JP2001072462A - アルミナ磁器組成物 - Google Patents
アルミナ磁器組成物Info
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- alumina porcelain
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 汎用の低純度アルミナ原料を用いて低損失
（高Ｑ値）で、焼結性及び生産性を向上させたアルミナ
磁器組成物を提供すること。 【解決手段】 Ｍｇの含有量がＭｇＯ換算で１０ｗｔ％
以下、好ましくは０．２ｗｔ％未満で、且つＴｉの含有
量がＴｉＯ２換算で０．２ｗｔ％以上、好ましくは０．
５ｗｔ％以上で１０ｗｔ％以下、残部がＡｌ２Ｏ３およ
び不可避不純物からなるアルミナ磁器組成物である。ま
た、このとき組織の一部にＡｌ２ＴｉＯ５相を有してお
り、このＡｌ２ＴｉＯ５相は粒界に析出し、不可避的不
純物からなる他の粒界相の一部を内包しているアルミナ
磁器組成物である。
（高Ｑ値）で、焼結性及び生産性を向上させたアルミナ
磁器組成物を提供すること。 【解決手段】 Ｍｇの含有量がＭｇＯ換算で１０ｗｔ％
以下、好ましくは０．２ｗｔ％未満で、且つＴｉの含有
量がＴｉＯ２換算で０．２ｗｔ％以上、好ましくは０．
５ｗｔ％以上で１０ｗｔ％以下、残部がＡｌ２Ｏ３およ
び不可避不純物からなるアルミナ磁器組成物である。ま
た、このとき組織の一部にＡｌ２ＴｉＯ５相を有してお
り、このＡｌ２ＴｉＯ５相は粒界に析出し、不可避的不
純物からなる他の粒界相の一部を内包しているアルミナ
磁器組成物である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアルミナ磁器組成物
に関し、より詳しくはラジオ周波数（ＲＦ）帯域やマイ
クロ波帯域などの高周波帯域において高Ｑ値を有するア
ルミナ磁器組成物に関する。
に関し、より詳しくはラジオ周波数（ＲＦ）帯域やマイ
クロ波帯域などの高周波帯域において高Ｑ値を有するア
ルミナ磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波帯域で用いられる回路基板やマイ
クロ波通信装置用部品では、伝送損失低減のため誘電損
失の小さなアルミナ磁器組成物が求められている。本来
アルミナ純度９９．９９９％程度の所謂高純度アルミナ
原料は誘電損失の小さい材料である。しかしこれを前記
マイクロ波通信装置用部品等のアルミナ磁器組成物とし
て用いるには、焼結温度が１６００℃と高温となり不都
合な問題が生じる。例えば１５００℃を越える燒結温度
になるとより高機能の焼結炉が必要となり生産上、また
コスト的に好ましくない。また、原料自体の価格も高価
となり、昨今の高性能で小型且つ安価であることが強く
求められるマイクロ波通信装置用部品等には到底採用で
きない。
クロ波通信装置用部品では、伝送損失低減のため誘電損
失の小さなアルミナ磁器組成物が求められている。本来
アルミナ純度９９．９９９％程度の所謂高純度アルミナ
原料は誘電損失の小さい材料である。しかしこれを前記
マイクロ波通信装置用部品等のアルミナ磁器組成物とし
て用いるには、焼結温度が１６００℃と高温となり不都
合な問題が生じる。例えば１５００℃を越える燒結温度
になるとより高機能の焼結炉が必要となり生産上、また
コスト的に好ましくない。また、原料自体の価格も高価
となり、昨今の高性能で小型且つ安価であることが強く
求められるマイクロ波通信装置用部品等には到底採用で
きない。
【０００３】そこで、前記マイクロ波通信装置用部品等
には、アルミナ純度９９．８％程度の安価な所謂汎用ア
ルミナ原料に、ＭｇＯあるいはＴｉＯ２をそれぞれ単独
で微量添加して焼結温度を１４００〜１５００℃に下
げ、燒結性を向上させたアルミナ磁器組成物は一般的に
用いられている。ＭｇＯ等の添加は焼結温度を下げるの
には効果を示すが、誘電損失の増大を招く要因となる。
その結果、このようなアルミナ磁器組成物は、高純度ア
ルミナ原料を用いたものと比較し誘電損失が著しく大き
く、実用に供するＱ値を得られないという問題がある。
には、アルミナ純度９９．８％程度の安価な所謂汎用ア
ルミナ原料に、ＭｇＯあるいはＴｉＯ２をそれぞれ単独
で微量添加して焼結温度を１４００〜１５００℃に下
げ、燒結性を向上させたアルミナ磁器組成物は一般的に
用いられている。ＭｇＯ等の添加は焼結温度を下げるの
には効果を示すが、誘電損失の増大を招く要因となる。
その結果、このようなアルミナ磁器組成物は、高純度ア
ルミナ原料を用いたものと比較し誘電損失が著しく大き
く、実用に供するＱ値を得られないという問題がある。
【０００４】一方、従来、誘電損失を低下させＱ値を高
めるアルミナ磁器組成物として、例えば特開平４−３５
６９２２号公報には、アルカリ金属（Ｎａ２ Ｏ、Ｋ２
Ｏ）の総含有量を１５０ｐｐｍ以下に規制することによ
り、アルミナ磁器組成物の誘電損失（ｔａｎδ）を１×
１０−４〜１×１０−３、すなわちＱ値を１０００〜１
００００とすることが出来ると記載されている。
めるアルミナ磁器組成物として、例えば特開平４−３５
６９２２号公報には、アルカリ金属（Ｎａ２ Ｏ、Ｋ２
Ｏ）の総含有量を１５０ｐｐｍ以下に規制することによ
り、アルミナ磁器組成物の誘電損失（ｔａｎδ）を１×
１０−４〜１×１０−３、すなわちＱ値を１０００〜１
００００とすることが出来ると記載されている。
【０００５】さらに、特開平８−５９３３８号公報に開
示されたアルミナ磁器組成物によれば、同じくＮａ
２Ｏ、Ｋ２Ｏ換算のアルカリ金属の総含有量を１００ｐ
ｐｍ以下にすると共に、Ｍｇの含有量をＭｇＯ換算で１
００ｐｐｍ以下もしくは１０００〜５００００ｐｐｍと
特定範囲内に規制することによってＱ値を１００００以
上にすることが出来ると記載されている。
示されたアルミナ磁器組成物によれば、同じくＮａ
２Ｏ、Ｋ２Ｏ換算のアルカリ金属の総含有量を１００ｐ
ｐｍ以下にすると共に、Ｍｇの含有量をＭｇＯ換算で１
００ｐｐｍ以下もしくは１０００〜５００００ｐｐｍと
特定範囲内に規制することによってＱ値を１００００以
上にすることが出来ると記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
特開平４−３５６９２２号公報に記載されたアルミナ磁
器組成物にしても、後者の特開平８−５９３３８号公報
に記載されたアルミナ磁器組成物にしても、比較的高い
Ｑ値を得ることを目的としており、いずれも先ずアルカ
リ金属（Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ）の総含有量を１００〜１５
０ｐｐｍ以下という極微量に規制することを必要として
いる。そのためには最初から高価な高純度アルミナ原料
を採用するか、また或いは汎用アルミナ原料を用いたと
しても前記アルカリ金属を厳密に除去する工程を余分に
設ける必要がある。よって、手間とコストがかかるとい
う問題がある。
特開平４−３５６９２２号公報に記載されたアルミナ磁
器組成物にしても、後者の特開平８−５９３３８号公報
に記載されたアルミナ磁器組成物にしても、比較的高い
Ｑ値を得ることを目的としており、いずれも先ずアルカ
リ金属（Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ）の総含有量を１００〜１５
０ｐｐｍ以下という極微量に規制することを必要として
いる。そのためには最初から高価な高純度アルミナ原料
を採用するか、また或いは汎用アルミナ原料を用いたと
しても前記アルカリ金属を厳密に除去する工程を余分に
設ける必要がある。よって、手間とコストがかかるとい
う問題がある。
【０００７】従来、アルミナ磁器組成物における誘電損
失の増加には、アルミナ磁器組成物の粒界相及びアルミ
ナ結晶中の不純物の固溶量が関与寄与していると考えら
れ、低損失のアルミナ磁器組成物を得る為には前記粒界
相の生成を極力さけるように、また不純物の固溶を避け
るようにその生成原因となるアルカリ金属（Ｎａ２Ｏ、
Ｋ２Ｏ）等の不純物の総量を規制した高純度のアルミナ
原料を用いることが一般的となっている。そのため、上
述のようにアルミナ磁器組成物の生産性や焼結性を損な
うという問題があり、結局、従来の低純度アルミナ原料
