JP2003243611A - 半導体モジュール及び半導体装置 - Google Patents
半導体モジュール及び半導体装置Info
- Publication number
- JP2003243611A JP2003243611A JP2002044408A JP2002044408A JP2003243611A JP 2003243611 A JP2003243611 A JP 2003243611A JP 2002044408 A JP2002044408 A JP 2002044408A JP 2002044408 A JP2002044408 A JP 2002044408A JP 2003243611 A JP2003243611 A JP 2003243611A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- module
- collector electrode
- exposed
- bus bar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 モジュール本体の小型化を実現できる半導体
モジュールを提供する。 【解決手段】 半導体モジュールが、支持基板上に実装
された複数個の半導体チップが１つのパッケージ内に収
納され、該半導体チップと電気的に接続された電極端子
の少なくとも一部が外部に露出されて、該半導体チップ
から電極が取り出される構造を備える。この半導体モジ
ュールにおいて、エミッタ電極端子が、その一端側で上
記半導体チップのエミッタ電極に接続される一方、その
他端側でモジュール本体上側に露出される。そして、支
持基板が導電体からなり、それ自体で、その上面側で半
導体チップが直接に接合されて半導体チップと電気的に
接続される一方、その下面側で本体底面をなして外部に
露出するコレクタ電極端子をなしている。
モジュールを提供する。 【解決手段】 半導体モジュールが、支持基板上に実装
された複数個の半導体チップが１つのパッケージ内に収
納され、該半導体チップと電気的に接続された電極端子
の少なくとも一部が外部に露出されて、該半導体チップ
から電極が取り出される構造を備える。この半導体モジ
ュールにおいて、エミッタ電極端子が、その一端側で上
記半導体チップのエミッタ電極に接続される一方、その
他端側でモジュール本体上側に露出される。そして、支
持基板が導電体からなり、それ自体で、その上面側で半
導体チップが直接に接合されて半導体チップと電気的に
接続される一方、その下面側で本体底面をなして外部に
露出するコレクタ電極端子をなしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワーモジュール
等の複合型半導体モジュール及び複数の半導体モジュー
ルが組み込まれたインバータ装置等の半導体装置に関す
る。
等の複合型半導体モジュール及び複数の半導体モジュー
ルが組み込まれたインバータ装置等の半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図５及び６は、それぞれ、従来知られた
半導体装置（例えばインバータ装置等）の主回路を構成
する複数のパワーモジュールの実装構造を示す斜視図及
び平面図である。図から分かるように、複数個（ここで
は３つ）のパワーモジュール９０が放熱フィン８１上に
同方向に配列されて実装されている。各パワーモジュー
ル９０は、本体底面をなす支持基板９１上に絶縁層（不
図示）を介して実装された複数個の半導体チップ（不図
示）が支持基板９１上でパッケージ９２により規定され
る空間内に収納される構造を有している。これらのパワ
ーモジュール９０では、パッケージ９２内に収納された
半導体チップからエミッタ電極，コレクタ電極を取り出
すべく、それぞれ一端側で半導体チップに接続されたエ
ミッタ電極端子９７，コレクタ電極端子９８が、共に、
その他端側でパッケージ上面に沿って露出されている。
符号９４は、入力信号端子である。
半導体装置（例えばインバータ装置等）の主回路を構成
する複数のパワーモジュールの実装構造を示す斜視図及
び平面図である。図から分かるように、複数個（ここで
は３つ）のパワーモジュール９０が放熱フィン８１上に
同方向に配列されて実装されている。各パワーモジュー
ル９０は、本体底面をなす支持基板９１上に絶縁層（不
図示）を介して実装された複数個の半導体チップ（不図
示）が支持基板９１上でパッケージ９２により規定され
る空間内に収納される構造を有している。これらのパワ
ーモジュール９０では、パッケージ９２内に収納された
半導体チップからエミッタ電極，コレクタ電極を取り出
すべく、それぞれ一端側で半導体チップに接続されたエ
ミッタ電極端子９７，コレクタ電極端子９８が、共に、
その他端側でパッケージ上面に沿って露出されている。
符号９４は、入力信号端子である。
