射光に対して臨界角以上の大きな角度に
形成されている。さらに、ＡＴＲプリズムの試料側の形
状は、試料Ｓの分析点と点接触を行うために、試料の表
面に対して少なくとも凸の曲率半径を有する。また、こ
のＡＴＲプリズム５は、高屈折率を得るために、ＺｎＳ
ｅまたはＧｅ等により形成されている。なお、対物反射
鏡４としては、シュバルツシルト型反射対物鏡等が用い
られる。以上の構造は従来の装置と同じである。
ーフミラー３、対物反射鏡４を介してＡＴＲプリズム５
に入射する。ＡＴＲプリズム５の赤外線光源２側の界面
の角度は、入射光が全反射することなくプリズム内に入
射するように、入射光に対して小さな角度に形成され、
一方、試料Ｓ側の界面の角度は、プリズム内の光が全反
射するよう、入射光に対して臨界角以上の大きな角度に
形成されている。さらに、ＡＴＲプリズムの試料側の形
状は、試料Ｓの分析点と点接触を行うために、試料の表
面に対して少なくとも凸の曲率半径を有する。また、こ
のＡＴＲプリズム５は、高屈折率を得るために、ＺｎＳ
ｅまたはＧｅ等により形成されている。なお、対物反射
鏡４としては、シュバルツシルト型反射対物鏡等が用い
られる。以上の構造は従来の装置と同じである。
【００１１】本装置と従来装置との異なる点は、ＡＴＲ
プリズム５に試料Ｓが密着する状態を検出する手段が、
本装置では圧力センサ２０を用いて一定の圧力になるよ
うにしているが、従来装置では接触センサ１４を用いて
試料ＳがＡＴＲプリズム５に接触することで両者の距離
を一定にしている。また、本装置では圧力センサ２０か
らの信号で制御・測定装置９から上下駆動軸支持棒Ｚ１
３に設けられた解放機構１０のクラッチを解放にするこ
とで、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８を停止させているが、従来
装置では接触センサ１４からの信号で制御・測定装置９
から上下駆動軸支持棒Ｚ１３の下部に設けられたモータ
Ｚ１３の電源をＯＦＦにすることで、Ｘ・Ｙ・Ｚステー
ジ８を停止させている。図２に解放機構１０の斜視図を
示す。解放機構１０は、下方の軸１７ｂ側に歯１６ｂを
備え、上方の軸１７ａ側に歯１６ａが備えられている。
そして歯１６ａと１６ｂが噛み合い、軸１７ｂの動力が
軸１７ａに伝達される。外部からの信号により、歯１６
ａが上方に逃げ、軸１７ｂから軸１７ａへの動力駆動が
解放される。所謂、かみあいクラッチ機構である。軸１
７ｂは上下駆動用のモータＺ１３につながり、軸１７ａ
はＸ・Ｙ・Ｚステージ８を上下動させるためのネジ回転
部につながれている。この機構により、ＡＴＲプリズム
５と試料Ｓが密着した後、ここに圧力を生じるが、この
圧力を圧力センサ２０で検知し、外部から解放機構１０
を作動させ、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８の試料Ｓに一定の圧
力がかかった状態で停止させる。
プリズム５に試料Ｓが密着する状態を検出する手段が、
本装置では圧力センサ２０を用いて一定の圧力になるよ
うにしているが、従来装置では接触センサ１４を用いて
試料ＳがＡＴＲプリズム５に接触することで両者の距離
を一定にしている。また、本装置では圧力センサ２０か
らの信号で制御・測定装置９から上下駆動軸支持棒Ｚ１
３に設けられた解放機構１０のクラッチを解放にするこ
とで、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８を停止させているが、従来
装置では接触センサ１４からの信号で制御・測定装置９
から上下駆動軸支持棒Ｚ１３の下部に設けられたモータ
Ｚ１３の電源をＯＦＦにすることで、Ｘ・Ｙ・Ｚステー
ジ８を停止させている。図２に解放機構１０の斜視図を
示す。解放機構１０は、下方の軸１７ｂ側に歯１６ｂを
備え、上方の軸１７ａ側に歯１６ａが備えられている。
そして歯１６ａと１６ｂが噛み合い、軸１７ｂの動力が
軸１７ａに伝達される。外部からの信号により、歯１６
ａが上方に逃げ、軸１７ｂから軸１７ａへの動力駆動が
解放される。所謂、かみあいクラッチ機構である。軸１
７ｂは上下駆動用のモータＺ１３につながり、軸１７ａ
はＸ・Ｙ・Ｚステージ８を上下動させるためのネジ回転
