JP2001077302A - 半導体素子アセンブリ及びそれを用いた電気回路 - Google Patents
半導体素子アセンブリ及びそれを用いた電気回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子アセンブリにおいて、電流の流れ
る経路長を等しくすることによって電流密度が経路によ
って偏らないようにした。 【解決手段】 半導体素子１の一側に入力端部２とこの
入力端部と半導体素子の一側とを結ぶ入力側接続体４を
設け、半導体素子の他側に入力側接続体と電流経路長を
同じくする出力側接続体５を設け、出力側接続体におけ
る入力端部２と反対側の端部に出力端部３を設けた構造
である。これにより、入力端部２から出力端部３に至る
電流経路長を半導体素子１のどの位置を通る電流経路で
も等しい長さにして、電流密度を経路によらず一定にで
きる。
る経路長を等しくすることによって電流密度が経路によ
って偏らないようにした。 【解決手段】 半導体素子１の一側に入力端部２とこの
入力端部と半導体素子の一側とを結ぶ入力側接続体４を
設け、半導体素子の他側に入力側接続体と電流経路長を
同じくする出力側接続体５を設け、出力側接続体におけ
る入力端部２と反対側の端部に出力端部３を設けた構造
である。これにより、入力端部２から出力端部３に至る
電流経路長を半導体素子１のどの位置を通る電流経路で
も等しい長さにして、電流密度を経路によらず一定にで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子アセン
ブリ及びそれを用いた電気回路に関する。
ブリ及びそれを用いた電気回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電力変換装置においてスイッチン
グ素子として採用される半導体素子は、アセンブリとし
て図６に示したように半導体素子及び圧接部品のような
付属品から成る半導体素子構成体１に対して入力端部
２、出力端部３を同じ側に設け、これらの入力端部２と
半導体素子構成体１との間、出力端部３と半導体素子構
成体１との間をそれぞれ接続体４，５によって接続する
構造であった。
グ素子として採用される半導体素子は、アセンブリとし
て図６に示したように半導体素子及び圧接部品のような
付属品から成る半導体素子構成体１に対して入力端部
２、出力端部３を同じ側に設け、これらの入力端部２と
半導体素子構成体１との間、出力端部３と半導体素子構
成体１との間をそれぞれ接続体４，５によって接続する
構造であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の半導体素子アセンブリでは、次のような問題点が
あった。図６において半導体素子構成体１の左上と接続
体４との接触部をａ、半導体素子構成体１の右上と接続
体４との接触部をｂ、また半導体素子構成体１の左下と
接続体５との接触部をｃ、半導体素子構成体１の右下と
接続体５との接触部をｄとし、電流が入力端部２から出
力端部３へ流れるとき、 （ｉ）入力端部２→接続体４→ａ→半導体素子構成体１
→ｃ→接続体５→出力端部３ （ii）入力端部２→接続体４→ｂ→半導体素子構成体１
→ｄ→接続体５→出力端部３ という２通りの経路をとる。
従来の半導体素子アセンブリでは、次のような問題点が
あった。図６において半導体素子構成体１の左上と接続
体４との接触部をａ、半導体素子構成体１の右上と接続
体４との接触部をｂ、また半導体素子構成体１の左下と
接続体５との接触部をｃ、半導体素子構成体１の右下と
接続体５との接触部をｄとし、電流が入力端部２から出
力端部３へ流れるとき、 （ｉ）入力端部２→接続体４→ａ→半導体素子構成体１
→ｃ→接続体５→出力端部３ （ii）入力端部２→接続体４→ｂ→半導体素子構成体１
→ｄ→接続体５→出力端部３ という２通りの経路をとる。
【０００４】この２つの経路（ｉ）と（ii）との間で
は、（ｉ）の方が（ii）に比べて電流経路が短く、電流
密度が大きく、逆に（ii）の方が（ｉ）に比べて電流経
路が長く、電流密度が小さい。
は、（ｉ）の方が（ii）に比べて電流経路が短く、電流
密度が大きく、逆に（ii）の方が（ｉ）に比べて電流経
路が長く、電流密度が小さい。
【０００５】このように電流経路長が異なることによ
り、配線インダクタンスが異なり、電流密度が異なる問
題点があった。
り、配線インダクタンスが異なり、電流密度が異なる問
題点があった。
【０００６】本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたもので、電流の流れる経路長を等しくすること
によって電流密度が経路によって偏らないようにした半
