TWI227726B

TWI227726B - Chemical-mechanical abrasive composition and method

Info

Publication number: TWI227726B
Application number: TW088111611A
Authority: TW
Inventors: Tzung-He Li; Kang-Hua Li; Tsuei-Ping Ye
Original assignee: Eternal Chemical Co Ltd
Priority date: 1999-07-08
Filing date: 1999-07-08
Publication date: 2005-02-11
Also published as: JP3366901B2; US6436834B1; JP2001085375A

Description

1227726 A7 B7 五、發明說明（本發明係關於一種化學機械研磨組成物及方法。本發明研磨組成物可有效應用於半導體晶圓表面之研磨。查_明背景及目_1 化子機械研磨技術（Chemical Mechanical Polishing，簡稱 C Μ P )已在半導體工業中迅速發展，此技術係為解決積體電路（I C )製造時因鍍膜高低差異而導致微影製程上聚焦之困難而開發出來的一項平坦化技術。化學機械研磨技術首先被少f應用在0 5微米元件的製造上，隨著尺寸的縮小，化學機械研磨應用的層數也越來越多。到了〇 2 5微米世代’化學機械研磨已成為主流且為必要之平坦化技術。般而s ·，用於製造金屬線路之研磨方法，係將半導體晶 ----*--------裝--------訂---------線^^· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圓置於配有研磨頭的旋轉研磨台上’於晶圓表面施用包含研磨粒子與化學添加劑之研磨漿液，以增進研磨功效。化學機械研磨技術實際上就是先由化學性質的作用改變被研磨表面的性質，再以機械研磨方式將經改質表面移除之技術〇經在研磨過程中，視I C圖形設計及其製程而定，而使用不濟部智同的化學機械研磨漿料。在介電層（dielectric 1 a ye 〇研慧財士磨方面，一般已知或市售之研磨漿料為提高介電層的研磨產局員速率 ’其p Η值皆調整至驗性，即約1 〇〜1 1 $之間〇或者工消使用 Ce02 或 Si3 ί N 4研磨顆粒以提高研磨速率，如歐洲專費合作利第 786504A2 號揭示一種能得 •到較高的Si〇2/Si3N4^ 社印製磨選擇率之組成物，其組成包含 s 13 N 4研磨顆粒水及一 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱 1227726 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（2) 種酸。美國專利第5,759,917號揭示一種用於半導體及1C 製程中研磨二氧化矽（Si02)及氮化矽（Si3N4)且能得到較高的S i 0 2 / S i 3 N 4研磨選擇率之化學機械研磨組成物及方法，其組成物包含一種鹽類、可溶性鈽化合物及一種叛酸，且組成物之p Η值在3〜1 1之間。美國專利第 5,861，〇54號揭示一種用於磨光二氧化矽（Si02)及氮化矽（S i3 N 4 )且能得到較高的S i 0 2 / S i3 N 4研磨選擇率之研磨組成物，此組成物包含酸性溶劑及一次粒徑為〇·〇1〜lOOOnm之Si3N4磨粒。美國專利第5,891，205號係關一種使用化學機械磨光漿液以將半導體基材 (semiconductor device)磨光之方法，其所使用之磨光漿液包含C e Ο 2與S i Ο 2混合磨粒之鹼性水分散液。或是用較硬的Ah 〇3研磨顆粒來增加研磨速率，如美國專利第 5，〇 8 4，0 7 1號係關一種使用化學機械磨光漿液以將電子元件基材磨光之方法，其所使用之磨光漿液包含小於丨重量 %之氧化鋁、研磨顆粒（例如，S i 〇 2、c e 〇 2、s丨c、

ShN4或Fe2〇3)、作為研磨效率促進劑之過渡金屬螯合鹽 (例如，E D T A鐵銨）、及供該鹽使用之溶劑。美國專利第 5，3 6 6，5 4 2號揭示一種磨光組成物，其包括氧化鋁研磨顆粒，及一選自多胺基羧酸（例如，EDTA)或其鈉或鉀鹽螯合劑。此磨光組成物可進一步包含勃姆石（b〇ehmite)或鋁鹽。因此，本發明之一目的在於提供一種化學機械研磨組合物，其典論在酸性條件或驗性條件下皆可促進介電芦之研 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