部につながれている。この機構により、ＡＴＲプリズム
５と試料Ｓが密着した後、ここに圧力を生じるが、この
圧力を圧力センサ２０で検知し、外部から解放機構１０
を作動させ、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８の試料Ｓに一定の圧
力がかかった状態で停止させる。
【００１２】ＡＴＲプリズム５及び対物反射鏡４は、一
体として基体２１に固定され、そのＡＴＲプリズム５及
び対物反射鏡４を保持する基体２１が、光学顕微鏡１の
枠体２２に取り付けられる。試料ＳがＡＴＲプリズム５
に、所定の圧力で密着していることを検出する検出手段
として、圧力センサ２０がＸ・Ｙ・Ｚステージ８側、あ
るいは、光学顕微鏡１側に取り付けられる。図１では、
光学顕微鏡１側に圧力センサ２０が取り付けられてい
る。そして、試料ＳとＡＴＲプリズム５が密着すると、
両者の間で生じる圧力が圧力センサ２０に伝わる。圧力
センサ２０からの圧力値が、制御・測定装置９に入力さ
れ、その圧力値が一定値（所定の圧力値を予め設定する
ことができる）になれば、制御・測定装置９から、Ｘ・
Ｙ・Ｚステージ８側の上下駆動支持棒Ｚ１３の解放機構
１０に、上下動を解放する信号を送り、解放機構１０の
クラッチを解放する。そして、試料ＳとＡＴＲプリズム
５の密着状態を一定の圧力に保った状態にして、Ｘ・Ｙ
・Ｚステージ８の上下動作を停止させる。これに対し、
従来の試料Ｓの密着検出機構は、試料Ｓがセットされた
Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８が所定の距離を上昇して、ＡＴＲ
プリズム５に接触したことを検知する接触センサ１４を
用いており、所定の上昇値で接触センサ１４が働き、そ
の信号で制御・測定装置９から、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８
の上下動用のモータＺ１１の電源をＯＦＦし、所定の高
さ位置でＸ・Ｙ・Ｚステージ８の上下動作を停止させて
いる。
体として基体２１に固定され、そのＡＴＲプリズム５及
び対物反射鏡４を保持する基体２１が、光学顕微鏡１の
枠体２２に取り付けられる。試料ＳがＡＴＲプリズム５
に、所定の圧力で密着していることを検出する検出手段
として、圧力センサ２０がＸ・Ｙ・Ｚステージ８側、あ
るいは、光学顕微鏡１側に取り付けられる。図１では、
光学顕微鏡１側に圧力センサ２０が取り付けられてい
る。そして、試料ＳとＡＴＲプリズム５が密着すると、
両者の間で生じる圧力が圧力センサ２０に伝わる。圧力
センサ２０からの圧力値が、制御・測定装置９に入力さ
れ、その圧力値が一定値（所定の圧力値を予め設定する
ことができる）になれば、制御・測定装置９から、Ｘ・
Ｙ・Ｚステージ８側の上下駆動支持棒Ｚ１３の解放機構
１０に、上下動を解放する信号を送り、解放機構１０の
クラッチを解放する。そして、試料ＳとＡＴＲプリズム
５の密着状態を一定の圧力に保った状態にして、Ｘ・Ｙ
・Ｚステージ８の上下動作を停止させる。これに対し、
従来の試料Ｓの密着検出機構は、試料Ｓがセットされた
Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８が所定の距離を上昇して、ＡＴＲ
プリズム５に接触したことを検知する接触センサ１４を
用いており、所定の上昇値で接触センサ１４が働き、そ
の信号で制御・測定装置９から、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８
の上下動用のモータＺ１１の電源をＯＦＦし、所定の高
さ位置でＸ・Ｙ・Ｚステージ８の上下動作を停止させて
いる。
【００１３】図４に、試料がセットされたＸ・Ｙ・Ｚス
テージ８が上下動する状態を示す。（ａ）は試料ＳがＡ
ＴＲプリズム５に密着する前の状態を示す。密着するま
ではＸ・Ｙ・Ｚステージ８が上方に移動する。（ｂ）は
試料ＳがＡＴＲプリズム５に接触し、密着時の状態を示
す。この時、試料ＳとＡＴＲプリズム５の間に圧力はか
からない。（ｃ）は一定の圧力で試料ＳがＡＴＲプリズ
ム５に密着した後の状態を示す。（ｃ）の状態、すなわ
ち、密着後は試料ＳとＡＴＲプリズム５間で圧力がかか
り、一定圧まで上昇するが、一定圧に到達後は、Ｘ・Ｙ