導体素子アセンブリ及びそれを用いた電気回路を提供す
ることを目的とする。
なされたもので、電流の流れる経路長を等しくすること
によって電流密度が経路によって偏らないようにした半
導体素子アセンブリ及びそれを用いた電気回路を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の半導体
素子アセンブリは、半導体素子の一側に入力端部とこの
入力端部と前記半導体素子の一側とを結ぶ入力側接続体
を設け、前記半導体素子の他側に前記入力側接続体と電
流経路長を同じくする出力側接続体を設け、前記出力側
接続体における前記入力端部と反対側の端部に出力端部
を設けたものである。
素子アセンブリは、半導体素子の一側に入力端部とこの
入力端部と前記半導体素子の一側とを結ぶ入力側接続体
を設け、前記半導体素子の他側に前記入力側接続体と電
流経路長を同じくする出力側接続体を設け、前記出力側
接続体における前記入力端部と反対側の端部に出力端部
を設けたものである。
【０００８】請求項１の発明の半導体素子アセンブリで
は、半導体素子の一側に入力側接続体を設け、同じ半導
体素子の他側に入力側接続体と電流経路長を同じくする
出力側接続体を設け、これらの入力側接続体の端部と出
力側接続体の端部とにそれぞれ入力端部、出力端部を設
けることにより、入力端部から出力端部に至る電流経路
長を半導体素子のどの位置を通る電流経路でも等しい長
さにして、電流密度を経路によらず一定にする。
は、半導体素子の一側に入力側接続体を設け、同じ半導
体素子の他側に入力側接続体と電流経路長を同じくする
出力側接続体を設け、これらの入力側接続体の端部と出
力側接続体の端部とにそれぞれ入力端部、出力端部を設
けることにより、入力端部から出力端部に至る電流経路
長を半導体素子のどの位置を通る電流経路でも等しい長
さにして、電流密度を経路によらず一定にする。
【０００９】請求項２の発明の半導体素子アセンブリ
は、請求項１において、前記半導体素子を複数体有する
ものであり、半導体素子が複数体であってもそれぞれを
通る電流経路長を等しくし、電流密度を経路によらず一
定にする。
は、請求項１において、前記半導体素子を複数体有する
ものであり、半導体素子が複数体であってもそれぞれを
通る電流経路長を等しくし、電流密度を経路によらず一
定にする。
【００１０】請求項３の発明の半導体素子アセンブリ
は、請求項１又は２において、前記入力端部、出力端部
それぞれを前記入力側接続体、出力側接続体それぞれの
電流の流れ方向に対して垂直な方向に設けたものであ
り、電流の入力方向、出力方向が入力側接続体、出力側
接続体それぞれの電流の流れ方向に対して垂直な方向で
あっても、電流経路長を等しくし、電流密度を経路によ
らず一定にする。
は、請求項１又は２において、前記入力端部、出力端部
それぞれを前記入力側接続体、出力側接続体それぞれの
電流の流れ方向に対して垂直な方向に設けたものであ
り、電流の入力方向、出力方向が入力側接続体、出力側
接続体それぞれの電流の流れ方向に対して垂直な方向で
あっても、電流経路長を等しくし、電流密度を経路によ
らず一定にする。
【００１１】請求項４の発明の電気回路は、請求項１〜
３のいずれかに記載の発明の半導体アセンブリを必要数
用意し、それらを直列すべき部分は段々に重ね、並列す
べき部分は横並びさせ、それらの間を電気的に接続した
ものである。
３のいずれかに記載の発明の半導体アセンブリを必要数
用意し、それらを直列すべき部分は段々に重ね、並列す
べき部分は横並びさせ、それらの間を電気的に接続した
ものである。
【００１２】請求項４の発明の電気回路では、電気回路
としてどの経路でも電流経路長が等しくなり、電流密度
が等しくできる。
としてどの経路でも電流経路長が等しくなり、電流密度
が等しくできる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて詳説する。図１は、本発明の第１の実施の形態
の半導体素子アセンブリを示している。第１の実施の形
態の半導体素子アセンブリは、入力端部２を半導体素子
構成体１の左上側に配置し、出力端部３を右下側に配置
し、これらの入力端部２と半導体素子構成体１の上面と
の間、出力端部３と半導体素子構成体１の下面との間を
それぞれ入力側接続体４、出力側接続体５によって接続
した構造である。
基づいて詳説する。図１は、本発明の第１の実施の形態
の半導体素子アセンブリを示している。第１の実施の形
態の半導体素子アセンブリは、入力端部２を半導体素子
構成体１の左上側に配置し、出力端部３を右下側に配置
し、これらの入力端部２と半導体素子構成体１の上面と
の間、出力端部３と半導体素子構成体１の下面との間を