を用いながら低損失（高Ｑ値）と低温度焼結性を兼ね備
えたアルミナ磁器組成物は無いのが実状であった。
失の増加には、アルミナ磁器組成物の粒界相及びアルミ
ナ結晶中の不純物の固溶量が関与寄与していると考えら
れ、低損失のアルミナ磁器組成物を得る為には前記粒界
相の生成を極力さけるように、また不純物の固溶を避け
るようにその生成原因となるアルカリ金属（Ｎａ２Ｏ、
Ｋ２Ｏ）等の不純物の総量を規制した高純度のアルミナ
原料を用いることが一般的となっている。そのため、上
述のようにアルミナ磁器組成物の生産性や焼結性を損な
うという問題があり、結局、従来の低純度アルミナ原料
を用いながら低損失（高Ｑ値）と低温度焼結性を兼ね備
えたアルミナ磁器組成物は無いのが実状であった。
【０００８】そこで本発明は、高純度アルミナ原料を用
いることなく、汎用の低純度アルミナ原料を用いる場合
であっても低損失（高Ｑ値）で、且つ焼結性及び生産性
を向上させることができるアルミナ磁器組成物を提供す
ることを目的とする。
いることなく、汎用の低純度アルミナ原料を用いる場合
であっても低損失（高Ｑ値）で、且つ焼結性及び生産性
を向上させることができるアルミナ磁器組成物を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、Ｍｇの含
有量がＭｇＯ換算で１０ｗｔ％以下で、且つＴｉの含有
量がＴｉＯ２換算で０．２ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下、
残部がＡｌ２Ｏ３相および不可避不純物からなるアルミ
ナ磁器組成物である。
有量がＭｇＯ換算で１０ｗｔ％以下で、且つＴｉの含有
量がＴｉＯ２換算で０．２ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下、
残部がＡｌ２Ｏ３相および不可避不純物からなるアルミ
ナ磁器組成物である。
【００１０】第１の発明において、Ｍｇの含有量がＭｇ
Ｏ換算で０．２ｗｔ％以下であるときに特に好ましい効
果が現れ、さらに０．０５ｗｔ％前後の含有量のときに
最も効果的である。また同時に添加するＴｉの含有量
は、好ましくはＴｉＯ２換算で０．５ｗｔ％以上１０ｗ
ｔ％以下であり、さらに好ましくは０．７５ｗｔ％以上
５ｗｔ％以下である。これらの範囲内でＭｇとＴｉのバ
ランスをとり複合添加するものである。また、このと
き、このアルミナ磁器組成物の組織の一部にＡｌ２Ｔｉ
Ｏ５相を有するのが好ましい。
Ｏ換算で０．２ｗｔ％以下であるときに特に好ましい効
果が現れ、さらに０．０５ｗｔ％前後の含有量のときに
最も効果的である。また同時に添加するＴｉの含有量
は、好ましくはＴｉＯ２換算で０．５ｗｔ％以上１０ｗ
ｔ％以下であり、さらに好ましくは０．７５ｗｔ％以上
５ｗｔ％以下である。これらの範囲内でＭｇとＴｉのバ
ランスをとり複合添加するものである。また、このと
き、このアルミナ磁器組成物の組織の一部にＡｌ２Ｔｉ
Ｏ５相を有するのが好ましい。
【００１１】第２の発明は、Ａｌ２Ｏ３を主相とし、組
織の一部にＡｌ２ＴｉＯ５相を有するアルミナ磁器組成
物であって、Ｘ線回折パターンにて同定されるＡｌ２Ｏ
３相の（１１３）面回折強度Ｉ（Ａｌ）とＡｌ２ＴｉＯ
５相の（１１０）面回折強度Ｉ（ＡＴ）との比Ｘが、Ｘ
＝０．２〜１５％（ただしＸ＝Ｉ（ＡＴ）／Ｉ（Ａｌ）
×１００（％）の範囲としたアルミナ磁器組成物であ
る。
織の一部にＡｌ２ＴｉＯ５相を有するアルミナ磁器組成
物であって、Ｘ線回折パターンにて同定されるＡｌ２Ｏ
３相の（１１３）面回折強度Ｉ（Ａｌ）とＡｌ２ＴｉＯ
５相の（１１０）面回折強度Ｉ（ＡＴ）との比Ｘが、Ｘ
＝０．２〜１５％（ただしＸ＝Ｉ（ＡＴ）／Ｉ（Ａｌ）
×１００（％）の範囲としたアルミナ磁器組成物であ
る。
【００１２】これら第１及び第２の発明のアルミナ磁器
組成物においては、Ａｌ２ＴｉＯ５相が粒界に析出して
いることが良く、さらにこのときＡｌ２ＴｉＯ５相が不
可避的不純物からなる粒界相の少なくとも一部を内包し
ていることが望ましい。
組成物においては、Ａｌ２ＴｉＯ５相が粒界に析出して
いることが良く、さらにこのときＡｌ２ＴｉＯ５相が不
可避的不純物からなる粒界相の少なくとも一部を内包し
ていることが望ましい。
【００１３】第３の発明は、Ａｌ２Ｏ３を主成分としＭ
ｇ、Ｔｉ、不可避不純物を有するアルミナ磁器組成物で
あって、該アルミナ磁器組成物のＡｌ２Ｏ３相のａ軸格
子定数と粉末Ｘ線回折図形標準データ集（ＪＣＰＤＳカ
ード Ｎｏ．４６―１２１２）のＡｌ２Ｏ３のａ軸格子
定数標準値との差Δａの値が、―０．００３≦Δａ＜０
（単位：オングストローム）としたアルミナ磁器組成物
である。
ｇ、Ｔｉ、不可避不純物を有するアルミナ磁器組成物で
あって、該アルミナ磁器組成物のＡｌ２Ｏ３相のａ軸格
子定数と粉末Ｘ線回折図形標準データ集（ＪＣＰＤＳカ
ード Ｎｏ．４６―１２１２）のＡｌ２Ｏ３のａ軸格子
定数標準値との差Δａの値が、―０．００３≦Δａ＜０
（単位：オングストローム）としたアルミナ磁器組成物
である。
【００１４】そして上記した第１乃至第３の発明におい
て、測定周波数１０ＧＨｚにおけるＱ値が少なくとも８
５０以上、通常で１０００以上を有し、ほぼ８５０〜３
８００程度のＱ値を持ったアルミナ磁器組成物を得るこ
とが出来る。
て、測定周波数１０ＧＨｚにおけるＱ値が少なくとも８
５０以上、通常で１０００以上を有し、ほぼ８５０〜３
８００程度のＱ値を持ったアルミナ磁器組成物を得るこ
とが出来る。
【００１５】本発明者は、アルミナ磁器組成物の誘電特
性に関し種々の不純物、添加物についてその影響を調査
したところ、先ずアルミナの焼結性を向上させるために
添加されるＭｇの含有量が一定の範囲内にある場合にＱ
値が著しく減少することを知見した。すなわち、Ｍｇの
含有量がＭｇＯ換算で０．２ｗｔ％以下であるとアルミ
ナ磁器組成物のＱ値が小さくなり、特に０．０５ｗｔ％
付近の場合にアルミナ磁器組成物のＱ値は激減すること
を知見したものである。しかしながら、前記Ｍｇの含有
量がＭｇＯ換算で０．２ｗｔ％以下例えば０．０５ｗｔ
％であっても、ＴｉをＴｉＯ２換算で０．２ｗｔ％以上
１０ｗｔ％以下含有することによって激減したアルミナ
磁器組成物のＱ値が改善されることを見出したことから
本発明が想到された。言い換えれば上記した従来例で
は、アルカリ金属とＭｇＯの含有量を特定範囲に規定す
ることによって誘電損失の低下を抑制し高Ｑ値を得てい
たのに対し、本発明ではＭｇとＴｉを所定範囲で複合添
加することによって低純度アルミナ原料でありながらＱ
値の改善効果を発揮せるものである。
性に関し種々の不純物、添加物についてその影響を調査
したところ、先ずアルミナの焼結性を向上させるために
添加されるＭｇの含有量が一定の範囲内にある場合にＱ
値が著しく減少することを知見した。すなわち、Ｍｇの
含有量がＭｇＯ換算で０．２ｗｔ％以下であるとアルミ
ナ磁器組成物のＱ値が小さくなり、特に０．０５ｗｔ％
付近の場合にアルミナ磁器組成物のＱ値は激減すること
を知見したものである。しかしながら、前記Ｍｇの含有
量がＭｇＯ換算で０．２ｗｔ％以下例えば０．０５ｗｔ
％であっても、ＴｉをＴｉＯ２換算で０．２ｗｔ％以上
１０ｗｔ％以下含有することによって激減したアルミナ
磁器組成物のＱ値が改善されることを見出したことから
本発明が想到された。言い換えれば上記した従来例で
は、アルカリ金属とＭｇＯの含有量を特定範囲に規定す
ることによって誘電損失の低下を抑制し高Ｑ値を得てい
たのに対し、本発明ではＭｇとＴｉを所定範囲で複合添
加することによって低純度アルミナ原料でありながらＱ
値の改善効果を発揮せるものである。
【００１６】即ち、低純度アルミナ原料において焼結温
度を抑制し焼結性を向上させるためにＭｇの添加は有効
なものであるが、含有量（以下ＭｇＯ換算とする。）を
１０ｗｔ％を越えてもその効果はなく、他方でＱ値の減
少が生じるので１０ｗｔ％以下とする必要がある。しか
し１０ｗｔ％以下でも０．２ｗｔ％〜０．０１ｗｔ％の
範囲では誘電損失が増大しＱ値が激減する範囲であるこ
とから、この減少を食い止め逆に向上させる媒体として
Ｔｉを複合添加してやることが有効なのである。ここで
含有量（以下ＴｉＯ２換算とする。）は０．２ｗｔ％未
