JP2001085375A - 化学機械的研磨組成物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 133
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 claims abstract description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 11
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 8
- VPIXQGUBUKFLRF-UHFFFAOYSA-N 3-(2-chloro-5,6-dihydrobenzo[b][1]benzazepin-11-yl)-N-methyl-1-propanamine Chemical compound C1CC2=CC=C(Cl)C=C2N(CCCNC)C2=CC=CC=C21 VPIXQGUBUKFLRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- UJTTUOLQLCQZEA-UHFFFAOYSA-N 9h-fluoren-9-ylmethyl n-(4-hydroxybutyl)carbamate Chemical compound C1=CC=C2C(COC(=O)NCCCCO)C3=CC=CC=C3C2=C1 UJTTUOLQLCQZEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- STIAPHVBRDNOAJ-UHFFFAOYSA-N carbamimidoylazanium;carbonate Chemical compound NC(N)=N.NC(N)=N.OC(O)=O STIAPHVBRDNOAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 acetamido, formyl Chemical group 0.000 claims description 4
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CVSVTCORWBXHQV-UHFFFAOYSA-N creatine Chemical compound NC(=[NH2+])N(C)CC([O-])=O CVSVTCORWBXHQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GTCAXTIRRLKXRU-UHFFFAOYSA-N methyl carbamate Chemical compound COC(N)=O GTCAXTIRRLKXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KQSSATDQUYCRGS-UHFFFAOYSA-N methyl glycinate Chemical group COC(=O)CN KQSSATDQUYCRGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WKNMKGVLOWGGOU-UHFFFAOYSA-N 2-aminoacetamide;hydron;chloride Chemical compound Cl.NCC(N)=O WKNMKGVLOWGGOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N bromic acid Chemical compound OBr(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WVKIFIROCHIWAY-UHFFFAOYSA-N hydron;2-(methylamino)acetic acid;chloride Chemical group Cl.CNCC(O)=O WVKIFIROCHIWAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OQLZINXFSUDMHM-UHFFFAOYSA-N Acetamidine Chemical compound CC(N)=N OQLZINXFSUDMHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical group [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N Caprylic acid Natural products CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N Formamidine Chemical compound NC=N PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 2
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- FFDGPVCHZBVARC-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylglycine Chemical compound CN(C)CC(O)=O FFDGPVCHZBVARC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical group O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- OFLXLNCGODUUOT-UHFFFAOYSA-N acetohydrazide Chemical compound C\C(O)=N\N OFLXLNCGODUUOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 claims description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HAMNKKUPIHEESI-UHFFFAOYSA-N aminoguanidine Chemical compound NNC(N)=N HAMNKKUPIHEESI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 claims description 2