それぞれ入力側接続体４、出力側接続体５によって接続
した構造である。
【００１４】この第１の実施の形態の半導体素子アセン
ブリでは、半導体素子構成体１の左上と入力側接続体４
との接触部をａ、半導体素子構成体１の右上と入力側接
続体４との接触部をｂ、また半導体素子構成体１の左下
と出力側接続体５との接触部をｃ、半導体素子構成体１
の右下と出力側接続体５との接触部をｄとし、電流が入
力端部２から出力端部３へ流れるとき、 （ｉ）入力端部２→入力側接続体４→ａ→半導体素子構
成体１→ｃ→出力側接続体５→出力端部３ （ii）入力端部２→入力側接続体４→ｂ→半導体素子構
成体１→ｄ→出力側接続体５→出力端部３ という２通りの経路をとる。
ブリでは、半導体素子構成体１の左上と入力側接続体４
との接触部をａ、半導体素子構成体１の右上と入力側接
続体４との接触部をｂ、また半導体素子構成体１の左下
と出力側接続体５との接触部をｃ、半導体素子構成体１
の右下と出力側接続体５との接触部をｄとし、電流が入
力端部２から出力端部３へ流れるとき、 （ｉ）入力端部２→入力側接続体４→ａ→半導体素子構
成体１→ｃ→出力側接続体５→出力端部３ （ii）入力端部２→入力側接続体４→ｂ→半導体素子構
成体１→ｄ→出力側接続体５→出力端部３ という２通りの経路をとる。
【００１５】この２つの電流経路（ｉ），（ii）を比べ
ると、その経路長は等しくなり、配線インピーダンスも
等しくなり、電流密度が半導体素子構成体１の左右いず
れの側にも偏ることがない。
ると、その経路長は等しくなり、配線インピーダンスも
等しくなり、電流密度が半導体素子構成体１の左右いず
れの側にも偏ることがない。
【００１６】次に、本発明の第２の実施の形態の半導体
素子アセンブリを、図２に基づいて説明する。第２の実
施の形態は、複数の半導体構成体１ａ，１ｂに対して第
１の実施の形態と同様に入力端部２を半導体素子構成体
１ａ，１ｂの左上側に配置し、出力端部３を右下側に配
置し、これらの入力端部２と半導体素子構成体１ａ，１
ｂの上面との間、出力端部３と半導体素子構成体１ａ，
１ｂの下面との間をそれぞれ入力側接続体４、出力側接
続体５によって接続した構造である。
素子アセンブリを、図２に基づいて説明する。第２の実
施の形態は、複数の半導体構成体１ａ，１ｂに対して第
１の実施の形態と同様に入力端部２を半導体素子構成体
１ａ，１ｂの左上側に配置し、出力端部３を右下側に配
置し、これらの入力端部２と半導体素子構成体１ａ，１
ｂの上面との間、出力端部３と半導体素子構成体１ａ，
１ｂの下面との間をそれぞれ入力側接続体４、出力側接
続体５によって接続した構造である。
【００１７】この第２の実施の形態の半導体素子アセン
ブリでは、電流が入力端部２から出力端部３へ流れると
き、 （ iii）入力端部２→入力側接続体４→半導体素子構成
体１ａ→出力側接続体５→出力端部３ （iv）入力端部２→入力側接続体４→半導体素子構成体
１ｂ→出力側接続体５→出力端部３ という２通りの経路をとる。
ブリでは、電流が入力端部２から出力端部３へ流れると
き、 （ iii）入力端部２→入力側接続体４→半導体素子構成
体１ａ→出力側接続体５→出力端部３ （iv）入力端部２→入力側接続体４→半導体素子構成体
１ｂ→出力側接続体５→出力端部３ という２通りの経路をとる。
【００１８】この２つの電流経路（ iii），（iv）を比
べると、その経路長は等しくなり、配線インピーダンス
も等しくなり、電流密度が半導体素子構成体１ａ，１ｂ
のいずれの側にも偏ることがない。
べると、その経路長は等しくなり、配線インピーダンス
も等しくなり、電流密度が半導体素子構成体１ａ，１ｂ
のいずれの側にも偏ることがない。
【００１９】次に、本発明の第３の実施の形態の半導体
素子アセンブリを、図３に基づいて説明する。第３の実
施の形態の半導体素子アセンブリの特徴は、入力端部
２、出力端部３を入力側接続体４、出力側接続体５にお
ける電流の流れる方向に対して垂直な方向に設けた点に
あり、その他の構成は図２に示した第２の実施の形態と
共通である。
素子アセンブリを、図３に基づいて説明する。第３の実
施の形態の半導体素子アセンブリの特徴は、入力端部
２、出力端部３を入力側接続体４、出力側接続体５にお
ける電流の流れる方向に対して垂直な方向に設けた点に
あり、その他の構成は図２に示した第２の実施の形態と
共通である。
【００２０】これにより、第３の実施の形態の半導体素
子アセンブリでも、図２に示した第２の実施の形態と同
様に、 （ iii）入力端部２→入力側接続体４→半導体素子構成
体１ａ→出力側接続体５→出力端部３ （iv）入力端部２→入力側接続体４→半導体素子構成体
１ｂ→出力側接続体５→出力端部３ という２つの電流経路の経路長が等しくなり、配線イン