満では焼結性の向上が期待できず、０．２ｗｔ％以上で
特に０．５ｗｔ％以上となると急速にＱ値は改善され
る、それ以上増加してもＱ値の改善効果は保たれたまま
であるが１０ｗｔ％を越えるとＱ値は低下し始めその効
果は見られなくなる。ＭｇとＴｉを複合的に添加したこ
との作用については明らかではないが、ＭｇＯとＴｉＯ
２は焼結性を向上させながら、Ａｌ２ＴｉＯ５の生成を
助けアルミナ結晶内への不純物の固溶を抑制する働きが
あり、その結果Ｑ値の改善に寄与しているものと考えて
いる。
度を抑制し焼結性を向上させるためにＭｇの添加は有効
なものであるが、含有量（以下ＭｇＯ換算とする。）を
１０ｗｔ％を越えてもその効果はなく、他方でＱ値の減
少が生じるので１０ｗｔ％以下とする必要がある。しか
し１０ｗｔ％以下でも０．２ｗｔ％〜０．０１ｗｔ％の
範囲では誘電損失が増大しＱ値が激減する範囲であるこ
とから、この減少を食い止め逆に向上させる媒体として
Ｔｉを複合添加してやることが有効なのである。ここで
含有量（以下ＴｉＯ２換算とする。）は０．２ｗｔ％未
満では焼結性の向上が期待できず、０．２ｗｔ％以上で
特に０．５ｗｔ％以上となると急速にＱ値は改善され
る、それ以上増加してもＱ値の改善効果は保たれたまま
であるが１０ｗｔ％を越えるとＱ値は低下し始めその効
果は見られなくなる。ＭｇとＴｉを複合的に添加したこ
との作用については明らかではないが、ＭｇＯとＴｉＯ
２は焼結性を向上させながら、Ａｌ２ＴｉＯ５の生成を
助けアルミナ結晶内への不純物の固溶を抑制する働きが
あり、その結果Ｑ値の改善に寄与しているものと考えて
いる。
【００１７】つまり、本発明のアルミナ磁器組成物にお
いては、その組織の一部にＡｌ２ＴｉＯ５が生成してい
ることが一つの特徴である。通常、粒界相の生成は避け
るべきであるが、Ａｌ２ＴｉＯ５相が粒界相に形成され
ることにより、例えばＺｒＯ ２等の不可避不純物を包囲
あるいは包含する作用を発揮し、これによって粒界に閉
じこめられた不純物がアルミナ結晶内へ固溶することが
阻止され誘電損失の増加が抑制される。つまり不純物が
アルミナ結晶内へ固溶すると損失が増加しＱ値が低下す
るのであるがこれを阻止することができる。また、同時
に粒成長が促進され、気孔が減少して緻密な焼結体とな
る。また気孔の減少は誘電率を向上させる結果となり好
ましい。以上のことよりＡｌ２ＴｉＯ５相の生成によっ
てＱ値の改善と燒結性の向上を同時に促進させることが
できる。
いては、その組織の一部にＡｌ２ＴｉＯ５が生成してい
ることが一つの特徴である。通常、粒界相の生成は避け
るべきであるが、Ａｌ２ＴｉＯ５相が粒界相に形成され
ることにより、例えばＺｒＯ ２等の不可避不純物を包囲
あるいは包含する作用を発揮し、これによって粒界に閉
じこめられた不純物がアルミナ結晶内へ固溶することが
阻止され誘電損失の増加が抑制される。つまり不純物が
アルミナ結晶内へ固溶すると損失が増加しＱ値が低下す
るのであるがこれを阻止することができる。また、同時
に粒成長が促進され、気孔が減少して緻密な焼結体とな
る。また気孔の減少は誘電率を向上させる結果となり好
ましい。以上のことよりＡｌ２ＴｉＯ５相の生成によっ
てＱ値の改善と燒結性の向上を同時に促進させることが
できる。
【００１８】次に第２の発明によれば、Ａｌ２Ｏ３相の
（１１３）面回折強度Ｉ（Ａｌ）とＡｌ２ＴｉＯ５相の
（１１０）面回折強度Ｉ（ＡＴ）との比、Ｘ＝Ｉ（Ａ
Ｔ）／Ｉ（Ａｌ）×１００は０．２〜１５％である。面
回折強度の比は、相対的なＡｌ ２Ｏ３結晶とＡｌ２Ｔｉ
Ｏ５結晶の存在量を表しているが、Ａｌ２Ｏ３結晶に対
しＡｌ２ＴｉＯ５結晶が適度に存在することが面回折強
度の点からも好ましいのである。すなわち、Ｘが０．２
より小さいと燒結性に劣りＱ値の改善効果が認められ
ず、１５より大きくなるとＱ値は劣化しやすい。
（１１３）面回折強度Ｉ（Ａｌ）とＡｌ２ＴｉＯ５相の
（１１０）面回折強度Ｉ（ＡＴ）との比、Ｘ＝Ｉ（Ａ
Ｔ）／Ｉ（Ａｌ）×１００は０．２〜１５％である。面
回折強度の比は、相対的なＡｌ ２Ｏ３結晶とＡｌ２Ｔｉ
Ｏ５結晶の存在量を表しているが、Ａｌ２Ｏ３結晶に対
しＡｌ２ＴｉＯ５結晶が適度に存在することが面回折強
度の点からも好ましいのである。すなわち、Ｘが０．２
より小さいと燒結性に劣りＱ値の改善効果が認められ
ず、１５より大きくなるとＱ値は劣化しやすい。
【００１９】次に第３の発明によれば、Ａｌ２Ｏ３相の
ａ軸格子定数とＡｌ２Ｏ３のａ軸格子定数標準値との差
Δａ（Å）の値が、―０．００３≦Δａ＜０とした。こ
れは結晶構造と歪みに関与しているが、Ｍｇや不純物の
一部はＡｌ２Ｏ３結晶中に固溶すると、結晶が歪みその
格子定数が変化すると考えられる。その結果Ｑ値が劣化
するもので、標準値との差が―０．００３より小さい場
合、またあるいは０以上であると８５０以上のＱ値が得
られないのである。
ａ軸格子定数とＡｌ２Ｏ３のａ軸格子定数標準値との差
Δａ（Å）の値が、―０．００３≦Δａ＜０とした。こ
れは結晶構造と歪みに関与しているが、Ｍｇや不純物の
一部はＡｌ２Ｏ３結晶中に固溶すると、結晶が歪みその
格子定数が変化すると考えられる。その結果Ｑ値が劣化
するもので、標準値との差が―０．００３より小さい場
合、またあるいは０以上であると８５０以上のＱ値が得
られないのである。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明のアルミナ磁器組成物は、
例えばアルミナ純度９９．９％以下の低純度アルミナ原
料粉末にＭｇＯ粉末及びＴｉＯ２粉末をそれぞれ、Ｍｇ
Ｏ換算で１０ｗｔ％以下、ＴｉＯ２換算で０．２ｗｔ％
以上１０ｗｔ％以下添加し、純水と、イットリアによっ
て安定化されたジルコニアボールでボールミルにより粉
砕混合する。混合後のスラリーをスプレードライヤーに
より乾燥させ、解砕し、造粒した。この造粒粉末を金型
プレスで成形し、その後大気中にて、１４００〜１５０
０℃で０．５〜４時間焼成することにより、得られる。
なお、粉砕混合後に、仮焼し、再度粉砕混合してもよ
い。
例えばアルミナ純度９９．９％以下の低純度アルミナ原
料粉末にＭｇＯ粉末及びＴｉＯ２粉末をそれぞれ、Ｍｇ
Ｏ換算で１０ｗｔ％以下、ＴｉＯ２換算で０．２ｗｔ％
以上１０ｗｔ％以下添加し、純水と、イットリアによっ
て安定化されたジルコニアボールでボールミルにより粉
砕混合する。混合後のスラリーをスプレードライヤーに
より乾燥させ、解砕し、造粒した。この造粒粉末を金型
プレスで成形し、その後大気中にて、１４００〜１５０
０℃で０．５〜４時間焼成することにより、得られる。
なお、粉砕混合後に、仮焼し、再度粉砕混合してもよ
い。
【００２１】本発明のアルミナ磁器組成物では、高純度
アルミナ原料を用いなくてもよく、アルミナ純度が９
９．９９％より低く、例えば９９．９％程度、さらには
それ以下の９９．８％以下の汎用アルミナ原料を用いて
も１０ＧＨｚで８５０以上のＱ値が得られ、かつ焼結温
度が下がり汎用の焼結炉を使用して生産性を向上させる
ことが可能である。
アルミナ原料を用いなくてもよく、アルミナ純度が９
９．９９％より低く、例えば９９．９％程度、さらには
それ以下の９９．８％以下の汎用アルミナ原料を用いて
も１０ＧＨｚで８５０以上のＱ値が得られ、かつ焼結温
度が下がり汎用の焼結炉を使用して生産性を向上させる
ことが可能である。
【００２２】本発明のアルミナ磁器組成物で、Ｍｇ含有
量をＭｇＯ換算で１０ｗｔ％以下としたのは、１０ｗｔ
％より多くなると、Ｑ値が８５０より小さくなるからで
ある。また、Ｔｉ含有量がＴｉＯ２換算で０．２ｗｔ％
以上、１０ｗｔ％以下含有するようにしたのは、０．２
ｗｔ％より少ないと焼結性が劣化し、Ｍｇ存在下でのＱ
値の改善効果が見られず、１０ｗｔ％より多くなるとＭ
ｇ存在下でのＱ値改善の効果が小さくなる為である。す
なわち、ＭｇとＴｉの含有量を上記範囲内で複合添加と
することで、高Ｑ値が得られるとともにアルミナ磁器組
成物の焼結性を向上させることができるのである。
量をＭｇＯ換算で１０ｗｔ％以下としたのは、１０ｗｔ
％より多くなると、Ｑ値が８５０より小さくなるからで
ある。また、Ｔｉ含有量がＴｉＯ２換算で０．２ｗｔ％
以上、１０ｗｔ％以下含有するようにしたのは、０．２
ｗｔ％より少ないと焼結性が劣化し、Ｍｇ存在下でのＱ