政——I 訂---------· 一 5 —

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五、發明說明（3) ，速率。此外，中請人頃發現，本發明化學機械研磨组人物對多晶矽（P〇lysilicon)的化學機械研磨亦且功效、'、《使用作為介電層之材質包含二氧切（Si〇2)、氮化: = 13Ν4)、硼磷矽玻璃（B〇r〇ph〇sph〇sUicate 簡稱bPSG)以及具低介電常數（lGw_k)之材質及其複= 科。另外，在半導體基材（semic〇nduct〇r “心）歷製程中，必須利用化學機械研磨漿料，將二氧切坦化（如圖1所示），最後停在氮化矽層，其中二氧化矽層的移除速率/氮化矽的移除速率比值須至少大於3。因此，本發明另一目的在於提供一種可用於半導體基材研磨製程中乏化學機械研磨組合物，其可提供大於3之二氧化矽移除速率/氮化秒除速率比例。至於在金屬研磨方面，舉例言之，在半導體的鋼製程中，研磨方法必須分成幾個步騾，其中第一個步騾（如圖 2 U)所示）係利用一種研磨漿料對半導體中的銅膜 (copper film)進行研磨直至氮化姮層（TaN ，其中銅膜的移除速率/氮化銓的移除速率比值至少須大於3 弟一個步驟（如圖2 ( b )所示）係利用另一種研磨漿料對半導體中的氮化鈕層及銅導線部分進行研磨並停至介電層，其中氮化妲的移除速率/銅膜的移除速率比值至少須大於1。另外在第一步驟及第一步驟中，有可能會造成銅導線的碟陷（dishing)現象，因此可能需要第三步騾（如圖2(c) 所示）來進行過研磨（over_p〇lishing)，此時第三種研磨水料肩使介電層移除速率大於或等於銅膜及氮化短的移除本紙張尺度適+國國家標準（CNs)A4規格（210 X 297公髮) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------^--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 !227726 A7 五、發明說明（4 ) 速率。有關金屬研磨之技術已揭示於先前專利中，例如美國專利第5，1 1 4，4 3 7號係關一種用於磨光銘基材之磨光組成物’其包含平均顆粒尺寸介於〇2至5μπι之氧化銘磨光劑及選自硝酸鉻（羾）、硝酸鑭、硝酸鈽（)銨或硝酸敛之磨光促進劑。美國專利第5，2 〇 9，8 i 6號揭示一種使用化學機械研磨漿液以將含A1或τ i之金屬層磨光之方法，其研磨永液除包含固體研磨物質外，尚包含約〇丨_ 2 〇體積％之 H3P〇4與約卜30體積％之11202。美國專利第5,225,03 4 號揭示一種化學機械研磨漿液，其包含AgN〇3、固體研磨物質、與選自112〇2、H0C1、K0C1、KMg〇4、或 c Η 3 C Ο ο ο Η之氧化劑。此研磨漿液係用於研磨半導體晶圓上之銅層，以製造晶圓上之銅線。美國專利第 5 ’ 3 4 0，3 7 0號揭示一種例如鎢或氮化鎢薄膜之化學機械磨光漿液，其包含氰鐵酸鉀氧化劑、研磨劑與水，其中該漿液具有2至4之pH值。美國專利第號揭示一種用於化學機械磨光鈦薄膜之漿液，其包含濃度足以與該鈦薄膜錯合之氟化鉀與研磨劑（例如氧化矽），其中該漿液具有低於8之pH值。因此，本發明再另一目的係提供一種可有效促進金屬移除速率 < 化學機械研磨組合物。本發明化學機械研磨組合物可針對不同的丨C圖形設計及不同的半導體製程而提供 I c中金屬導線及介電層間相同或不同的研磨選擇率。圖式簡要說明圖1係關半導體製程中，si〇2平坦化之圖示說明。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1227726 A7

