JPH0952761A - アルミナ質磁器組成物およびその製造方法 - Google Patents
アルミナ質磁器組成物およびその製造方法Info
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- JPH0952761A JPH0952761A JP7205749A JP20574995A JPH0952761A JP H0952761 A JPH0952761 A JP H0952761A JP 7205749 A JP7205749 A JP 7205749A JP 20574995 A JP20574995 A JP 20574995A JP H0952761 A JPH0952761 A JP H0952761A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】アルミナ主成分の磁器において、低誘電損失を
維持したまま、周波数の温度係数を小さくすることが難
しく、焼成温度が高かった。 【解決手段】Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＣｕＯを主成
分とし、各成分のモル比による組成比が、図１のＡｌ2
Ｏ3 −ＴｉＯ2 −ＣｕＯ３成分組成図における線分Ａ−
Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ａの点を結ぶ線分で表した範囲内にな
るように調合した混合物を成形後、１３００℃以下の酸
化性雰囲気中で焼成し、結晶相として、少なくともα−
Ａｌ2 Ｏ3 とＴｉＯ2 を析出させることにより、測定周
波数８ＧＨｚにおける誘電損失が１×１０-3以下、共振
周波数の２５〜８５℃における温度係数の絶対値｜τｆ
｜が３０ｐｐｍ以下の優れた誘電特性を得る。
維持したまま、周波数の温度係数を小さくすることが難
しく、焼成温度が高かった。 【解決手段】Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＣｕＯを主成
分とし、各成分のモル比による組成比が、図１のＡｌ2
Ｏ3 −ＴｉＯ2 −ＣｕＯ３成分組成図における線分Ａ−
Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ａの点を結ぶ線分で表した範囲内にな
るように調合した混合物を成形後、１３００℃以下の酸
化性雰囲気中で焼成し、結晶相として、少なくともα−
Ａｌ2 Ｏ3 とＴｉＯ2 を析出させることにより、測定周
波数８ＧＨｚにおける誘電損失が１×１０-3以下、共振
周波数の２５〜８５℃における温度係数の絶対値｜τｆ
｜が３０ｐｐｍ以下の優れた誘電特性を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体共振器、マ
イクロ波導波路、マイクロ波コンデンサ、マイクロ波Ｉ
Ｃ基板、ＩＣパッケージ、誘電体アンテナ等の電気通信
分野またはマイクロ波透過窓等の核融合関係設備分野な
どの高周波用として好適に利用されるアルミナ質磁器組
成物とその製造方法に関する。
イクロ波導波路、マイクロ波コンデンサ、マイクロ波Ｉ
Ｃ基板、ＩＣパッケージ、誘電体アンテナ等の電気通信
分野またはマイクロ波透過窓等の核融合関係設備分野な
どの高周波用として好適に利用されるアルミナ質磁器組
成物とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】近年、通信網の急激な発展に伴って、通信
に使用する周波数が拡大すると同時に、マイクロ波領域
やミリ波領域などの高周波領域にまで及びつつある。一
方、誘電体磁器は、コンデンサなどの他に、誘電体共振
器や集積回路基板、誘電体アンテナ、各種高周波回路の
インピーダンス整合等に応用されており、これらについ
てもマイクロ波やミリ波に対しても適応可能なものが望
まれている。例えば、フィルタやガンまたはＦＥＴマイ
クロ波発振器の周波数安定化のために必要となり、その
需要が増大している。
に使用する周波数が拡大すると同時に、マイクロ波領域
やミリ波領域などの高周波領域にまで及びつつある。一
方、誘電体磁器は、コンデンサなどの他に、誘電体共振
器や集積回路基板、誘電体アンテナ、各種高周波回路の
インピーダンス整合等に応用されており、これらについ
てもマイクロ波やミリ波に対しても適応可能なものが望
まれている。例えば、フィルタやガンまたはＦＥＴマイ
クロ波発振器の周波数安定化のために必要となり、その