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 claims description 2
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N benzyl(trichloro)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC1=CC=CC=C1 GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 2
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N chloric acid Chemical compound OCl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940005991 chloric acid Drugs 0.000 claims description 2
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000006046 creatine Substances 0.000 claims description 2
- 229960003624 creatine Drugs 0.000 claims description 2
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 108700003601 dimethylglycine Proteins 0.000 claims description 2
- NTNZTEQNFHNYBC-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-aminoacetate Chemical compound CCOC(=O)CN NTNZTEQNFHNYBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VYSYZMNJHYOXGN-UHFFFAOYSA-N ethyl n-aminocarbamate Chemical compound CCOC(=O)NN VYSYZMNJHYOXGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- BEBCJVAWIBVWNZ-UHFFFAOYSA-N glycinamide Chemical compound NCC(N)=O BEBCJVAWIBVWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N n-hexanoic acid Natural products CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims description 2
- DUIOPKIIICUYRZ-UHFFFAOYSA-N semicarbazide Chemical compound NNC(N)=O DUIOPKIIICUYRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- WFJRIDQGVSJLLH-UHFFFAOYSA-N methyl n-aminocarbamate Chemical compound COC(=O)NN WFJRIDQGVSJLLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 3
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 abstract description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- PHFQLYPOURZARY-UHFFFAOYSA-N chromium trinitrate Chemical compound [Cr+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O PHFQLYPOURZARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007521 mechanical polishing technique Methods 0.000 description 2
