JP2001068700A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JP2001068700A JP2001068700A JP24403699A JP24403699A JP2001068700A JP 2001068700 A JP2001068700 A JP 2001068700A JP 24403699 A JP24403699 A JP 24403699A JP 24403699 A JP24403699 A JP 24403699A JP 2001068700 A JP2001068700 A JP 2001068700A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- junction
- semiconductor substrate
- solar cell
- manufacturing
- polished
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡便かつ低コストでＰＮ接合の完全な分離を
行うことができ、太陽電池を効率よく製造することので
きる方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板の表面近傍に半導体不純物を
拡散してＰＮ接合部を形成する工程と、このＰＮ接合部
を部分的に除去して電気的に分離する工程と、この分離
されたＰ型領域とＮ型領域にそれぞれ集電極を形成する
工程を有する太陽電池の製造方法において、前記ＰＮ接
合部をサンドブラストで部分的に研磨除去して電気的に
分離する。
行うことができ、太陽電池を効率よく製造することので
きる方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板の表面近傍に半導体不純物を
拡散してＰＮ接合部を形成する工程と、このＰＮ接合部
を部分的に除去して電気的に分離する工程と、この分離
されたＰ型領域とＮ型領域にそれぞれ集電極を形成する
工程を有する太陽電池の製造方法において、前記ＰＮ接
合部をサンドブラストで部分的に研磨除去して電気的に
分離する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池の製造方法
に関し、特に半導体基板を用いた太陽電池の製造方法に
関する。
に関し、特に半導体基板を用いた太陽電池の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
のシリコン太陽電池の代表的な製造工程を図６に示す。
まず、 図６（ａ）のように、 Ｐ型の半導体基板１を準備
する。そして、 図６（ｂ）に示すように、半導体基板１
をＮ型不純物雰囲気中で熱処理などして、半導体基板１
の表面近傍の全面に一定の深さまでＮ型不純物を拡散さ
せてＮ型を呈する拡散層１ａを形成する。これによりＰ
Ｎ接合部２が形成される。
のシリコン太陽電池の代表的な製造工程を図６に示す。
まず、 図６（ａ）のように、 Ｐ型の半導体基板１を準備
する。そして、 図６（ｂ）に示すように、半導体基板１
をＮ型不純物雰囲気中で熱処理などして、半導体基板１
の表面近傍の全面に一定の深さまでＮ型不純物を拡散さ
せてＮ型を呈する拡散層１ａを形成する。これによりＰ
Ｎ接合部２が形成される。
【０００３】次に、 図６（ｃ）に示すように、拡散層１
ａの一主面を残して他の不要部分を除去し、ＰＮ接合部
２を分離する。そして、図６（ｄ）に示すように、半導
体基板１の裏面側にアルミニウムペーストをスクリーン
印刷などで塗布してこれを焼成することにより、半導体
基板１の裏面近傍にアルミニウムを拡散させ、高純度の
Ｐ型不純物を含んだＢＳＦ層１ｂを形成する。
ａの一主面を残して他の不要部分を除去し、ＰＮ接合部
２を分離する。そして、図６（ｄ）に示すように、半導
体基板１の裏面側にアルミニウムペーストをスクリーン
印刷などで塗布してこれを焼成することにより、半導体
基板１の裏面近傍にアルミニウムを拡散させ、高純度の
Ｐ型不純物を含んだＢＳＦ層１ｂを形成する。
【０００４】次に、図６（ｅ）に示すように、半導体基
板１の表面にＣＶＤ装置などで反射防止膜３を形成す
る。そして、表面と裏面にそれぞれ銀ペーストをスクリ
ーン印刷して焼成することにより、図６（ｆ）に示すよ
うに、集電極４を形成した後、集電極４の保護などのた
めに、集電極４の表面に半田被覆５を形成する。これに
