JP3126954B2 - 半導体プロセスに使用する化学機械的研磨剤組成物 - Google Patents

半導体プロセスに使用する化学機械的研磨剤組成物

Info

Publication number
JP3126954B2
JP3126954B2 JP35120598A JP35120598A JP3126954B2 JP 3126954 B2 JP3126954 B2 JP 3126954B2 JP 35120598 A JP35120598 A JP 35120598A JP 35120598 A JP35120598 A JP 35120598A JP 3126954 B2 JP3126954 B2 JP 3126954B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
polishing
polishing composition
composition according
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP35120598A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000049124A (ja
Inventor
リー ツン−ホ
ヤー ツイ−ピン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eternal Materials Co Ltd
Original Assignee
Eternal Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eternal Materials Co Ltd filed Critical Eternal Materials Co Ltd
Publication of JP2000049124A publication Critical patent/JP2000049124A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3126954B2 publication Critical patent/JP3126954B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化学機械的研磨剤組
成物に関する。本発明の化学機械的研磨剤組成物は半導
体ウエハの表面の研磨に有用である。
【０００２】
【従来の技術】半導体工業において、半導体ウエハ表面
の研磨は、半導体ウエハ及び誘電体層の平滑度を高めて
配線回路の製造を容易にするため、一般的に広く用いら
れている技術である。一般に、配線回路製造のための研
磨方法は、研磨ヘッドを有する回転盤上に半導体ウエハ
を載せること、及び研磨効率を高めるために研磨粒子と
酸化剤とからなる研磨スラリーをウエハ表面に塗布する
ことを包含する。
【０００３】米国特許第５，２２５，０３４号は、Ａｇ
ＮＯ3 、固体研磨粒子、及びＨ2 Ｏ 2 、ＨＣｌＯ、ＫＣ
ｌＯ、ＫＭｇＯ4 又はＣＨ3 ＣＯＯＯＨから選択される
酸化剤を含む化学機械的研磨スラリーを開示している。
このスラリーはウエハ上に銅の配線をするために半導体
ウエハ上の銅層を研磨するのに使用される。
【０００４】米国特許第５，２０９，８１６号は、化学
機械的研磨スラリーを用いてＡｌ又はＴｉを含む金属層
を研磨する方法を開示している。この研磨スラリーは固
体研磨材料のほかに約０．１〜２０容量％のＨ3 ＰＯ4
と約１〜３０容量％のＨ2 Ｏ 2 を含む。
【０００５】米国特許第４，９５９，１１３号は、金属
表面を研磨するための水性研磨組成物を用いる方法を開
示している。この水性研磨組成物は水とＣｅＯ2 、Ａｌ
2 Ｏ 3 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ、Ｓｎ
Ｏ2 又はＴｉＣ等の研磨剤、及び周期表ＩＩＡ、ＩＩＩ
Ａ、ＩＶＡ又はＩＶＢ族の金属陽イオンと塩化物、臭化
物、ヨウ化物、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩又は過塩素酸
塩の陰イオンとを含む塩とからなる。この特許はまた研
磨組成物のｐＨを１〜６の範囲に調整するための塩酸、
硝酸、リン酸又は硝酸の使用を開示している。
【０００６】米国特許第５，３９１，２５８号はケイ
素、シリカ又はケイ酸塩複合材料を研磨するための研磨
組成物を開示している。この研磨組成物は研磨粒子のほ
かに過酸化水素とフタル酸水素カリウムを含む。
【０００７】米国特許第５，１１４，４３７号は、平均
粒径０．２〜５μｍを有するアルミナ研磨剤及び硝酸ク
ロム（ＩＩＩ）と硝酸ランタンと硝酸セリウム（ＩＩ
Ｉ）アンモニウムと硝酸ネオジムとからなる群より選択
される研磨促進剤からなるアルミニウム基板用の研磨組
成物を開示している。
【０００８】米国特許第５，０８４，０７１号は、電子
部品基板用の化学機械的研磨スラリーを開示している。
この研磨スラリーは、僅かに１重量％のアルミナを含む
研磨剤粒子（例えば、ＳｉＯ2 、 ＣｅＯ2 、ＳｉＣ、Ｓ
ｉ3 Ｎ4 又はＦｅ2 Ｏ3 粒子）と研磨促進剤として働く