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDDVVGWTUJSOIV-UHFFFAOYSA-O azanium cerium(3+) tetranitrate tetrahydrate Chemical compound [NH4+].O.O.O.O.[Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O IDDVVGWTUJSOIV-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 230000009920 chelation Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- XZBIXDPGRMLSTC-UHFFFAOYSA-N formohydrazide Chemical compound NNC=O XZBIXDPGRMLSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);trinitrate Chemical compound [La+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- OWIUPIRUAQMTTK-UHFFFAOYSA-M n-aminocarbamate Chemical compound NNC([O-])=O OWIUPIRUAQMTTK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CFYGEIAZMVFFDE-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);trinitrate Chemical compound [Nd+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O CFYGEIAZMVFFDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09G1/00—Polishing compositions
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
導体加工にて使用する化学機械的研磨組成物を提供す
る。 【解決手段】研磨促進剤は、主に被除去物質の除去速度
を高めるために機能し、次式の化合物 (式中、X及びYは独立して孤立電子対含有原子又は原
子グループを示し、R1及びR2は独立してH、アルキ
ル、アミノ、アミノアルキル又はアルコキシである)、
その酸付加塩、又は二以上の前記化合物及び塩からなる
混合物から選択される。化学機械的研磨組成物は、任意
に酸性成分及び/又はその塩を含有してもよく、それに
よって更に除去速度を高めることができる。更に、半導
体ウェハの表面を研磨するために上記化学機械的研磨組
成物を用いる方法を提供する。
Description
成物及び研磨方法に関する。本発明化学機械的研磨組成
物は、半導体ウェハ表面の研磨に有用である。
の一種であり、これは、集積回路製造用フォトリソグラ
フィプロセスにおいて、蒸着フィルムの厚さの違いに起
因するフォーカシングの困難さに伴う問題を処理するた
めに開発された。当初、化学機械的研磨技術は、0.5
ミクロンオーダーサイズの素子の製造に利用された。素
子のサイズの減少に伴い、化学機械的研磨技術は多数の
層に利用されるようになった。0.25ミクロンオーダ
ーの素子が開発されるようになった時、化学機械的研磨
は重要かつ必須の平坦化技術となった。一般に、ワイヤ
回路製造における研磨方法は、研磨ヘッドを備えた回転
盤に半導体ウェハを載せる工程と、研磨性能を高めるた
め、このウェハ表面に研磨粒子及び化学添加剤からなる
研磨スラリーを塗布する工程とを含む。実際、CMP技
術においては、まず研磨する表面の化学的性質を変化さ
せることによってその表面を形状を変化させ、次いでそ
の変化した表面を機械的研磨手法によって除去する。
ための様々なデザイン及び製造プロセスに応じて、異な
る化学機械的研磨スラリーを用いる必要がある。誘電層
の研磨に際し、一般に知られており市販されている研磨
スラリーは通常、塩基性pH領域(すなわち、pH=1
0〜11.5)に調整し、誘電層の除去速度を高める。
また、CeO2又はSi3N4粒子を用いて研磨速度を高
めることは、既に教示されている。例えば、欧州特許出
願公開第0786504(A2)号は、窒化珪素と比較
して二酸化珪素の研磨に対し高い選択性を有する研磨組
成物を開示しており、前記組成物は窒化珪素粒子、水及
び酸を含有する。米国特許第5,759,917号は、
半導体及び集積回路の製造における二酸化珪素及び窒化
珪素研磨用化学機械的研磨組成物及びその研磨方法を開
示している。米国特許第5,759,917号に記載の
組成物は、窒化珪素と比較して二酸化珪素の研磨に対し
高い選択性を有し、塩、溶解性セリウム及びカルボン酸
を含有し、且つそのpH領域は3〜11である。米国特
許第5,861,054号は、窒化珪素と比較して二酸
化珪素の研磨に対し高い選択性を有する、二酸化珪素及
び窒化珪素の研磨に用いる研磨用組成物を開示してお
り、この組成物は、酸性溶媒及び一次粒子径が0.01
〜1000nmの範囲である窒化珪素を含有する。米国
特許第5,891,205号は、半導体デバイスの研磨
用化学機械的研磨組成物を開示しており、この組成物
は、酸化セリウム及び二酸化珪素の混合粒子を含むアル
カリ性水性分散体を含有する。更に、より硬いAl2O3
研磨粒子を用いて研磨速度を高めることも既に教示され
ている。例えば、米国特許第5,084,071号は、
化学機械的研磨スラリーを用いた電子コンポーネント基
板の研磨方法を開示しており、この研磨スラリーは、1
重量%以下のアルミナ、研磨粒子(例、SiO2、Ce
O2、SiC、Si3N4又はFe2O3粒子)、研磨促進
剤としての遷移金属キレート塩(例、アンモニウムイオ
ンEDTA)及び前記塩用の溶媒を含有する。米国特許
第5,336,542号は、アルミナ研磨粒子と、ポリ
アミノカルボン酸(例、EDTA)、そのナトリウム塩
及びそのカリウム塩からなる群より選ばれるキレート剤
とを含有する組成物を開示している。米国特許第5,3
36,542号に記載の組成物は、更にベーマイト又は
アルミニウム塩を含んでもよい。
又は塩基性媒体中で誘電層の除去速度を効果的に高める
ことができる化学機械的研磨組成物を提供することであ
る。誘電体として用いることができる材料として、二酸