【０００３】かかる実装構造において、放熱フィン８１
上で配列される３つのパワーモジュール９０は、それぞ
れ、本体四隅におけるネジ締結により、放熱フィン８１
に直接に固定されている。符号９９は、ネジ部材を示
す。そして、平板状に形成された細長いエミッタ電極用
及びコレクタ電極用ブスバー８６及び８７が、モジュー
ル本体上側で、３つのパワーモジュール９０を橋渡しす
るようにして取り付けられている。各エミッタ電極端子
及びコレクタ電極端子の露出部分にはネジ挿通孔（不図
示）が形成され、また、これらネジ挿通孔に対応してモ
ジュール本体には雌ネジ構造（不図示）が設けられてお
り、ブスパー８６及び８７は、それぞれ、エミッタ電極
端子及びコレクタ電極端子の露出部分を介して、モジュ
ール本体にネジ締結される。これにより、異なるパワー
モジュール９０の間で、各エミッタ電極端子及びコレク
タ電極端子が電気的に接続される。
上で配列される３つのパワーモジュール９０は、それぞ
れ、本体四隅におけるネジ締結により、放熱フィン８１
に直接に固定されている。符号９９は、ネジ部材を示
す。そして、平板状に形成された細長いエミッタ電極用
及びコレクタ電極用ブスバー８６及び８７が、モジュー
ル本体上側で、３つのパワーモジュール９０を橋渡しす
るようにして取り付けられている。各エミッタ電極端子
及びコレクタ電極端子の露出部分にはネジ挿通孔（不図
示）が形成され、また、これらネジ挿通孔に対応してモ
ジュール本体には雌ネジ構造（不図示）が設けられてお
り、ブスパー８６及び８７は、それぞれ、エミッタ電極
端子及びコレクタ電極端子の露出部分を介して、モジュ
ール本体にネジ締結される。これにより、異なるパワー
モジュール９０の間で、各エミッタ電極端子及びコレク
タ電極端子が電気的に接続される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たパワーモジュール９０では、エミッタ電極端子及びコ
レクタ電極端子が共にパッケージ上面に沿って露出され
ることから、モジュールの上側で両電極端子用のスペー
スを確保する必要があり、モジュール本体の小型化が困
難であった。また、パワーモジュール９０の実装構造に
ついては、パワーモジュール９０が放熱フィン８１に対
して直接にネジ締結されるため、放熱フィン８１におい
ては、パワーモジュール９０の実装スペースを広く設計
する必要があり、その小型化は困難であった。すなわ
ち、放熱フィン８１を含む装置本体の小型化が困難であ
った。
たパワーモジュール９０では、エミッタ電極端子及びコ
レクタ電極端子が共にパッケージ上面に沿って露出され
ることから、モジュールの上側で両電極端子用のスペー
スを確保する必要があり、モジュール本体の小型化が困
難であった。また、パワーモジュール９０の実装構造に
ついては、パワーモジュール９０が放熱フィン８１に対
して直接にネジ締結されるため、放熱フィン８１におい
ては、パワーモジュール９０の実装スペースを広く設計
する必要があり、その小型化は困難であった。すなわ
ち、放熱フィン８１を含む装置本体の小型化が困難であ
った。
【０００５】本発明は、上記技術的課題に鑑みてなされ
たもので、モジュール本体の小型化及びそれが実装され
る装置の小型化を実現できる半導体モジュール及びそれ
が組み込まれた半導体装置を提供することを目的とす
る。
たもので、モジュール本体の小型化及びそれが実装され
る装置の小型化を実現できる半導体モジュール及びそれ
が組み込まれた半導体装置を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願の第１の発明は、支
持基板上に実装された複数個の半導体チップが１つのパ
ッケージ内に収納され、該半導体チップと電気的に接続
された電極端子の少なくとも一部が外部に露出されて、
該半導体チップから電極が取り出される構造を備えた半
導体モジュールにおいて、その一端側で上記半導体チッ
プのエミッタ電極に接続される一方、その他端側でモジ
ュール本体上側に露出されるエミッタ電極端子が設けら
れるとともに、上記支持基板が導電体からなり、その上
面側で半導体チップが直接に接合されて半導体チップと
電気的に接続される一方、その下面側で本体底面をなし
て外部に露出するコレクタ電極端子をなしていることを
特徴としたものである。
持基板上に実装された複数個の半導体チップが１つのパ
ッケージ内に収納され、該半導体チップと電気的に接続
された電極端子の少なくとも一部が外部に露出されて、
該半導体チップから電極が取り出される構造を備えた半
導体モジュールにおいて、その一端側で上記半導体チッ
プのエミッタ電極に接続される一方、その他端側でモジ
ュール本体上側に露出されるエミッタ電極端子が設けら
れるとともに、上記支持基板が導電体からなり、その上
面側で半導体チップが直接に接合されて半導体チップと
