JP2001036078A - Ｍｏｓ型トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
Ｍｏｓ型トランジスタ及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2001036078A JP2001036078A JP11207898A JP20789899A JP2001036078A JP 2001036078 A JP2001036078 A JP 2001036078A JP 11207898 A JP11207898 A JP 11207898A JP 20789899 A JP20789899 A JP 20789899A JP 2001036078 A JP2001036078 A JP 2001036078A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- gate
- gate oxide
- thermal
- channel region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 20
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 100
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11207898A JP2001036078A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-22 | Ｍｏｓ型トランジスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11207898A JP2001036078A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-22 | Ｍｏｓ型トランジスタ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001036078A true JP2001036078A (ja) | 2001-02-09 |
| JP2001036078A5 JP2001036078A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2004-09-24 |
Family
ID=16547411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11207898A Withdrawn JP2001036078A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-22 | Ｍｏｓ型トランジスタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001036078A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012853A1 (fr) * | 2001-07-26 | 2003-02-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Substrat, son procede de fabrication et structure de couches minces |
| JP2005510087A (ja) * | 2001-11-15 | 2005-04-14 | ゼネラル セミコンダクター，インク． | ゲート電荷が低いトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ |
| WO2005101518A1 (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | 半導体装置の製造方法 |
| WO2006137146A1 (ja) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Fujitsu Limited | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| WO2010041740A1 (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7972928B2 (en) | 2005-06-03 | 2011-07-05 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Insulated gate-type semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1999
- 1999-07-22 JP JP11207898A patent/JP2001036078A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012853A1 (fr) * | 2001-07-26 | 2003-02-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Substrat, son procede de fabrication et structure de couches minces |
| US6900071B2 (en) | 2001-07-26 | 2005-05-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Substrate and method for producing the same, and thin film structure |
| DE10196676B4 (de) * | 2001-07-26 | 2009-11-26 | Mitsubishi Denki K.K. | Substrat und Herstellungsverfahren dafür sowie Dünnschicht-Strukturkörper |
| JP2005510087A (ja) * | 2001-11-15 | 2005-04-14 | ゼネラル セミコンダクター，インク． | ゲート電荷が低いトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ |
| WO2005101518A1 (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | 半導体装置の製造方法 |
| US7972928B2 (en) | 2005-06-03 | 2011-07-05 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Insulated gate-type semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2006137146A1 (ja) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Fujitsu Limited | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| WO2010041740A1 (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2010093170A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2013537716A (ja) | その側壁での窒素濃度が高められたＳｉＯＮゲート誘電体を含むＭＯＳトランジスタ | |
| KR100542982B1 (ko) | 결정화방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| JPS5922380B2 (ja) | ハンドウタイソシノ セイゾウホウホウ | |
| JP2001036078A (ja) | Ｍｏｓ型トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP3171673B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP3494304B2 (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JP3374455B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH11258636A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH023244A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11354441A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2771066B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4211085B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH0969631A (ja) | 半導体装置、その製造方法およびその製造装置、並びに液晶表示装置 | |
| JP2004031494A (ja) | 電界効果型トランジスタの製造方法 | |
| JPH11145425A (ja) | 半導体素子の製造方法及び半導体装置 | |
| JP2002190606A (ja) | トップゲート型薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP3123182B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2000114541A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH03102875A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH05136414A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH01260857A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| JPH06181219A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04268734A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH05326938A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS62283663A (ja) | 薄膜トランジスタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050317 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050329 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20050525 |