JP2001077123A - ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ - Google Patents
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハInfo
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- JP2001077123A JP2001077123A JP24610699A JP24610699A JP2001077123A JP 2001077123 A JP2001077123 A JP 2001077123A JP 24610699 A JP24610699 A JP 24610699A JP 24610699 A JP24610699 A JP 24610699A JP 2001077123 A JP2001077123 A JP 2001077123A
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- Japan
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- collector
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コレクタコンタクト層及びコレクタ層の結晶
欠陥を減少させてベータを増加させると共に、信頼性を
向上させてＨＢＴの寿命を延ばすことができるヘテロ接
合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハを提
供する。 【解決手段】 気相エピタキシャル法により、基板上６
に、少なくともコレクタコンタクト層５と、コレクタ層
４と、ベース層３と、エミッタ層２とが順次積層される
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウ
ェハにおいて、上記コレクタ層４及びコレクタコンタク
ト層５にドーパントとしてＳｅを添加する。
欠陥を減少させてベータを増加させると共に、信頼性を
向上させてＨＢＴの寿命を延ばすことができるヘテロ接
合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハを提
供する。 【解決手段】 気相エピタキシャル法により、基板上６
に、少なくともコレクタコンタクト層５と、コレクタ層
４と、ベース層３と、エミッタ層２とが順次積層される
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウ
ェハにおいて、上記コレクタ層４及びコレクタコンタク
ト層５にドーパントとしてＳｅを添加する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気相エピタキシャ
ル法で作られるＨＴＢ用エピタキシャルウェハに係り、
特に電流利得を向上したヘテロ接合バイポーラトランジ
スタ用エピタキシャルウェハに関するものである。
ル法で作られるＨＴＢ用エピタキシャルウェハに係り、
特に電流利得を向上したヘテロ接合バイポーラトランジ
スタ用エピタキシャルウェハに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、気相エピタキシャル法で作られ
るヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＴＢ）用エピ
タキシャルウェハが知られている。
るヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＴＢ）用エピ
タキシャルウェハが知られている。
【０００３】このＨＴＢ用エピタキシャルウェハは、半
絶縁性ＧａＡｓ基板（ウェハ）上に、ＭＯＶＰＥ法やＭ
ＢＥ法といった気相エピタキシャル成長法により、Ｇａ
Ａｓコレクタコンタクト層、ＧａＡｓコレクタ層、Ｇａ
Ａｓベース層、ＡｌＧａＡｓエミッタ層、及びＩｎＧａ
Ａｓエミッタコンタクト層からなるエピタキシャル層を
積層することにより形成されている。
絶縁性ＧａＡｓ基板（ウェハ）上に、ＭＯＶＰＥ法やＭ
ＢＥ法といった気相エピタキシャル成長法により、Ｇａ
Ａｓコレクタコンタクト層、ＧａＡｓコレクタ層、Ｇａ
Ａｓベース層、ＡｌＧａＡｓエミッタ層、及びＩｎＧａ