・Ｚステージ８を上下動するネジ回転を解放機構１０で
解放することで、これより上方に回転は伝わらず、上昇
は停止する。
テージ８が上下動する状態を示す。（ａ）は試料ＳがＡ
ＴＲプリズム５に密着する前の状態を示す。密着するま
ではＸ・Ｙ・Ｚステージ８が上方に移動する。（ｂ）は
試料ＳがＡＴＲプリズム５に接触し、密着時の状態を示
す。この時、試料ＳとＡＴＲプリズム５の間に圧力はか
からない。（ｃ）は一定の圧力で試料ＳがＡＴＲプリズ
ム５に密着した後の状態を示す。（ｃ）の状態、すなわ
ち、密着後は試料ＳとＡＴＲプリズム５間で圧力がかか
り、一定圧まで上昇するが、一定圧に到達後は、Ｘ・Ｙ
・Ｚステージ８を上下動するネジ回転を解放機構１０で
解放することで、これより上方に回転は伝わらず、上昇
は停止する。
【００１４】次に、図５のフローチャートを用いて、試
料Ｓ表面上の面分析を行う場合の手順について説明す
る。はじめに、面分析の分析位置を指定するために、分
析を開始する始点と終了する終点と分析点間の間隔であ
るステップ量を制御・測定装置９に入力設定する（Ａ
１）。そして、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８を降下させ、ＡＴ
Ｒプリズム５の下方位置に、試料Ｓの始点を位置させる
（Ａ２）。試料ＳとＡＴＲプリズム５を離した状態でバ
ックグラウンドの測定を行う（Ａ３）。次に、Ｘ・Ｙ・
Ｚステージ８を上昇させる（Ａ５）。その時、圧力セン
サ２０は試料Ｓの面がＡＴＲプリズム５に密着し、所定
の圧力を感知し、その信号を制御・測定装置９に入力す
る。その信号を受けて制御・測定装置９は解放機構１０
にクラッチ解放信号を出す。解放機構１０のクラッチが
解放され、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８は停止する（Ａ７）。
そしてサンプル測定を行う（Ａ８）。その時、Ｚ方向の
測定圧力が装置のメモリに記憶される（Ａ９）。次に、
制御・測定装置９はバックグラウンド値で補正を行い吸
光度を算出する（Ａ１０）。そして、Ｘ・Ｙ・Ｚステー
ジ８を降下させる（Ａ１１）。次に、Ｘ方向に１ステッ
プ量だけＸ・Ｙ・Ｚステージ８を移動させる（Ａ１
３）。再びバックグラウンドを測定する（Ａ３）。そし
て、Ｚ方向の測定圧力値を読み出す（Ａ１６）。そし
て、その圧力値になるまでＸ・Ｙ・Ｚステージ８を上昇
させる（Ａ１７）。その時、圧力センサ２０は試料Ｓの
面がＡＴＲプリズム５に密着し、所定の圧力を感知し、
その信号を制御・測定装置９に入力する（Ａ１８）。そ
の信号を受けて制御・測定装置９は解放機構１０にクラ
ッチ解放信号を出す。解放機構１０のクラッチが解放さ
れ、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８は停止する（Ａ１９）。そし
て、サンプル測定を行う（Ａ２０）。次に、制御・測定
装置９はバックグラウンド値で補正を行い吸光度を算出
する（Ａ１０）。そして、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８を降下
させる（Ａ１１）。次に、Ｘ方向に１ステップ量だけＸ
・Ｙ・Ｚステージ８を移動させる（Ａ１３）。そして、
Ｘ方向の第２端部になれば、Ｘ方向の第１端部に戻し、
Ｙ方向に１ステップ量移動させる（Ａ１５）。以上の動
作を繰り返し、終点（Ａ１２）になれば、データがＣＲ
Ｔ７に表示される（Ａ２１）。
料Ｓ表面上の面分析を行う場合の手順について説明す
る。はじめに、面分析の分析位置を指定するために、分
析を開始する始点と終了する終点と分析点間の間隔であ
るステップ量を制御・測定装置９に入力設定する（Ａ
１）。そして、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８を降下させ、ＡＴ
Ｒプリズム５の下方位置に、試料Ｓの始点を位置させる
（Ａ２）。試料ＳとＡＴＲプリズム５を離した状態でバ
ックグラウンドの測定を行う（Ａ３）。次に、Ｘ・Ｙ・
Ｚステージ８を上昇させる（Ａ５）。その時、圧力セン
サ２０は試料Ｓの面がＡＴＲプリズム５に密着し、所定
の圧力を感知し、その信号を制御・測定装置９に入力す