五、發明說明（5) 圖2係關半導體的銅製程中所使用之研磨步驟。 t明簡述 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係提供-種用於半導體製程之化學機械研磨組成勿”包3水性介質；研磨顆粒；及研磨促進劑，該研磨促進釗之王要功能在於研磨時促進磨除物之移除速率，該研磨促進劑係選自下式所示結構之化合物或其酸加成鹽：其中X及Y係含有未鍵結孤電子對（1〇ne pair ele以r〇ns) 《原子或原子團；Ri及尺2各獨立代表Η、烷基、胺基、胺基烷基或烷氧基。本發明之化學機械研磨组成物可視需要包έ故性介質或其鹽類，以進一步促進研磨速率。本發明亦提供一種使用上述化學機械研磨組成物以研磨半導體晶圓表面之方法。發明詳細說明經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明係關於一種可有效應用於半導體晶圓表面研磨之化學機械研磨組成物，其包含水性介質、研磨顆粒及研磨促進劑。本發明研磨組合物可包含〇 · 1至3 〇重量％，較佳 3至25重量％之研磨顆粒，及〇〇1至5重量％，較佳〇〇3 至2重量％之研磨促進劑。在I c製程中，係利用化學機械研磨達到晶圓表面的全面平坦化，在此化學機械研磨過程中’晶圓表面被研磨下來的物質有可能會與晶圓表面產生再键結（re-bonding)而沈積在晶圓表面上，此種現象不僅降低了研磨速率及平坦度，也易造成晶圓表面的缺陷一 8 一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1227726 A7 五、發明說明（6 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (efect) 故為要一種具有錯合（chelation)能力之化合物來幫助帶走這些被研磨下來的物質，避免其在晶圓表面上產生再鍵結現象。本發明即提供一種具有較佳鉗合能力 <研磨促進劑。可用於本發明中作為研磨促進劑之化合物係選自如下式所示之化合物或其酸加成鹽：

A 、Τ D又其中X及Y係含有未鍵結之孤電子對之原子或原子團，例如氧原子、硫原子或NH原子團；Rl&R2各獨立代表H、垸基、胺基、胺基烷基或烷氧基。本發明所使用此等研磨促進劑化合物係以如下式所示之機制鉗合磨除物質之原子或原子團，並藉之將該等原子或原子團移除： ,R2

Mn+ R2 其中Μ係磨除物質之原子或原子圈，且其帶電荷之價數。令人意外地’中請人頃發現’本發明之研磨組成物在酸性、中性或鹼性的條件下皆可促進研磨之移除速率。根據本發明，研磨組成物所使用之研磨顆粒可為—般市售者’例如 Si02、Al2〇3、Zr〇2、CeQ2、Sie、

Fe2〇3、T1〇2、Sl3N4或其混合物。此等研磨顆粒具有較高純度、冑比表面積、及狹窄粒徑分佈等優點，因此適用一 9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1227726