Ａｓエミッタコンタクト層からなるエピタキシャル層を
積層することにより形成されている。
【０００４】コレクタ層、ベース層、及びエミッタ層
は、その導電型としてｎ−ｐ−ｎとｐ−ｎ−ｐタイプの
２種があるが、ｎ−ｐ−ｎタイプの導電型でエピタキシ
ャル層が積層される場合がほとんどであるため、以下に
ｎ−ｐ−ｎの導電型を持つエピタキシャルウェハについ
て説明する。
は、その導電型としてｎ−ｐ−ｎとｐ−ｎ−ｐタイプの
２種があるが、ｎ−ｐ−ｎタイプの導電型でエピタキシ
ャル層が積層される場合がほとんどであるため、以下に
ｎ−ｐ−ｎの導電型を持つエピタキシャルウェハについ
て説明する。
【０００５】ｎ−ｐ−ｎの導電型を持つエピタキシャル
ウェハは、ｎ型の層に添加されるｎタイプのドーパント
としては、Ｓｉが一般に使われ、またｐタイプのドーパ
ントとしては炭素、亜鉛、ベリリウムといった元素が用
いられる。
ウェハは、ｎ型の層に添加されるｎタイプのドーパント
としては、Ｓｉが一般に使われ、またｐタイプのドーパ
ントとしては炭素、亜鉛、ベリリウムといった元素が用
いられる。
【０００６】そして、このＨＴＢ用エピタキシャルウェ
ハからＨＢＴを作製する場合、コレクタコンタクト層の
上にコレクタ電極が形成され、また、エミッタコンタク
ト層は、エミッタ電極形成後、通常アロイされずに使用
させるため、ＳｉまたはＳｅ等を高ドープしたＩｎＧａ
Ａｓ層が一般に使われる。
ハからＨＢＴを作製する場合、コレクタコンタクト層の
上にコレクタ電極が形成され、また、エミッタコンタク
ト層は、エミッタ電極形成後、通常アロイされずに使用
させるため、ＳｉまたはＳｅ等を高ドープしたＩｎＧａ
Ａｓ層が一般に使われる。
【０００７】このようにして作製されたＨＢＴは、その
特性を示すものとして電流利得（以下ベータと称す
る。）が用いられる。このベータは、コレクタ電流とベ
ース電流の比で表される。
特性を示すものとして電流利得（以下ベータと称す
る。）が用いられる。このベータは、コレクタ電流とベ
ース電流の比で表される。
【０００８】ベータを上げるには、ベース層に添加され
るドーパント濃度やその厚さを減らし、ベース層での電
子の再結合を減らすことで可能であるが、それに伴って
ベース抵抗が増加し、回路遮断周波数を低くさせること
になる。
るドーパント濃度やその厚さを減らし、ベース層での電
子の再結合を減らすことで可能であるが、それに伴って
ベース抵抗が増加し、回路遮断周波数を低くさせること
になる。
【０００９】このため、所定のベース層の構造でいかに
ベース電流を減らすか、またはコレクタ電流を増やすか
が重要になる。
ベース電流を減らすか、またはコレクタ電流を増やすか
が重要になる。
【００１０】従来、ベータを向上するために、エミッタ
層とベース層及びそれらの界面に着目し、ベース電流の
増加の原因であるベース層からの逆注入電流や、ベース
層での再結合電流、またエミッタ電極周辺からのリーク
電流、そしてエミッタ層とベース層界面での再結合電流
を減らす検討が種々行われてきた。
層とベース層及びそれらの界面に着目し、ベース電流の
増加の原因であるベース層からの逆注入電流や、ベース
層での再結合電流、またエミッタ電極周辺からのリーク
電流、そしてエミッタ層とベース層界面での再結合電流
を減らす検討が種々行われてきた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コレク
タ層の特性を改善し、コレクタ電流をいかに増やすかの
検討は余り行われていなかった。
タ層の特性を改善し、コレクタ電流をいかに増やすかの
検討は余り行われていなかった。
【００１２】その理由を以下に説明する。
【００１３】コレクタ電流を増やすためには、上述した
コレクタ層に添加されるＳｉのドーパント量を増加させ
ることが知られている。しかし、Ｓｉをドーパントした
場合、Ｓｉの活性化が悪いことから、特に高キャリア濃
度を要求されるコレクタコンタクト層においては、この
キャリア濃度を得るために高ドーピングが必要となる。
そして、コレクタコンタクト層への高ドーピングは、こ
の層の結晶性を落とし基板からの結晶性欠陥の伝搬及び
この層そのものの結晶欠陥発生の原因となる。さらに、
この結晶欠陥はコレクタ層にも伝搬し、ＨＢＴのベータ
を下げる原因となる。
コレクタ層に添加されるＳｉのドーパント量を増加させ
ることが知られている。しかし、Ｓｉをドーパントした
場合、Ｓｉの活性化が悪いことから、特に高キャリア濃