電気的に接続される一方、その下面側で本体底面をなし
て外部に露出するコレクタ電極端子をなしていることを
特徴としたものである。
【０００７】また、本願の第２の発明は、上記第１の発
明に記載の半導体モジュールが該半導体モジュールから
発生した熱を放熱する放熱フィン上に複数個実装され、
異なる半導体モジュール間で各電極端子が電気的に接続
される半導体装置において、上記半導体モジュールと放
熱フィンとの間に平板状のコレクタ電極用ブスバーが介
在させられ、各半導体モジュールが、本体底面をなす支
持基板が上記コレクタ電極用ブスバーと電気的に接続す
るように、コレクタ電極用ブスバーに直接に固定されて
いることを特徴としたものである。
明に記載の半導体モジュールが該半導体モジュールから
発生した熱を放熱する放熱フィン上に複数個実装され、
異なる半導体モジュール間で各電極端子が電気的に接続
される半導体装置において、上記半導体モジュールと放
熱フィンとの間に平板状のコレクタ電極用ブスバーが介
在させられ、各半導体モジュールが、本体底面をなす支
持基板が上記コレクタ電極用ブスバーと電気的に接続す
るように、コレクタ電極用ブスバーに直接に固定されて
いることを特徴としたものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付図面を参照しながら説明する。図１は、本発明
の実施の形態に係る非絶縁型パワーモジュールの斜視図
であり、また、図２は、図１におけるＣ−Ｃ線に沿った
縦断面説明図である。このパワーモジュール１０は、本
体底面をなす支持基板１上に実装された複数個（ここで
は２つ）の半導体チップ１５Ａ，１５Ｂが１つのパッケ
ージ５内に収納される構造を有している。図２に示すよ
うに、半導体チップ１５Ａ，１５Ｂは、パッケージ５の
内部で、ボンディングワイヤ７を用いて結線された状態
で、シリコンゲル等の樹脂６により封止されている。
て、添付図面を参照しながら説明する。図１は、本発明
の実施の形態に係る非絶縁型パワーモジュールの斜視図
であり、また、図２は、図１におけるＣ−Ｃ線に沿った
縦断面説明図である。このパワーモジュール１０は、本
体底面をなす支持基板１上に実装された複数個（ここで
は２つ）の半導体チップ１５Ａ，１５Ｂが１つのパッケ
ージ５内に収納される構造を有している。図２に示すよ
うに、半導体チップ１５Ａ，１５Ｂは、パッケージ５の
内部で、ボンディングワイヤ７を用いて結線された状態
で、シリコンゲル等の樹脂６により封止されている。
【０００９】図１からよく分かるように、パッケージ５
は、全体として、支持基板１の上方へ延び、半導体チッ
プ１５Ａ，１５Ｂを収納する空間を構成するチップ収納
部２と、チップ収納部２の両側で支持基板１に沿って延
び、計４つのモジュール本体固定用のネジ挿通孔４ａを
有する固定部４とから成る。チップ収納部２はその上端
側で開口し、その開口部は樹脂６による封止後に蓋１１
で閉じられる。また、チップ収納部２の上端側には、そ
の一辺において、本体外方へ延びる突起部３が設けられ
る。また、特に図示しないが、固定部４に形成されたネ
ジ挿通孔４ａに対応して、支持基板１にも計４つのネジ
挿通孔が形成されている。
は、全体として、支持基板１の上方へ延び、半導体チッ
プ１５Ａ，１５Ｂを収納する空間を構成するチップ収納
部２と、チップ収納部２の両側で支持基板１に沿って延
び、計４つのモジュール本体固定用のネジ挿通孔４ａを
有する固定部４とから成る。チップ収納部２はその上端
側で開口し、その開口部は樹脂６による封止後に蓋１１
で閉じられる。また、チップ収納部２の上端側には、そ
の一辺において、本体外方へ延びる突起部３が設けられ
る。また、特に図示しないが、固定部４に形成されたネ
ジ挿通孔４ａに対応して、支持基板１にも計４つのネジ
挿通孔が形成されている。
【００１０】また、このパワーモジュール１０は、半導
体チップ１５Ａ，１５Ｂからのエミッタ電極及びコレク
タ電極取出し用に半導体チップ１５Ａ，１５Ｂと電気的
に接続された電極端子の一部が外部に露出される構造を
有している。この実施の形態では、まず、半導体チップ
１５Ａ，１５Ｂからエミッタ電極を取り出すために、そ
の一端側で半導体チップ１５Ａ，１５Ｂにボンディング
ワイヤ７を介して接続されたエミッタ電極端子８が、パ
ッケージ５を構成するチップ収納部５の内壁に沿って上
方へ延び、その他端側で、突起部３に沿って外部に露出
している。エミッタ電極端子８の露出部分には、ネジ挿
通孔８ａが形成され、これに対応して、突起部３には雌
ネジ構造３ａが設けられている。
体チップ１５Ａ，１５Ｂからのエミッタ電極及びコレク
タ電極取出し用に半導体チップ１５Ａ，１５Ｂと電気的
に接続された電極端子の一部が外部に露出される構造を
有している。この実施の形態では、まず、半導体チップ
１５Ａ，１５Ｂからエミッタ電極を取り出すために、そ
の一端側で半導体チップ１５Ａ，１５Ｂにボンディング