遷移金属キレート塩（例えば、アンモニウム鉄ＥＤＴ
Ａ）と、この塩を溶かすための溶剤とからなる。
【０００９】米国特許第５，４８０，４７６号は、Ｓｉ
Ｏ2 系研磨剤の研磨速度に対するＣｅ4+とＺｒ4+陽イオ
ンの効果を検討している。
【００１０】米国特許第５，３６６，５４２号は、アル
ミナ研磨剤粒子と、ポリアミノカルボン酸（例えば、Ｅ
ＤＴＡ）とこの酸のナトリウム塩及びカリウム塩とから
なる群より選択されるキレート剤とを含有する研磨組成
物を開示している。この組成物はベーマイト又はこれの
アルミニウム塩を更に含有していてもよい。
【００１１】米国特許第５，３４０，３７０号は、フェ
リシアン酸カリウム等の酸化剤と研磨剤と水とを含有
し、ｐＨが２〜４である、タングステン又は窒化タング
ステン膜用の化学機械的研磨スラリーを開示している。
【００１２】米国特許第５，５１６，３４６号は、チタ
ン膜研磨用のスラリーを開示しているが、このスラリー
はこのチタン膜と錯体を形成するのに十分な濃度のフッ
化カリウムとシリカ等の研磨剤と含有し、ｐＨは８未満
である。
【００１３】国際公開番号ＷＯ９６／１６４３６は、直
径０．４００μ未満のメジアン粒径を有する研磨粒子、
第二鉄塩酸化剤及びプロピレングリコールとメチルパラ
ベンとの混合物である水性界面活性剤の懸濁剤を含有す
る化学機械的研磨スラリーを開示している。
【００１４】米国特許第５，５２７，４２３号は、金属
層研磨用の化学機械的スラリーを開示しているが、この
スラリーは硝酸鉄等の酸化成分と少なくとも５０％のγ
相からなるアルミニウム粒子とポリアルキルシロキサン
類又はポリオキシアルキレンエーテル類等の非イオン性
界面活性剤を含有する。
【００１５】研磨組成物粘度が高過ぎて流動不可能であ
ると、研磨粒子は研磨パッド上に堆積して除去させ難く
なり、ウエハ表面を傷つける可能性があることは当業界
では知られている。米国特許第５，５２７，４２３号
は、ポリアルキルシロキサン類又はポリオキシアルキレ
ンエーテル類等の非イオン性界面活性剤の使用を開示し
ているが、これらの界面活性剤は研磨組成物の粘度を効
果的に小さくすることはできない。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
はより経済的で高い研磨性能を有する研磨組成物、及び
粘度が低減された化学機械的研磨剤組成物を提供するこ
とにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】斯かる実状に鑑み本発明
者は鋭意研究を行った結果、７０〜９５重量％の水性媒
体と１〜２５重量％の研磨剤と０．１〜２０重量％の研
磨促進剤とを含み、該研磨促進剤がモノカルボキシ基又
はアミド基を有する化合物と硝酸塩とを含むことを特徴
とする半導体プロセス用化学機械的研磨剤組成物が上記
目的を達成することを見出し本発明を完成した。
【００１８】すなわち本発明は、７０〜９５重量％の水
性媒体と１〜２５重量％、好ましくは３〜１０重量％、
更に好ましくは４〜６重量％の研磨剤と０．１〜２０重
量％、好ましくは１〜１０重量％、特に好ましくは１〜
６重量％、更に好ましくは２〜５重量％の研磨促進剤と
を含み、該研磨促進剤がモノカルボキシ基又はアミド基
を有する化合物と硝酸塩とを含むことを特徴とする半導
体プロセス用化学機械的研磨剤組成物を提供するもので
ある。
【００１９】また、本発明の化学機械的研磨剤組成物
は、ポリカルボン酸、ポリアクリル酸共重合体又はこれ
らの塩類等の陰イオン性界面活性剤を、該研磨剤組成物
の粘度を減少させるために更に含むことができる。
【００２０】本発明の化学機械的研磨剤組成物は、１〜
１５重量％、好ましくは４〜８重量％の酸化剤を更に含
むことができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明によれば、研磨剤組成物に
使用する研磨剤はＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、Ｃ
ｅＯ2 、ＳｉＣ、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 又
はこれらのいずれかの混合物等の商業的に入手可能な粒
状の研磨剤のいずれでもよい。
【００２２】本発明によれば、研磨剤組成物に使用する
酸化剤は過酸化物類、塩素酸塩類、亜塩素酸塩類、過塩
素酸塩類、臭素酸塩類、亜臭素酸塩類、過臭素酸塩類、
硝酸塩類又はこれらの混合物等の商業的に入手可能な酸
化剤のいずれでもよい。
【００２３】本発明によれば、研磨剤組成物に使用する
モノカルボキシ基を有する化合物は、（ａ）式（１）の
モノカルボキシ基化合物
【００２４】
【化１】R1COOR2 （１）
【００２５】（Ｒ1 は水素、Ｃ1 〜Ｃ6 のアルキル又は
Ｃ1 〜Ｃ6 のヒドロキシアルキルを示し、Ｒ2 は水素、
アンモニウム又はアルカリ金属イオン、好ましくはカリ
ウムイオンを示す。）又は（ｂ）アミノ酸化合物、より
選択される。
【００２６】上記化合物（ａ）の例としては、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ヘキサン酸、グリコ