度を要求されるコレクタコンタクト層においては、この
キャリア濃度を得るために高ドーピングが必要となる。
そして、コレクタコンタクト層への高ドーピングは、こ
の層の結晶性を落とし基板からの結晶性欠陥の伝搬及び
この層そのものの結晶欠陥発生の原因となる。さらに、
この結晶欠陥はコレクタ層にも伝搬し、ＨＢＴのベータ
を下げる原因となる。
【００１４】一方、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）や
高移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）用エピタキシャルウ
ェハにおいては、エピタキシャル層を成長するＧａＡｓ
基板（ウェハ）上に、このウェハからの欠陥を引き継ぐ
ことを避けるため、チャネル層となるエピタキシャル層
とウェハとの間にバッファ層が形成されるが、ＨＢＴ用
エピタキシャルウェハにおいては、ＧａＡｓ基板上に直
接コレクタコンタクト層がエピタキシャル成長されるの
で、ＦＥＴやＨＥＭＴで使われるバッファ層に相当する
ものがない。このため、ＨＢＴにあっては、コレクタコ
ンタクト層及びコレクタ層の結晶性が重要となる。
高移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）用エピタキシャルウ
ェハにおいては、エピタキシャル層を成長するＧａＡｓ
基板（ウェハ）上に、このウェハからの欠陥を引き継ぐ
ことを避けるため、チャネル層となるエピタキシャル層
とウェハとの間にバッファ層が形成されるが、ＨＢＴ用
エピタキシャルウェハにおいては、ＧａＡｓ基板上に直
接コレクタコンタクト層がエピタキシャル成長されるの
で、ＦＥＴやＨＥＭＴで使われるバッファ層に相当する
ものがない。このため、ＨＢＴにあっては、コレクタコ
ンタクト層及びコレクタ層の結晶性が重要となる。
【００１５】すなわち、コレクタ電流を増やすために
は、コレクタコンタクト層及びコレクタ層への高ドーピ
ングが必要であるが、これらの層に高ドーピングを行う
と結晶性が悪化してしまい、結局コレクタ電流を増加さ
せることが困難であった。
は、コレクタコンタクト層及びコレクタ層への高ドーピ
ングが必要であるが、これらの層に高ドーピングを行う
と結晶性が悪化してしまい、結局コレクタ電流を増加さ
せることが困難であった。
【００１６】そこで、本発明の目的は、コレクタコンタ
クト層及びコレクタ層の結晶欠陥を減少させてベータを
増加させると共に、信頼性を向上させてＨＢＴの寿命を
延ばすことができるヘテロ接合バイポーラトランジスタ
用エピタキシャルウェハを提供することにある。
クト層及びコレクタ層の結晶欠陥を減少させてベータを
増加させると共に、信頼性を向上させてＨＢＴの寿命を
延ばすことができるヘテロ接合バイポーラトランジスタ
用エピタキシャルウェハを提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１の発明は、気相エピタキシャル法により、基
板上に、少なくともコレクタコンタクト層と、コレクタ
層と、ベース層と、エミッタ層とが順次積層されたヘテ
ロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ
において、上記コレクタ層及びコレクタコンタクト層に
ドーパントとしてＳｅが添加されているものである。
に請求項１の発明は、気相エピタキシャル法により、基
板上に、少なくともコレクタコンタクト層と、コレクタ
層と、ベース層と、エミッタ層とが順次積層されたヘテ
ロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ
において、上記コレクタ層及びコレクタコンタクト層に
ドーパントとしてＳｅが添加されているものである。
【００１８】請求項２の発明は、気相エピタキシャル法
により、基板上に、少なくともコレクタコンタクト層
と、コレクタ層と、ベース層と、エミッタ層とが順次積
層されたヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキ
シャルウェハにおいて、上記コレクタ層及びコレクタコ
ンタクト層にドーパントとしてＳが添加されているもの
である。
により、基板上に、少なくともコレクタコンタクト層
と、コレクタ層と、ベース層と、エミッタ層とが順次積
層されたヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキ
シャルウェハにおいて、上記コレクタ層及びコレクタコ
ンタクト層にドーパントとしてＳが添加されているもの
である。
【００１９】上記構成によれば、コレクタコンタクト層
及びコレクタ層のドーパントとしてＳｉに比べて活性化
率の高いＳｅ又はＳを使用することにより、これらの層
中のドーピング量を減らすことができ、その結果として
結晶性が改善される。
及びコレクタ層のドーパントとしてＳｉに比べて活性化
率の高いＳｅ又はＳを使用することにより、これらの層
中のドーピング量を減らすことができ、その結果として
結晶性が改善される。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適一実施の形態
を添付図面に基づいて詳述する。
を添付図面に基づいて詳述する。
【００２１】図１に本発明にかかるヘテロ接合バイポー
ラトランジスタ用エピタキシャルウェハの断面図を示
す。
ラトランジスタ用エピタキシャルウェハの断面図を示
す。
【００２２】図１に示すように、本発明にかかるヘテロ
接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ
は、半絶縁性ＧａＡｓ基板（ウェハ）６上に、ｎ−Ｇａ
Ａｓコレクタコンタクト層５と、そのコレクタコンタク
ト層５上に積層されたｎ−ＧａＡｓコレクタ層４と、そ
のコレクタ層４上に積層されたｐ−ＧａＡｓベース層３
と、そのベース層３上に積層されたｎ−ＡｌＧａＡｓエ
ミッタ層２と、そのエミッタ層２上に積層されたｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓエミッタコンタクト層１とからなるエピタキ
シャル層が形成されている。
接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ
は、半絶縁性ＧａＡｓ基板（ウェハ）６上に、ｎ−Ｇａ
Ａｓコレクタコンタクト層５と、そのコレクタコンタク
ト層５上に積層されたｎ−ＧａＡｓコレクタ層４と、そ
のコレクタ層４上に積層されたｐ−ＧａＡｓベース層３
と、そのベース層３上に積層されたｎ−ＡｌＧａＡｓエ
ミッタ層２と、そのエミッタ層２上に積層されたｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓエミッタコンタクト層１とからなるエピタキ
シャル層が形成されている。
【００２３】そして、コレクタ層４及びコレクタコンタ
クト層５には、ドーパントとして低濃度でＳｅが添加さ
れており、コレクタ層４、ベース層３、及びエミッタ層
２は、ｎ−ｐ−ｎの導電型を持つエピタキシャルウェハ
とされている。
クト層５には、ドーパントとして低濃度でＳｅが添加さ
れており、コレクタ層４、ベース層３、及びエミッタ層
２は、ｎ−ｐ−ｎの導電型を持つエピタキシャルウェハ
とされている。
【００２４】次に、作用を説明する。
【００２５】このように形成されるＨＢＴ用エピタキシ
ャルウェハは、コレクタコンタクト層５に低濃度でかつ
活性化率の高いＳｅがドーピングされているので、エピ
タキシャル層成長前の基板（ウェハ）６の結晶欠陥がコ
レクタコンタクト層５にほとんど伝搬されず、またＳｉ
ドーピングに比べＳｅドーピングは低濃度のドーピング
で同じキャリア濃度を得られることにより、コレクタコ
ンタクト層５及びコレクタ層４自体の結晶欠陥が増加せ
ずにコレクタ電流が増加するので、ベータを向上できる
と共に、信頼性が向上して高寿命を達成することが可能
となる。
ャルウェハは、コレクタコンタクト層５に低濃度でかつ
活性化率の高いＳｅがドーピングされているので、エピ
タキシャル層成長前の基板（ウェハ）６の結晶欠陥がコ
レクタコンタクト層５にほとんど伝搬されず、またＳｉ
ドーピングに比べＳｅドーピングは低濃度のドーピング
で同じキャリア濃度を得られることにより、コレクタコ
ンタクト層５及びコレクタ層４自体の結晶欠陥が増加せ
ずにコレクタ電流が増加するので、ベータを向上できる
と共に、信頼性が向上して高寿命を達成することが可能
となる。
【００２６】次に、本発明の他の実施の形態を説明す
る。
る。
【００２７】他の実施の形態としてのＨＢＴ用エピタキ
シャルウェハは、本実施の形態と同様に、半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板（ウェハ）と、その基板上に積層されたＧａＡ