五、發明說明（7) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製於研磨拋光組成物中作為研磨顆粒。本發月之π子機械研磨組合物可藉由調整研磨促進劑的種類、/辰度或研磨顆粒含量來調配不同製程所需之研磨組口物本發月所使用之研磨促進劑例如可為甘胺酸甲酯 Uiyune methyl ester)、甘胺酿胺（giycinamide)、胺基胍（aminogUanidine)、胺基脲（semiearbazide)、胍（guanidine)、尿素（urea)、甲脒（f〇rmamidine)、乙脒（acetamidine)、甲醯胺（f〇rmamide)、乙醯胺 (acetamide)、甲酿肼（f〇rmyl以心以⑷）、乙醯胼 (acethydrazide)、甘胺酸乙酯（glycine ethyi ester)、肼基甲紅甲酯（methyl carbazate)、肼基甲酸乙酯（ethyl carbazate)、胺基甲酸甲酯（methyl carbamate)、或胺基甲酸乙酯（ethyl carbamate)或其酸加成鹽，例如其鹽酸鹽、硝酸鹽、碳酸鹽或硫酸鹽，或其類似結構之衍生物。本發明化學機械研磨組合物可視需要包含酸性介質或其鹽類’以進一步促進研磨速率。可用於本發明中之酸性介 %係一般市售者，例如硝酸、鹽酸、碳酸、硫酸、亞硫酸、磷酸、亞磷酸、齒酸、過画酸及甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、羥基醋酸、乳酸、擰檬酸、韻果酸、酒石酸、草酸、甘胺酸、肌胺酸、二甲基甘胺酸、丙胺酸及其鹽類及此等酸及 /或其鹽類之混合物。本發明之化學機械研磨組成物可包含，例如，水作為媒一 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 訂---- si.. 1227726 A7 ------— B7____ 五、發明說明（8 ) 貝。在製備過程中，可使用水以使研磨拋光組成物呈漿液狀，較佳係使用習知之去離子水。 / 、本發明《化學機械研磨組合物尚可包含其它化學機械研磨技藝中所已知但不致對本發明研磨組合物功效造成不利影響之成份。因此，本發明化學機械研磨組合物漿液，視需要可包含研磨技藝中所已知之氧化劑。以下實施例將對本發明作進一步之說明，唯非用以限制本發明之範園，任何熟習此項技藝之人士可輕易達成之修飾及改變，均涵蓋於本發明之範圍内。研磨測試 A .研磨晶圓種類：薄膜種類薄膜生成方式沈積厚度（A)' TEOS sl 0 2 化學氣相沈積 ___8^0 0 〇 8 0 0 0 Si3N4 化學氣相沈積 ~——. 3〇〇〇 ~ W 化學氣相沈積 8〇〇〇 TaN 化學氣相沈積 5〇〇〇 — Cu 物理氣相沈積 8〇〇〇 — TiN 化學氣相沈積 5〇〇〇 —-----