ワイヤ７を介して接続されたエミッタ電極端子８が、パ
ッケージ５を構成するチップ収納部５の内壁に沿って上
方へ延び、その他端側で、突起部３に沿って外部に露出
している。エミッタ電極端子８の露出部分には、ネジ挿
通孔８ａが形成され、これに対応して、突起部３には雌
ネジ構造３ａが設けられている。
【００１１】更に、この実施の形態では、半導体チップ
１５Ａ，１５Ｂからコレクタ電極を取り出すために、支
持基板１が導電体から成り、半導体チップ１５Ａ，１５
Ｂは半田（不図示）を用いて支持基板１に接合され、支
持基板１に対して電気的に接続されている。すなわち、
支持基板１は、その上面側で半導体チップ１５Ａ，１５
Ｂに接続し、その下面側で本体底面をなしつつ外部に露
出するコレクタ電極端子をなしている。
１５Ａ，１５Ｂからコレクタ電極を取り出すために、支
持基板１が導電体から成り、半導体チップ１５Ａ，１５
Ｂは半田（不図示）を用いて支持基板１に接合され、支
持基板１に対して電気的に接続されている。すなわち、
支持基板１は、その上面側で半導体チップ１５Ａ，１５
Ｂに接続し、その下面側で本体底面をなしつつ外部に露
出するコレクタ電極端子をなしている。
【００１２】なお、半導体モジュール１０の外部端子と
しては、このような各電極端子とともに、入力信号端子
９がパッケージ内部から蓋１１を通過して上方へ突出す
るように設けられている。
しては、このような各電極端子とともに、入力信号端子
９がパッケージ内部から蓋１１を通過して上方へ突出す
るように設けられている。
【００１３】このような電極取出し構造を備えたパワー
モジュール１０では、モジュール本体上側に露出する電
極端子がエミッタ電極端子８のみであり、モジュール本
体上側に複数の電極端子が露出される従来の電極取出し
構造の場合と比較して、モジュール本体上側での電極端
子の露出に要するスペースは小さくて済む。つまり、か
かる電極取出し構造によれば、モジュール本体の小型化
を図ることができる。
モジュール１０では、モジュール本体上側に露出する電
極端子がエミッタ電極端子８のみであり、モジュール本
体上側に複数の電極端子が露出される従来の電極取出し
構造の場合と比較して、モジュール本体上側での電極端
子の露出に要するスペースは小さくて済む。つまり、か
かる電極取出し構造によれば、モジュール本体の小型化
を図ることができる。
【００１４】次に、かかる電極取出し構造を備えたパワ
ーモジュール１０が、インバータ装置の主回路を構成す
るために用いられる場合について説明する。図２では、
パワーモジュール１０とともに、インバータ装置の主回
路の構成に際して、パワーモジュール１０が実装される
放熱フィン２１と、その放熱フィン２１とパワーモジュ
ール１０との間に介在させられるコレクタ電極用ブスバ
ー１２とが仮想線で示されている。前述したように、パ
ッケージ５の固定部４及び支持基板１には、モジュール
本体固定用のネジ挿通孔が形成されているが、これらの
ネジ挿通孔に対応して、コレクタ電極用ブスバー１２に
は、雌ネジ構造１２ａが設けられている。すなわち、パ
ワモジュール１０は、インバータ装置の主回路の構成に
際して、コレクタ電極用ブスバー１２に対して直接にネ
ジ締結され、この状態では、コレクタ電極をなす支持基
板１とコレクタ電極用ブスバー１２とが電気的に接続さ
れることになる。なお、特に図示しないが、コレクタ電
極用ブスバー１２と放熱フィン２１との間は、絶縁材料
により絶縁されている。
ーモジュール１０が、インバータ装置の主回路を構成す
るために用いられる場合について説明する。図２では、
パワーモジュール１０とともに、インバータ装置の主回
路の構成に際して、パワーモジュール１０が実装される
放熱フィン２１と、その放熱フィン２１とパワーモジュ
ール１０との間に介在させられるコレクタ電極用ブスバ
ー１２とが仮想線で示されている。前述したように、パ
ッケージ５の固定部４及び支持基板１には、モジュール
本体固定用のネジ挿通孔が形成されているが、これらの
ネジ挿通孔に対応して、コレクタ電極用ブスバー１２に
は、雌ネジ構造１２ａが設けられている。すなわち、パ
ワモジュール１０は、インバータ装置の主回路の構成に
際して、コレクタ電極用ブスバー１２に対して直接にネ
ジ締結され、この状態では、コレクタ電極をなす支持基
板１とコレクタ電極用ブスバー１２とが電気的に接続さ
れることになる。なお、特に図示しないが、コレクタ電
極用ブスバー１２と放熱フィン２１との間は、絶縁材料
により絶縁されている。
【００１５】図３及び４は、それぞれ、インバータ装置
の主回路を構成する複数のパワーモジュール１０の実装
構造を示す斜視図及び平面図である。３つのパワーモジ
ュール１０が、放熱フィン２１上で所定の間隔をおいて
同方向に配列されるようにして実装されている。より詳
しくは、３つのパワーモジュール１０が、各チップ収納