る。その信号を受けて制御・測定装置９は解放機構１０
にクラッチ解放信号を出す。解放機構１０のクラッチが
解放され、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８は停止する（Ａ７）。
そしてサンプル測定を行う（Ａ８）。その時、Ｚ方向の
測定圧力が装置のメモリに記憶される（Ａ９）。次に、
制御・測定装置９はバックグラウンド値で補正を行い吸
光度を算出する（Ａ１０）。そして、Ｘ・Ｙ・Ｚステー
ジ８を降下させる（Ａ１１）。次に、Ｘ方向に１ステッ
プ量だけＸ・Ｙ・Ｚステージ８を移動させる（Ａ１
３）。再びバックグラウンドを測定する（Ａ３）。そし
て、Ｚ方向の測定圧力値を読み出す（Ａ１６）。そし
て、その圧力値になるまでＸ・Ｙ・Ｚステージ８を上昇
させる（Ａ１７）。その時、圧力センサ２０は試料Ｓの
面がＡＴＲプリズム５に密着し、所定の圧力を感知し、
その信号を制御・測定装置９に入力する（Ａ１８）。そ
の信号を受けて制御・測定装置９は解放機構１０にクラ
ッチ解放信号を出す。解放機構１０のクラッチが解放さ
れ、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８は停止する（Ａ１９）。そし
て、サンプル測定を行う（Ａ２０）。次に、制御・測定
装置９はバックグラウンド値で補正を行い吸光度を算出
する（Ａ１０）。そして、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８を降下
させる（Ａ１１）。次に、Ｘ方向に１ステップ量だけＸ
・Ｙ・Ｚステージ８を移動させる（Ａ１３）。そして、
Ｘ方向の第２端部になれば、Ｘ方向の第１端部に戻し、
Ｙ方向に１ステップ量移動させる（Ａ１５）。以上の動
作を繰り返し、終点（Ａ１２）になれば、データがＣＲ
Ｔ７に表示される（Ａ２１）。
【００１５】上記の実施例は、圧力センサ２０を用い
て、その出力が所定値となったとき、Ｘ・Ｙ・Ｚステー
ジ８のＺ方向駆動軸の解放機構１０を解放する方法につ
いて説明したが、図３に示すようなランニングフェース
ラチェット２９を解放機構１０に用いて、所定の圧力値
になったとき自動的に解放するようにしてやれば、圧力
センサ２０を必要としない。ランニングフェースラチェ
ット２９は、軸２５ａがＸ・Ｙ・Ｚステージ８を上下動
させるためのネジ回転部につながれ、軸２５ｂがモータ
１１の回転部につながれている。軸２５ｂと歯２３ｂは
一体で、円板２８ｂのボスになる歯２３ａは軸２５ｂ上
に空転する。圧縮ばね２４によって円板２８ａ、２８ｂ
が上下から鎖歯車２６ａを押す。軸２５ｂを矢印の方向
に回転すると、鎖歯車２６ａは回転する。鎖２７により
鎖歯車２６ｂが回転し、軸２５ａが回転する。Ｘ・Ｙ・
Ｚステージ８が上昇し、ＡＴＲプリズム５と試料Ｓが密
着すると、その負荷による力がかかり、鎖２７を介して
鎖歯車２６ａに伝達される。軸２５ｂから歯２３ｂ、２
３ａを介して円板２８ｂに伝達される回転モーメント
が、鎖歯車２６ａと円板２８ｂ、２８ａ間の摩擦による
モーメントよりも大きくなれば、一定の圧力で、円板２
８ｂがスリップする。この機構により軸２５ｂと軸２５
ａは解放され、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８の上下動は停止す
る。そして、圧縮バネ２４の強さを調整することによ
り、所定の圧力に設定できる。
て、その出力が所定値となったとき、Ｘ・Ｙ・Ｚステー
ジ８のＺ方向駆動軸の解放機構１０を解放する方法につ
いて説明したが、図３に示すようなランニングフェース
ラチェット２９を解放機構１０に用いて、所定の圧力値
になったとき自動的に解放するようにしてやれば、圧力
センサ２０を必要としない。ランニングフェースラチェ
ット２９は、軸２５ａがＸ・Ｙ・Ｚステージ８を上下動
させるためのネジ回転部につながれ、軸２５ｂがモータ
１１の回転部につながれている。軸２５ｂと歯２３ｂは
一体で、円板２８ｂのボスになる歯２３ａは軸２５ｂ上
に空転する。圧縮ばね２４によって円板２８ａ、２８ｂ
が上下から鎖歯車２６ａを押す。軸２５ｂを矢印の方向
に回転すると、鎖歯車２６ａは回転する。鎖２７により
鎖歯車２６ｂが回転し、軸２５ａが回転する。Ｘ・Ｙ・