より、太陽電池を得ることができる。
板１の表面にＣＶＤ装置などで反射防止膜３を形成す
る。そして、表面と裏面にそれぞれ銀ペーストをスクリ
ーン印刷して焼成することにより、図６（ｆ）に示すよ
うに、集電極４を形成した後、集電極４の保護などのた
めに、集電極４の表面に半田被覆５を形成する。これに
より、太陽電池を得ることができる。
【０００５】ここで、拡散層１ａを形成した後にＰＮ接
合２の分離を行うための従来の方法（図６（ｂ）
（ｃ））について詳細に説明する。図７（ａ）に示すよ
うに、拡散層１ａを形成した半導体基板１（図６（ｂ）
と同じもの）の一主面側に、図７（ｂ）に示すように、
レジストインク９をスクリーン印刷などで塗布して保護
した後、図７（ｃ）に示すように、混酸などのエッチン
グ処理液に浸漬することにより、レジストインク９で保
護されていない部分の拡散層１ａを化学的にエッチング
除去する。そして、図７（ｄ）に示すように、一主面側
に塗布したレジストインク９を選択的に除去する薬液に
再度浸漬することで、不要なレジストインク９を半導体
基板１から剥離する。しかしながら、上記のような化学
的エッチング法は工程が複雑で時間がかかるうえ、エッ
チングする量を左右する要因が多く、エッチング状態を
均一に制御することが困難であること、またレジストイ
ンクやエッチング処理液などの材料の無駄も多く、エッ
チング後の処理液の廃液処理費用もかかり、コスト的に
も高いという問題がある。
合２の分離を行うための従来の方法（図６（ｂ）
（ｃ））について詳細に説明する。図７（ａ）に示すよ
うに、拡散層１ａを形成した半導体基板１（図６（ｂ）
と同じもの）の一主面側に、図７（ｂ）に示すように、
レジストインク９をスクリーン印刷などで塗布して保護
した後、図７（ｃ）に示すように、混酸などのエッチン
グ処理液に浸漬することにより、レジストインク９で保
護されていない部分の拡散層１ａを化学的にエッチング
除去する。そして、図７（ｄ）に示すように、一主面側
に塗布したレジストインク９を選択的に除去する薬液に
再度浸漬することで、不要なレジストインク９を半導体
基板１から剥離する。しかしながら、上記のような化学
的エッチング法は工程が複雑で時間がかかるうえ、エッ
チングする量を左右する要因が多く、エッチング状態を
均一に制御することが困難であること、またレジストイ
ンクやエッチング処理液などの材料の無駄も多く、エッ
チング後の処理液の廃液処理費用もかかり、コスト的に
も高いという問題がある。
【０００６】そこで、より簡単にＰＮ接合部２の分離を
行う方法がいろいろと提案されている。例えば特開平１
０−２３３５１８号公報では、図８（ａ）に示すよう
に、拡散層１ａが従来と同様にして形成された半導体基
板１の裏面側に、図８（ｂ）に示すように、シリコンを
溶融せしめる性質を有したガラスを主成分とする絶縁分
離材８を環状に塗布して６００〜９５０℃で数分ないし
数十分焼成することにより、図８（ｃ）に示すように、
絶縁分離材８を半導体基板１と反応させて、ＰＮ接合部
２の一部を溶かして絶縁領域８' を絶縁基板１内に形成
する。これにより、この絶縁領域８' でＰＮ接合部２が
電気的に分離される。
行う方法がいろいろと提案されている。例えば特開平１
０−２３３５１８号公報では、図８（ａ）に示すよう
に、拡散層１ａが従来と同様にして形成された半導体基
板１の裏面側に、図８（ｂ）に示すように、シリコンを
溶融せしめる性質を有したガラスを主成分とする絶縁分
離材８を環状に塗布して６００〜９５０℃で数分ないし
数十分焼成することにより、図８（ｃ）に示すように、
絶縁分離材８を半導体基板１と反応させて、ＰＮ接合部
２の一部を溶かして絶縁領域８' を絶縁基板１内に形成
する。これにより、この絶縁領域８' でＰＮ接合部２が
電気的に分離される。
【０００７】しかし、この方法では絶縁分離材８をスク
リーン印刷などで塗布する工程とこの絶縁分離材８を塗
布した半導体基板１を数分ないし数十分焼成する工程が
必要であり、時間がかかるうえに、ＰＮ接合部２の分離
が不完全になりやすく、得られる太陽電池の特性が損な
われやすいという問題がある。
リーン印刷などで塗布する工程とこの絶縁分離材８を塗
布した半導体基板１を数分ないし数十分焼成する工程が
必要であり、時間がかかるうえに、ＰＮ接合部２の分離
が不完全になりやすく、得られる太陽電池の特性が損な
われやすいという問題がある。