値の改善効果が見られず、１０ｗｔ％より多くなるとＭ
ｇ存在下でのＱ値改善の効果が小さくなる為である。す
なわち、ＭｇとＴｉの含有量を上記範囲内で複合添加と
することで、高Ｑ値が得られるとともにアルミナ磁器組
成物の焼結性を向上させることができるのである。
【００２３】本発明のアルミナ磁器組成物は、不純物を
極力含まないことが望ましいが、製造上の不可避不純物
の混入は避けられず、例えば、Ｚｒ，Ｙ，Ｎａ,Ｆｅ，
Ｓｉ，Ｃａ，Ｇａ，Ｃｒ等の不純物成分を含有していて
もよく、その含有量は酸化物換算で、それぞれＺｒ：２
ｗｔ％以下、Ｙ：０．２ｗｔ％以下、Ｎａ：０．２ｗｔ
％以下、Ｆｅ：０．０５ｗｔ％以下、Ｓｉ：０．０２ｗ
ｔ％以下、Ｃａ：０．０２ｗｔ％以下、Ｇａ：０．０１
ｗｔ％以下、Ｃｒ：０．００５ｗｔ％以下程度である。
これらの不純物が上記の含有量内であれば、Ｑ値に与え
る影響は極めて小さい。
極力含まないことが望ましいが、製造上の不可避不純物
の混入は避けられず、例えば、Ｚｒ，Ｙ，Ｎａ,Ｆｅ，
Ｓｉ，Ｃａ，Ｇａ，Ｃｒ等の不純物成分を含有していて
もよく、その含有量は酸化物換算で、それぞれＺｒ：２
ｗｔ％以下、Ｙ：０．２ｗｔ％以下、Ｎａ：０．２ｗｔ
％以下、Ｆｅ：０．０５ｗｔ％以下、Ｓｉ：０．０２ｗ
ｔ％以下、Ｃａ：０．０２ｗｔ％以下、Ｇａ：０．０１
ｗｔ％以下、Ｃｒ：０．００５ｗｔ％以下程度である。
これらの不純物が上記の含有量内であれば、Ｑ値に与え
る影響は極めて小さい。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。先
ず、汎用の低純度アルミナ原料（純度９９．５％、平均
粒径０．３μｍ）とＭｇＯ粉末（平均粒径０．１μ
ｍ）、ＴｉＯ２粉末（平均粒径０．３μｍ）を表１の組
成となるようにそれぞれ秤量し、この混合粉末をＹ２Ｏ
３安定化ＺｒＯ２ボール、純水、とともにポリポットに
投入し、２０時間ボールミルにて粉砕混合した。混合後
のスラリーにポリビニルアルコールを１ｗｔ％加え、混
合撹拌した。このスラリーを９０℃、大気中にてスプレ
ードライヤーにより乾燥し、造粒した。、この造粒粉末
を金型プレスで直径１５ｍｍ、厚さ７．５ｍｍに成形
し、その後大気中１４００〜１６００℃にて２時間焼結
した。出来上がった焼結体は試験用に直径１０ｍｍ、厚
さ５ｍｍに加工研磨して仕上げた。また、Ｑ値はハッキ
・コールマン法にて測定した。そして一部試料について
ＣｕＫα線によるＸ線回折装置にて焼結体の結晶相を同
定するとともに、Ａｌ２Ｏ ３相の格子定数を測定した。
ず、汎用の低純度アルミナ原料（純度９９．５％、平均
粒径０．３μｍ）とＭｇＯ粉末（平均粒径０．１μ
ｍ）、ＴｉＯ２粉末（平均粒径０．３μｍ）を表１の組
成となるようにそれぞれ秤量し、この混合粉末をＹ２Ｏ
３安定化ＺｒＯ２ボール、純水、とともにポリポットに
投入し、２０時間ボールミルにて粉砕混合した。混合後
のスラリーにポリビニルアルコールを１ｗｔ％加え、混
合撹拌した。このスラリーを９０℃、大気中にてスプレ
ードライヤーにより乾燥し、造粒した。、この造粒粉末
を金型プレスで直径１５ｍｍ、厚さ７．５ｍｍに成形
し、その後大気中１４００〜１６００℃にて２時間焼結
した。出来上がった焼結体は試験用に直径１０ｍｍ、厚
さ５ｍｍに加工研磨して仕上げた。また、Ｑ値はハッキ
・コールマン法にて測定した。そして一部試料について
ＣｕＫα線によるＸ線回折装置にて焼結体の結晶相を同
定するとともに、Ａｌ２Ｏ ３相の格子定数を測定した。
【００２５】また、予め前記汎用アルミナ原料について
組成分析し、不純物としてＺｒ，Ｙ，Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃ
ａ，Ｇａ，Ｃｒを検出し、酸化物換算でそれぞれＺｒＯ
２：０．６ｗｔ％，Ｙ２Ｏ３：０．２ｗｔ％，Ｆｅ２Ｏ
３：０．１５ｗｔ％，ＳｉＯ２：０．０１ｗｔ％，Ｃａ
Ｏ：０．０１ｗｔ％，Ｇａ２Ｏ３：０．００２５ｗｔ
％，Ｃｒ２Ｏ３：０．００１ｗｔ％含有していることを
確認した。
組成分析し、不純物としてＺｒ，Ｙ，Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃ
ａ，Ｇａ，Ｃｒを検出し、酸化物換算でそれぞれＺｒＯ
２：０．６ｗｔ％，Ｙ２Ｏ３：０．２ｗｔ％，Ｆｅ２Ｏ
３：０．１５ｗｔ％，ＳｉＯ２：０．０１ｗｔ％，Ｃａ
Ｏ：０．０１ｗｔ％，Ｇａ２Ｏ３：０．００２５ｗｔ
％，Ｃｒ２Ｏ３：０．００１ｗｔ％含有していることを
確認した。
【００２６】表１にアルミナ磁器組成物のＱ値、比誘電
率εｒ、焼結体密度及び焼結温度を評価した結果を示
す。また、一例としてＭｇＯを０．０５ｗｔ％含む試料
についてＴｉＯ２の含有量とＱ値の関係を図５に、同じ
くＴｉＯ２の含有量と比誘電率の関係を図６に、同じく
ＴｉＯ２の含有量と焼結体密度の関係を図７にそれぞれ
示す。尚、いずれも焼結温度は１４００℃、１５００
℃、１６００℃の３種について行った結果を示してい
る。また、図８は原料に含まれるＭｇＯ量が及ぼすＱ値
の影響を調べたものである。このように本例の低純度ア
ルミナ原料においてはＭｇＯの含有量が０．０１ｗｔ％
から０．２ｗｔ％の間でＱ値が落ち込んでおり、特に
０．０５ｗｔ％のときに極めてＱ値が低減する特性を持
った原料であることがわかる。
率εｒ、焼結体密度及び焼結温度を評価した結果を示
す。また、一例としてＭｇＯを０．０５ｗｔ％含む試料
についてＴｉＯ２の含有量とＱ値の関係を図５に、同じ
くＴｉＯ２の含有量と比誘電率の関係を図６に、同じく
ＴｉＯ２の含有量と焼結体密度の関係を図７にそれぞれ
示す。尚、いずれも焼結温度は１４００℃、１５００
℃、１６００℃の３種について行った結果を示してい
る。また、図８は原料に含まれるＭｇＯ量が及ぼすＱ値
の影響を調べたものである。このように本例の低純度ア
ルミナ原料においてはＭｇＯの含有量が０．０１ｗｔ％
から０．２ｗｔ％の間でＱ値が落ち込んでおり、特に
０．０５ｗｔ％のときに極めてＱ値が低減する特性を持
った原料であることがわかる。
【００２７】
【表１】
【００２８】さて、表１において試料はＮｏ.１〜３６
まで作製しており、試料Ｎｏ．の４〜１５、２０、２
１、２３、２４、２６、２７、３０〜３５は本発明に係
る実施例であり実施例Ｎｏを順次列記した。一方、試料
Ｎｏ．の１〜３、１６〜１９、２２、２５、２８、２
９、３６は比較例であり比較例Ｎｏを列記した。表１及
び図５よりこのアルミナ磁器組成物において、ＭｇＯが
１０ｗｔ％以下で、かつＴｉをＴｉＯ２換算で０．２ｗ
ｔ％以上１０ｗｔ％以下含有すれば８５０以上のＱ値が
得られることがわかる。アルミナは、ＭｇＯが０．０５
ｗｔ％のときＱ値が激減するのであるが、試料Ｎｏ１〜
Ｎｏ１６より、ＴｉＯ２の含有量が増えるほどＱ値は増
加し０．７５ｗｔ％で最大値を示している。また、焼結
温度が高いほどＱ値と比誘電率及び焼結体密度と共に増
加するが、１５００℃以下で実用上問題ないＱ値が得ら
れている。ＴｉＯ２の含有量の効果はその後も継続され
るが１０ｗｔ％を越えるとＱ値は減少する傾向を示す。
ＭｇとＴｉは複合添加することで効果を示すが添加量の
バランスによってＱ値も変動する。しかし概ねＴｉが無
添加の場合の４〜１０倍程度のＱ値が得られ、比誘電率
（εｒ）もほぼ一定の値となることが確認された。一
方、ＭｇＯは含有されているがＴｉＯ２を含有しない試
料Ｎｏ１９、２２、２５、２９や１０ｗｔ％超の試料Ｎ
ｏ１６や３６ではＱ値が８５０未満と小さく、この場合
は１５００℃の焼結では十分なＱ値が得られない。また
ＭｇＯのみ含有した試料Ｎｏ１〜３他においても十分な
Ｑ値が得られなかった。
まで作製しており、試料Ｎｏ．の４〜１５、２０、２
１、２３、２４、２６、２７、３０〜３５は本発明に係
る実施例であり実施例Ｎｏを順次列記した。一方、試料
Ｎｏ．の１〜３、１６〜１９、２２、２５、２８、２
９、３６は比較例であり比較例Ｎｏを列記した。表１及
び図５よりこのアルミナ磁器組成物において、ＭｇＯが
１０ｗｔ％以下で、かつＴｉをＴｉＯ２換算で０．２ｗ
ｔ％以上１０ｗｔ％以下含有すれば８５０以上のＱ値が
得られることがわかる。アルミナは、ＭｇＯが０．０５
ｗｔ％のときＱ値が激減するのであるが、試料Ｎｏ１〜
Ｎｏ１６より、ＴｉＯ２の含有量が増えるほどＱ値は増
加し０．７５ｗｔ％で最大値を示している。また、焼結