部２の上端側に設けられた突起部３が同一直線上に配列
されるように位置決めされている。各パワーモジュール
１０は、前述したように、ネジ部材１６を用いた本体４
隅におけるネジ締結により、放熱フィン２１に配設され
たコレクタ電極用ブスバー１２に固定されている。これ
により、各パワーモジュール１０の間で、コレクタ電極
をなす支持基板１が、コレクタ電極用ブスバー１２を介
して、互いに電気的に接続される。なお、ここでは、放
熱フィン２１が、その上面側で、コレクタ電極用ブスバ
ー１２と略同じ大きさに設定されている。
の主回路を構成する複数のパワーモジュール１０の実装
構造を示す斜視図及び平面図である。３つのパワーモジ
ュール１０が、放熱フィン２１上で所定の間隔をおいて
同方向に配列されるようにして実装されている。より詳
しくは、３つのパワーモジュール１０が、各チップ収納
部２の上端側に設けられた突起部３が同一直線上に配列
されるように位置決めされている。各パワーモジュール
１０は、前述したように、ネジ部材１６を用いた本体４
隅におけるネジ締結により、放熱フィン２１に配設され
たコレクタ電極用ブスバー１２に固定されている。これ
により、各パワーモジュール１０の間で、コレクタ電極
をなす支持基板１が、コレクタ電極用ブスバー１２を介
して、互いに電気的に接続される。なお、ここでは、放
熱フィン２１が、その上面側で、コレクタ電極用ブスバ
ー１２と略同じ大きさに設定されている。
【００１６】また、パワーモジュール１０の上側では、
平板状に形成された細長いエミッタ電極用ブスバー１３
が、３つのパワーモジュール１０を橋渡しするようにし
て取り付けられている。このエミッタ電極用ブスバー１
３の取付けは、突起部３に形成された雌ネジ構造３ａ
（図２参照）に対するネジ部材１４を用いたネジ締結に
より行なわれる。このネジ締結の状態では、各パワーモ
ジュール１０の間で、エミッタ電極端子８が、エミッタ
電極用ブスバー１３を介して、互いに電気的に接続され
る。
平板状に形成された細長いエミッタ電極用ブスバー１３
が、３つのパワーモジュール１０を橋渡しするようにし
て取り付けられている。このエミッタ電極用ブスバー１
３の取付けは、突起部３に形成された雌ネジ構造３ａ
（図２参照）に対するネジ部材１４を用いたネジ締結に
より行なわれる。このネジ締結の状態では、各パワーモ
ジュール１０の間で、エミッタ電極端子８が、エミッタ
電極用ブスバー１３を介して、互いに電気的に接続され
る。
【００１７】このように、本実施の形態に係るパワーモ
ジュール１０の実装構造では、パワーモジュール１０が
コネクタ電極用ブスバー１２に対して直接に固定された
上で、エミッタ電極用ブスバー１３及びコレクタ電極用
ブスバー１２が、それぞれ、モジュール本体を挟み込む
ように、モジュール本体上側にてエミッタ電極用ブスバ
ー１３が取り付けられる。この実装構造によれば、パワ
ーモジュール１０が放熱フィン２１に対して直接に固定
されることなく、放熱フィン２１の小型化が可能であ
る。その結果、インバータ装置本体の小型化が可能とな
る。
ジュール１０の実装構造では、パワーモジュール１０が
コネクタ電極用ブスバー１２に対して直接に固定された
上で、エミッタ電極用ブスバー１３及びコレクタ電極用
ブスバー１２が、それぞれ、モジュール本体を挟み込む
ように、モジュール本体上側にてエミッタ電極用ブスバ
ー１３が取り付けられる。この実装構造によれば、パワ
ーモジュール１０が放熱フィン２１に対して直接に固定
されることなく、放熱フィン２１の小型化が可能であ
る。その結果、インバータ装置本体の小型化が可能とな
る。
【００１８】なお、本発明は、例示された実施の形態に
限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
において、種々の改良及び設計上の変更が可能であるこ
とは言うまでもない。
限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
において、種々の改良及び設計上の変更が可能であるこ
とは言うまでもない。
【００１９】
【発明の効果】本願の請求項１の発明によれば、半導体
モジュールが、その一端側で半導体チップのエミッタ電
極に接続される一方、その他端側でモジュール本体上側
に露出されるエミッタ電極端子が設けられるとともに、
支持基板が導電体からなり、その上面側で半導体チップ
が直接に接合されて半導体チップと電気的に接続される
一方、その下面側で本体底面をなして外部に露出するコ
レクタ電極端子をなす電極取出し構造を有するので、モ
ジュール本体上側に露出する電極端子がエミッタ電極端
子のみとなり、モジュール本体上側に複数の電極端子が
露出される従来の電極取出し構造の場合と比較して、モ
ジュール本体上側での電極端子の露出に要するスペース
は小さくて済む。その結果、モジュール本体の小型化を
図ることができる。