【０００８】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、簡便かつ低コストでＰＮ接合の完全な分離
を行うことができ、効率よく太陽電池を製造することが
できる太陽電池の製造方法を提供することを目的とす
る。
ものであり、簡便かつ低コストでＰＮ接合の完全な分離
を行うことができ、効率よく太陽電池を製造することが
できる太陽電池の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る太陽電池の製造方法では、半導体基
板の表面近傍に半導体不純物を拡散してＰＮ接合部を形
成する工程と、このＰＮ接合部を部分的に除去して電気
的に分離する工程と、この分離されたＰ型領域とＮ型領
域にそれぞれ集電極を形成する工程を有する太陽電池の
製造方法において、前記ＰＮ接合部をサンドブラストで
部分的に研磨除去して電気的に分離することを特徴とす
る。
に、請求項１に係る太陽電池の製造方法では、半導体基
板の表面近傍に半導体不純物を拡散してＰＮ接合部を形
成する工程と、このＰＮ接合部を部分的に除去して電気
的に分離する工程と、この分離されたＰ型領域とＮ型領
域にそれぞれ集電極を形成する工程を有する太陽電池の
製造方法において、前記ＰＮ接合部をサンドブラストで
部分的に研磨除去して電気的に分離することを特徴とす
る。
【００１０】上記太陽電池の製造方法では、前記ＰＮ接
合部をサンドブラストで研磨除去する際に、この研磨除
去部分のみをサンドブラストすることが望ましい。
合部をサンドブラストで研磨除去する際に、この研磨除
去部分のみをサンドブラストすることが望ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を詳細に
説明する。図１は、本発明の太陽電池の製造方法の一実
施形態を示した図である。まず、図１（ａ）のように、
ボロンなを含有するシリコン基板などから成るＰ型の半
導体基板１を準備する。そして、 上記半導体基板１をリ
ン（Ｐ）などのＮ型不純物雰囲気中で熱処理を行うなど
して、図１（ｂ）に示すように、上記半導体基板１の表
面近傍の全面に０．２〜０．５μｍ程度の深さまでＮ型
不純物を拡散させてＮ型を呈する拡散層１ａを形成する
ことにより、ＰＮ接合部２を形成する。
説明する。図１は、本発明の太陽電池の製造方法の一実
施形態を示した図である。まず、図１（ａ）のように、
ボロンなを含有するシリコン基板などから成るＰ型の半
導体基板１を準備する。そして、 上記半導体基板１をリ
ン（Ｐ）などのＮ型不純物雰囲気中で熱処理を行うなど
して、図１（ｂ）に示すように、上記半導体基板１の表
面近傍の全面に０．２〜０．５μｍ程度の深さまでＮ型
不純物を拡散させてＮ型を呈する拡散層１ａを形成する
ことにより、ＰＮ接合部２を形成する。
【００１２】次に、 半導体基板１の裏面の端部全辺をア
ルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）や炭化珪素（ＳｉＣ）などの噴射
剤を用いたサンドブラスト法で部分的に研磨除去するこ
とにより、接合分離部６を形成し、ＰＮ接合部２の分離
を行う。
ルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）や炭化珪素（ＳｉＣ）などの噴射
剤を用いたサンドブラスト法で部分的に研磨除去するこ
とにより、接合分離部６を形成し、ＰＮ接合部２の分離
を行う。
【００１３】ここで、サンドブラストで接合分離部６を
形成する際、半導体基板１裏面の接合分離部６以外の部
分をテープなどの保護マスクで保護して、接合分離部６
の周辺に噴射剤を噴射することで、保護マスクから露出
している接合分離部６のみを研磨除去した後、保護マス
クを剥離する方法も可能であるが、この場合は半導体基
板１への保護マスクの接着、剥離といった余分な工程が
必要となり、工程の簡便化とはならないため、本発明で
は、０．２〜２．０ｍｍ程度の微細径の噴射ノズルから
噴射剤を半導体基板１に直接噴射することで、所望の位
置に接合分離部６を形成している。
形成する際、半導体基板１裏面の接合分離部６以外の部
分をテープなどの保護マスクで保護して、接合分離部６
の周辺に噴射剤を噴射することで、保護マスクから露出
している接合分離部６のみを研磨除去した後、保護マス
クを剥離する方法も可能であるが、この場合は半導体基
板１への保護マスクの接着、剥離といった余分な工程が