温度が高いほどＱ値と比誘電率及び焼結体密度と共に増
加するが、１５００℃以下で実用上問題ないＱ値が得ら
れている。ＴｉＯ２の含有量の効果はその後も継続され
るが１０ｗｔ％を越えるとＱ値は減少する傾向を示す。
ＭｇとＴｉは複合添加することで効果を示すが添加量の
バランスによってＱ値も変動する。しかし概ねＴｉが無
添加の場合の４〜１０倍程度のＱ値が得られ、比誘電率
（εｒ）もほぼ一定の値となることが確認された。一
方、ＭｇＯは含有されているがＴｉＯ２を含有しない試
料Ｎｏ１９、２２、２５、２９や１０ｗｔ％超の試料Ｎ
ｏ１６や３６ではＱ値が８５０未満と小さく、この場合
は１５００℃の焼結では十分なＱ値が得られない。また
ＭｇＯのみ含有した試料Ｎｏ１〜３他においても十分な
Ｑ値が得られなかった。
【００２９】次に、表１の試料の一部についてＸ線回折
測定を行った。表２にＸ線回折測定（ＣｕＫα線）によ
るアルミナ磁器組成物のＸ線回折結果を示す。また図１
にはＴｉＯ２を０．７５ｗｔ％含有した試料Ｎｏ10（実
施例７）の顕微鏡写真と、図２にはＴｉＯ２を含まない
試料Ｎｏ２．（比較例２）の顕微鏡写真を示す。尚、図
１及び図２はどちらも代表的な研磨面を走査型電子顕微
鏡装置（ＳＥＭ）により５０００倍で撮影したものであ
る。またＸ線回折結果から図１及び図２において、黒く
認識される領域はＡｌ２Ｏ３相、白く認識される領域は
ＺｒＯ２、前記二つの領域の中間の色調で認識される領
域はＡｌ２ＴｉＯ５相であると同定した。尚、図の写真
では認識しずらいので図１に相当する模式図を図３に、
同じく図２に相当する模式図を図４に示す。そして理解
しやすくするためにアルミナ結晶粒界を一部点線で追加
している。
測定を行った。表２にＸ線回折測定（ＣｕＫα線）によ
るアルミナ磁器組成物のＸ線回折結果を示す。また図１
にはＴｉＯ２を０．７５ｗｔ％含有した試料Ｎｏ10（実
施例７）の顕微鏡写真と、図２にはＴｉＯ２を含まない
試料Ｎｏ２．（比較例２）の顕微鏡写真を示す。尚、図
１及び図２はどちらも代表的な研磨面を走査型電子顕微
鏡装置（ＳＥＭ）により５０００倍で撮影したものであ
る。またＸ線回折結果から図１及び図２において、黒く
認識される領域はＡｌ２Ｏ３相、白く認識される領域は
ＺｒＯ２、前記二つの領域の中間の色調で認識される領
域はＡｌ２ＴｉＯ５相であると同定した。尚、図の写真
では認識しずらいので図１に相当する模式図を図３に、
同じく図２に相当する模式図を図４に示す。そして理解
しやすくするためにアルミナ結晶粒界を一部点線で追加
している。
【００３０】
【表２】
【００３１】Ｘ線回折測定の結果、ＴｉＯ２を０．７５
ｗｔ％以上含有すると、結晶粒界にＡｌ２ＴｉＯ５相が
明確に現れることが判明した。尚、０．７５ｗｔ％未満
でもＡｌ２ＴｉＯ５相は生成されていると考えるが０．
５ｗｔ％より少ないものでは装置の精度上不明確であっ
た。またＴｉＯ２を含まない試料では図４に示す様に、
不純物であるＺｒＯ２等５が主相であるＡｌ２Ｏ３相１
の成長を妨げる様に分散して析出している。一方、Ｔｉ
Ｏ２を０．７５ｗｔ％含有した試料（実施例７）では図
３に示すように、アルミナ磁器組成物の組織中にＡｌ２
ＴｉＯ５相２が現れ、このＡｌ２ＴｉＯ５相２は主相で
あるＡｌ２Ｏ３相１の結晶粒界４（点線で示す）、に沿
った粒界の三重点に不純物を取り込む様に析出してい
る。即ち、ここではＺｒＯ等からなる不純物相３の周囲
を包囲してＡｌ２ＴｉＯ５相２が生成している。これに
よって不純物がアルミナの主相内に固溶しないようにで
き誘電損失を抑制しＱ値を高めることが出来る。また図
３試料の破面観察からＡｌ２Ｏ３相の平均粒径は約４μ
ｍであって、ＴｉＯ２を含まない図４試料の約３倍とな
り粒成長が促進され焼結温度が低くても緻密な組織が得
られることが確認されており、Ａｌ２ＴｉＯ５による焼
結性向上の効果が見られた。そして、表１、表２よりＸ
＝０．２〜１５％の範囲であれば８５０以上のＱ値が得
られることがわかる。
ｗｔ％以上含有すると、結晶粒界にＡｌ２ＴｉＯ５相が
明確に現れることが判明した。尚、０．７５ｗｔ％未満
でもＡｌ２ＴｉＯ５相は生成されていると考えるが０．
５ｗｔ％より少ないものでは装置の精度上不明確であっ
た。またＴｉＯ２を含まない試料では図４に示す様に、
不純物であるＺｒＯ２等５が主相であるＡｌ２Ｏ３相１
の成長を妨げる様に分散して析出している。一方、Ｔｉ
Ｏ２を０．７５ｗｔ％含有した試料（実施例７）では図
３に示すように、アルミナ磁器組成物の組織中にＡｌ２
ＴｉＯ５相２が現れ、このＡｌ２ＴｉＯ５相２は主相で
あるＡｌ２Ｏ３相１の結晶粒界４（点線で示す）、に沿
った粒界の三重点に不純物を取り込む様に析出してい
る。即ち、ここではＺｒＯ等からなる不純物相３の周囲
を包囲してＡｌ２ＴｉＯ５相２が生成している。これに
よって不純物がアルミナの主相内に固溶しないようにで
き誘電損失を抑制しＱ値を高めることが出来る。また図
３試料の破面観察からＡｌ２Ｏ３相の平均粒径は約４μ
ｍであって、ＴｉＯ２を含まない図４試料の約３倍とな
り粒成長が促進され焼結温度が低くても緻密な組織が得
られることが確認されており、Ａｌ２ＴｉＯ５による焼
結性向上の効果が見られた。そして、表１、表２よりＸ
＝０．２〜１５％の範囲であれば８５０以上のＱ値が得
られることがわかる。
【００３２】次に、表３に上記実施例のアルミナ磁器組
成物のＡｌ２Ｏ３相の格子定数測定結果を示す。
成物のＡｌ２Ｏ３相の格子定数測定結果を示す。
【００３３】
【表３】
【００３４】格子定数測定の結果、ＴｉＯ２を含まない
試料のＡｌ２Ｏ３相の格子定数は、ａ軸およびｃ軸とも
に標準値よりかなり小さくなっており、したがって格子
歪が大きく生じている。この格子歪はＡｌ２Ｏ３に固溶
したＭｇＯ等の不純物によるものと考えられるが、Ｔｉ
Ｏ２を含有することにより格子定数が標準値に近くなり
格子歪は解消されＱ値も増加することがわかった。ａ軸
についてこれを規定すると、―０．００３≦Δａ＜０
（オングストローム）の範囲にあれば良く、表１、表３
よりΔａが―０．００３より小さいと８５０以上のＱ値
が得られなくなる。
試料のＡｌ２Ｏ３相の格子定数は、ａ軸およびｃ軸とも
に標準値よりかなり小さくなっており、したがって格子
歪が大きく生じている。この格子歪はＡｌ２Ｏ３に固溶
したＭｇＯ等の不純物によるものと考えられるが、Ｔｉ
Ｏ２を含有することにより格子定数が標準値に近くなり
格子歪は解消されＱ値も増加することがわかった。ａ軸
についてこれを規定すると、―０．００３≦Δａ＜０
（オングストローム）の範囲にあれば良く、表１、表３
よりΔａが―０．００３より小さいと８５０以上のＱ値
が得られなくなる。
【００３５】
【発明の効果】以上のように本発明のアルミナ磁器組成
物によればでは、ＭｇＯとＴｉＯ２を所定範囲内で含有
することによって、汎用の低純度アルミナ原料を用いて
も８５０以上の高Ｑ値を得ることが出来るとともに、焼
結性及び生産性を向上させることができる。また、Ａｌ
２Ｏ３相の（１１３）面回折強度Ｉ（Ａｌ）とＡｌ２Ｔ
ｉＯ５相の（１１０）面回折強度Ｉ（ＡＴ）との比Ｘ
が、Ｘ＝０．２〜１５％にあるアルミナ磁器組成物にお
いては、Ａｌ２ＴｉＯ５相が適度に析出していることに
よって不純物の固溶を阻止し誘電損失の増加を抑制しＱ
値の改善に効果がある。また、さらにアルミナ磁器組成
物のＡｌ２Ｏ３相のａ軸格子定数と粉末Ｘ線回折図形標
準データ集のＡｌ２Ｏ３のａ軸格子定数標準値との差Δ
ａ（Å）が、―０．００３≦Δａ＜０にあるアルミナ磁
器組成物においては、格子歪みが抑えられており誘電損
失の増加を抑制しＱ値の改善に効果がある。以上によっ
て、低純度アルミナ原料を用いて焼結性及び生産性が向
上し安価で、かつ高いＱ値を持ったアルミナ磁器組成物
を提供することが出来た。
物によればでは、ＭｇＯとＴｉＯ２を所定範囲内で含有
することによって、汎用の低純度アルミナ原料を用いて
も８５０以上の高Ｑ値を得ることが出来るとともに、焼
結性及び生産性を向上させることができる。また、Ａｌ
２Ｏ３相の（１１３）面回折強度Ｉ（Ａｌ）とＡｌ２Ｔ
ｉＯ５相の（１１０）面回折強度Ｉ（ＡＴ）との比Ｘ
が、Ｘ＝０．２〜１５％にあるアルミナ磁器組成物にお
いては、Ａｌ２ＴｉＯ５相が適度に析出していることに
よって不純物の固溶を阻止し誘電損失の増加を抑制しＱ
値の改善に効果がある。また、さらにアルミナ磁器組成
物のＡｌ２Ｏ３相のａ軸格子定数と粉末Ｘ線回折図形標
準データ集のＡｌ２Ｏ３のａ軸格子定数標準値との差Δ
ａ（Å）が、―０．００３≦Δａ＜０にあるアルミナ磁
器組成物においては、格子歪みが抑えられており誘電損
失の増加を抑制しＱ値の改善に効果がある。以上によっ
て、低純度アルミナ原料を用いて焼結性及び生産性が向
上し安価で、かつ高いＱ値を持ったアルミナ磁器組成物
を提供することが出来た。
【図１】本発明に係るアルミナ磁器組成物のセラミック
材料組織写真の一例を示す図である。
材料組織写真の一例を示す図である。
【図２】本発明の比較例のアルミナ磁器組成物のセラミ
ック材料組織写真の一例を示す図である。
ック材料組織写真の一例を示す図である。
【図３】図１の組織写真の模式図を示す図である。
【図４】図２の組織写真の模式図を示す図である。
【図５】ＭｇＯを０．０５ｗｔ％含む場合のＴｉＯ２の
含有量とＱ値の関係を示す図である。
含有量とＱ値の関係を示す図である。
【図６】ＭｇＯを０．０５ｗｔ％含む場合のＴｉＯ２の
含有量と比誘電率の関係を示す図である。
含有量と比誘電率の関係を示す図である。
【図７】ＭｇＯを０．０５ｗｔ％含む場合のＴｉＯ２の
含有量と焼結体密度の関係を示す図である。
含有量と焼結体密度の関係を示す図である。
【図８】実施例の試料原料に含まれるＭｇＯ量とＱ値の
関係を示す図である。
関係を示す図である。
１：Ａｌ２Ｏ３相 ２：Ａｌ２ＴｉＯ５相 ３：不純物（ＺｒＯ）相 ４：結晶粒界
【手続補正書】
【提出日】平成１２年７月１４日（２０００．７．１
４）
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】第１の発明は、Ｍｇの含有量がＭｇＯ換算
で１０ｗｔ％以下で、且つＴｉの含有量がＴｉＯ２換算
で０．２ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下、残部がＡｌ２Ｏ３
相および不可避不純物からなるアルミナ磁器組成物であ
る。ここで、Ｍｇの含有量はＭｇＯ換算で８ｗｔ％以
下、さらに５ｗｔ％以下、さらには１ｗｔ％以下が望ま
しく、下限値側としては０．０１ｗｔ％であり、望まし
くは０．０２ｗｔ％、最も望ましくは０．０５ｗｔ％で
ある。
で１０ｗｔ％以下で、且つＴｉの含有量がＴｉＯ２換算
で０．２ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下、残部がＡｌ２Ｏ３
相および不可避不純物からなるアルミナ磁器組成物であ
る。ここで、Ｍｇの含有量はＭｇＯ換算で８ｗｔ％以
下、さらに５ｗｔ％以下、さらには１ｗｔ％以下が望ま
しく、下限値側としては０．０１ｗｔ％であり、望まし
くは０．０２ｗｔ％、最も望ましくは０．０５ｗｔ％で
ある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明のアルミナ磁器組成物は、
例えばアルミナ純度９９．９％以下の低純度アルミナ原
料粉末にＭｇＯ粉末及びＴｉＯ２粉末をそれぞれ、Ｍｇ
Ｏ換算で１０ｗｔ％以下、ＴｉＯ２換算で０．２ｗｔ％
以上１０ｗｔ％以下添加し、純水と、イットリアによっ
て安定化されたジルコニアボールでボールミルにより粉
砕混合する。混合後のスラリーをスプレードライヤーに
より乾燥させ、解砕し、造粒した。この造粒粉末を金型
プレスで成形し、その後大気中にて、１４００〜１６０
０℃で０．５〜４時間焼成することにより得られる。な
お、粉砕混合後に、仮焼し、再度粉砕混合してもよい。
例えばアルミナ純度９９．９％以下の低純度アルミナ原
料粉末にＭｇＯ粉末及びＴｉＯ２粉末をそれぞれ、Ｍｇ
Ｏ換算で１０ｗｔ％以下、ＴｉＯ２換算で０．２ｗｔ％
以上１０ｗｔ％以下添加し、純水と、イットリアによっ
て安定化されたジルコニアボールでボールミルにより粉
砕混合する。混合後のスラリーをスプレードライヤーに
より乾燥させ、解砕し、造粒した。この造粒粉末を金型
プレスで成形し、その後大気中にて、１４００〜１６０
０℃で０．５〜４時間焼成することにより得られる。な
お、粉砕混合後に、仮焼し、再度粉砕混合してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】本発明のアルミナ磁器組成物は、不純物を
極力含まないことが望ましいが、製造上の不可避不純物
の混入は避けられず、例えば、Ｚｒ，Ｙ，Ｎａ,Ｆｅ，
Ｓｉ，Ｃａ，Ｇａ，Ｃｒ等の不純物成分を含有していて
もよく、その含有量は酸化物換算で、それぞれＺｒ：２
ｗｔ％以下、Ｙ：０．２ｗｔ％以下、Ｎａ：０．２ｗｔ
％以下、Ｆｅ：０．０５ｗｔ％以下、Ｓｉ：０．０２ｗ
ｔ％以下、Ｃａ：０．０２ｗｔ％以下、Ｇａ：０．０１
ｗｔ％以下、Ｃｒ：０．００５ｗｔ％以下程度である。
本発明のアルミナ磁器組成物では、アルカリ金属の含有
量はおよそ０．０２〜０．２ｗｔ％程度、好ましくは
０．０２〜０．１ｗｔ％、さらに好ましくは０．０４〜
０．１ｗｔ％程度含まれているものであるが、これらの
不純物が上記の含有量内であれば、Ｑ値に与える影響は
極めて小さい。
極力含まないことが望ましいが、製造上の不可避不純物
の混入は避けられず、例えば、Ｚｒ，Ｙ，Ｎａ,Ｆｅ，
Ｓｉ，Ｃａ，Ｇａ，Ｃｒ等の不純物成分を含有していて
もよく、その含有量は酸化物換算で、それぞれＺｒ：２
ｗｔ％以下、Ｙ：０．２ｗｔ％以下、Ｎａ：０．２ｗｔ
％以下、Ｆｅ：０．０５ｗｔ％以下、Ｓｉ：０．０２ｗ
ｔ％以下、Ｃａ：０．０２ｗｔ％以下、Ｇａ：０．０１
ｗｔ％以下、Ｃｒ：０．００５ｗｔ％以下程度である。
本発明のアルミナ磁器組成物では、アルカリ金属の含有
量はおよそ０．０２〜０．２ｗｔ％程度、好ましくは
０．０２〜０．１ｗｔ％、さらに好ましくは０．０４〜
０．１ｗｔ％程度含まれているものであるが、これらの
不純物が上記の含有量内であれば、Ｑ値に与える影響は
極めて小さい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】また、予め前記汎用アルミナ原料について
組成分析し、不純物としてアルカリ金属、Ｚｒ，Ｙ，Ｆ
ｅ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｇａ，Ｃｒを検出し、酸化物換算でそ
れぞれＮａ２Ｏ：０．０５ｗｔ％,ＺｒＯ２：０．６ｗ
ｔ％，Ｙ２Ｏ３：０．２ｗｔ％，Ｆｅ２Ｏ３：０．１５
ｗｔ％，ＳｉＯ２：０．０１ｗｔ％，ＣａＯ：０．０１
ｗｔ％，Ｇａ２Ｏ３：０．００２５ｗｔ％，Ｃｒ
２Ｏ３：０．００１ｗｔ％含有していることを確認し
た。
組成分析し、不純物としてアルカリ金属、Ｚｒ，Ｙ，Ｆ
ｅ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｇａ，Ｃｒを検出し、酸化物換算でそ
れぞれＮａ２Ｏ：０．０５ｗｔ％,ＺｒＯ２：０．６ｗ
ｔ％，Ｙ２Ｏ３：０．２ｗｔ％，Ｆｅ２Ｏ３：０．１５
ｗｔ％，ＳｉＯ２：０．０１ｗｔ％，ＣａＯ：０．０１
ｗｔ％，Ｇａ２Ｏ３：０．００２５ｗｔ％，Ｃｒ
２Ｏ３：０．００１ｗｔ％含有していることを確認し
た。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】表１にアルミナ磁器組成物のＱ値、比誘電
率εｒ、焼結体密度及び焼結温度を評価した結果を示
す。また、一例としてＭｇＯを０．０５ｗｔ％含む試料
についてＴｉＯ２の含有量とＱ値の関係を図５に、同じ
くＴｉＯ２の含有量と比誘電率の関係を図６に、同じく
ＴｉＯ２の含有量と焼結体密度の関係を図７にそれぞれ
示す。尚、いずれも焼結温度は１４００℃、１５００
℃、１６００℃の３種について行った結果を示してい
る。また、図８は原料に含まれるＴｉＯ２が１．００ｗ
ｔ％の場合のＭｇＯ量が及ぼすＱ値の影響を調べたもの
である。このように本例の低純度アルミナ原料において
はＭｇＯの含有量が０．０１ｗｔ％から０．２ｗｔ％の
間でＱ値が落ち込んでおり、特に０．０５ｗｔ％のとき
に極めてＱ値が低減する特性を持った原料であることが
わかる。
率εｒ、焼結体密度及び焼結温度を評価した結果を示
す。また、一例としてＭｇＯを０．０５ｗｔ％含む試料
についてＴｉＯ２の含有量とＱ値の関係を図５に、同じ
くＴｉＯ２の含有量と比誘電率の関係を図６に、同じく
ＴｉＯ２の含有量と焼結体密度の関係を図７にそれぞれ
示す。尚、いずれも焼結温度は１４００℃、１５００
℃、１６００℃の３種について行った結果を示してい
る。また、図８は原料に含まれるＴｉＯ２が１．００ｗ
ｔ％の場合のＭｇＯ量が及ぼすＱ値の影響を調べたもの
である。このように本例の低純度アルミナ原料において
はＭｇＯの含有量が０．０１ｗｔ％から０．２ｗｔ％の
間でＱ値が落ち込んでおり、特に０．０５ｗｔ％のとき
に極めてＱ値が低減する特性を持った原料であることが
わかる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】
【表１】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】さて、表１において試料はＮｏ１〜３５ま
で作製しており、試料Ｎｏ．の４〜１５、２０、２１、
２３、２４、２６、２７、３０〜３４は本発明に係る実
施例であり実施例Ｎｏを順次列記した。一方、試料Ｎ
ｏ．の１〜３、１６〜１９、２２、２５、２８、２９、
３５は比較例であり比較例Ｎｏを列記した。表１及び図
５よりこのアルミナ磁器組成物において、ＭｇＯが１０
ｗｔ％以下で、かつＴｉをＴｉＯ２換算で０．２ｗｔ％
以上１０ｗｔ％以下含有すれば８５０以上のＱ値が得ら
れることがわかる。アルミナはＭｇＯが０．０５ｗｔ％
のときＱ値が激減するのであるが、試料Ｎｏ１〜Ｎｏ１
６より、ＴｉＯ２の含有量が増えるほどＱ値は増加し
０．７５ｗｔ％で最大値を示している。また、焼結温度
が高いほどＱ値と比誘電率及び焼結体密度と共に増加す
るが、１５００℃以下で実用上問題ないＱ値が得られて
いる。ＴｉＯ２の含有量の効果はその後も継続されるが
１０ｗｔ％を越えるとＱ値は減少する傾向を示す。Ｍｇ
とＴｉは複合添加することで効果を示すが添加量のバラ
ンスによってＱ値も変動する。しかし概ねＴｉが無添加
の場合の４〜１０倍程度のＱ値が得られ、比誘電率（ε
ｒ）もほぼ一定の値となることが確認された。一方、Ｍ
ｇＯは含有されているがＴｉＯ２を含有しない試料Ｎｏ
１９、２２、２５、２９や１０ｗｔ％超の試料Ｎｏ１６
や３５ではＱ値が８５０未満と小さく、この場合は１５
００℃の焼結では十分なＱ値が得られない。またＭｇＯ
のみ含有した試料Ｎｏ１〜３他においても十分なＱ値が
得られなかった。
で作製しており、試料Ｎｏ．の４〜１５、２０、２１、
２３、２４、２６、２７、３０〜３４は本発明に係る実
施例であり実施例Ｎｏを順次列記した。一方、試料Ｎ
ｏ．の１〜３、１６〜１９、２２、２５、２８、２９、
３５は比較例であり比較例Ｎｏを列記した。表１及び図
５よりこのアルミナ磁器組成物において、ＭｇＯが１０
ｗｔ％以下で、かつＴｉをＴｉＯ２換算で０．２ｗｔ％
以上１０ｗｔ％以下含有すれば８５０以上のＱ値が得ら
れることがわかる。アルミナはＭｇＯが０．０５ｗｔ％
のときＱ値が激減するのであるが、試料Ｎｏ１〜Ｎｏ１
６より、ＴｉＯ２の含有量が増えるほどＱ値は増加し
０．７５ｗｔ％で最大値を示している。また、焼結温度
が高いほどＱ値と比誘電率及び焼結体密度と共に増加す
るが、１５００℃以下で実用上問題ないＱ値が得られて
いる。ＴｉＯ２の含有量の効果はその後も継続されるが
１０ｗｔ％を越えるとＱ値は減少する傾向を示す。Ｍｇ
とＴｉは複合添加することで効果を示すが添加量のバラ
ンスによってＱ値も変動する。しかし概ねＴｉが無添加
の場合の４〜１０倍程度のＱ値が得られ、比誘電率（ε
ｒ）もほぼ一定の値となることが確認された。一方、Ｍ
ｇＯは含有されているがＴｉＯ２を含有しない試料Ｎｏ
１９、２２、２５、２９や１０ｗｔ％超の試料Ｎｏ１６
や３５ではＱ値が８５０未満と小さく、この場合は１５
００℃の焼結では十分なＱ値が得られない。またＭｇＯ
のみ含有した試料Ｎｏ１〜３他においても十分なＱ値が
得られなかった。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】Ｘ線回折測定の結果、ＴｉＯ２を０．７５
ｗｔ％以上含有すると、結晶粒界にＡｌ２ＴｉＯ５相が
明確に現れることが判明した。尚、０．７５ｗｔ％未満
でもＡｌ２ＴｉＯ５相は生成されていると考えるが０．
５ｗｔ％より少ないものでは装置の精度上不明確であっ
た。またＴｉＯ２を含まない試料では図４に示す様に、
不純物であるＺｒＯ２等５が主相であるＡｌ２Ｏ３相１
の成長を妨げる様に分散して析出している。一方、Ｔｉ
Ｏ２を０．７５ｗｔ％含有した試料（実施例７）では図
３に示すように、アルミナ磁器組成物の組織中にＡｌ２
ＴｉＯ５相２が現れ、このＡｌ２ＴｉＯ５相２は主相で
あるＡｌ２Ｏ３相１の結晶粒界４（点線で示す）、に沿
った粒界の三重点に不純物を取り込む様に析出してい
る。即ち、ここではＺｒＯ２等からなる不純物相３の周
囲を包囲してＡｌ２ＴｉＯ５相２が生成している。これ
によって不純物がアルミナの主相内に固溶しないように
でき誘電損失を抑制しＱ値を高めることが出来る。また
図３試料の破面観察からＡｌ ２Ｏ３相の平均粒径は約４
μｍであって、ＴｉＯ２を含まない図４試料の約３倍と
なり粒成長が促進され焼結温度が低くても緻密な組織が
得られることが確認されており、Ａｌ２ＴｉＯ５による
焼結性向上の効果が見られた。そして、表１、表２より
Ｘ＝０．２〜１５％の範囲であれば８５０以上のＱ値が
得られることがわかる。
ｗｔ％以上含有すると、結晶粒界にＡｌ２ＴｉＯ５相が
明確に現れることが判明した。尚、０．７５ｗｔ％未満
でもＡｌ２ＴｉＯ５相は生成されていると考えるが０．
５ｗｔ％より少ないものでは装置の精度上不明確であっ
た。またＴｉＯ２を含まない試料では図４に示す様に、
不純物であるＺｒＯ２等５が主相であるＡｌ２Ｏ３相１
の成長を妨げる様に分散して析出している。一方、Ｔｉ
Ｏ２を０．７５ｗｔ％含有した試料（実施例７）では図
３に示すように、アルミナ磁器組成物の組織中にＡｌ２
ＴｉＯ５相２が現れ、このＡｌ２ＴｉＯ５相２は主相で
あるＡｌ２Ｏ３相１の結晶粒界４（点線で示す）、に沿
った粒界の三重点に不純物を取り込む様に析出してい
る。即ち、ここではＺｒＯ２等からなる不純物相３の周
囲を包囲してＡｌ２ＴｉＯ５相２が生成している。これ
によって不純物がアルミナの主相内に固溶しないように
でき誘電損失を抑制しＱ値を高めることが出来る。また
図３試料の破面観察からＡｌ ２Ｏ３相の平均粒径は約４
μｍであって、ＴｉＯ２を含まない図４試料の約３倍と
なり粒成長が促進され焼結温度が低くても緻密な組織が
得られることが確認されており、Ａｌ２ＴｉＯ５による
焼結性向上の効果が見られた。そして、表１、表２より
Ｘ＝０．２〜１５％の範囲であれば８５０以上のＱ値が
得られることがわかる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るアルミナ磁器組成物の組織写真の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図２】本発明の比較例のアルミナ磁器組成物の組織写
真の一例を示す図である。
真の一例を示す図である。
【図３】図１の組織写真の模式図を示す図である。
【図４】図２の組織写真の模式図を示す図である。
【図５】ＭｇＯを０．０５ｗｔ％含む場合のＴｉＯ２の
含有量とＱ値の関係を示す図である。
含有量とＱ値の関係を示す図である。
【図６】ＭｇＯを０．０５ｗｔ％含む場合のＴｉＯ２の
含有量と比誘電率の関係を示す図である。
含有量と比誘電率の関係を示す図である。
【図７】ＭｇＯを０．０５ｗｔ％含む場合のＴｉＯ２の
含有量と焼結体密度の関係を示す図である。
含有量と焼結体密度の関係を示す図である。
【図８】実施例の試料原料にＴｉＯ２を１．００ｗｔ％
含む場合のＭｇＯの含有量とＱ値の関係を示す図であ
る。
含む場合のＭｇＯの含有量とＱ値の関係を示す図であ
る。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【符号の説明】 １：Ａｌ２Ｏ３相 ２：Ａｌ２ＴｉＯ５相 ３：不純物（ＺｒＯ２）相 ４：結晶粒界
Claims (9)
- 【請求項１】 Ｍｇの含有量がＭｇＯ換算で１０ｗｔ％
以下で、且つＴｉの含有量がＴｉＯ２換算で０．２ｗｔ
％以上１０ｗｔ％以下、残部がＡｌ２Ｏ３相および不可
避不純物からなることを特徴とするアルミナ磁器組成
物。 - 【請求項２】 Ｍｇの含有量がＭｇＯ換算で０．２ｗｔ
％以下であることを特徴とする請求項１に記載のアルミ
ナ磁器組成物。 - 【請求項３】 Ｔｉの含有量がＴｉＯ２換算で０．５ｗ
ｔ％以上１０ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項
１又は２に記載のアルミナ磁器組成物。 - 【請求項４】 組織の一部にＡｌ２ＴｉＯ５相を有する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のア
ルミナ磁器組成物。 - 【請求項５】 Ａｌ２Ｏ３を主相とし、組織の一部にＡ
ｌ２ＴｉＯ５相を有するアルミナ磁器組成物であって、
Ｘ線回折パターンにて同定されるＡｌ２Ｏ３相の（１１
３）面回折強度Ｉ（Ａｌ）とＡｌ２ＴｉＯ５相の（１１
０）面回折強度Ｉ（ＡＴ）との比Ｘが、Ｘ＝０．２〜１
５％（ただしＸ＝Ｉ（ＡＴ）／Ｉ（Ａｌ）×１００
（％））であることを特徴とするアルミナ磁器組成物。 - 【請求項６】 Ａｌ２ＴｉＯ５相が粒界に析出している
ことを特徴とする請求項４又は５に記載のアルミナ磁器
組成物。 - 【請求項７】 前記アルミナ磁器組成物の結晶粒界に析
出するＡｌ２ＴｉＯ ５相が不可避的不純物からなる他の
粒界相の一部を内包していることを特徴とする請求項６
に記載のアルミナ磁器組成物。 - 【請求項８】 Ａｌ２Ｏ３を主成分としＭｇ、Ｔｉ、不
可避不純物を有するアルミナ磁器組成物であって、該ア
ルミナ磁器組成物のＡｌ２Ｏ３相のａ軸格子定数と粉末
Ｘ線回折図形標準データ集（ＪＣＰＤＳカード Ｎｏ．
４６―１２１２）のＡｌ２Ｏ３のａ軸格子定数標準値と
の差Δａの値が、―０．００３≦Δａ＜０（単位：オン
グストローム）であることを特徴とするアルミナ磁器組
成物。 - 【請求項９】 測定周波数１０ＧＨｚにおけるＱ値が８
５０以上であることを特徴とする請求項１乃至８のいず
れかに記載のアルミナ磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31489599A JP2001072462A (ja) | 1999-06-29 | 1999-11-05 | アルミナ磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-183429 | 1999-06-29 | ||
| JP18342999 | 1999-06-29 | ||
| JP31489599A JP2001072462A (ja) | 1999-06-29 | 1999-11-05 | アルミナ磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001072462A true JP2001072462A (ja) | 2001-03-21 |
Family
ID=26501870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31489599A Pending JP2001072462A (ja) | 1999-06-29 | 1999-11-05 | アルミナ磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001072462A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013180289A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | 京セラ株式会社 | 高耐電圧アルミナ質焼結体および高耐電圧用部材 |
| JP2014214064A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 京セラ株式会社 | アルミナ質焼結体およびこれを用いた耐電圧部材 |
| WO2019026871A1 (ja) * | 2017-08-01 | 2019-02-07 | 株式会社フェローテックセラミックス | アルミナ焼結体およびその製造方法、ならびに、半導体製造装置用部品 |
| JP2021073160A (ja) * | 2017-01-30 | 2021-05-13 | 京セラ株式会社 | 半導電性セラミック部材およびウエハ搬送用保持具 |
| CN113321521A (zh) * | 2021-05-27 | 2021-08-31 | 无锡市高宇晟新材料科技有限公司 | 氧化铝晶须掺杂的低介微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
-
1999
- 1999-11-05 JP JP31489599A patent/JP2001072462A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013180289A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | 京セラ株式会社 | 高耐電圧アルミナ質焼結体および高耐電圧用部材 |
| US9548142B2 (en) | 2012-05-31 | 2017-01-17 | Kyocera Corporation | High-withstanding-voltage alumina sintered compact and high-withstanding-voltage member |
| EP2857373B1 (en) * | 2012-05-31 | 2020-08-12 | Kyocera Corporation | High-withstanding-voltage alumina sintered compact and high-withstanding-voltage member |
| JP2014214064A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-11-17 | 京セラ株式会社 | アルミナ質焼結体およびこれを用いた耐電圧部材 |
| JP2021073160A (ja) * | 2017-01-30 | 2021-05-13 | 京セラ株式会社 | 半導電性セラミック部材およびウエハ搬送用保持具 |
| WO2019026871A1 (ja) * | 2017-08-01 | 2019-02-07 | 株式会社フェローテックセラミックス | アルミナ焼結体およびその製造方法、ならびに、半導体製造装置用部品 |
| JPWO2019026871A1 (ja) * | 2017-08-01 | 2020-08-06 | 株式会社フェローテックマテリアルテクノロジーズ | アルミナ焼結体およびその製造方法、ならびに、半導体製造装置用部品 |
| US11306029B2 (en) | 2017-08-01 | 2022-04-19 | Ferrotec Material Technologies Corporation | Alumina sintered body, method for manufacturing the same, and part for semiconductor manufacturing apparatus |
| CN113321521A (zh) * | 2021-05-27 | 2021-08-31 | 无锡市高宇晟新材料科技有限公司 | 氧化铝晶须掺杂的低介微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061011 |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090521 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090529 |
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| A02 | Decision of refusal |
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