Ｚステージ８が上昇し、ＡＴＲプリズム５と試料Ｓが密
着すると、その負荷による力がかかり、鎖２７を介して
鎖歯車２６ａに伝達される。軸２５ｂから歯２３ｂ、２
３ａを介して円板２８ｂに伝達される回転モーメント
が、鎖歯車２６ａと円板２８ｂ、２８ａ間の摩擦による
モーメントよりも大きくなれば、一定の圧力で、円板２
８ｂがスリップする。この機構により軸２５ｂと軸２５
ａは解放され、Ｘ・Ｙ・Ｚステージ８の上下動は停止す
る。そして、圧縮バネ２４の強さを調整することによ
り、所定の圧力に設定できる。
【００１６】上記の実施例では、赤外顕微鏡において、
通常採用されているＸ・Ｙ・Ｚステージ８の上下動によ
る試料Ｓの密着を行わせる場合について説明したが、試
料Ｓ側の高さを変えずに、ＡＴＲプリズム５側を上下に
移動させる機構でも同様に可能である。
通常採用されているＸ・Ｙ・Ｚステージ８の上下動によ
る試料Ｓの密着を行わせる場合について説明したが、試
料Ｓ側の高さを変えずに、ＡＴＲプリズム５側を上下に
移動させる機構でも同様に可能である。
【００１７】また、上記の実施例では、赤外顕微鏡の場
合について説明したが、一般的なＡＴＲ測定についても
同様に適用することができる。
合について説明したが、一般的なＡＴＲ測定についても
同様に適用することができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明のＡＴＲマッピング測定装置は上
記のように構成されており、ＡＴＲプリズムに試料が密
着する圧力を圧力センサが検知して、または自動的に、
一定圧力になればＸ・Ｙ・Ｚステージの上下駆動軸に設
けられた動力解放機構を解放することで、ＡＴＲプリズ
ムに試料を一定の圧力で密着することができる。そのた
め試料の材質（硬軟）や高さ（凹凸）に影響されずに良
好なＡＴＲスペクトルを得ることができる。従来のよう
に密着の程度を実測のスペクトルから判断する必要もな
い。マッピング測定においても、始点、終点、ステップ
量を決めてやれば、どの位置でも一定圧の所まで試料が
移動し停止するため、容易にマッピング測定が可能にな
る。
記のように構成されており、ＡＴＲプリズムに試料が密
着する圧力を圧力センサが検知して、または自動的に、
一定圧力になればＸ・Ｙ・Ｚステージの上下駆動軸に設
けられた動力解放機構を解放することで、ＡＴＲプリズ
ムに試料を一定の圧力で密着することができる。そのた
め試料の材質（硬軟）や高さ（凹凸）に影響されずに良
好なＡＴＲスペクトルを得ることができる。従来のよう
に密着の程度を実測のスペクトルから判断する必要もな
い。マッピング測定においても、始点、終点、ステップ
量を決めてやれば、どの位置でも一定圧の所まで試料が
移動し停止するため、容易にマッピング測定が可能にな
る。
【図１】 本発明のＡＴＲマッピング測定装置の一実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図２】 本発明の測定装置の試料上下動の解放機構を
示す図である。
示す図である。
【図３】 本発明の測定装置の試料上下動の自動解放機
構を示す図である。
構を示す図である。
【図４】 本発明の測定装置の動作状態の過程を示す図
である。
である。
【図５】 本発明の測定装置の動作フローチャートを示
す図である。
す図である。
【図６】 従来のＡＴＲマッピング測定装置を示す図で
ある。
ある。
【図７】 従来のＡＴＲマッピング測定装置の動作フロ
ーチャートを示す図である。
ーチャートを示す図である。
１…光学顕微鏡 ２…赤外線光源 ３…ハーフミラー ４…対物反射鏡 ５…ＡＴＲプリズム ６…検出器 ７…ＣＲＴ ８…Ｘ・Ｙ・Ｚ
ステージ ９…制御・測定装置 １０…解放機構 １１…モータＺ １２…モータＸ
・Ｙ １３…支持棒Ｚ １４…接触セン
サ １５…噛合いクラッチ １６ａ、１６ｂ
…歯 １７ａ、１７ｂ…軸 ２０…圧力セン
サ ２１…基体 ２２…枠体 ２３ａ、２３ｂ…歯 ２４…圧縮ばね ２５ａ、２５ｂ…軸 ２６ａ、２６ｂ
…鎖歯車 ２７…鎖 ２８ａ、２８ｂ
…円板 ２９…ランニングフェースラチェット Ｓ…試料
ステージ ９…制御・測定装置 １０…解放機構 １１…モータＺ １２…モータＸ
・Ｙ １３…支持棒Ｚ １４…接触セン