B.研磨機台：IPEC/Westech 472 C .溫度：2 5 °C D·墊座型式：R〇del公司所製之IC1400 E ·漿液流速：1 5 0毫升/分鐘研磨測試流程：介電層之膜厚可直接藉由光學原理測得。本發明係使用 KLA_Tencor公司之SM300型機器測得介電層之膜厚。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1227726 A7 B7 五、發明說明（9 ) 金屬層之膜厚係採用KLA-Tencor公司之RS 75型機器測定。在研磨前後，均須以膜厚測定儀測定膜之厚度。金屬膜以四點探針量測薄膜之片電阻，在經以下公式換算得膜之厚度： T X R =電阻係數其中T為薄膜厚度（人），及R為片電阻（Ω/cm2)，對各種金屬薄膜而言，電阻係數（Ω / c m )係一常數。磨光速率之測定方法係先以上述r S 7 5型機器測得金屬層膜厚T !，分別以實例中之漿液研磨1分鐘後，以固態儀器公司（S ο 1 i d S t a t e E q u i p m e n t C 〇 r ρ 〇 r a t i ο η )之 E v e r g r e e n μ o d e 1 1 0 X型機器清洗晶圓，之後，將晶圓吹乾。再以RS 75型機器測定金屬層之膜厚τ2。將Tl 一丁2即為金屬層之磨光速率。實例1 分別製備含有甘胺酸甲酯鹽酸鹽、甘胺醯胺鹽酸鹽及胺基胍碳酸鹽之化學機械研磨漿料，以下列之條件對T E O S 薄膜進行研磨：條件：壓力：5 p s i 主軸轉速·· 60 rpm 台板轉速：50 rpm 研磨測試結果示於下表1中。表1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 1 ϋ ϋ I gmmm ϋ 一一口、 H ϋ ϋ ϋ n n -ϋ I · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1227726 A7 B7 五、發明說明（1Q) 項目研磨顆粒種類固體含量 (wt.%) 研磨促進劑及其含量 (wt.%) pH TEOS移除速率 (A/min) 1 矽膠 18 甘胺酸甲酯鹽酸鹽，0.2 2.5 2838 2 矽膠 18 甘胺酸甲酯鹽酸鹽，0.2 7 2462 3 矽膠 18 甘胺醯胺鹽酸鹽，0.2 4.5 2641 4 矽膠 28 胺基胍碳酸鹽，0.2 10.8 3537 5 矽膠 20 胺基脉碳酸鹽，0.2 10.5 2908 6 矽膠 15 胺基胍碳酸鹽，0.2 10.4 2078 根據以上結果可知，本發明之化學機械研磨組成物在酸性到鹼性的條件下均可促進研磨速率。實例2 分別製備含有胺基脲鹽酸鹽、胺基胍碳酸鹽及碳酸胍之化學機械研磨漿料，以下列之條件對S i 0 2薄膜進行研磨：條件：壓力：5 psi 主軸轉速：70 rpm 台板轉速：50 rpm 研磨測試結果示於下表2中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製表 2 項目研磨顆粒種類固體含量 (wt.%) 研磨促進劑及其含量 (wt.%) pH TEOS移除速率 (A/min) 1 烺製二氧化矽 10 胺酸脲鹽酸鹽，0.2 10 1858 2 烺製二氧化矽 10 胺基脈碳酸鹽，0.2 10 1523 3 烺製二氧化矽 10 碳酸胍，0.2 10 1405 一 13 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1227726 A7 B7 五、發明說明（n) 實例3 分別製備含有胺基胍碳酸鹽、胺基脲鹽酸鹽及碳酸胍之化學機械研磨漿料，以下列之條件對T E 0 S及氮化矽薄膜進行研磨：條件：壓力：5 psi 主軸轉速：70 rpm 台板轉速：50 rpm 研磨測試結果示於下表3中。由該等結果可知，本發明研磨組合物可得到較佳的研磨速率比值，即較佳的研磨選擇率（selectivity) 〇表 3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製項目研磨顆粒種類固體含量 (wt.%) ^ 研磨促進劑及其含量(wt.