化珪素、窒化珪素、硼リン珪酸ガラス(BPSG)、低
誘電率(低k)の物質及びその複合物が挙げられる。ま
た、本発明の化学機械的研磨組成物は、ポリシリコンの
研磨に対しても効果的であることが見出された。
1に示すように、化学機械的研磨スラリーは、二酸化珪
素層を平坦化し窒化珪素層で停止するように用いる必要
がある。二酸化珪素の除去速度は、窒化珪素の除去速度
に対して少なくとも3倍以上でなければならない。従っ
て、本発明の他の目的は、窒化珪素除去速度に対する二
酸化珪素除去速度の比が3以上になることを可能にす
る、半導体デバイス研磨用化学機械的研磨組成物を提供
することである。
銅プロセスにおいては、研磨方法には幾つかのステップ
が含まれる。第一ステップでは、図2(a)に示すよう
に研磨スラリーを用いて半導体の銅フィルムを研磨し、
窒化タンタル(TaN)層で研磨を停止させるが、ここ
で窒化タンタル層除去速度に対する銅フィルム除去速度
の比は少なくとも3を超えていなければならない。第二
ステップでは、図2(b)に示すように別の研磨スラリ
ーを用いて半導体の窒化タンタル層及び銅フィルムを研
磨し、誘電層で研磨を停止させるが、ここで銅フィルム
除去速度に対する窒化タンタル層除去速度の比は少なく
とも1を超えていなければならない。第一及び第二ステ
ップにおいて、銅フィルムはくぼみ現象をおこす可能性
があるので、図2(c)に示すように第三ステップとし
て過研磨を行う必要が生じる場合がある。第三ステップ
に用いる第三の研磨スラリーによって、誘電層の除去速
度を銅フィルム及び窒化タンタル層の除去速度と同等か
あるいはそれ以上にする必要がある。金属の研磨技術
は、先行特許に開示されている。例えば、米国特許第
5,114,437号は、アルミニウム基板用研磨組成
物を開示しており、前記組成物は、平均粒子径が0.2
〜5μmのアルミナ研磨剤と、硝酸クロム(III)、
硝酸ランタン、硝酸アンモニウムセリウム(III)及
び硝酸ネオジムからなる群から選ばれる研磨促進剤とを
含有する。米国特許第5,209,816号は、Al又
はTi含有金属層を化学機械的研磨スラリーを用いて研
磨する方法を開示している。この研磨スラリーは、固体
研磨材料の他に、約0.1〜20容量%のH3PO4及び
約1〜30容量%のH2O2を含有する。米国特許第5,
225,034号は、化学機械的研磨スラリーを開示し
ており、このスラリーは、AgNO3、固体研磨粒子及
びH2O2、HOCl、KOCl、KMgO4又はCH3C
OOHから選ばれる酸化剤を含有する。このスラリー
は、半導体ウェハ上の銅層を研磨し、ウェハ上に銅ワイ
ヤを形成するために用いる。米国特許第5,340,3
70号は、タングステンフィルム又は窒化タングステン
フィルム用化学機械的研磨スラリーを開示しており、こ
のスラリーは、フェリシアン化カリウム等の酸化剤、研
磨剤及び水を含有し、pHが2〜4である。米国特許第
5,516,346号は、チタンフィルム用化学機械的
研磨スラリーを開示しており、前記スラリーは、前記チ
タンフィルムと錯体(complex)を形成するのに十分な
濃度のフッ化カリウム及びシリカ等の研磨剤を含有し、
pHが8未満である。
を効果的に高めることができる化学機械的研磨組成物を
提供することである。各種ICパターンデザイン及び半
導体プロセスに応じて、本発明の化学機械的研磨組成物
は、集積回路内の複数の金属ワイヤ及び誘電層に対し、
同一の又は異なる研磨選択性を提供することができる。
磨剤及び研磨促進剤を含有し、半導体加工に用いる化学
機械的研磨組成物を提供する。研磨促進剤は、主に被除
去物の除去速度を高めるために機能し、次式の化合物
有原子又は原子グループを示し、R1及びR2は独立して
水素原子、アルキル基、アミノ基、アミノアルキル基又
はアルコキシ基を示す)、その酸付加塩、並びに二以上
の前記化合物及び塩からなる混合物から選択される。本
発明の化学機械的研磨組成物は、任意に酸性成分及び/
又はその塩を含有してもよく、それによって更に除去速
度を高めることができる。本発明は更に、上記化学機械
的研磨組成物を用いることを特徴とする半導体ウェハ表
面の研磨方法を提供する。
効果的に研磨するための化学機械的研磨組成物に関し、
前記組成物は、水性媒体、研磨剤及び研磨促進剤を含有
する。本発明の研磨組成物は、研磨剤を0.1〜30重
量%、特に3〜25重量%含有するのが好ましい。ま
た、研磨促進剤を0.01〜5重量%、特に0.03〜
2重量%含有するのが好ましい。
化は化学機械的研磨によって達成される。化学機械的研
磨時に、ウェハ表面から除去された物質はウェハ表面に
再結合し、その表面に蒸着する可能性がある。これは研
磨速度及び平坦化の度合いを減少させるだけでなく、ウ
ェハ表面に欠陥を形成する原因にもなる。従って、ウェ
ハ表面から除去すべき物質の除去を容易にし、それによ
ってこの物質のウェハ表面への再結合を避けるためのキ
レート化能力を有する化合物が必要である。本発明は、
より優れたキレート化特性を有する研磨促進剤を提供す
る。
(O)、硫黄原子(S)又はNH等の孤立電子対含有原
子又は原子グループを示し、R1及びR2は独立して水素
原子、C1〜C6アルキル基、アミノ基、アミノC1〜C6
アルキル基又はC1〜C6アルコキシ基を示す)、その酸
付加塩、並びに二以上の前記化合物及び塩からなる混合
物から選択されるのが好ましい。
原子又は原子グループをキレート化し、それによって前
記物質を除去するメカニズムは、次のようなものである
と考えられる。
ループであり、nはMの価数である)。
酸性、中性又は塩基性のいずれの条件下での研磨に用い
ても除去速度を高めることが見出された。
iO2、Al2O3、ZrO2、CeO 2、SiC、Fe2O
3、TiO2、Si3N4又はその混合物等の市販のもので
よい。これら研磨剤は通常、純度が高い、表面積が大き