ピーダンスも等しくなり、電流密度が半導体素子構成体
１ａ，１ｂのいずれの側にも偏ることがない。
子アセンブリでも、図２に示した第２の実施の形態と同
様に、 （ iii）入力端部２→入力側接続体４→半導体素子構成
体１ａ→出力側接続体５→出力端部３ （iv）入力端部２→入力側接続体４→半導体素子構成体
１ｂ→出力側接続体５→出力端部３ という２つの電流経路の経路長が等しくなり、配線イン
ピーダンスも等しくなり、電流密度が半導体素子構成体
１ａ，１ｂのいずれの側にも偏ることがない。
【００２１】なお、入力端部２、出力端部３の方向は図
４に示したように図３のものとは反対向きであっても良
い。
４に示したように図３のものとは反対向きであっても良
い。
【００２２】次に、本発明の第４の実施の形態の電気回
路を、図５に基づいて説明する。第４の実施の形態の電
気回路は、図１に示した第１の実施の形態乃至図３に示
した第３の実施の形態のいずれかの半導体素子アセンブ
リを必要数用意し、それらを直列すべき部分は段々に重
ね、並列すべき部分は横並びさせ、それらの間を電気的
に接続することによってコンバータあるいはインバータ
のような電気回路を構成したことを特徴とする。
路を、図５に基づいて説明する。第４の実施の形態の電
気回路は、図１に示した第１の実施の形態乃至図３に示
した第３の実施の形態のいずれかの半導体素子アセンブ
リを必要数用意し、それらを直列すべき部分は段々に重
ね、並列すべき部分は横並びさせ、それらの間を電気的
に接続することによってコンバータあるいはインバータ
のような電気回路を構成したことを特徴とする。
【００２３】図５に示した電気回路では半導体アセンブ
リ１０ａ〜１０ｄの４体を用いてスイッチング素子のブ
リッジ回路を構成している。
リ１０ａ〜１０ｄの４体を用いてスイッチング素子のブ
リッジ回路を構成している。
【００２４】半導体素子アセンブリ１０ａは入力端部２
ａを半導体素子構成体１ａの左上側に配置し、出力端部
３ａを右下側に配置し、これらの入力端部２ａと半導体
素子構成体１ａの上面との間、出力端部３ａと半導体素
子構成体１ａの下面との間をそれぞれ入力側接続体４
ａ、出力側接続体５ａによって接続した構造である。半
導体素子アセンブリ１０ｂは入力端部２ｂを半導体素子
構成体１の左下側に配置し、出力端部３ａを左上側に配
置し、これらの入力端部２ｂと半導体素子構成体１ｂの
下面との間、出力端部３ａと半導体素子構成体１ｂの上
面との間をそれぞれ入力側接続体４ｂ、出力側接続体５
ａによって接続した構造である。
ａを半導体素子構成体１ａの左上側に配置し、出力端部
３ａを右下側に配置し、これらの入力端部２ａと半導体
素子構成体１ａの上面との間、出力端部３ａと半導体素
子構成体１ａの下面との間をそれぞれ入力側接続体４
ａ、出力側接続体５ａによって接続した構造である。半
導体素子アセンブリ１０ｂは入力端部２ｂを半導体素子
構成体１の左下側に配置し、出力端部３ａを左上側に配
置し、これらの入力端部２ｂと半導体素子構成体１ｂの
下面との間、出力端部３ａと半導体素子構成体１ｂの上
面との間をそれぞれ入力側接続体４ｂ、出力側接続体５
ａによって接続した構造である。
【００２５】また半導体素子アセンブリ１ｃは入力端部
２ａを半導体素子構成体１ｃの左上側に配置し、出力端
部３ｂを右下側に配置し、これらの入力端部２ａと半導
体素子構成体１ｃの上面との間、出力端部３ｂと半導体
素子構成体１ｃの下面との間をそれぞれ入力側接続体４
ａ、出力側接続体５ｂによって接続した構造である。さ
らに半導体素子アセンブリ１０ｄは入力端部２ｂを半導
体素子構成体１の左下側に配置し、出力端部３ｂを右上
側に配置し、これらの入力端部２ｂと半導体素子構成体
１ｄの下面との間、出力端部３ｂと半導体素子構成体１
ｄの上面との間をそれぞれ入力側接続体４ｂ、出力側接
続体５ｂによって接続した構造である。
２ａを半導体素子構成体１ｃの左上側に配置し、出力端
部３ｂを右下側に配置し、これらの入力端部２ａと半導
体素子構成体１ｃの上面との間、出力端部３ｂと半導体
素子構成体１ｃの下面との間をそれぞれ入力側接続体４
ａ、出力側接続体５ｂによって接続した構造である。さ
らに半導体素子アセンブリ１０ｄは入力端部２ｂを半導
体素子構成体１の左下側に配置し、出力端部３ｂを右上
側に配置し、これらの入力端部２ｂと半導体素子構成体
１ｄの下面との間、出力端部３ｂと半導体素子構成体１
ｄの上面との間をそれぞれ入力側接続体４ｂ、出力側接
続体５ｂによって接続した構造である。
【００２６】ただし、この電気回路では、互いに直列に
接続すべき半導体素子アセンブリ１０ａと１０ｂ、また
半導体素子アセンブリ１０ｃと１０ｄとはそれぞれ上下
に段々に重ね、かつ直接に接触する部材、つまり出力側