モジュールが、その一端側で半導体チップのエミッタ電
極に接続される一方、その他端側でモジュール本体上側
に露出されるエミッタ電極端子が設けられるとともに、
支持基板が導電体からなり、その上面側で半導体チップ
が直接に接合されて半導体チップと電気的に接続される
一方、その下面側で本体底面をなして外部に露出するコ
レクタ電極端子をなす電極取出し構造を有するので、モ
ジュール本体上側に露出する電極端子がエミッタ電極端
子のみとなり、モジュール本体上側に複数の電極端子が
露出される従来の電極取出し構造の場合と比較して、モ
ジュール本体上側での電極端子の露出に要するスペース
は小さくて済む。その結果、モジュール本体の小型化を
図ることができる。
【００２０】また、本願の請求項２の発明によれば、半
導体装置における半導体モジュールの実装構造におい
て、複数の半導体モジュールと放熱フィンとの間に平板
状のコレクタ電極用ブスバーが介在させられ、各半導体
モジュールが、その支持基板が上記コレクタ電極用ブス
バーと電気的に接続するように、コレクタ電極用ブスバ
ーに直接に固定されるので、パワーモジュールが放熱フ
ィンに対して直接に固定されることなく、放熱フィンの
小型化が可能である。その結果、インバータ装置本体の
小型化が可能となる。
導体装置における半導体モジュールの実装構造におい
て、複数の半導体モジュールと放熱フィンとの間に平板
状のコレクタ電極用ブスバーが介在させられ、各半導体
モジュールが、その支持基板が上記コレクタ電極用ブス
バーと電気的に接続するように、コレクタ電極用ブスバ
ーに直接に固定されるので、パワーモジュールが放熱フ
ィンに対して直接に固定されることなく、放熱フィンの
小型化が可能である。その結果、インバータ装置本体の
小型化が可能となる。
【図１】 本発明の実施の形態に係る非絶縁型のパワー
モジュールを示す斜視図である。
モジュールを示す斜視図である。
【図２】 図１におけるＣ−Ｃ線に沿ったパワーモジュ
ールの縦断面説明図である。
ールの縦断面説明図である。
【図３】 上記実施の形態に係るインバータ装置の主回
路を構成する複数個のパワーモジュールの実装構造を示
すを示す斜視図である。
路を構成する複数個のパワーモジュールの実装構造を示
すを示す斜視図である。
【図４】 上記パワーモジュールの実装構造を示す平面
図である。
図である。
【図５】 従来知られたインバータ装置の主回路を構成
する複数個のパワーモジュールの実装構造を示すを示す
斜視図である。
する複数個のパワーモジュールの実装構造を示すを示す
斜視図である。
【図６】 従来知られたインバータ装置の主回路を構成
する複数個のパワーモジュールの実装構造を示す平面図
である。
する複数個のパワーモジュールの実装構造を示す平面図
である。
１ コレクタ電極端子兼支持基板，３ 突起部，５ パ
ッケージ，８ エミッタ電極端子，１０ パワーモジュ
ール，１２ コレクタ電極用ブスバー，１３エミッタ電
極用ブスバー，１５Ａ，１５Ｂ 半導体チップ，２１
放熱フィン
ッケージ，８ エミッタ電極端子，１０ パワーモジュ
ール，１２ コレクタ電極用ブスバー，１３エミッタ電
極用ブスバー，１５Ａ，１５Ｂ 半導体チップ，２１
放熱フィン
Claims (2)
- 【請求項１】 支持基板上に実装された複数個の半導体
チップが１つのパッケージ内に収納され、該半導体チッ
プと電気的に接続された電極端子の少なくとも一部が外
部に露出されて、該半導体チップから電極が取り出され
る構造を備えた半導体モジュールにおいて、 その一端側で上記半導体チップのエミッタ電極に接続さ
れる一方、その他端側でモジュール本体上側に露出され
るエミッタ電極端子が設けられるとともに、 上記支持基板が導電体からなり、その上面側で半導体チ
ップが直接に接合されて半導体チップと電気的に接続さ
れる一方、その下面側で本体底面をなして外部に露出す
るコレクタ電極端子をなしていることを特徴とする半導
体モジュール。 - 【請求項２】 上記請求項１に記載の半導体モジュール
が該半導体モジュールから発生した熱を放熱する放熱フ
ィン上に複数個実装され、異なる半導体モジュール間で
各電極端子が電気的に接続される半導体装置において、 上記半導体モジュールと放熱フィンとの間に平板状のコ
レクタ電極用ブスバーが介在させられ、各半導体モジュ
ールが、本体底面をなす支持基板が上記コレクタ電極用
ブスバーと電気的に接続するように、コレクタ電極用ブ