%) pH TEOS移除速率 (A/min) Si3N4移除速率 (A/min) TEOS移除速率 /Si3N4移除速率比值 1 烺製二氧化矽 15 胺基胍碳酸鹽， 0.2 10 2548 785 3.2 2 烺製二氧化矽 10 胺基胍碳酸鹽， 0.5 碳酸銨*，0.25 10 1811 513 3.5 3 烺製二氧化矽 15 胺基脲鹽酸鹽， 0.2 10 2801 732 3.8 4 烺製二氧化矽 10 胺基脲鹽酸鹽， 0.2 10 1858 557 3.3 5 烺製二氧化矽 10 胺基脲鹽酸鹽， 0.5 碳酸銨*，0.25 10 2220 518 4.3 6 烺製二氧化矽 15 碳酸胍，0.2 10 1405 432 3.3 7 烺製二氧化矽 10 碳酸胍，0.2 10 2542 774 3.3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1227726 A7 B7 五、發明說明（12) *此等項目中额外添加碳酸銨可進一步促進移除速率。實例4 分別製備含有胺基脲鹽酸鹽、胺基胍碳酸鹽及碳酸胍且 p Η介於3 · 8及4 · 6間之化學機械研磨漿料，以下列之條件對銅膜、氮化妲及Τ Ε 0 S薄膜進行研磨：條件：壓力：4 p s i 背壓：0.5 p s i 主轴轉速：55 rpm 台板轉速：50rpm 研磨測試結果示於下表4中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝經濟部智慧財產局員工消費合作社印製表 4 項目研磨顆粒種類固體含量 (wt.%) 研磨促進劑及其含量（wt·%) 氧化劑及其含量 (wt.%) Cu金屬移除速率 (A/min) TaN移除速率 (A/min) TEOS 移除速率 (A/min) 1 矽膠 15 胺基脲鹽酸鹽，0.2 H202, 3 3729 802 1698 2 矽膠 10 胺基脲鹽酸鹽，0.2 H202, 3 4097 469 1278 3 矽膠 15 胺基狐碳酸鹽，0.2 H202, 3 416 1505 1495 4 矽膠 10 胺基脈破酸鹽，0.2 H202, 3 289 807 1039 5 矽膠 15 碳酸胍， 0.2 H202? 3 266 1631 1597 6 矽膠 10 碳酸胍， 0.2 H202, 3 377 1413 1164 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1227726 Α7 Β7 五、發明說明（13) 實例4所述之研磨組合物可用於半導體研磨製程中，以製造如圖2所示之圖樣（p a 11 e r η )，例如，項目1及項目2 之研磨組合物可作為第一步騾之研磨漿料；項目3之研磨組合物可作為第二步騾之研磨漿料；項目4至項目6之研磨組合物可作為第三步驟之研磨漿料。實例5 分別製備含有胺基脲鹽酸鹽、胺基胍碳酸鹽、及碳酸胍且ρ Η介於3 . 8及4.6間之化學機械研磨漿料，以下列之條件對鎢膜、氮化鈦及S i 〇 2薄膜進行研磨：條件：壓力：5 psi 主軸轉速：70 rpm 台板轉速：5〇rpm 研磨測試結果示於下表5中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製表 5 項目研磨顆粒種類固體含量 (wt.%) 研磨促進劑及其含量(wt.%) 氧化劑及其含量 (wt.%) w金屬移除速率 (A/min) TiN移除速率 (A/min) Si02薄膜移除速率 (A/min) 1 矽膠 10 胺基胍破酸鹽，0.2 H2〇2, 3 2585 4402 1059 2 矽膠 10 碳酸胍，0.2 H202, 3 1238 3913 1156 3 矽膠 10 碳酸胍，0.2 H2〇2, 1.5 542 5298 960 4 矽膠 15 碳酸胍，0.2 H2〇2, 0.5 472 3914 1861 5 矽膠 10 碳酸胍，0.2 H2O2, 0 5 331 3956 1342 6 矽膠 -— 10 胺基脲鹽酸鹽，0.2 H202, 1.5 457 5309 1042 ΡΗ = 3·8 〜4,6 -16 一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑽⑽了公爱）