接続体５ａ，５ｂは共有させている。また互いに並列に
接続すべき半導体素子アセンブリ１０ａと１０ｃ、また
半導体素子アセンブリ１０ｂと１０ｄとは、入力を共通
にするので入力側接続体４ａ，４ｂそれぞれを長くして
半導体素子構成体１ａと１ｃ、また半導体素子構成体１
ｂと１ｄとに共に接触する構造にしている。このような
構造にすることにより、電気回路として見た場合の必要
部品点数を少なくすることができるメリットがある。
接続すべき半導体素子アセンブリ１０ａと１０ｂ、また
半導体素子アセンブリ１０ｃと１０ｄとはそれぞれ上下
に段々に重ね、かつ直接に接触する部材、つまり出力側
接続体５ａ，５ｂは共有させている。また互いに並列に
接続すべき半導体素子アセンブリ１０ａと１０ｃ、また
半導体素子アセンブリ１０ｂと１０ｄとは、入力を共通
にするので入力側接続体４ａ，４ｂそれぞれを長くして
半導体素子構成体１ａと１ｃ、また半導体素子構成体１
ｂと１ｄとに共に接触する構造にしている。このような
構造にすることにより、電気回路として見た場合の必要
部品点数を少なくすることができるメリットがある。
【００２７】しかしながら、原則的には、半導体素子ア
センブリを必要数用意し、それらを直列すべき部分は段
々に重ね、並列すべき部分は横並びさせ、それらの間を
結線によって電気的に接続する構成にすることもでき
る。
センブリを必要数用意し、それらを直列すべき部分は段
々に重ね、並列すべき部分は横並びさせ、それらの間を
結線によって電気的に接続する構成にすることもでき
る。
【００２８】このようにして構成される電気回路では、
半導体素子アセンブリ１０ａ〜１０ｄを４体用い、電流
経路が偏らない配置にすることにより、電流密度が偏ら
ないメリットがある。
半導体素子アセンブリ１０ａ〜１０ｄを４体用い、電流
経路が偏らない配置にすることにより、電流密度が偏ら
ないメリットがある。
【００２９】
【発明の効果】以上のように請求項１の発明の半導体素
子アセンブリによれば、入力端部から出力端部に至る電
流経路長を半導体素子のどの位置を通る電流経路でも等
しい長さにして、電流密度を経路によらず一定にするこ
とができる。
子アセンブリによれば、入力端部から出力端部に至る電
流経路長を半導体素子のどの位置を通る電流経路でも等
しい長さにして、電流密度を経路によらず一定にするこ
とができる。
【００３０】請求項２の発明の半導体素子アセンブリに
よれば、半導体素子が複数体であってもそれぞれを通る
電流経路長を等しくし、電流密度を経路によらず一定に
することができる。
よれば、半導体素子が複数体であってもそれぞれを通る
電流経路長を等しくし、電流密度を経路によらず一定に
することができる。
【００３１】請求項３の発明の半導体素子アセンブリに
よれば、入力端部、出力端部それぞれを入力側接続体、
出力側接続体それぞれの電流の流れ方向に対して垂直な
方向に設けたので、電流の入力方向、出力方向が入力側
接続体、出力側接続体それぞれの電流の流れ方向に対し
て垂直な方向であっても、電流経路長を等しくし、電流
密度を経路によらず一定にすることができる。
よれば、入力端部、出力端部それぞれを入力側接続体、
出力側接続体それぞれの電流の流れ方向に対して垂直な
方向に設けたので、電流の入力方向、出力方向が入力側
接続体、出力側接続体それぞれの電流の流れ方向に対し
て垂直な方向であっても、電流経路長を等しくし、電流
密度を経路によらず一定にすることができる。
【００３２】請求項４の発明の電気回路によれば、電気
回路としてどの経路でも電流経路長が等しくなり、電流
密度が等しくできる。
回路としてどの経路でも電流経路長が等しくなり、電流
密度が等しくできる。
【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体素子アセン
ブリの正面図。
ブリの正面図。
【図２】本発明の第２の実施の形態の半導体素子アセン
ブリの正面図。
ブリの正面図。
【図３】本発明の第３の実施の形態の半導体素子アセン
ブリの正面図及び平面図。
ブリの正面図及び平面図。
【図４】第３の実施の形態の半導体素子アセンブリの他
の例を示す正面図及び平面図。
の例を示す正面図及び平面図。
【図５】本発明の第４の実施の形態の電気回路の平面
図。
図。
【図６】従来例の半導体素子アセンブリの正面図。
１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ 半導体素子構成体 ２，２ａ，２ｂ 入力端部 ３，３ａ，３ｂ 出力端部 ４，４ａ，４ｂ 入力側接続体 ５，５ａ，５ｂ 出力側接続体 １０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ 半導体素子アセンブ