需要が増大している。
【０００３】マイクロ波回路素子の大きさは、電磁波の
波長が基準となっており、誘電体を用いたマイクロ波立
体回路内を電磁波が伝搬するときの真空中の波長をλ
０ 、比誘電率をεとするとλ0 ／ε1/2 となるため、
誘電率が高いほど小型化が可能である。
波長が基準となっており、誘電体を用いたマイクロ波立
体回路内を電磁波が伝搬するときの真空中の波長をλ
０ 、比誘電率をεとするとλ0 ／ε1/2 となるため、
誘電率が高いほど小型化が可能である。
【０００４】一方、セラミックスとして最も一般的に使
用されているアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3）は、サファイアの
場合、誘電率が１０、誘電損失が１０-5（８ＧＨｚ）と
低損失であるが非常に高価である。アルミナ粉末に各種
の添加物を添加し焼結した磁器は、機械的強度が高く、
低コストであるためサファイアと同レベルの電気特性を
有するように改善が進められている。
用されているアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3）は、サファイアの
場合、誘電率が１０、誘電損失が１０-5（８ＧＨｚ）と
低損失であるが非常に高価である。アルミナ粉末に各種
の添加物を添加し焼結した磁器は、機械的強度が高く、
低コストであるためサファイアと同レベルの電気特性を
有するように改善が進められている。
【０００５】さらに、素子を作製する場合には、その磁
器の焼結体を作製するための焼成温度はできるだけ低い
ことが望ましい。因みにアルミナ質焼結体では、１５０
０〜１６００℃の温度で焼成することが必要である。
器の焼結体を作製するための焼成温度はできるだけ低い
ことが望ましい。因みにアルミナ質焼結体では、１５０
０〜１６００℃の温度で焼成することが必要である。
【０００６】例えば、特公平２−６１０８２号によれ
ば、Ａｌ2 Ｏ3 にＣａＴｉＯ3 を添加した低誘電率、高
Ｑ値の組成物が提案されている。また、特公平２−１１
１０号によれば、Ａｌ2 Ｏ3 にＳｉＯ2 、ＣａＯ、Ｍｇ
Ｏを添加したマイクロ波領域で低誘電損失の磁器組成物
が提案されている。
ば、Ａｌ2 Ｏ3 にＣａＴｉＯ3 を添加した低誘電率、高
Ｑ値の組成物が提案されている。また、特公平２−１１
１０号によれば、Ａｌ2 Ｏ3 にＳｉＯ2 、ＣａＯ、Ｍｇ
Ｏを添加したマイクロ波領域で低誘電損失の磁器組成物
が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルミ
ナを主成分とする磁器は、そもそも共振周波数の温度係
数（以下、τｆと記す）が約−５５ｐｐｍ／℃と大きい
ため使用用途が極めて制限されるという問題があった。
共振周波数を制御する方法としては、τｆが正の成分、
あるいは負の成分を適宜組み合わせることにより調整す
ることが可能であるが、誘電損失が大きくなるなど、高
周波における低損失を維持しつつ、τｆを小さくするこ
とは困難であった。
ナを主成分とする磁器は、そもそも共振周波数の温度係
数（以下、τｆと記す）が約−５５ｐｐｍ／℃と大きい
ため使用用途が極めて制限されるという問題があった。
共振周波数を制御する方法としては、τｆが正の成分、
あるいは負の成分を適宜組み合わせることにより調整す
ることが可能であるが、誘電損失が大きくなるなど、高
周波における低損失を維持しつつ、τｆを小さくするこ
とは困難であった。
【０００８】また、誘電損失については、Ａｌ2 Ｏ3 は
サファイアなどの単結晶の場合には誘電損失は非常に小
さいが、それ自体非常に高価であるため、安価なものが
要求される。しかし、助剤等を添加したアルミナ質焼結
体では、誘電損失が大きくなり優れた特性が得られない
のが現状であった。
サファイアなどの単結晶の場合には誘電損失は非常に小
さいが、それ自体非常に高価であるため、安価なものが
要求される。しかし、助剤等を添加したアルミナ質焼結
体では、誘電損失が大きくなり優れた特性が得られない
のが現状であった。
【０００９】さらに、特公平２−６１０８２号の組成物
によれば、共振周波数の温度係数については何等検討さ
れておらず、また、特公平２−１１１０号に記載の磁器
によれば、誘電率が１０以下と低く、素子の小型化には
不向きである。
によれば、共振周波数の温度係数については何等検討さ
れておらず、また、特公平２−１１１０号に記載の磁器
によれば、誘電率が１０以下と低く、素子の小型化には