い、粒度分布が狭い等の利点を有しており、従って研磨
粒子として研磨組成物に好適に用いられる。
機械的研磨組成物は、研磨促進剤の種類及び濃度、ある
いは研磨粒子の量を変更することにより所望の構成を有
するように調製することができる。本発明に用いる好適
な研磨促進剤の例として、メチルグリシネート、グリシ
ンアミド、アミノグアニジン、セミカルバジド、グアニ
ジン、尿素、ホルムアミジン、アセトアミジン、ホルム
アミド、アセトアミド、ホルミルヒドラジド、アセトヒ
ドラジド、エチルグリシネート、メチルカルバゼート、
エチルカルバゼート、メチルカルバメート、エチルカル
バメート、これらの酸付加塩(例、塩酸塩、硝酸塩、炭
酸塩又は硫酸塩)、これらと同様の構造を有する誘導
体、及び二以上の前記化合物の混合物が挙げられる。好
ましくは、研磨促進剤は、メチルグリシネート塩酸塩、
グリシンアミド塩酸塩、アミノグアニジン炭酸塩、セミ
カルバジド塩酸塩、グアニジン炭酸塩及びこれらの混合
物からなる群から選ばれる。
学機械的研磨組成物は、任意に0.001〜2重量%の
酸成分及び/又はその塩を含有してもよい。本発明に用
いることのできる酸成分は市販の酸でよく、例えば、硝
酸、塩化水素、炭酸、硫酸、亜硫酸、リン酸、亜リン
酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過塩素酸、過臭素酸、
過ヨウ素酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草
酸、ヘキサン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、ア
ジピン酸、グリコール酸、乳酸、クエン酸、リンゴ酸、
酒石酸、シュウ酸、グリシン、クレアチン、ジメチルグ
リシン、アラニン、及びこれらの混合物が挙げられる。
例えば、更に研磨速度を高めるために、本発明の組成物
は炭酸アンモニウムを含有してもよい。
として水を用いることができる。本研磨組成物の調製に
おいて、水、好ましくは従来の脱イオン水を用いて本研
磨組成物をスラリーの形状にすることができる。
及ぼさない限り、本研磨組成物は、従来の化学機械的研
磨組成物に用いられる他の成分を更に含有してもよい。
従って、本発明の化学機械的研磨組成物は、当技術分野
で従来用いられている酸化剤、例えばH2O2、Fe(N
O3)3、KIO3、CH3COOOH又はKMnO4を任
意に含有してもよく、その量は、0.1〜10重量%、
好ましくは0.1〜5重量%、より好ましくは1〜3重
量%である。
るが、本発明はこれら実施例に限定されない。当業者に
よって容易に達成しうる本発明のいかなる改良又は変更
も、本発明に包含されるものである。
mpany製) E.スラリー流速:150ml/分
きる。本発明では、Model SM 300(KLA
−Tencor Company製)を用いて誘電層の
厚さを測定した。金属層の厚さはModel RS 7
5(KLA−Tencor Company製)を用い
て測定した。フィルムの厚さは、フィルム厚測定手段を
用いて研磨試験前後に測定することとする。金属フィル
ムのシート抵抗率を4点プローブにより測定する。フィ
ルムの厚さは次式により求める。
ト抵抗率(Ω/cm2)を表わす)。各種金属フィルム
において、抵抗率係数は一定である。
属フィルムの厚さ(T1)を、上記の装置(Model
RS75)を用いて測定した後、このフィルムを以下
の実施例に示すスラリーを用いて1分間研磨する。次い
で、研磨したウェハをEvergreen Model
10X(Solid State Equipmen
t Corporationより入手可能)により洗浄
する。ウェハを噴霧乾燥した後、金属フィルムの厚さ
(T 2)を装置(Model RS75)を用いて測定
する。金属フィルムの研磨速度はT1−T2で表わされ
る。
アミノグアニジン炭酸塩を含有する化学機械的研磨スラ
リーをそれぞれ調製した。このスラリーを用い、以下の
条件下でTEOSフィルムを研磨した。 圧力:5psi スピンドル回転数:60rpm 盤回転数:50rpm 上記スラリーによる研磨試験結果を表2に示す。
塩基性を示す条件下において、本発明の化学機械的組成
物を用いることにより、研磨速度を向上させることがで
きる。
アニジン炭酸塩を含有する化学機械的研磨スラリーをそ
れぞれ調製した。このスラリーを用い、以下の条件下で
SiO2フィルムを研磨した。 圧力:5psi スピンドル回転数:70rpm 盤回転数:50rpm 上記スラリーによる研磨試験結果を表3に示す。
アニジン炭酸塩を含有する化学機械的研磨スラリーをそ
れぞれ調製した。このスラリーを用い、以下の条件下で
TEOSフィルム及び窒化珪素フィルムを研磨した。 圧力:5psi スピンドル回転数:70rpm 盤回転数:50rpm 上記スラリーによる研磨試験結果を表4に示す。
ことによって、窒化珪素の除去速度に対するTEOSの
除去速度に関し、所望の値が得られることを示す。従っ
て、本発明の研磨組成物を用いることにより、所望の研
磨選択性が得られる。
アニジン炭酸塩を含有し、pH値が3.8〜4.5の範
囲にある化学機械的研磨スラリーをそれぞれ調製した。
このスラリーを用い、以下の条件下で銅フィルム、窒化
タンタルフィルム及びTEOSフィルムを研磨した。 圧力:4psi 背圧:0.5psi スピンドル回転数:55rpm 盤回転数:50rpm 上記スラリーによる研磨試験結果を表5に示す。
用いて図2に示すパターンを形成することができる。例
えば、試験番号1と試験番号2の研磨組成物は第一ステ
ップに用いることができる。試験番号3の研磨組成物は
第二ステップに用いることができる。試験番号4〜6の
研磨組成物は第三ステップに用いることができる。
アニジン炭酸塩を含有し、pH値が3.3〜4.6の範
囲にある化学機械的研磨スラリーをそれぞれ調製した。
このスラリーを用い、以下の条件下でタングステンフィ