ール酸、乳酸及びそれらの塩類が挙げられる。上記化合
物（ｂ）の例としては、グリシン、サルコシン、ジメチ
ルグリシン、アラニン及びこれらの塩類が挙げられる。
【００２７】本発明において研磨促進剤として使用され
るアミド基を有する化合物の例としては、ホルムアミ
ド、アセトアミド、プロピオンアミド、Ｎ−メチルホル
ムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、尿素、メチル尿
素、エチル尿素、ジメチル尿素及びジエチル尿素が挙げ
られる。
【００２８】本発明において使用される硝酸塩は、当業
者によく知られているアルカリ金属塩又はアンモニウム
塩である。
【００２９】本発明において使用される研磨促進剤は、
通常の化学物質であって、危険性が少なく且つ半導体プ
ロセスの作業者の健康及び環境に対し重大な損害をもた
らさない物質を含む。
【００３０】研磨剤組成物の粘度は、研磨剤粒子表面の
Ｓｉ−ＯＨ基又はＡｌ−ＯＨ基と水分子との間の水素結
合生成のために増加すると考えられている。従って、研
磨剤粒子と水分子との間の水素結合生成を低減するため
に、研磨剤粒子表面に効果的にポリマーが塗布され、膜
が生成していれば本研磨剤組成物の粘度を減少すること
が可能であろう。
【００３１】従って本発明は又、粘度が低減された化学
機械的研磨剤組成物を提供する。該組成物は７０〜９５
重量％の水性媒体と１〜２５重量％、好ましくは３〜１
０重量％の研磨剤と０．１〜２０重量％、好ましくは１
〜６重量％の研磨促進剤と０．０１〜１重量％、好まし
くは０．１〜０．５重量％の粘度低減剤としての陰イオ
ン界面活性剤をを含み、該研磨促進剤がモノカルボキシ
基又はアミド基を有する化合物と硝酸塩とを含む。本発
明の研磨剤組成物に好適な陰イオン界面活性剤は、ポリ
カルボン酸化合物及びその塩類、ポリアクリル酸共重合
体及びその塩類及びこれらの重合体類及び塩類の二種類
以上の混合物から選択される。
【００３２】本発明において、上記化学機械的研磨剤組
成物は１〜１５重量％、好ましくは４〜８重量％の酸化
剤を更に含んでいてもよい。本発明の好ましい態様にお
いて、本発明の化学機械的研磨剤組成物は７０〜９５重
量％の水性媒体と４〜６重量％の研磨剤と２〜４重量％
の研磨促進剤と４〜８重量％の酸化剤と０．１〜０．５
重量％の粘度低減剤（陰イオン界面活性剤）とを含んで
いてもよい。
【００３３】本発明の研磨剤組成物は、媒体として水を
使用してもよい。本研磨剤組成物の調製に際して、組成
物をスラリーにするために水、好ましくは脱イオン水を
用いてもよい。
【００３４】本発明の研磨剤組成物は、化学機械的研磨
剤分野において従来使用されている諸成分を、それらが
本発明の研磨剤組成物に悪影響を及ぼさない限り更に含
んでいてもよい。例えば、本発明の研磨剤組成物を銅製
造プロセスに使用する際、高速の銅腐食を防止するため
にベンゾトリアゾール及び／又はその誘導体を含有して
いてもよく、この含有率は０．０５〜０．２重量％程度
が好ましい。
【００３５】本発明の研磨剤組成物は従来の方法により
調製可能である。例えば、まず研磨剤を水に加え、研磨
剤粒子が完全に水に懸濁するまで該混合物を高せん断力
で連続的に攪拌することによって研磨剤スラリーを調製
できる。その後、スラリー中の研磨剤粒子が所望の固形
分となるように、更に水をスラリーに加える。本発明に
おいて、該スラリーの固形分は１〜２５重量％、好まし
くは３〜１０重量％の範囲にある。続いて、得られたス
ラリーに前記の添加物を入れ、例えば水酸化アンモニウ
ムによりスラリーのｐＨを所望の範囲に調整する。例え
ば、研磨すべき金属膜がＷ膜ならばｐＨは１．５〜２．
５、好ましくは１．８〜２．３の範囲に、Ａｌ膜ならば
ｐＨは３．０〜４．５、好ましくは３．８〜４．２の範
囲に、更にＣｕ膜ならばｐＨは３．０〜４．５又は６．
０〜７．０、好ましくは３．８〜４．０又は６．２〜
６．６の範囲に調整することができる。最後に、得られ
たスラリーをろ過して本発明の研磨剤組成物を得る。本
発明の研磨剤組成物の調製は好適ないずれの温度、好ま
しくは２０〜４０℃の温度範囲で行える。
【００３６】本発明を以下の実施例により更に説明する
が、これらに限定されるものではない。当業者によって
達成可能な本発明に関するいかなる改良及び変更も、本
発明の範囲に含まれる。
【００３７】
【実施例】実施例１ アルミナ粒子（住友化学製、型番号ＡＫＰ−Ｇ００８）
５ｋｇを脱イオン水２０ｋｇに加えた。高せん断力の撹
拌器を使用して混合物を連続して撹拌し、アルミナ粒子
を水に完全に懸濁させ、スラリーを調製した。次いで、
脱イオン水２４．５ｋｇを加えてスラリーの固形成分が
１０重量％を少し超えるようにスラリーを希釈した。次
に過硫酸アンモニウム２．７８ｋｇとホルムアミド２．
７８ｋｇをスラリーに加えた。このスラリーを３０分間
撹拌後、スラリーのｐＨが約３．８になるように調整し
た。得られたスラリーをろ過して、固形成分が約９重量
％の本発明化学機械的研磨剤組成物を得た。得られた組
成物の研磨試験の結果を表１に示す。
【００３８】実施例２ ホルムアミドをプロピオン酸３．３３ｋｇに代えて、実
施例１と同様の調整を行った。得られた組成物の研磨試
験の結果を表１に示す。
【００３９】 研磨試験 Ａ．装置： ＩＰＥＣ／Ｗｅｓｔｅｃｈ４７２ Ｂ．条件： 圧力：５ｐｓｉ 温度：２５℃ スピンドル速度：５０ｒｐｍ 回転盤速度：５５ｒｐｍ パッド型：Ｒｏｄｅｌ ＩＣ １４００ スラリー流量：１５０ｍｌ／ｍｉｎ Ｃ．ウエハ： Ａｌ膜：シリコンバレー・マイクロエレクトロニクス（Silicon Valley Microelectronics ）社から市販されているもので、６インチシリコンウ エハ上に厚み０．８５±５％μｍの膜がＣＶＤ蒸着されており、純度はＡｌ９８ ．５％、Ｓｉ１％、およびＣｕ０．５％である。 Ｄ．スラリー：実施例１と２のスラリーは、同じ容積であり、Ｈ2 Ｏ2 を５重量 ％含む。スラリーは１５分間均一になるよう撹拌した後に、試験した。
【００４０】研磨試験方法 研磨試験前後には、研磨するウエハの厚みを厚み測定器
により測定するべきである。金属膜のシート抵抗は四探
針プローブで測定する。膜厚は次式から算出する。
【００４１】
【数１】Ｔ×Ｒ＝抵抗率係数
【００４２】ここで、Ｔは膜厚（Å）、Ｒはシート抵抗
（Ω／ｃｍ2 ）を示す。種々の金属膜について、抵抗率
係数は常数である。
【００４３】本発明では，金属の膜厚測定にＫＬＡ−テ
ンカー(KLA−Tencor）社のＲＳ７５型を用いた。
【００４４】酸化物の膜厚は、当業者にはよく知られる
光学理論により直接測定可能である。本発明では酸化物
の膜厚測定にＫＬＡ−テンカー（KLA −Tencor）社のＳ
Ｍ３００型を用いた。
【００４５】研磨速度を下記の方法により測定する。ま
ず金属膜厚Ｔ１をＲＳ７５型器を用いて測定する。金属
膜を上記の条件で１分間、例示スラリーを用いて研磨す
る。次いで、回転盤とウエハをソリッド・ステート・エ
クイップメント（Solid State Equipment ）社製エバー
グリーン１０Ｘ型器で洗浄する。ウエハをスプレイ乾燥
し、金属膜厚Ｔ2 をＲＳ７５型器で測定する。金属膜用
の例示するスラリーの研磨速度をＴ1 −Ｔ2 で示す。試
験データを表１に示す。
【００４６】
【表１】
【００４７】実施例３ 下記配合の研磨スラリーを実施例１に記載したのと同様
の方法で調製した。 研磨粒子：シリカ（デグサ（Degussa ）製Ａｅｒｏｓｉ
ｌ ９０） スラリー固形分濃度：６重量％ 硝酸アンモニウム： ３重量％ 尿素： ３重量％ スラリーはＨＮＯ3 とＮＨ4 ＯＨでｐＨが約２．２にな
るように調整した。得られた研磨組成物の研磨試験結果
を表２に示す。
【００４８】比較実施例１ 下記配合の研磨スラリーを実施例３に記載した方法と同
様の方法で調製した。 研磨粒子：シリカ（デグサ（Degussa ）製Ａｅｒｏｓｉ
ｌ９０） スラリー固形分濃度：６重量％ 硝酸アンモニウム： ３重量％ シュウ酸： ３重量％ スラリーはＨＮＯ3 とＮＨ4 ＯＨでｐＨが約２．２にな
るように調整した。得られた研磨組成物の研磨試験結果
を表２に示す。
【００４９】 研磨試験 Ａ．装置：ＩＰＥＣ／Ｗｅｓｔｅｃｈ４７２ Ｂ．条件：下向き力： ７．５ｐｓｉ 背圧： ０ｐｓｉ 温度： ２５℃ 回転盤速度： ５０ｒｐｍ キャリア速度：５５ｒｐｍ パッド型： Ｒｏｄｅｌ ＩＣ １４００、Ｋ−ＧＲＶ スラリー流量：１５０ｍｌ／ｍｉｎ Ｃ．ウエハ： Ｗ膜：シリコンバレー マイクロエレクトロニクス（Silicon Valley Microelectronics ）社から市販されているもので、６インチシリコンウ エハ上に厚み０．８５±５％μｍの膜がＣＶＤ蒸着されている。 Ｄ．スラリー：実施例３と比較例１のスラリーは、Ｈ2 Ｏ2 に対するスラリー容 積比が５：１になるように３０重量％のＨ2 Ｏ2 を混合したものである。研磨試 験の方法は前記のものと実質的に同じである。得られた試験データを表２に示す 。
【００５０】
【表２】
【００５１】ＩＣの銅回路調製工程においては、Ｔａが
バリヤ金属膜として最も一般的に用いられているが、Ｔ
ａは化学的に高耐蝕性であるため効果的なＴａ研磨は通
常困難である。本発明の研磨組成物はＴａに対する良好
な研磨効率を提供できることが見出された。この研磨効
率を下記の実施例に示す。
【００５２】実施例４ アルミナを４．７２ｋｇ、過硫酸アンモニウムを３．６
１ｋｇを用い、ホルムアミドに代えてを尿素２．５０ｋ
ｇを用いた以外は，実施例１と同様の調製段階を繰り返
した。得られた組成物の研磨試験の結果を表３に示す。
【００５３】実施例５ アルミナをシリカ（Ａｅｒｏｓｉｌ ９０、デグサ（De
gussa ））５．５５ｋｇに、尿素をグリシン４．４４ｋ
ｇに代えて、更に過硫酸アンモニウムを２．２２ｋｇを
用いた以外は，実施例４と同様の調製段階を繰り返し
た。得られた組成物の研磨試験の結果を表３に示す。
【００５４】実施例６ グリシンと過硫酸アンモニウムに代えてグリコール酸
２．７８ｋｇを用いた以外は，実施例５と同様の調製段
階を繰り返した。得られた組成物の研磨試験の結果を表
３に示す。
【００５５】実施例７ グリコール酸に代えてギ酸１．６５ｋｇを用いた以外
は，実施例６と同様の調製段階を繰り返した。得られた
組成物の研磨試験の結果を表３に示す。
【００５６】実施例８ グリコール酸に代えてアセトアミド２．７８ｋｇと硝酸
アンモニウム２．７８ｋｇで置換した以外は，実施例６
と同様の調製段階を繰り返した。得られた組成物の研磨
試験の結果を表３に示す。
【００５７】比較例２ 尿素に代えてクエン酸２．７８ｋｇを用い、更に過硫酸
アンモニウムを２．７８ｋｇ用いた以外は，実施例４と
同様の調製段階を繰り返した。得られた組成物の研磨試
験の結果を表３に示す。
【００５８】 研磨試験 Ａ．装置：ＩＰＥＣ／Ｗｅｓｔｅｃｈ４７２ Ｂ．条件：下向き力：５ｐｓｉ 温度： ２５℃ スピンドル速度：５０ｒｐｍ 回転盤速度： ５５ｒｐｍ パッド型： Ｒｏｄｅｌ ＩＣ １０００ＫＧＲＶ スラリー流量：１５０ｍｌ／ｍｉｎ Ｃ．ウエハ： Ｔａ膜：シリコンバレー マイクロエレクトロニクス社（Silico n Valley Microelectronics ）から市販されているもので、６インチシリコンウ エハ上に厚み０．５±５％μｍの膜がＣＶＤ蒸着されている。 Ｄ．スラリー：実施例３と４、及び比較例２のスラリーは、７重量％の臭素酸カ リウムを含む水溶液の容積と等しくなるように調製されており、１５分間均一に なるように撹拌した後に試験に付した。更に、実施例５〜７の各スラリーは、５ 重量％のＨ2 Ｏ2 を含む水溶液の容積と等しくなるように調製されており、１５ 分間均一になるように撹拌した後に試験に付した。研磨試験の方法は、前記のも のと実質的に同じである。得られた試験データを表３に示す。
【００５９】
【表３】
【００６０】上記実施例から、本発明にかかわる研磨組
成物が金属膜、特にＷ、Ａｌ及びＴａ膜の研磨速度を効
果的に向上できることは明白である。
【００６１】前記のように本発明の他の実施態様による
と、本研磨組成物はその粘度を効果的に低下させるため
に更に陰イオン性界面活性剤を含んでもよい。この態様
を下記の実施例で示す。
【００６２】実施例９ 実施例１で使用したアルミナ粒子２．４ｋｇを脱イオン
水３０．９ｋｇに室温で加えた。混合物を高せん断力の
撹拌器を使用して連続して撹拌し、アルミナ粒子を水に
完全に分散させ、スラリーを調製した。次いで、スラリ
ーにギ酸３．２ｋｇ、Ｂｏｅｍｉｔｅ（コンデア（Cond
ea）社市販のアルミナの商標）を０．４８ｋｇ、過硫酸
アンモニウムを１．６ｋｇ及びポリエチレングリコール
（アルドリッチ（Aldrich ）Ａｒ．２０、２４０−１）
０．０３ｋｇを順に加えた。スラリーのｐＨを約３．８
になるようにＨＮＯ3 とＮＨ4 ＯＨで調整した。次いで
スラリーをろ過して、本発明の化学機械的研磨剤組成物
を得た。得られた組成物の粘度試験の結果を表４に示
す。
【００６３】実施例１０ ポリエチレングリコールをＢＹＫ−０２２（ポリアルキ
ルシロキサンの一種）０．０３ｋｇに代えた以外は同条
件で、実施例９の調製段階を繰り返した。次いでスラリ
ーをろ過して、本発明の化学機械的研磨剤組成物を得
た。得られた組成物の粘度試験の結果を表４に示す。
【００６４】実施例１１ ポリエチレングリコールをＤｉｓｐｅｘ ＧＡ４０（ア
ライド コロイド（Allied Colloids ）社製）０．０３
ｋｇに代えた以外は同条件で、実施例９の調製段階を繰
り返した。次いでスラリーをろ過して、本発明の化学機
械的研磨剤組成物を得た。得られた組成物の粘度試験の
結果を表４に示す。
【００６５】比較例３ ポリエチレングリコールを使用しない以外は同条件で、
実施例９の調製段階を繰り返した。得られた組成物の粘
度試験の結果を表４に示す。
【００６６】粘度試験 実施例８〜１０及び比較例３の各スラリー１リットル
を、ブルックフィールドＬＶＦモデル（Ｎｏ．１、６０
ｒｐｍ）で試験して、粘度を決定した。試験結果を表４
に示す。
【００６７】
【表４】
【００６８】表４に示す結果から、米国特許第５，４７
６，６０６号に開示されているポリアルキルシロキサン
やポリオキシアルキレンエーテル等の非イオン性界面活
性剤は、研磨組成物の粘度を効果的に低下させることが
できないことがわかる。本発明による陰イオン性界面活
性剤添加は、研磨組成物粘度を効果的に低下できる。
【００６９】本発明は、ここに記載された特定の態様に
限定されるものではなく、且つ、本発明の範囲及び趣旨
を逸脱することなく種々の変更と改良がなされ得ること
が理解されよう。
【００７０】
【発明の効果】本発明の研磨剤組成物は、優れた研磨性
能を有し、かつ粘度が低く、ウエハ表面を傷つけない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ツイ−ピン ヤー 台湾，カオシュン，クサン ディストリ クト，ネイウェイ ロード，レーン459, エヌオー．11 (56)参考文献 特開 平10−172937（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−46140（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−218680（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 622 B24B 37/00 C09K 3/14 550

Claims (21)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ７０〜９５重量％の水性媒体と１〜２５
    重量％の研磨剤と０．１〜２０重量％の研磨促進剤とを
    含み、該研磨促進剤がモノカルボキシ基又はアミド基を
    有する化合物と硝酸塩とを含むことを特徴とする半導体
    プロセス用化学機械的研磨剤組成物。
  2. 【請求項２】 研磨剤を３〜１０重量％含み研磨促進剤
    を１〜６重量％含むものである請求項１記載の研磨剤組
    成物。
  3. 【請求項３】 モノカルボキシ基を有する化合物がギ
    酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ヘキサン酸、
    グリコール酸、乳酸、グリシン、サルコシン、ジメチル
    グリシン、アラニン、これらの塩類、及びこれらの酸類
    若しくはこれらの塩類の二種類以上の混合物から選ばれ
    るものである請求項１又は２記載の研磨剤組成物。
  4. 【請求項４】 アミド基を有する化合物がホルムアミ
    ド、アセトアミド、プロピオンアミド、Ｎ−メチルホル
    ムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、尿素、メチル尿
    素、エチル尿素、ジメチル尿素及びジエチル尿素から選
    ばれるものである請求項１又は２記載の研磨剤組成物。
  5. 【請求項５】 更に酸化剤を１〜１５重量％含むことを
    特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の研磨剤組
    成物。
  6. 【請求項６】 酸化剤を４〜８重量％含有することを特
    徴とする請求項５記載の研磨剤組成物。
  7. 【請求項７】 酸化剤が過酸化物類、塩素酸塩類、亜塩
    素酸塩類、過塩素酸塩類、臭素酸塩類、亜臭素酸塩類、
    過臭素酸塩類、硝酸塩類及びこれらの混合物から選ばれ
    るものである請求項５又は６記載の研磨剤組成物。
  8. 【請求項８】 研磨剤がＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、
    ＣｅＯ2、ＳｉＣ、Ｆｅ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4及びこ
    れらの混合物から選ばれるものである請求項１〜７のい
    ずれか１項記載の研磨剤組成物。
  9. 【請求項９】 ７０〜９５重量％の水性媒体と１〜２５
    重量％の研磨剤と０．１〜２０重量％の研磨促進剤と
    ０．０１〜１重量％の陰イオン性界面活性剤とを含み、
    該研磨促進剤がモノカルボキシ基又はアミド基を有する
    化合物と硝酸塩とを含むことを特徴とする半導体プロセ
    ス用化学機械的研磨剤組成物。
  10. 【請求項１０】 陰イオン性界面活性剤がポリカルボン
    酸化合物類及びその塩類、ポリアクリル酸共重合体類及
    びその塩類並びにこれらの重合体類及び／又は塩類の二
    種類以上の混合物から選ばれるものである請求項９記載
    の研磨剤組成物。
  11. 【請求項１１】 研磨剤を３〜１０重量％含み研磨促進
    剤を１〜６重量％含むものである請求項９記載の研磨剤
    組成物。
  12. 【請求項１２】 モノカルボキシ基を有する化合物が、
    ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ヘキサン
    酸、グリコール酸、乳酸、グリシン、サルコシン、ジメ
    チルグリシン、アラニン、これらの塩類、及びこれらの
    酸類又はこれらの塩類の二種類以上の混合物から選ばれ
    るものである請求項９〜１１のいずれか１項記載の研磨
    剤組成物。
  13. 【請求項１３】 アミド基を有する化合物が、ホルムア
    ミド、アセトアミド、プロピオンアミド、Ｎ−メチルホ
    ルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、尿素、メチル尿
    素、エチル尿素、ジメチル尿素及びジエチル尿素から選
    ばれるものである請求項９〜１１のいずれか１項記載の
    研磨剤組成物。
  14. 【請求項１４】 更に酸化剤を１〜１５重量％含むこと
    を特徴とする請求項９〜１３のいずれか１項記載の研磨
    剤組成物。
  15. 【請求項１５】 酸化剤を４〜８重量％含有することを
    特徴とする請求項１４記載の研磨剤組成物。
  16. 【請求項１６】 酸化剤が過酸化物類、塩素酸塩類、亜
    塩素酸塩類、過塩素酸塩類、臭素酸塩類、亜臭素酸塩
    類、過臭素酸塩類、硝酸塩類及びこれらの混合物から選
    ばれるものである請求項１４又は１５記載の研磨剤組成
    物。
  17. 【請求項１７】 研磨剤が、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｚｒ
    Ｏ2、ＣｅＯ2、ＳｉＣ、Ｆｅ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4
    及びこれらの混合物から選ばれるものである請求項９〜
    １１のいずれか１項記載の研磨剤組成物。
  18. 【請求項１８】 ７０〜９５重量％の該水性媒体と４〜
    ６重量％の該研磨剤と２〜４重量％の研磨促進剤と４〜
    ８重量％の該酸化剤と０．１〜０．５重量％の該陰イオ
    ン性界面活性剤とを含むことを特徴とする請求項１４記
    載の研磨剤組成物。
  19. 【請求項１９】 ０．０５〜０．２重量％のベンゾトリ
    アゾール及び／又はその誘導体を更に含むことを特徴と
    する請求項１〜１８のいずれか１項記載の研磨剤組成
    物。
  20. 【請求項２０】 該研磨促進剤がモノカルボキシ基を有
    する化合物と硝酸塩との組み合せであることを特徴とす
    る請求項１〜１９のいずれか１項記載の研磨剤組成物。
  21. 【請求項２１】 該研磨促進剤がアミド基を有する化合
    物と硝酸塩との組み合わせであることを特徴とする請求
    項１〜１９のいずれか１項記載の研磨剤組成物。
JP35120598A 1998-07-23 1998-12-10 半導体プロセスに使用する化学機械的研磨剤組成物 Expired - Lifetime JP3126954B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW087112046A TW455626B (en) 1998-07-23 1998-07-23 Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
TW87112046 1998-07-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000049124A JP2000049124A (ja) 2000-02-18
JP3126954B2 true JP3126954B2 (ja) 2001-01-22