サ １５…噛合いクラッチ １６ａ、１６ｂ
…歯 １７ａ、１７ｂ…軸 ２０…圧力セン
サ ２１…基体 ２２…枠体 ２３ａ、２３ｂ…歯 ２４…圧縮ばね ２５ａ、２５ｂ…軸 ２６ａ、２６ｂ
…鎖歯車 ２７…鎖 ２８ａ、２８ｂ
…円板 ２９…ランニングフェースラチェット Ｓ…試料
Claims (2)
- 【請求項１】試料の表面に対して凸形状を有するプリズ
ムと、前記試料を保持するとともに少なくとも２方向の
移動が可能であって、一方のＺ方向移動により試料とプ
リズムとの密着及び隔離を行い他方のＸ−Ｙ方向移動に
より試料とプリズムとの密着位置の変更を行う保持移動
機構と、前記プリズムに密着された試料の全反射光を測
定する光学装置とからなるＡＴＲマッピング測定装置に
おいて、前記プリズムに試料が密着する圧力を検知する
圧力センサと、この圧力センサの出力が所定値となった
とき、前記保持移動機構のＺ方向駆動軸に駆動力を解放
する解放機構とを備えることを特徴とするＡＴＲマッピ
ング測定装置。 - 【請求項２】試料の表面に対して凸形状を有するプリズ
ムと、前記試料を保持するとともに少なくとも２方向の
移動が可能であって、一方のＺ方向移動により試料とプ
リズムとの密着及び隔離を行い他方のＸ−Ｙ方向移動に
より試料とプリズムとの密着位置の変更を行う保持移動
機構と、前記プリズムに密着された試料の全反射光を測
定する光学装置とからなるＡＴＲマッピング測定装置に
おいて、前記プリズムに試料が密着する圧力が所定の圧
力値になったとき、前記保持移動機構のＺ方向駆動軸に
駆動力を自動的に解放する解放機構を備えることを特徴
とするＡＴＲマッピング測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27173299A JP2001091452A (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | Ａｔｒマッピング測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27173299A JP2001091452A (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | Ａｔｒマッピング測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001091452A true JP2001091452A (ja) | 2001-04-06 |
Family
ID=17504073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27173299A Pending JP2001091452A (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | Ａｔｒマッピング測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001091452A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006112808A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Fujikura Ltd | 表面プラズモンセンサー |
| JP2008070231A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Shimadzu Corp | Ａｔｒ自動密着装置 |
| JP2009534683A (ja) * | 2006-04-26 | 2009-09-24 | パーキンエルマー・シンガポール・ピーティーイー・リミテッド | 減衰全反射（ａｔｒ）分光法用の付属品 |
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-
1999
- 1999-09-27 JP JP27173299A patent/JP2001091452A/ja active Pending
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