JP2001036078A5 - - Google Patents

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WO2003012853A1 (fr) * 2001-07-26 2003-02-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Substrat, son procede de fabrication et structure de couches minces
US6674124B2 (en) * 2001-11-15 2004-01-06 General Semiconductor, Inc. Trench MOSFET having low gate charge
WO2005101518A1 (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. 半導体装置の製造方法
JP4434080B2 (ja) 2005-06-03 2010-03-17 トヨタ自動車株式会社 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
JPWO2006137146A1 (ja) * 2005-06-24 2009-01-08 富士通株式会社 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP2010093170A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Toyota Motor Corp 半導体装置の製造方法

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