リ
リ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子の一側に入力端部とこの入力
端部と前記半導体素子の一側とを結ぶ入力側接続体を設
け、前記半導体素子の他側に前記入力側接続体と電流経
路長を同じくする出力側接続体を設け、前記出力側接続
体における前記入力端部と反対側の端部に出力端部を設
けて成る半導体素子アセンブリ。 - 【請求項２】 前記半導体素子を複数体有することを特
徴とする請求項１に記載の半導体素子アセンブリ。 - 【請求項３】 前記入力端部、出力端部それぞれを前記
入力側接続体、出力側接続体それぞれの電流の流れ方向
に対して垂直な方向に設けたことを特徴とする請求項１
又は２に記載の半導体素子アセンブリ。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の半導体
アセンブリを必要数用意し、それらを直列すべき部分は
段々に重ね、並列すべき部分は横並びさせ、それらの間
を電気的に接続したことを特徴とする電気回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25212199A JP2001077302A (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半導体素子アセンブリ及びそれを用いた電気回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25212199A JP2001077302A (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半導体素子アセンブリ及びそれを用いた電気回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077302A true JP2001077302A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17232774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25212199A Pending JP2001077302A (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半導体素子アセンブリ及びそれを用いた電気回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001077302A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003243611A (ja) * | 2002-02-21 | 2003-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール及び半導体装置 |
| JP2011009767A (ja) * | 2010-08-17 | 2011-01-13 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
| WO2014091839A1 (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Ｄｃ－ｄｃコンバータ装置 |
-
1999
- 1999-09-06 JP JP25212199A patent/JP2001077302A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003243611A (ja) * | 2002-02-21 | 2003-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール及び半導体装置 |
| JP2011009767A (ja) * | 2010-08-17 | 2011-01-13 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
| WO2014091839A1 (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Ｄｃ－ｄｃコンバータ装置 |
| JP2014121117A (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Hitachi Automotive Systems Ltd | Ｄｃ−ｄｃコンバータ装置 |
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