スバーに直接に固定されていることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002044408A JP2003243611A (ja) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | 半導体モジュール及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002044408A JP2003243611A (ja) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | 半導体モジュール及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003243611A true JP2003243611A (ja) | 2003-08-29 |
Family
ID=27783806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002044408A Pending JP2003243611A (ja) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | 半導体モジュール及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003243611A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016030955A1 (ja) * | 2014-08-25 | 2016-03-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および電子装置 |
| JP5972454B2 (ja) * | 2013-04-16 | 2016-08-17 | 三菱電機株式会社 | バスバーおよびバスバーの製造方法 |
| US9478477B2 (en) | 2013-08-30 | 2016-10-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9842786B2 (en) | 2013-08-23 | 2017-12-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH113995A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2001077302A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-23 | Toshiba Corp | 半導体素子アセンブリ及びそれを用いた電気回路 |
| JP2001156225A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP2001156219A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Denso Corp | 半導体装置 |
-
2002
- 2002-02-21 JP JP2002044408A patent/JP2003243611A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH113995A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2001077302A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-23 | Toshiba Corp | 半導体素子アセンブリ及びそれを用いた電気回路 |
| JP2001156225A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP2001156219A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Denso Corp | 半導体装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5972454B2 (ja) * | 2013-04-16 | 2016-08-17 | 三菱電機株式会社 | バスバーおよびバスバーの製造方法 |
| US9842786B2 (en) | 2013-08-23 | 2017-12-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9478477B2 (en) | 2013-08-30 | 2016-10-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2016030955A1 (ja) * | 2014-08-25 | 2016-03-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および電子装置 |
| JPWO2016030955A1 (ja) * | 2014-08-25 | 2017-04-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および電子装置 |