Claims

12 11611號專利申請案中一文申請專利範圍修正本(89年8月）申請專利範圍 i•-種化學機械研磨組成物，其包含水性介質；研磨顆粒；及研磨促進劑，該研磨促進劑係選自下式所示、纟士構之化合物或其酸加成鹽或二或多種此等化合物及/戈其 fe加成鹽之混合物： A 、γ- 經濟部中央標率局員工消費合作社印製其中X及Υ係分別選自〇、s、或ΝΗ ; ^及^各獨立代表Η、CKC3燒基、胺基、胺基crC3燒基或Ci_C3烷氧 2·根據申請專利範圍第丨項之組成物，其中研磨顆粒係選自 Si02、Al2〇3、Zr〇2、Ce〇2、SiC、Fe2〇3、 Ti02、Si3N4或其混合物。 3. 根據申請專利範圍第1項之組成物，其係包含〇 ·丨_ 3 〇重量％之研磨顆粒。 4. 根據申凊專利範圍第3項之組成物，其係包含3_25重量 %之研磨顆粒。 5·根據申請專利範圍第1項之組成物，其係包含〇 · 〇丨_ $重量％之研磨促進劑。 6. 根據申請專利範圍第5項之組成物，其係包含〇 . 〇 3 - 2重量％之研磨促進劑。 7. 根據申請專利範圍第1項之組成物，其中該研磨促進劑係選自甘胺酸甲酯、甘胺醯胺、胺基胍、胺基脲、胍、尿素、甲脒、乙脒、甲醯胺、乙醯胺、甲醯胼、乙醯肼、甘胺酸乙酯、肼基甲酸甲酯、肼基甲酸乙酯、胺基本紙張康^7^揉準(CNS卩娜(210X297公1釐) ---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ·1·. !227726 、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央榡隼局員工消費合作社印製酸甲酯、或胺基甲酸乙酯或其酸加成鹽或其類似社衍生物。 …、。傅 8·根據申請專利範圍第7項之組成物，其中該研磨促進劑係選自甘胺酸甲酯鹽酸鹽、甘胺醯胺鹽酸鹽、胺基胍碳酸鹽、胺基脲鹽酸鹽、碳酸胍或其混合物。 *根據申請專利範圍第i項之組合物，其視需要可進一步包含酸性介質或其鹽類。 10.根據申請專利範圍第9項之組合物，其中該酸性介質係選自硝酸、鹽酸、碳酸、硫酸、亞硫酸、磷酸、亞磷酸、_酸、過卣酸及甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、羥基醋酸、乳酸、擰檬酸、蘋果酸、酒石酸、草酸、甘胺酸、肌胺酸、二曱基甘胺酸或丙胺酸。 U.根據申請專利範圍第1項之組合物，其視需要可進一步包含碳酸铵。 12·根據申請專利範圍第1項之組合物，其視需要可進一步包含一氧化劑。 13· —種用於研磨半導體晶圓表面之方法，其包括於該晶圓表面施用一化學機械研磨組合物，此組合物包含水性介質；研磨顆粒；及研磨促進劑，該研磨促進劑係選自下式所示結構之化合物或其酸加成鹽或二或多種此等化合物及/或其酸加成鹽之混合物：R人，2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4現格（210X297^5") (请先閲讀背面之注意事項存填寫本I) J#- 、1T •1. Α8 Β8 C8 D8 1227726 六、申請專利範圍其中X及Y係分別選自〇、S、或NH ; R i及R 2各獨立代表Η、CrC3烷基、胺基、胺基Cl_C3烷基或Cl-c3烷氧基。 i4根據申請專利範圍第1 3項之方法，其中該研磨顆粒係選自 Si02、Al2〇3、Zr02、Ce02、siC、Fe2〇3、 T i 0 2、S i 3 N 4或其混合物。 15·根據申請專利範圍第1 3項之方法，其中該研磨組合物係包含0.1-30重量％之研磨顆粒。 16·根據申請專利範圍第1 5項之方法，其中該研磨組合物係包含3 - 2 5重量％之研磨顆粒。 17.根據申請專利範圍第13項之方法，其中該研磨組合物係包含0 · 0 1 - 5重量％之研磨促進劑。 18·根據申請專利範圍第1 7項之方法，其中該研磨組合物係包含0.03-2重量％之研磨促進劑。 19.根據申請專利範圍第1 3項之方法，其中該研磨促進劑係選自甘胺酸甲酯、甘胺醯胺、胺基胍、胺基脲、胍、尿素、甲脒、乙脒、甲酿胺、乙醯胺、甲醯胼、乙醯胼、甘胺酸乙酯、胼基甲酸甲酯、胼基甲酸乙酯、胺基甲酸甲酯、或胺基甲酸乙酯或其酸加成鹽或其衍生物。 20·根據申請專利範圍第1 9項之方法，其中該研磨促進劑係選自甘胺酸甲酯鹽酸鹽、甘胺醯胺鹽酸鹽、胺基胍碳酸鹽、胺基脲鹽酸鹽、碳酸胍或其混合物^ 21.根據申請專利範圍第1 3項之方法，其中該研磨組合物視需要可進一步包含酸性介質或其鹽類。 210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 卜訂 •I 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 ^27726 #、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 甘胺酸、肌胺酸、二其視需要可進一步包其中該研磨組合物視 22.根據申請專利範圍第2丨項之方法，其中酸性介質係選自硝酸、鹽酸、碳酸、硫酸、亞硫酸、磷酸、亞磷酸、鹵酸、過卣酸及甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、丁一酸、戊_酸、己二酸、瘦基酷酸、乳酸、檸檬酸、蘋果酸、酒石酸、草酸、甲基甘胺酸或丙胺酸。 23·根據申請專利範圍第1 3項之方法，含碳酸銨。 24.根據申請專利範圍第丨3項之方法，需要可進一步包含氧化劑。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210父297公条）