Family

ID=21630778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35120598A Expired - Lifetime JP3126954B2 (ja) 1998-07-23 1998-12-10 半導体プロセスに使用する化学機械的研磨剤組成物

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6171352B1 (ja)
JP (1) JP3126954B2 (ja)
TW (1) TW455626B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102488832B1 (ko) 2020-06-12 2023-01-17 윤병용 선상 낚싯대 거치대

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1204602C (zh) 1998-08-31 2005-06-01 日立化成工业株式会社 金属用研磨液及研磨方法
US6572449B2 (en) 1998-10-06 2003-06-03 Rodel Holdings, Inc. Dewatered CMP polishing compositions and methods for using same
US6241586B1 (en) * 1998-10-06 2001-06-05 Rodel Holdings Inc. CMP polishing slurry dewatering and reconstitution
JP4053165B2 (ja) * 1998-12-01 2008-02-27 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
JP3941284B2 (ja) * 1999-04-13 2007-07-04 株式会社日立製作所 研磨方法
JP4491857B2 (ja) * 1999-06-18 2010-06-30 日立化成工業株式会社 Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
CN1209430C (zh) * 1999-08-13 2005-07-06 卡伯特微电子公司 化学机械抛光系统及其使用方法
TW501197B (en) * 1999-08-17 2002-09-01 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing compound for chemical mechanical polishing and method for polishing substrate
TWI290740B (en) 1999-08-26 2007-12-01 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing compound for chemical-mechanical polishing and polishing method
JP4264781B2 (ja) * 1999-09-20 2009-05-20 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物および研磨方法
US6348076B1 (en) * 1999-10-08 2002-02-19 International Business Machines Corporation Slurry for mechanical polishing (CMP) of metals and use thereof
US6294470B1 (en) * 1999-12-22 2001-09-25 International Business Machines Corporation Slurry-less chemical-mechanical polishing
US6447375B2 (en) 2000-04-19 2002-09-10 Rodel Holdings Inc. Polishing method using a reconstituted dry particulate polishing composition
US6387172B1 (en) * 2000-04-25 2002-05-14 United States Gypsum Company Gypsum compositions and related methods
JP3837277B2 (ja) * 2000-06-30 2006-10-25 株式会社東芝 銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法
US6653242B1 (en) * 2000-06-30 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Solution to metal re-deposition during substrate planarization
US6896776B2 (en) * 2000-12-18 2005-05-24 Applied Materials Inc. Method and apparatus for electro-chemical processing
US7582564B2 (en) * 2001-03-14 2009-09-01 Applied Materials, Inc. Process and composition for conductive material removal by electrochemical mechanical polishing
US6899804B2 (en) * 2001-12-21 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing
US7232514B2 (en) 2001-03-14 2007-06-19 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7160432B2 (en) * 2001-03-14 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US20060169597A1 (en) * 2001-03-14 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7323416B2 (en) * 2001-03-14 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US6811680B2 (en) * 2001-03-14 2004-11-02 Applied Materials Inc. Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing
US7128825B2 (en) 2001-03-14 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US20040159050A1 (en) * 2001-04-30 2004-08-19 Arch Specialty Chemicals, Inc. Chemical mechanical polishing slurry composition for polishing conductive and non-conductive layers on semiconductor wafers
US6485355B1 (en) 2001-06-22 2002-11-26 International Business Machines Corporation Method to increase removal rate of oxide using fixed-abrasive
KR100535074B1 (ko) * 2001-06-26 2005-12-07 주식회사 하이닉스반도체 루테늄의 화학 기계적 연마용 슬러리 및 이를 이용한연마공정
US6812193B2 (en) 2001-08-31 2004-11-02 International Business Machines Corporation Slurry for mechanical polishing (CMP) of metals and use thereof
US6705926B2 (en) * 2001-10-24 2004-03-16 Cabot Microelectronics Corporation Boron-containing polishing system and method
US6821897B2 (en) * 2001-12-05 2004-11-23 Cabot Microelectronics Corporation Method for copper CMP using polymeric complexing agents
US20070295611A1 (en) * 2001-12-21 2007-12-27 Liu Feng Q Method and composition for polishing a substrate
US6776810B1 (en) * 2002-02-11 2004-08-17 Cabot Microelectronics Corporation Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP
KR100496501B1 (ko) * 2002-05-29 2005-06-22 동우 화인켐 주식회사 구리배선에서 탄탈 금속 또는 탄탈계 화합물로 된 확산방지재의 ｃｍｐ용 연마 슬러리 조성물
US6974777B2 (en) * 2002-06-07 2005-12-13 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions for low-k dielectric materials
US6936543B2 (en) * 2002-06-07 2005-08-30 Cabot Microelectronics Corporation CMP method utilizing amphiphilic nonionic surfactants
JP2004071673A (ja) * 2002-08-02 2004-03-04 Nec Electronics Corp 銅系金属研磨スラリー
US7390429B2 (en) * 2003-06-06 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for electrochemical mechanical polishing processing
JP2007535118A (ja) * 2003-07-09 2007-11-29 ダイネア ケミカルズ オイ 化学的機械的な平坦化に用いるための非高分子有機粒子
US20050092620A1 (en) * 2003-10-01 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for polishing a substrate
US7427361B2 (en) * 2003-10-10 2008-09-23 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Particulate or particle-bound chelating agents
US20060021974A1 (en) * 2004-01-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7390744B2 (en) * 2004-01-29 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
KR100672940B1 (ko) 2004-08-03 2007-01-24 삼성전자주식회사 금속막을 위한 화학적기계적 연마 슬러리 및 이를 이용한금속막의 화학적기계적 연마 방법
US7084064B2 (en) * 2004-09-14 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Full sequence metal and barrier layer electrochemical mechanical processing
CN1989600A (zh) * 2004-09-14 2007-06-27 日立化成工业株式会社 Cmp用研磨浆料
JP4027929B2 (ja) * 2004-11-30 2007-12-26 花王株式会社 半導体基板用研磨液組成物
WO2006074248A2 (en) * 2005-01-07 2006-07-13 Dynea Chemicals Oy Engineered non-polymeric organic particles for chemical mechanical planarization
WO2006081589A2 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Tungsten electroprocessing
US20060169674A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Daxin Mao Method and composition for polishing a substrate
US20060219663A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Applied Materials, Inc. Metal CMP process on one or more polishing stations using slurries with oxidizers
US20060249395A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Applied Material, Inc. Process and composition for electrochemical mechanical polishing
US20060249394A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Applied Materials, Inc. Process and composition for electrochemical mechanical polishing
JP2007095841A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Fujifilm Corp 化学的機械的研磨方法
TWI408739B (zh) * 2005-12-21 2013-09-11 Anji Microelectronics Co Ltd 化學機械拋光系統、方法以及研磨劑
KR100880107B1 (ko) * 2006-01-25 2009-01-21 주식회사 엘지화학 Ｃｍｐ 슬러리 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼의 연마 방법
US20070219103A1 (en) * 2006-03-17 2007-09-20 Applied Materials, Inc. Novel rinse solution to remove cross-contamination
US20070254485A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Daxin Mao Abrasive composition for electrochemical mechanical polishing
US7501346B2 (en) * 2006-07-21 2009-03-10 Cabot Microelectronics Corporation Gallium and chromium ions for oxide rate enhancement
JP2008192930A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Fujifilm Corp 金属研磨用組成物及びそれを用いた化学的機械的研磨方法
US20100243950A1 (en) * 2008-06-11 2010-09-30 Harada Daijitsu Polishing agent for synthetic quartz glass substrate
JP2011142284A (ja) * 2009-12-10 2011-07-21 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨液、基板の研磨方法及び電子部品
JPWO2020255921A1 (ja) 2019-06-17 2020-12-24