| US10217727B2 (en) | 2014-08-25 | 2019-02-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and electronic apparatus including a first semiconductor chip including an insulated gate bipolar transistor and a second semiconductor chip including a diode |
| US10546839B2 (en) | 2014-08-25 | 2020-01-28 | Renesas Electronic Corporation | Semiconductor device and electronic apparatus including semiconductor chips including an insulated gate bipolar transistor and a diode |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5747876A (en) | Semiconductor device and semiconductor module | |
| US20100294542A1 (en) | Substrate for electrical device | |
| JP3448159B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
| JP2010219419A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0383368A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2848068B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US20060220188A1 (en) | Package structure having mixed circuit and composite substrate | |
| JP2004063604A (ja) | パワーモジュール及びこのパワーモジュールを用いた冷蔵庫 | |
| JP4208490B2 (ja) | 半導体電力用モジュール及びその製造方法 | |
| JP2003243611A (ja) | 半導体モジュール及び半導体装置 | |
| JP2006310609A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11307721A (ja) | パワーモジュール装置およびその製造方法 | |
| US20020180036A1 (en) | Semiconductor device | |
| JPH11274358A (ja) | 電子部品用基板 | |
| JP2003133514A (ja) | パワーモジュール | |
| JP4915907B2 (ja) | Ｉｐｍ搭載の太陽光インバータとその製造方法 | |
| JPH09312376A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000059003A (ja) | ハイブリッドモジュール | |
| JPH02278856A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2004022968A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH09246433A (ja) | モジュールの放熱構造 | |
| WO2011108051A1 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000183275A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4330293B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
| JP4108909B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040608 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060912 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061110 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070306 |