ｓコレクタコンタクト層と、そのコレクタコンタクト層
上に積層されたＧａＡｓコレクタ層と、そのコレクタ層
上に積層されたＧａＡｓベース層と、そのベース層上に
積層されたＡｌＧａＡｓエミッタ層と、そのエミッタ層
上に積層されたＩｎＧａＡｓエミッタコンタクト層とか
ら構成されており、コレクタ層及びコレクタコンタクト
層にはＳがプレーナドープされている。
シャルウェハは、本実施の形態と同様に、半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板（ウェハ）と、その基板上に積層されたＧａＡ
ｓコレクタコンタクト層と、そのコレクタコンタクト層
上に積層されたＧａＡｓコレクタ層と、そのコレクタ層
上に積層されたＧａＡｓベース層と、そのベース層上に
積層されたＡｌＧａＡｓエミッタ層と、そのエミッタ層
上に積層されたＩｎＧａＡｓエミッタコンタクト層とか
ら構成されており、コレクタ層及びコレクタコンタクト
層にはＳがプレーナドープされている。
【００２８】すなわち、本実施の形態ではコレクタ層４
及びコレクタコンタクト層５にＳｅをプレーナドープし
たが、これ以外にそれと同族元素であるＳのプレーナド
ープをしても、本実施の形態と同様な効果が期待でき
る。
及びコレクタコンタクト層５にＳｅをプレーナドープし
たが、これ以外にそれと同族元素であるＳのプレーナド
ープをしても、本実施の形態と同様な効果が期待でき
る。
【００２９】次に、本発明と従来技術の電流利得（ベー
タ）及び信頼性を比較する。
タ）及び信頼性を比較する。
【００３０】ベータ評価は、いずれもベース抵抗が２５
０ｏｈｍ／ｓｑ．の本発明と従来技術のエピタキシャル
ウェハを作製し、そのウェハ上に５０μｍ角のエミッタ
サイズで電極が形成された大面積ＨＢＴを作製し行っ
た。
０ｏｈｍ／ｓｑ．の本発明と従来技術のエピタキシャル
ウェハを作製し、そのウェハ上に５０μｍ角のエミッタ
サイズで電極が形成された大面積ＨＢＴを作製し行っ
た。
【００３１】図２にコレクタ電流に対するベータの変化
を示す。
を示す。
【００３２】図中、破線ｈは本発明により作製したＨＢ
Ｔのベータ変化を示し、実線ｊは従来のウェハにより作
製したＨＢＴのベータ変化を示している。
Ｔのベータ変化を示し、実線ｊは従来のウェハにより作
製したＨＢＴのベータ変化を示している。
【００３３】図２に示すように、本発明のＨＢＴは、Ｓ
ｉドーピングした従来のウェハと比較して、明らかに低
いコレクタ電流領域から高いベータを示すことが分か
る。
ｉドーピングした従来のウェハと比較して、明らかに低
いコレクタ電流領域から高いベータを示すことが分か
る。
【００３４】また、電流密度１ＫＡ／ｃｍ2 のベータで
比較した結果、ＳｅドーピングしたＨＢＴの方が約１０
％ベータが高いことが確認できた。
比較した結果、ＳｅドーピングしたＨＢＴの方が約１０
％ベータが高いことが確認できた。
【００３５】次に、本発明と従来技術のウェハの信頼性
を比較するために、通電時間に対するベータの変化を調
べる通電試験を行った。尚、電流密度は６０ＫＡ／ｃｍ
2 とし、この時の接合温度は１５０℃である。
を比較するために、通電時間に対するベータの変化を調
べる通電試験を行った。尚、電流密度は６０ＫＡ／ｃｍ
2 とし、この時の接合温度は１５０℃である。
【００３６】この結果を、図３に示す。
【００３７】図中、破線ｈは本発明により作製したＨＢ
Ｔのベータ変化を示し、実線ｊは従来のウェハにより作
製したＨＢＴのベータ変化を示している。
Ｔのベータ変化を示し、実線ｊは従来のウェハにより作
製したＨＢＴのベータ変化を示している。
【００３８】図３に示すように、本発明のＨＢＴは、ベ
ータが高いにもかかわらず、１０００時間の通電を行っ
ても、通電スタート時のベータに対して約１０％の低下
しか見られなかった。これに対し、従来のＳｉドーピン
グＨＢＴのベータは約２０％近い低減がみられた。
ータが高いにもかかわらず、１０００時間の通電を行っ
ても、通電スタート時のベータに対して約１０％の低下
しか見られなかった。これに対し、従来のＳｉドーピン
グＨＢＴのベータは約２０％近い低減がみられた。
【００３９】このことから、本発明は、従来のＨＢＴよ
りも信頼性を約１０％向上できることが分かる。
りも信頼性を約１０％向上できることが分かる。
【００４０】また、コレクタコンタクト層濃度及びコレ