必要となり、工程の簡便化とはならないため、本発明で
は、０．２〜２．０ｍｍ程度の微細径の噴射ノズルから
噴射剤を半導体基板１に直接噴射することで、所望の位
置に接合分離部６を形成している。
【００１４】また、接合分離部６については、拡散層１
ａを半導体基板１の表面と裏面の間で電気的に完全に分
離できていれば、その研磨除去位置や形状が図１（ｃ）
に示すようなものに限定されるものではない。
ａを半導体基板１の表面と裏面の間で電気的に完全に分
離できていれば、その研磨除去位置や形状が図１（ｃ）
に示すようなものに限定されるものではない。
【００１５】図１（ｃ）の形態は、図２（ａ）（ｂ）に
示すように、半導体基板１の端辺全周について斜めに研
磨除去しており、この場合は噴射ノズル７を半導体基板
１に対して２０〜８５度程度の角度で噴射させればよ
い。また、他の形態として、図３（ａ）（ｂ）に示すよ
うに、噴射ノズル７を半導体基板１に対して垂直に噴射
させてもよい。さらに、他の実施形態として、図４
（ａ）（ｂ）に示すように、半導体基板１の最端部では
なく、若干内側を研磨除去しても良い。
示すように、半導体基板１の端辺全周について斜めに研
磨除去しており、この場合は噴射ノズル７を半導体基板
１に対して２０〜８５度程度の角度で噴射させればよ
い。また、他の形態として、図３（ａ）（ｂ）に示すよ
うに、噴射ノズル７を半導体基板１に対して垂直に噴射
させてもよい。さらに、他の実施形態として、図４
（ａ）（ｂ）に示すように、半導体基板１の最端部では
なく、若干内側を研磨除去しても良い。
【００１６】さらに、接合分離部６を形成する工程順序
についても、上記図１（ｃ）の順序に限定されるもので
はなく、図１（ｂ）の拡散層形成工程以降であれば、い
ずれの工程の後でも問題ない。
についても、上記図１（ｃ）の順序に限定されるもので
はなく、図１（ｂ）の拡散層形成工程以降であれば、い
ずれの工程の後でも問題ない。
【００１７】そして、上記半導体基板１の裏面側にアル
ミニウムペーストをスクリーン印刷などで塗布して、こ
れを焼成することにより、半導体基板１の裏面近傍にア
ルミが拡散し、図１（ｃ）で残されていた半導体基板１
裏面の拡散層１ａが高純度のＰ型不純物層に反転して、
図１（ｄ）に示すように、ＢＳＦ層１ｂが形成される。
ミニウムペーストをスクリーン印刷などで塗布して、こ
れを焼成することにより、半導体基板１の裏面近傍にア
ルミが拡散し、図１（ｃ）で残されていた半導体基板１
裏面の拡散層１ａが高純度のＰ型不純物層に反転して、
図１（ｄ）に示すように、ＢＳＦ層１ｂが形成される。
【００１８】次に、半導体基板１の表面で入射光が反射
するのを防止して、半導体基板１の内部に入射光を有効
に取り込むために、図１（ｅ）に示すように、半導体基
板１の表面に反射防止膜３を形成する。この反射防止膜
３は、例えば窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）などから成
り、シランガス（ＳｉＨ4 ）とアンモニアガス（Ｎ
Ｈ3）との混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法などで形
成される。
するのを防止して、半導体基板１の内部に入射光を有効
に取り込むために、図１（ｅ）に示すように、半導体基
板１の表面に反射防止膜３を形成する。この反射防止膜
３は、例えば窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）などから成
り、シランガス（ＳｉＨ4 ）とアンモニアガス（Ｎ
Ｈ3）との混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法などで形
成される。
【００１９】そして、表面と裏面にそれぞれ銀ペースト
などをスクリーン印刷、焼成することにより、図１
（ｆ）に示すように、集電極４を形成した後、溶融した
半田浴槽に半導体基板１全体を浸漬するなどの方法によ
り、集電極４の表面に半田被覆５を形成する。これは、
集電極４の保護、および後に銅箔などの配線部材で太陽
電池を配線する際の配線性を簡便にする目的で行う。こ
れにより、本発明の太陽電池を得ることができる。
などをスクリーン印刷、焼成することにより、図１
（ｆ）に示すように、集電極４を形成した後、溶融した
半田浴槽に半導体基板１全体を浸漬するなどの方法によ
り、集電極４の表面に半田被覆５を形成する。これは、
集電極４の保護、および後に銅箔などの配線部材で太陽
電池を配線する際の配線性を簡便にする目的で行う。こ
れにより、本発明の太陽電池を得ることができる。
【００２０】
【実施例】以下に本発明の実施例を示す。半導体基板と
して１５ｃｍ角で厚さ０．３ｍｍ、抵抗値１．５Ω・ｃ
ｍのＰ型シリコン基板を準備し、熱拡散法でオキシ塩化
リン（ＰＯＣｌ3 ）を拡散源として、深さ０．５μｍの
Ｎ型拡散層を形成した後、噴射ノズルを上記半導体基板
に対して８０度の角度で当てて、噴射剤としてアルミナ
を直接噴射して、図２（ａ）（ｂ）の形態で接合分離部
を形成した。
して１５ｃｍ角で厚さ０．３ｍｍ、抵抗値１．５Ω・ｃ
ｍのＰ型シリコン基板を準備し、熱拡散法でオキシ塩化
リン（ＰＯＣｌ3 ）を拡散源として、深さ０．５μｍの
Ｎ型拡散層を形成した後、噴射ノズルを上記半導体基板
に対して８０度の角度で当てて、噴射剤としてアルミナ
を直接噴射して、図２（ａ）（ｂ）の形態で接合分離部
を形成した。
【００２１】次に、上記半導体基板の裏面にアルミニウ
ムペーストをスクリーン印刷で塗布し、８００℃で焼成
してＢＳＦ層を形成した後、表面にはプラズマＣＶＤ法
で窒化シリコンの反射防止膜を８００Åの厚さで形成し
た。
ムペーストをスクリーン印刷で塗布し、８００℃で焼成
してＢＳＦ層を形成した後、表面にはプラズマＣＶＤ法
で窒化シリコンの反射防止膜を８００Åの厚さで形成し
た。
【００２２】最後に、銀ペーストを上記半導体基板の表
裏にスクリーン印刷して７００℃×５分で焼成すること
で集電極を形成した後、２００℃の半田浴槽に上記半導
体基板を浸漬して引き上げることで、上記集電極表面を
半田被覆して太陽電池を製造した。
裏にスクリーン印刷して７００℃×５分で焼成すること
で集電極を形成した後、２００℃の半田浴槽に上記半導
体基板を浸漬して引き上げることで、上記集電極表面を
半田被覆して太陽電池を製造した。
【００２３】本発明の製法で得られた太陽電池と従来の
製法で得られた太陽電池の特性について、電気特性値を
表１に示すと共に、電圧−電流特性を図５（ａ）（ｂ）
にそれぞれ示す。図５（ａ）は本発明に係る製法で得ら
れた太陽電池の電圧−電流特性を示し、図５（ｂ）は従
来例の製法で得られた太陽電池の電圧−電流特性を示
す。
製法で得られた太陽電池の特性について、電気特性値を
表１に示すと共に、電圧−電流特性を図５（ａ）（ｂ）
にそれぞれ示す。図５（ａ）は本発明に係る製法で得ら
れた太陽電池の電圧−電流特性を示し、図５（ｂ）は従
来例の製法で得られた太陽電池の電圧−電流特性を示
す。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１および図５（ａ）（ｂ）から明らかな
ように、従来の製法と同等以上の太陽電池特性が得られ
ており、本発明の製法がＰＮ分離に極めて有効であるこ
とが分かる。
ように、従来の製法と同等以上の太陽電池特性が得られ
ており、本発明の製法がＰＮ分離に極めて有効であるこ
とが分かる。
【００２６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、請求項１
に係る太陽電池の製造方法によれば、ＰＮ接合を形成し
た半導体基板の所望する部分をサンドブラストで研磨除
去することで、ＰＮ接合の電気的分離を完全に行うこと
ができ、非常に簡便かつ低コストで太陽電池を製造する
ことができる。
に係る太陽電池の製造方法によれば、ＰＮ接合を形成し
た半導体基板の所望する部分をサンドブラストで研磨除
去することで、ＰＮ接合の電気的分離を完全に行うこと
ができ、非常に簡便かつ低コストで太陽電池を製造する
ことができる。
【００２７】また、請求項２に係る太陽電池の製造方法
によれば、サンドブラストを保護マスクなどを用いず
に、噴射ノズルで直接的に所望する部分を研磨除去する
ことができ、より一層効率よく低コストで太陽電池を製
造することができる。
によれば、サンドブラストを保護マスクなどを用いず
に、噴射ノズルで直接的に所望する部分を研磨除去する
ことができ、より一層効率よく低コストで太陽電池を製
造することができる。
【図１】本発明に係る太陽電池の製造方法の工程を説明
するための図である。
するための図である。
【図２】（ａ）は本発明のＰＮ分離工程の一実施形態を
示す図、（ｂ）はその拡大断面図である。
示す図、（ｂ）はその拡大断面図である。
【図３】（ａ）は本発明のＰＮ分離工程の他の実施形態
を示す図、（ｂ）はその拡大断面図である。
を示す図、（ｂ）はその拡大断面図である。
【図４】（ａ）は本発明のＰＮ分離工程のその他の実施
形態を示す図、（ｂ）はその拡大断面図である。
形態を示す図、（ｂ）はその拡大断面図である。
【図５】（ａ）は本発明に係る製法で得られた太陽電池
の電圧−電流特性を示す図、（ｂ）は従来の製法で得ら
れた太陽電池の電圧−電流特性を示す図である。
の電圧−電流特性を示す図、（ｂ）は従来の製法で得ら
れた太陽電池の電圧−電流特性を示す図である。
【図６】従来の太陽電池の製造方法の一工程の説明する
ための図である。
ための図である。
【図７】従来の製法におけるＰＮ分離工程を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図８】従来の他の製法におけるＰＮ分離工程を説明す
るための図である。
るための図である。
１‥‥‥半導体基板、１ａ‥‥‥拡散層、１ｂ‥‥‥Ｂ
ＳＦ層、２‥‥‥ＰＮ接合、３‥‥‥反射防止膜、４‥
‥‥集電極、５‥‥‥半田被覆、６‥‥‥接合分離部、
７‥‥‥噴射ノズル、８‥‥‥絶縁分離材、８' ‥‥‥
絶縁領域、９‥‥‥レジストインク
ＳＦ層、２‥‥‥ＰＮ接合、３‥‥‥反射防止膜、４‥
‥‥集電極、５‥‥‥半田被覆、６‥‥‥接合分離部、
７‥‥‥噴射ノズル、８‥‥‥絶縁分離材、８' ‥‥‥
絶縁領域、９‥‥‥レジストインク
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の表面近傍に半導体不純物を
拡散してＰＮ接合部を形成する工程と、このＰＮ接合部
を部分的に除去して電気的に分離する工程と、この分離
されたＰ型領域とＮ型領域にそれぞれ集電極を形成する
工程を有する太陽電池の製造方法において、前記ＰＮ接
合部をサンドブラストで部分的に研磨除去して電気的に
分離することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】 前記ＰＮ接合部をサンドブラストで研磨
除去する際に、この研磨除去部分のみをサンドブラスト
することを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24403699A JP2001068700A (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24403699A JP2001068700A (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068700A true JP2001068700A (ja) | 2001-03-16 |
Family
ID=17112768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24403699A Pending JP2001068700A (ja) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001068700A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020092329A (ko) * | 2002-11-15 | 2002-12-11 | 피에스이 주식회사 | 태양전지의 전극분리를 위한 모서리각 그라인딩 방법 |
| KR100590258B1 (ko) * | 2002-10-08 | 2006-06-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 스프레이방식을 이용한 태양전지의 제조방법 |
| JP2010232466A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP2011023717A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Wuxi Suntech Power Co Ltd | 透光性薄膜太陽電池モジュールのエッチング方法 |
-
1999
- 1999-08-30 JP JP24403699A patent/JP2001068700A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100590258B1 (ko) * | 2002-10-08 | 2006-06-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 스프레이방식을 이용한 태양전지의 제조방법 |