不向きである。
【００１０】従って、本発明は、マイクロ波領域におい
て、アルミナを主たる成分とし、高誘電率化を図るとと
もに、マイクロ波領域において低誘電損失および共振周
波数の温度係数の小さい磁器組成物を提供するととも
に、１３００℃以下の低温で焼成可能な磁器組成物を提
供することを目的とするものである。
て、アルミナを主たる成分とし、高誘電率化を図るとと
もに、マイクロ波領域において低誘電損失および共振周
波数の温度係数の小さい磁器組成物を提供するととも
に、１３００℃以下の低温で焼成可能な磁器組成物を提
供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、まず、ア
ルミナのτｆの絶対値を低下させるためには、アルミナ
と逆の温度係数を持つ化合物を添加する必要があること
を前提に種々検討した結果、アルミナへの添加物とし
て、ＴｉＯ2 とＣｕＯとを特定の範囲で組み合わせて添
加した結果、低誘電損失とτｆの絶対値を低減できるこ
とに加え、１３００℃以下での低温で焼成できることを
見いだし、本発明に至った。
ルミナのτｆの絶対値を低下させるためには、アルミナ
と逆の温度係数を持つ化合物を添加する必要があること
を前提に種々検討した結果、アルミナへの添加物とし
て、ＴｉＯ2 とＣｕＯとを特定の範囲で組み合わせて添
加した結果、低誘電損失とτｆの絶対値を低減できるこ
とに加え、１３００℃以下での低温で焼成できることを
見いだし、本発明に至った。
【００１２】即ち、本発明のアルミナ質磁器組成物は、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＣｕＯを主成分とし、各成
分のモル比による組成比が、図１のＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ
2 −ＣｕＯ３成分組成図における の点による線分Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ａで囲まれた範囲
内にあることを特徴とするものであり、さらには、結晶
相として、少なくともα−Ａｌ2 Ｏ3 とＴｉＯ2を含
み、測定周波数８ＧＨｚにおける誘電損失が１×１０-3
以下、共振周波数の２５〜８５℃における温度係数の絶
対値｜τｆ｜が３０ｐｐｍ以下の優れた誘電特性を有す
るものであり、しかも、１３００℃以下の低温で焼結で
きるものである。
Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＣｕＯを主成分とし、各成
分のモル比による組成比が、図１のＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ
2 −ＣｕＯ３成分組成図における の点による線分Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ａで囲まれた範囲
内にあることを特徴とするものであり、さらには、結晶
相として、少なくともα−Ａｌ2 Ｏ3 とＴｉＯ2を含
み、測定周波数８ＧＨｚにおける誘電損失が１×１０-3
以下、共振周波数の２５〜８５℃における温度係数の絶
対値｜τｆ｜が３０ｐｐｍ以下の優れた誘電特性を有す
るものであり、しかも、１３００℃以下の低温で焼結で
きるものである。
【００１３】
【作用】Ａｌ2 Ｏ3 のτｆの絶対値を低下させるためＡ
ｌ2 Ｏ3 と逆の符号である正の温度係数を持つＴｉＯ2
と複合化させることがよい。しかし、Ａｌ2 Ｏ3 にＴｉ
Ｏ2 を添加し焼成すると、ＴｉＯ2 はＡｌ2 Ｏ3 と反応
しＡｌ2 ＴｉＯ5 が析出する。このＡｌ2 ＴｉＯ5 が多
量に析出すると、誘電損失が増加し、τｆの絶対値の減
少効果は望めない。
ｌ2 Ｏ3 と逆の符号である正の温度係数を持つＴｉＯ2
と複合化させることがよい。しかし、Ａｌ2 Ｏ3 にＴｉ
Ｏ2 を添加し焼成すると、ＴｉＯ2 はＡｌ2 Ｏ3 と反応
しＡｌ2 ＴｉＯ5 が析出する。このＡｌ2 ＴｉＯ5 が多
量に析出すると、誘電損失が増加し、τｆの絶対値の減
少効果は望めない。
【００１４】ところが、本発明に基づき、Ａｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＯ2 の系に対して、さらにＣｕＯを添加すると、Ａ
ｌ2 ＴｉＯ5 の析出を抑制しＴｉＯ2 を優先的に析出さ
せることができる。その結果、ＴｉＯ2 相の析出によっ
て温度係数τｆを正側に移行させることができる。しか
も、測定周波数８ＧＨｚにおいて誘電損失が１×１０-3
以下を維持しつつ、τｆの絶対値を３０ｐｐｍ／℃以下
に制御することが可能となり、これにより高周波領域の
電気通信分野での広範囲の利用できるようになり、特に
誘電率が高いことから素子の小型化を促進できる。
ＴｉＯ2 の系に対して、さらにＣｕＯを添加すると、Ａ
ｌ2 ＴｉＯ5 の析出を抑制しＴｉＯ2 を優先的に析出さ
せることができる。その結果、ＴｉＯ2 相の析出によっ
て温度係数τｆを正側に移行させることができる。しか
も、測定周波数８ＧＨｚにおいて誘電損失が１×１０-3
以下を維持しつつ、τｆの絶対値を３０ｐｐｍ／℃以下
に制御することが可能となり、これにより高周波領域の
電気通信分野での広範囲の利用できるようになり、特に
誘電率が高いことから素子の小型化を促進できる。
【００１５】また、Ａｌ2 Ｏ3 に対して、ＴｉＯ2 とＣ
ｕＯとを複合して添加するとこれらの添加成分による液
相生成温度が下がり、１３００℃以下の低温で焼成する
ことが可能となり、磁器の製造コストの低減が可能とな
る。
ｕＯとを複合して添加するとこれらの添加成分による液
相生成温度が下がり、１３００℃以下の低温で焼成する
ことが可能となり、磁器の製造コストの低減が可能とな
る。
【００１６】なお、Ａｌ2 Ｏ3 量が、上記の組成範囲よ
りも過剰となるとτｆが負に大きくなるとともに焼成温
度が１３００℃を越え、逆に上記の組成範囲よりも少な
いとτｆは正に大きくなるか、あるいは誘電損失が１×
１０-3を越えてしまう。また、アルミナ含有量が範囲内
であっても、ＣｕＯとＴｉＯ2 との比率が上記組成範囲
を逸脱すると、Ａｌ2 ＴｉＯ5 の析出またはＡｌＴａＯ
4 が過剰に析出し、誘電損失が１×１０-3を越えてしま
うか、共振周波数の温度係数の絶対値が３０ｐｐｍ／℃
を越えてしまうか、または１３００℃以下では緻密化で
きなくなる。
りも過剰となるとτｆが負に大きくなるとともに焼成温
度が１３００℃を越え、逆に上記の組成範囲よりも少な
いとτｆは正に大きくなるか、あるいは誘電損失が１×
１０-3を越えてしまう。また、アルミナ含有量が範囲内
であっても、ＣｕＯとＴｉＯ2 との比率が上記組成範囲
を逸脱すると、Ａｌ2 ＴｉＯ5 の析出またはＡｌＴａＯ
4 が過剰に析出し、誘電損失が１×１０-3を越えてしま
うか、共振周波数の温度係数の絶対値が３０ｐｐｍ／℃
を越えてしまうか、または１３００℃以下では緻密化で
きなくなる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明のアルミナ質磁器組成物
は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＣｕＯ、あるいは焼成
により前記酸化物を形成しえる炭酸塩、硝酸塩などの塩
を用いて、図１の組成範囲になるように秤量混合した
後、これを所望の成形手段、例えば、ドクターブレード
法などのシート成形法、金型プレス法、冷間静水圧プレ
ス法、押出し成形法、圧延法等により任意の形状に成形
する。その後、この成形体を、大気などの酸化性雰囲気
中で１３００℃以下、特に９００〜１２５０℃の低温で
焼成することにより相対密度９８％以上に緻密化するこ
とができる。
は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＣｕＯ、あるいは焼成
により前記酸化物を形成しえる炭酸塩、硝酸塩などの塩
を用いて、図１の組成範囲になるように秤量混合した
後、これを所望の成形手段、例えば、ドクターブレード
法などのシート成形法、金型プレス法、冷間静水圧プレ
ス法、押出し成形法、圧延法等により任意の形状に成形
する。その後、この成形体を、大気などの酸化性雰囲気
中で１３００℃以下、特に９００〜１２５０℃の低温で
焼成することにより相対密度９８％以上に緻密化するこ
とができる。
【００１８】なお、本発明の磁器組成物においては、上
記Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＣｕＯの成分以外に、例え
ば、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｎａ、Ｇａなどの元素が
不可避不純物あるいは製造工程中において混入する場合
があるが、これらの成分は、酸化物換算で全量中０．２
％以下であれば、とりわけ本発明の効果に影響を及ぼす
ことはない。
記Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＣｕＯの成分以外に、例え
ば、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｎａ、Ｇａなどの元素が
不可避不純物あるいは製造工程中において混入する場合
があるが、これらの成分は、酸化物換算で全量中０．２
％以下であれば、とりわけ本発明の効果に影響を及ぼす
ことはない。
【００１９】
【実施例】純度９９．９％のＡｌ2 Ｏ3 粉末、ＴｉＯ2
粉末およびＣｕＯ粉末を表１の組成となるように秤量
し、この混合粉末を、純度９９．９％のアルミナボー
ル、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）と共に５００ｍ
ｌポリポットに投入し、２４時間回転ミルにて混合し
た。混合後のスラリーを８０℃大気中にて乾燥し８０メ
ッシュを通し評価粉末を得た。
粉末およびＣｕＯ粉末を表１の組成となるように秤量
し、この混合粉末を、純度９９．９％のアルミナボー
ル、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）と共に５００ｍ
ｌポリポットに投入し、２４時間回転ミルにて混合し
た。混合後のスラリーを８０℃大気中にて乾燥し８０メ
ッシュを通し評価粉末を得た。
【００２０】この粉末を金型プレスにて１０００ｋｇ／
ｃｍ2 で直径２０ｍｍ、厚み１０ｍｍに成形し、その後
３０００ｋｇ／ｃｍ2 で冷間静水圧成形（ＣＩＰ）を行
って成形した。そして、成形体は大気中、表１に示す温
度で２時間焼成した。
ｃｍ2 で直径２０ｍｍ、厚み１０ｍｍに成形し、その後
３０００ｋｇ／ｃｍ2 で冷間静水圧成形（ＣＩＰ）を行
って成形した。そして、成形体は大気中、表１に示す温
度で２時間焼成した。
【００２１】得られた焼結体を直径１５ｍｍ、厚み７．
５ｍｍに加工研磨した。そして、測定周波数８ＧＨｚで
の測定によって、誘電率（εｒ）、誘電損失（ｔａｎ
δ）、および２５〜８５℃における共振周波数の温度係
数（τｆ）を測定した。また、波長λ＝１．５４１８Å
のＣｕＫα線によるＸ線回折により試料の結晶相を同定
した。これらの測定結果は、表１に示した。
５ｍｍに加工研磨した。そして、測定周波数８ＧＨｚで
の測定によって、誘電率（εｒ）、誘電損失（ｔａｎ
δ）、および２５〜８５℃における共振周波数の温度係
数（τｆ）を測定した。また、波長λ＝１．５４１８Å
のＣｕＫα線によるＸ線回折により試料の結晶相を同定
した。これらの測定結果は、表１に示した。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１の結果から明らかなように、Ａｌ2 Ｏ
3 含有量が過多の試料Ｎo.９では、τｆの絶対値が３０
ｐｐｍ／℃を越え、Ａｌ2 Ｏ3 含有量が上記組成範囲よ
り少ない試料Ｎo.１１、１２、１３もτｆの絶対値が３
０ｐｐｍ／℃を越えるものであった。また、ＴｉＯ2 と
ＣｕＯの比率が本発明の範囲を逸脱する試料Ｎo.１０、
１４、１５、１６では、τｆの絶対値がいずれも３０ｐ
ｐｍ／℃を越えるか、あるいは誘電損失が大きいもので
あった。
3 含有量が過多の試料Ｎo.９では、τｆの絶対値が３０
ｐｐｍ／℃を越え、Ａｌ2 Ｏ3 含有量が上記組成範囲よ
り少ない試料Ｎo.１１、１２、１３もτｆの絶対値が３
０ｐｐｍ／℃を越えるものであった。また、ＴｉＯ2 と
ＣｕＯの比率が本発明の範囲を逸脱する試料Ｎo.１０、
１４、１５、１６では、τｆの絶対値がいずれも３０ｐ
ｐｍ／℃を越えるか、あるいは誘電損失が大きいもので
あった。
【００２４】ＣｕＯを無添加の試料Ｎo.１０では、結晶
相としてＡｌ2 ＴｉＯ5 が析出し、これにより誘電損失
およびτｆともに大きくなり、焼成温度も１３００℃を
越えるものであった。
相としてＡｌ2 ＴｉＯ5 が析出し、これにより誘電損失
およびτｆともに大きくなり、焼成温度も１３００℃を
越えるものであった。
【００２５】これに対して、本発明における組成範囲の
試料は、いずれも結晶相としてα−Ａｌ2 Ｏ3 と、Ｔｉ
Ｏ2 が析出しており、誘電率１０〜１５、測定周波数８
ＧＨｚにおける誘電損失が１×１０-3以下、共振周波数
の２５〜８５℃における温度係数の絶対値｜τｆ｜が３
０ｐｐｍ以下の優れた特性を示した。
試料は、いずれも結晶相としてα−Ａｌ2 Ｏ3 と、Ｔｉ
Ｏ2 が析出しており、誘電率１０〜１５、測定周波数８
ＧＨｚにおける誘電損失が１×１０-3以下、共振周波数
の２５〜８５℃における温度係数の絶対値｜τｆ｜が３
０ｐｐｍ以下の優れた特性を示した。
【００２６】これらの中でも、なお、上記の焼結体中に
は、ＩＣＰ発光分析結果によれば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｉ、
Ｆｅ、Ｎａ、Ｇａなどの元素が酸化物換算で０．２％以
下含まれていた。
は、ＩＣＰ発光分析結果によれば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｉ、
Ｆｅ、Ｎａ、Ｇａなどの元素が酸化物換算で０．２％以
下含まれていた。
【００２７】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の磁器組成
物は、Ａｌ2 Ｏ3 に対して、ＴｉＯ2およびＣｕＯを所
定の関係を満足するように配合することにより、低温焼
成化とともに、マイクロ波領域での低誘電損失、共振周
波数の温度係数の絶対値を低減することができ、これに
より、アルミナ質磁器のマイクロ波やミリ波に適応した
誘電体共振器、マイクロ波導波路、マイクロ波コンデン
サ、マイクロ波ＩＣ基板、ＩＣパッケージ、誘電体アン
テナ等への応用が拡大されるとともに、製造コストの低
減を図ることができる。
物は、Ａｌ2 Ｏ3 に対して、ＴｉＯ2およびＣｕＯを所
定の関係を満足するように配合することにより、低温焼
成化とともに、マイクロ波領域での低誘電損失、共振周
波数の温度係数の絶対値を低減することができ、これに
より、アルミナ質磁器のマイクロ波やミリ波に適応した
誘電体共振器、マイクロ波導波路、マイクロ波コンデン
サ、マイクロ波ＩＣ基板、ＩＣパッケージ、誘電体アン
テナ等への応用が拡大されるとともに、製造コストの低
減を図ることができる。
【図１】本発明のアルミナ質磁器組成物のＡｌ2 Ｏ3 、
ＴｉＯ2 、ＣｕＯの含有量を表す三成分系組成図であ
る。
ＴｉＯ2 、ＣｕＯの含有量を表す三成分系組成図であ
る。
Claims (3)
- 【請求項１】Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＣｕＯを主成
分とし、各成分のモル比による組成比が、図１のＡｌ2
Ｏ3 −ＴｉＯ2 −ＣｕＯ３成分組成図における線分Ａ−
Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ａの点を結ぶ線分で表した範囲内にあ
ることを特徴とするアルミナ質磁器組成物。 - 【請求項２】結晶相として、少なくともα−Ａｌ2 Ｏ3
とＴｉＯ2 を含み、測定周波数８ＧＨｚにおける誘電損
失が１×１０-3以下、共振周波数の２５〜８５℃におけ
る温度係数の絶対値｜τｆ｜が３０ｐｐｍ以下の請求項
１記載のアルミナ質磁器組成物。 - 【請求項３】Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 およびＣｕＯを主成
分とし、各成分のモル比による組成比が、図１のＡｌ2
Ｏ3 −ＴｉＯ2 −ＣｕＯ３成分組成図における線分Ａ−
Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ａの点を結ぶ線分で表した範囲内にな
るように調合した混合物を成形後、１３００℃以下の酸
化性雰囲気中で焼成することを特徴とするアルミナ質磁
器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20574995A JP3220360B2 (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | アルミナ質磁器組成物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20574995A JP3220360B2 (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | アルミナ質磁器組成物およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0952761A true JPH0952761A (ja) | 1997-02-25 |
| JP3220360B2 JP3220360B2 (ja) | 2001-10-22 |
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