クタ層濃度を変えて、ＳｅとＳｉをドーピングしたＨＢ
Ｔの比較を行った。
クタ層濃度を変えて、ＳｅとＳｉをドーピングしたＨＢ
Ｔの比較を行った。
【００４１】この結果、同じキャリア濃度であれば、全
ての濃度領域においてＳｅドーピングしたＨＢＴの方が
高いベータを示すことが分かった。
ての濃度領域においてＳｅドーピングしたＨＢＴの方が
高いベータを示すことが分かった。
【００４２】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、ＨＢＴの
電流利得が向上すると共に、信頼性が向上してＨＢＴの
寿命を延ばすことができる。
電流利得が向上すると共に、信頼性が向上してＨＢＴの
寿命を延ばすことができる。
【図１】本発明の一実施の形態を示すＨＢＴ用エピタキ
シャルウェハの断面図である。
シャルウェハの断面図である。
【図２】本発明にかかるＨＢＴ用エピタキシャルウェハ
により作製したＨＢＴのコレクタ電流に対するベータの
変化を示す図である。
により作製したＨＢＴのコレクタ電流に対するベータの
変化を示す図である。
【図３】本発明にかかるＨＢＴ用エピタキシャルウェハ
により作製したＨＢＴの通電時間に対するベータの変化
を示す図である。
により作製したＨＢＴの通電時間に対するベータの変化
を示す図である。
１ ｎ−ＩｎＧａＡｓエミッタコンタクト層 ２ ｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層 ３ ｐ−ＧａＡｓベータ層 ４ ｎ−ＧａＡｓコレクタ層 ５ ｎ−ＧａＡｓコレクタコンタクト層 ６ 半絶縁性ＧａＡｓ基板（ウェハ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長尾 彰一 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内 Ｆターム(参考） 5F003 BA06 BC00 BC08 BF06 BM02 BM03 BP31
Claims (2)
- 【請求項１】 気相エピタキシャル法により、基板上
に、少なくともコレクタコンタクト層と、コレクタ層
と、ベース層と、エミッタ層とが順次積層されたヘテロ
接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハに
おいて、上記コレクタ層及びコレクタコンタクト層にド
ーパントとしてＳｅが添加されていることを特徴とする
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウ
ェハ。 - 【請求項２】 気相エピタキシャル法により、基板上
に、少なくともコレクタコンタクト層と、コレクタ層
と、ベース層と、エミッタ層とが順次積層されたヘテロ
接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハに
おいて、上記コレクタ層及びコレクタコンタクト層にド
ーパントとしてＳが添加されていることを特徴とするヘ
テロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェ
ハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24610699A JP2001077123A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24610699A JP2001077123A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077123A true JP2001077123A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17143581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24610699A Pending JP2001077123A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001077123A (ja) |
-
1999
- 1999-08-31 JP JP24610699A patent/JP2001077123A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040309 |