| KR20020092329A (ko) * | 2002-11-15 | 2002-12-11 | 피에스이 주식회사 | 태양전지의 전극분리를 위한 모서리각 그라인딩 방법 |
| JP2010232466A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP2011023717A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Wuxi Suntech Power Co Ltd | 透光性薄膜太陽電池モジュールのエッチング方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3360919B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法，及び薄膜太陽電池 | |
| US20110272020A1 (en) | Solar cell and method for producing a solar cell from a silicon substrate | |
| US20100243059A1 (en) | Solar battery cell | |
| CN101681952A (zh) | 太阳能电池的制造方法以及所制得的太阳能电池 | |
| JPH0572114B2 (ja) | ||
| CN106062975A (zh) | 太阳能电池的制造方法以及太阳能电池 | |
| JP3170445B2 (ja) | 太陽電池素子の形成方法 | |
| JP2000323735A (ja) | 光起電力装置の製造方法及び光起電力装置 | |
| JP2016051767A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2001044459A (ja) | 太陽電池 | |
| JP2006332510A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2008244282A (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
| JP2001068700A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2002198546A (ja) | 太陽電池素子の形成方法 | |
| JP2003298080A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2003273379A (ja) | 太陽電池素子 | |
| KR20050087253A (ko) | 전사법을 이용한 태양전지 및 그 제조방법 | |
| JPH1197726A (ja) | 太陽電池の製法 | |
| JP2004179335A (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 | |
| JP2000312016A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP4091710B2 (ja) | 太陽電池の形成方法 | |
| JP4467164B2 (ja) | 太陽電池の形成方法 | |
| JP2006310389A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2004235267A (ja) | 太陽電池素子 | |
| JP4174260B2 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060811 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090722 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090728 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090928 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100112 |