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5084071A (en) * 1989-03-07 1992-01-28 International Business Machines Corporation Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor
US4959113C1 (en) * 1989-07-31 2001-03-13 Rodel Inc Method and composition for polishing metal surfaces
US5114437A (en) * 1990-08-28 1992-05-19 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Polishing composition for metallic material
JPH0781132B2 (ja) * 1990-08-29 1995-08-30 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨剤組成物
US5264010A (en) * 1992-04-27 1993-11-23 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces
US5209816A (en) * 1992-06-04 1993-05-11 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing aluminum containing metal layers and slurry for chemical mechanical polishing
US5225034A (en) * 1992-06-04 1993-07-06 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing
US5391258A (en) * 1993-05-26 1995-02-21 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing
US5382272A (en) * 1993-09-03 1995-01-17 Rodel, Inc. Activated polishing compositions
US5340370A (en) * 1993-11-03 1994-08-23 Intel Corporation Slurries for chemical mechanical polishing
US5527423A (en) * 1994-10-06 1996-06-18 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers
EP0792515A1 (en) * 1994-11-18 1997-09-03 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making a chemical-mechanical polishing slurry and the polishing slurry
JPH09190626A (ja) * 1995-11-10 1997-07-22 Kao Corp 研磨材組成物、磁気記録媒体用基板及びその製造方法並びに磁気記録媒体
EP0786504A3 (en) * 1996-01-29 1998-05-20 Fujimi Incorporated Polishing composition
JP3507628B2 (ja) * 1996-08-06 2004-03-15 昭和電工株式会社 化学的機械研磨用研磨組成物
US6039891A (en) * 1996-09-24 2000-03-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing
US5783489A (en) * 1996-09-24 1998-07-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
JPH10172937A (ja) * 1996-12-05 1998-06-26 Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk 研磨用組成物
US5954997A (en) * 1996-12-09 1999-09-21 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US5759917A (en) * 1996-12-30 1998-06-02 Cabot Corporation Composition for oxide CMP

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102488832B1 (ko) 2020-06-12 2023-01-17 윤병용 선상 낚싯대 거치대

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000049124A (ja) 2000-02-18
TW455626B (en) 2001-09-21
US6171352B1 (en) 2001-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3126954B2 (ja) 半導体プロセスに使用する化学機械的研磨剤組成物
JP4850994B2 (ja) 研磨組成物
JP3523126B2 (ja) 半導体プロセシングにおいて使用する化学機械的研磨組成物
JP3366901B2 (ja) 化学機械的研磨組成物
CN1174063C (zh) 用于铜/钽基材的化学机械抛光浆料
CN1158373C (zh) 用于铜/钽基材的化学机械抛光浆料
JP2819196B2 (ja) 研磨用合成物および研磨方法
JP2003501817A (ja) スラリー組成物およびそれを用いる化学機械的研磨方法
EP0984049B1 (en) Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
TW200400239A (en) Composition for the chemical mechanical polishing of metal and metal/dielectric structures
JP2004502823A (ja) 金属ｃｍｐのための研磨組成物
EP1072662B1 (en) Chemical-mechanical abrasive composition and method
EP1069168B1 (en) Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
CA2365593A1 (en) Polishing slurry for the chemical-mechanical polishing of silica films
KR100314642B1 (ko) 반도체공정에사용하기위한화학기계적연마조성물
JP2006080406A (ja) 研磨用組成物
JP2003347247A (ja) 半導体絶縁膜用ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
KR100356939B1 (ko) 반도체 공정에서 사용하기 위한 화학기계적 연마 조성물
JPH11135467A (ja) 半導体装置用金属膜研磨スラリー
JP2001284296A (ja) 研磨性スラリー及びその使用
CN1092698C (zh) 半导体制程用的化学机械研磨组合物
JP2010192904A (ja) 研磨用組成物
JP5421006B2 (ja) 粒子連結型シリカゾルおよびその製造方法
TW514661B (en) Chemical-mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
KR100614567B1 (ko) 반도체 처리에 사용하기 위한 화학-기계적 연마 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081102

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091102

Year of fee payment: 9

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131102

Year of fee payment: 13

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term