ルム、窒化チタンフィルム及び二酸化珪素フィルムを研
磨した。 圧力:5psi スピンドル回転数:70rpm 盤回転数:50rpm 上記スラリーによる研磨試験結果を表6に示す。
で誘電層の除去速度を効果的に高めることができる化学
機械的研磨組成物が提供される。
いて概略的に示したものである。
略的に示したものである。
Claims (14)
- 【請求項1】 水性媒体、研磨剤及び研磨促進剤を含有
し、前記研磨促進剤が次式の化合物 【化1】 (式中、X及びYは独立して孤立電子対含有原子又は原
子グループを示し、R1及びR2は独立して水素原子、ア
ルキル基、アミノ基、アミノアルキル基又はアルコキシ
基を示す)、その酸付加塩、並びに二以上の前記化合物
及び塩からなる混合物から選択される化学機械的研磨組
成物。 - 【請求項2】 X及びYが独立してO、S及びNHから
選択される、請求項1記載の組成物。 - 【請求項3】 前記研磨剤がSiO2、Al2O3、Zr
O2、CeO2、SiC、Fe2O3、TiO2、Si3N4
及びこれらの混合物から選択される、請求項1記載の組
成物。 - 【請求項4】 前記研磨剤を0.1〜30重量%含有す
る、請求項1に記載の組成物。 - 【請求項5】 前記研磨剤を3〜25重量%含有する、
請求項4記載の組成物。 - 【請求項6】 前記研磨促進剤を0.01〜5重量%含
有する、請求項1記載の組成物。 - 【請求項7】 前記研磨促進剤を0.03〜2重量%含
有する、請求項6記載の組成物。 - 【請求項8】 前記研磨促進剤がメチルグリシネート、
グリシンアミド、アミノグアニジン、セミカルバジド、
グアニジン、尿素、ホルムアミジン、アセトアミジン、
ホルムアミド、アセトアミド、ホルミルヒドラジド、ア
セトヒドラジド、エチルグリシネート、メチルカルバゼ
ート、エチルカルバゼート、メチルカルバメート、エチ
ルカルバメート、これらの酸付加塩、これらと同様の構
造を有する誘導体、及び二以上の前記化合物からなる混
合物から選択される、請求項1記載の組成物。 - 【請求項9】 前記研磨促進剤がメチルグリシネート塩
酸塩、グリシンアミド塩酸塩、アミノグアニジン炭酸
塩、セミカルバジド塩酸塩、グアニジン炭酸塩及びこれ
らの混合物からなる群から選択される、請求項8記載の
組成物。 - 【請求項10】 更に酸性成分及び/又はその塩を含有
する、請求項1記載の組成物。 - 【請求項11】 前記酸性成分が硝酸、塩化水素、炭
酸、硫酸、亜硫酸、リン酸、亜リン酸、塩素酸、臭素
酸、ヨウ素酸、過塩素酸、過臭素酸、過ヨウ素酸、ギ
酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ヘキサン酸、
マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、グリコ
ール酸、乳酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、シュウ
酸、グリシン、クレアチン、ジメチルグリシン、アラニ
ン及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求
項10に記載の組成物。 - 【請求項12】 前記塩が炭酸アンモニウムである、請
求項10記載の組成物。 - 【請求項13】 更に酸化剤を含有する、請求項1記載
の組成物。 - 【請求項14】 請求項1〜13のいずれかに記載の化
学機械的研磨組成物を半導体ウェハ表面に適用すること
を含む、半導体ウェハ表面の研磨方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW88111611 | 1999-07-08 | ||
TW088111611A TWI227726B (en) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | Chemical-mechanical abrasive composition and method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001085375A true JP2001085375A (ja) | 2001-03-30 |
JP3366901B2 JP3366901B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=21641438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000208683A Expired - Lifetime JP3366901B2 (ja) | 1999-07-08 | 2000-07-10 | 化学機械的研磨組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6436834B1 (ja) |
JP (1) | JP3366901B2 (ja) |
TW (1) | TWI227726B (ja) |
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JP7493367B2 (ja) | 2020-03-27 | 2024-05-31 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法および半導体基板の製造方法 |
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---|---|
JP3366901B2 (ja) | 2003-01-14 |
US6436834B1 (en) | 2002-08-20 |
TWI227726B (en) | 2005-02-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |