JP2001033951A - 感光性樹脂組成物および感光性樹脂組成物のドライエッチング耐性向上方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物および感光性樹脂組成物のドライエッチング耐性向上方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】良好なパターンを形成することができ、高感度
でドライエッチング耐性に優れた感光性樹脂組成物およ
び感光性樹脂組成物のドライエッチング耐性を向上する
方法を提供すること。 【構成】アルカリ可溶性樹脂および感光性物質からなる
感光性樹脂組成物に、下記式１で表されるパラメーター
（Ｐ）が３０以上のフェノール性水酸基を有する化合物
を添加、含有せしめる。 〔式１〕 （式中、ジアゾカップリング反応点数は、化合物中にお
けるベンゼン環のヒドロキシル基のｏ−、ｐ−位で、置
換基のない炭素数である。）
でドライエッチング耐性に優れた感光性樹脂組成物およ
び感光性樹脂組成物のドライエッチング耐性を向上する
方法を提供すること。 【構成】アルカリ可溶性樹脂および感光性物質からなる
感光性樹脂組成物に、下記式１で表されるパラメーター
（Ｐ）が３０以上のフェノール性水酸基を有する化合物
を添加、含有せしめる。 〔式１〕 （式中、ジアゾカップリング反応点数は、化合物中にお
けるベンゼン環のヒドロキシル基のｏ−、ｐ−位で、置
換基のない炭素数である。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な感光性樹脂
組成物および感光性樹脂組成物のドライエッチング耐性
を向上する方法に関し、さらに詳細には、半導体製造、
ＬＣＤパネルの液晶表示装置の表示面作成、サーマルヘ
ッドなどの回路基板の製造等において好適に使用でき
る、ドライエッチング耐性の改善された新規感光性樹脂
組成物および感光性樹脂組成物のドライエッチング耐性
向上方法に関する。
組成物および感光性樹脂組成物のドライエッチング耐性
を向上する方法に関し、さらに詳細には、半導体製造、
ＬＣＤパネルの液晶表示装置の表示面作成、サーマルヘ
ッドなどの回路基板の製造等において好適に使用でき
る、ドライエッチング耐性の改善された新規感光性樹脂
組成物および感光性樹脂組成物のドライエッチング耐性
向上方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩなどの半導体集積回路や、ＬＣＤ
パネルの液晶表示装置の表示面の作成、サーマルヘッド
などの回路基板の製造等を始めとする幅広い分野におい
て、微細素子の形成あるいは微細加工を行うために、従
来からフォトリソグラフィー法が用いられている。フォ
トリソグラフィー法においては、レジストパターンを形
成するためにポジ型またはネガ型感光性樹脂組成物が用
いられており、ポジ型感光性樹脂組成物として、アルカ
リ可溶性樹脂と感光性物質としてのキノンジアジド化合
物とを含有する組成物が広く知られている。この組成物
は、例えば「ノボラック樹脂／キノンジアジド化合物」
として、特公昭５４−２３５７０号公報（米国特許第
３，６６６，４７３号明細書）、特公昭５６−３０８５
０号公報（米国特許４，１１５，１２８号明細書）、特
開昭５５−７３０４５号公報、特開昭６１−２０５９３
３号公報等多くの文献に、種々の組成のものが開示され
ている。これらの感光性樹脂組成物は、シリコン基板や
アルミニウム、モリブデン、クロムなどの金属膜基板、
またＩＴＯなどの金属酸化膜基板上に、スピンコート
法、ロールコート法、ランドコート法、流延塗布法、浸
漬塗布法などの公知方法で塗布されて薄膜形成がなされ
た後、露光光源として紫外線などの放射線を用い、マス
クパターンを介して回路パターン等の照射が行われる。
そして露光後現像が行われて、レジストパターンが形成
される。さらにこのレジストパターンをマスクとして基
板をドライエッチングすることにより、基板に微細加工
を施すことができる。ドライエッチングの際には、マス
クとして機能するレジストパターンに十分なドライエッ
チング耐性が要求される。また、ＴＦＴ用ＬＣＤパネル
用途においては、基板の大型化が進み、スループット
（単位時間当たりの収量）の観点から感光性樹脂組成物
の高感度化が必要とされ、ドライエッチング耐性と高感
度化の両立が強く要望されている。
パネルの液晶表示装置の表示面の作成、サーマルヘッド
などの回路基板の製造等を始めとする幅広い分野におい
て、微細素子の形成あるいは微細加工を行うために、従
来からフォトリソグラフィー法が用いられている。フォ
トリソグラフィー法においては、レジストパターンを形
成するためにポジ型またはネガ型感光性樹脂組成物が用
いられており、ポジ型感光性樹脂組成物として、アルカ
リ可溶性樹脂と感光性物質としてのキノンジアジド化合
物とを含有する組成物が広く知られている。この組成物
は、例えば「ノボラック樹脂／キノンジアジド化合物」
として、特公昭５４−２３５７０号公報（米国特許第
３，６６６，４７３号明細書）、特公昭５６−３０８５
０号公報（米国特許４，１１５，１２８号明細書）、特
開昭５５−７３０４５号公報、特開昭６１−２０５９３
３号公報等多くの文献に、種々の組成のものが開示され
ている。これらの感光性樹脂組成物は、シリコン基板や
アルミニウム、モリブデン、クロムなどの金属膜基板、
またＩＴＯなどの金属酸化膜基板上に、スピンコート
法、ロールコート法、ランドコート法、流延塗布法、浸
漬塗布法などの公知方法で塗布されて薄膜形成がなされ
た後、露光光源として紫外線などの放射線を用い、マス
クパターンを介して回路パターン等の照射が行われる。
そして露光後現像が行われて、レジストパターンが形成
される。さらにこのレジストパターンをマスクとして基
板をドライエッチングすることにより、基板に微細加工
を施すことができる。ドライエッチングの際には、マス
クとして機能するレジストパターンに十分なドライエッ
チング耐性が要求される。また、ＴＦＴ用ＬＣＤパネル
用途においては、基板の大型化が進み、スループット
（単位時間当たりの収量）の観点から感光性樹脂組成物
の高感度化が必要とされ、ドライエッチング耐性と高感
度化の両立が強く要望されている。
【０００３】このような要求の内、ドライエッチング耐
性向上の要求を満たすために、分子量の大きなアルカリ
可溶性樹脂を用いたり、アルカリ可溶性樹脂のモノマ
ー、ダイマー成分など特定範囲の低分子量成分を除去す
る（例えば、特開昭６０−９７３４７号公報、特開昭６
０−１８９７３９号公報、特許第２５９０３４２号公
報）ことが一般に行われる。しかし、前者の場合は感度
の低下、後者の場合は感度の低下および密着性の低下と
いう別の問題が生じ、感光性樹脂組成物の感度を維持し
たままドライエッチング耐性を向上させることは、従来
困難であった。
性向上の要求を満たすために、分子量の大きなアルカリ
可溶性樹脂を用いたり、アルカリ可溶性樹脂のモノマ
ー、ダイマー成分など特定範囲の低分子量成分を除去す
る（例えば、特開昭６０−９７３４７号公報、特開昭６
０−１８９７３９号公報、特許第２５９０３４２号公
報）ことが一般に行われる。しかし、前者の場合は感度
の低下、後者の場合は感度の低下および密着性の低下と
いう別の問題が生じ、感光性樹脂組成物の感度を維持し
たままドライエッチング耐性を向上させることは、従来
困難であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な状況に鑑み、良好なパターンを形成することができ、
アルカリ可溶性樹脂と感光性物質からなる感光性樹脂組
成物において従来要望されていた、高感度で且つドライ
エッチング耐性に優れた感光性樹脂組成物を提供するこ
と、およびアルカリ可溶性樹脂と感光性物質からなる感
光性樹脂組成物の感度を高く保ちかつドライエッチング
耐性を改善する方法を提供することを目的とするもので
ある。
な状況に鑑み、良好なパターンを形成することができ、
アルカリ可溶性樹脂と感光性物質からなる感光性樹脂組
成物において従来要望されていた、高感度で且つドライ
エッチング耐性に優れた感光性樹脂組成物を提供するこ
と、およびアルカリ可溶性樹脂と感光性物質からなる感
光性樹脂組成物の感度を高く保ちかつドライエッチング
耐性を改善する方法を提供することを目的とするもので
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研
究、検討を行った結果、アルカリ可溶性樹脂および感光
性物質からなる感光性樹脂組成物に、下記式１で表され
るパラメーター（Ｐ）の値が３０以上であるフェノール
性水酸基を有する化合物を含有せしめることにより上記
目的を達成することができることを見出し、本発明をな
したものである。
究、検討を行った結果、アルカリ可溶性樹脂および感光
性物質からなる感光性樹脂組成物に、下記式１で表され
るパラメーター（Ｐ）の値が３０以上であるフェノール
性水酸基を有する化合物を含有せしめることにより上記
目的を達成することができることを見出し、本発明をな
したものである。
【式１】 （式中、ジアゾカップリング反応点数は、化合物中にお
けるベンゼン環のヒドロキシル基のｏ−、ｐ−位で、置
換基のない炭素数である。）
けるベンゼン環のヒドロキシル基のｏ−、ｐ−位で、置
換基のない炭素数である。）
【０００６】以下、本発明を更に詳細に説明する。本発
明で用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、従来感光
性樹脂組成物の構成材料として用いられているアルカリ
可溶性樹脂のいずれのものをも使用することができる。
その中でも、フェノール類の少なくとも１種とホルマリ
ンなどのアルデヒド類とを重縮合することによって得ら
れるノボラック型のフェノール樹脂が好ましいものとし
て挙げられる。
明で用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、従来感光
性樹脂組成物の構成材料として用いられているアルカリ
可溶性樹脂のいずれのものをも使用することができる。
その中でも、フェノール類の少なくとも１種とホルマリ
ンなどのアルデヒド類とを重縮合することによって得ら
れるノボラック型のフェノール樹脂が好ましいものとし
て挙げられる。
【０００７】このアルカリ可溶性ノボラック樹脂を製造
するために用いられるフェノール類としては、例えば、
ｏ−クレゾール、ｐ−クレゾールおよびｍ−クレゾール
などのクレゾール類、３，５−キシレノール、２，５−
キシレノール、２，３−キシレノール、３，４−キシレ
ノールなどのキシレノール類、２，３，４−トリメチル
フェノール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，
４，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチ
ルフェノールなどのトリメチルフェノール類、２−ｔ−
ブチルフェノール、３−ｔ−ブチルフェノール、４−ｔ
−ブチルフェノールなどのｔ−ブチルフェノール類、２
−メトキシフェノール、３−メトキシフェノール、４−
メトキシフェノール、２，３−ジメトキシフェノール、
２，５−ジメトキシフェノール、３，５−ジメトキシフ
ェノールなどのメトキシフェノール類、２−エチルフェ
ノール、３−エチルフェノール、４−エチルフェノー
ル、２，３−ジエチルフェノール、３，５−ジエチルフ
ェノール、２，３，５−トリエチルフェノール、３，
４，５−トリエチルフェノールなどのエチルフェノール
類、ｏ−クロロフェノール、ｍ−クロロフェノール、ｐ
−クロロフェノール、２，３−ジクロロフェノールなど
のクロロフェノール類、レゾルシノール、２−メチルレ
ゾルシノール、４−メチルレゾルシノール、５−メチル
レゾルシノールなどのレゾルシノール類、５−メチルカ
テコールなどのカテコール類、５−メチルピロガロール
などのピロガロール類、ビスフェノールＡ、Ｂ、Ｃ、
Ｄ、Ｅ、Ｆなどのビスフェノール類、２，６−ジメチロ
ール−ｐ−クレゾールなどのメチロール化クレゾール
類、α−ナフトール、β−ナフトールなどのナフトール
類などを挙げることができる。これらは、単独でまたは
２種以上を組み合わせて用いることができる。
するために用いられるフェノール類としては、例えば、
ｏ−クレゾール、ｐ−クレゾールおよびｍ−クレゾール
などのクレゾール類、３，５−キシレノール、２，５−
キシレノール、２，３−キシレノール、３，４−キシレ
ノールなどのキシレノール類、２，３，４−トリメチル
フェノール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，
４，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチ
ルフェノールなどのトリメチルフェノール類、２−ｔ−
ブチルフェノール、３−ｔ−ブチルフェノール、４−ｔ
−ブチルフェノールなどのｔ−ブチルフェノール類、２
−メトキシフェノール、３−メトキシフェノール、４−
メトキシフェノール、２，３−ジメトキシフェノール、
２，５−ジメトキシフェノール、３，５−ジメトキシフ
ェノールなどのメトキシフェノール類、２−エチルフェ
ノール、３−エチルフェノール、４−エチルフェノー
ル、２，３−ジエチルフェノール、３，５−ジエチルフ
ェノール、２，３，５−トリエチルフェノール、３，
４，５−トリエチルフェノールなどのエチルフェノール
類、ｏ−クロロフェノール、ｍ−クロロフェノール、ｐ
−クロロフェノール、２，３−ジクロロフェノールなど
のクロロフェノール類、レゾルシノール、２−メチルレ
ゾルシノール、４−メチルレゾルシノール、５−メチル
レゾルシノールなどのレゾルシノール類、５−メチルカ
テコールなどのカテコール類、５−メチルピロガロール
などのピロガロール類、ビスフェノールＡ、Ｂ、Ｃ、
Ｄ、Ｅ、Ｆなどのビスフェノール類、２，６−ジメチロ
ール−ｐ−クレゾールなどのメチロール化クレゾール
類、α−ナフトール、β−ナフトールなどのナフトール
類などを挙げることができる。これらは、単独でまたは
２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０００８】また、アルカリ可溶性ノボラック樹脂を製
造するために用いられるアルデヒド類としては、ホルマ
リンの他、サリチルアルデヒド、パラホルムアルデヒ
ド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ヒドロキシ
ベンズアルデヒド、クロロアセトアルデヒドなどが挙げ
られ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用
いることができる。
造するために用いられるアルデヒド類としては、ホルマ
リンの他、サリチルアルデヒド、パラホルムアルデヒ
ド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ヒドロキシ
ベンズアルデヒド、クロロアセトアルデヒドなどが挙げ
られ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用
いることができる。
【０００９】本発明において用いられるアルカリ可溶性
樹脂は、任意のエッチング条件に充分な耐性を有すれば
よく、必要に応じ低分子量成分を分別除去したものでも
よい。低分子量成分を分別除去する方法としては、例え
ば、異なる溶解性を有する２種の溶剤中でノボラック樹
脂を分別する液−液分別法や、低分子成分を遠心分離に
より除去する方法、薄膜蒸留法等が挙げられる。
樹脂は、任意のエッチング条件に充分な耐性を有すれば
よく、必要に応じ低分子量成分を分別除去したものでも
よい。低分子量成分を分別除去する方法としては、例え
ば、異なる溶解性を有する２種の溶剤中でノボラック樹
脂を分別する液−液分別法や、低分子成分を遠心分離に
より除去する方法、薄膜蒸留法等が挙げられる。
【００１０】本発明の感光性樹脂組成物において用いら
れる感光性物質は、感光性物質の吸収帯と重なりを持つ
波長の光を照射することによって化学変化を起こし、感
光性樹脂組成物の水あるいは有機溶剤に対する溶解性を
変化させることができる物質である。これらアルカリ可
溶性樹脂とともに用いることができる感光性物質として
は、例えば、キノンジアジド基を有する化合物を挙げる
ことができる。本発明で用いることができる、このキノ
ンジアジド基を有する化合物は、従来キノンジアジド−
ノボラック系レジストで用いられている公知の感光剤の
いずれのものであってもよい。
れる感光性物質は、感光性物質の吸収帯と重なりを持つ
波長の光を照射することによって化学変化を起こし、感
光性樹脂組成物の水あるいは有機溶剤に対する溶解性を
変化させることができる物質である。これらアルカリ可
溶性樹脂とともに用いることができる感光性物質として
は、例えば、キノンジアジド基を有する化合物を挙げる
ことができる。本発明で用いることができる、このキノ
ンジアジド基を有する化合物は、従来キノンジアジド−
ノボラック系レジストで用いられている公知の感光剤の
いずれのものであってもよい。
【００１１】このキノンジアジド基を有する化合物とし
ては、ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリド、例え
ば１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルフォニルク
ロライドおよび１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルフォニルクロライドやベンゾキノンジアジドスルホン
酸クロリド等と、これら酸クロリドと縮合反応可能な官
能基を有する低分子化合物または高分子化合物とを反応
させることによって得られた化合物が好ましいものとし
て挙げられる。ここで酸クロリドと縮合可能な官能基と
しては、水酸基、アミノ基等が挙げられるが、特に水酸
基が好適なものである。水酸基を含む酸クロリドと縮合
可能な化合物としては、例えばハイドロキノン、レゾル
シン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，
４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン、２，４，４’−トリヒドロ
キシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、２，２’，３，４，６’−ペン
タヒドロキシベンゾフェノン等のヒドロキシベンゾフェ
ノン類、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）メタ
ン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタ
ン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロパン等
のヒドロキシフェニルアルカン類、４，４’，３”，
４”−テトラヒドロキシ−３，５，３’，５’−テトラ
メチルトリフェニルメタン、４，４’，２”，３”，
４”−ペンタヒドロキシ−３，５，３’，５’−テトラ
メチルトリフェニルメタン等のヒドロキシトリフェニル
メタン類等を挙げることができる。これらは単独で用い
てもよいし、また２種以上を組合わせて用いてもよい。
キノンジアジド基を有する感光剤の配合量は、アルカリ
可溶性樹脂１００重量部当たり、通常５〜５０重量部、
好ましくは、１０〜４０重量部である。また、本発明に
係る感光性樹脂組成物には、アルカリ可溶性樹脂とキノ
ンジアジド化合物との反応生成物からなる感光性樹脂を
用いることもできる。
ては、ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリド、例え
ば１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルフォニルク
ロライドおよび１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルフォニルクロライドやベンゾキノンジアジドスルホン
酸クロリド等と、これら酸クロリドと縮合反応可能な官
能基を有する低分子化合物または高分子化合物とを反応
させることによって得られた化合物が好ましいものとし
て挙げられる。ここで酸クロリドと縮合可能な官能基と
しては、水酸基、アミノ基等が挙げられるが、特に水酸
基が好適なものである。水酸基を含む酸クロリドと縮合
可能な化合物としては、例えばハイドロキノン、レゾル
シン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，
４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン、２，４，４’−トリヒドロ
キシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、２，２’，３，４，６’−ペン
タヒドロキシベンゾフェノン等のヒドロキシベンゾフェ
ノン類、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）メタ
ン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタ
ン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロパン等
のヒドロキシフェニルアルカン類、４，４’，３”，
４”−テトラヒドロキシ−３，５，３’，５’−テトラ
メチルトリフェニルメタン、４，４’，２”，３”，
４”−ペンタヒドロキシ−３，５，３’，５’−テトラ
メチルトリフェニルメタン等のヒドロキシトリフェニル
メタン類等を挙げることができる。これらは単独で用い
てもよいし、また２種以上を組合わせて用いてもよい。
キノンジアジド基を有する感光剤の配合量は、アルカリ
可溶性樹脂１００重量部当たり、通常５〜５０重量部、
好ましくは、１０〜４０重量部である。また、本発明に
係る感光性樹脂組成物には、アルカリ可溶性樹脂とキノ
ンジアジド化合物との反応生成物からなる感光性樹脂を
用いることもできる。
【００１２】一方、本発明の感光性樹脂組成物において
は、添加剤としてフェノール性水酸基を有し、上記式１
で表されるパラメーター（Ｐ）の値が３０以上である化
合物が用いられる。式１に用いられる各項の組み合わせ
の理由については、次のようなことによるものであると
考えるが、本発明がこれにより限定されるものではな
い。
は、添加剤としてフェノール性水酸基を有し、上記式１
で表されるパラメーター（Ｐ）の値が３０以上である化
合物が用いられる。式１に用いられる各項の組み合わせ
の理由については、次のようなことによるものであると
考えるが、本発明がこれにより限定されるものではな
い。
【００１３】すなわち、本発明では、添加剤を用いて高
感度化することにより、より高分子量のアルカリ可溶性
樹脂を用いることが可能となる高分子量化効果と、ジア
ゾカップリングによる高分子量化効果とにより、感度を
低下することなく、ドライエッチング耐性を向上するこ
とができる。高感度化は、ヒドロキシル基数の多い添加
剤ほど露光部の溶解速度が速くなり、高感度化を促進で
きる一方、添加量が多くなると低分子成分によるドライ
エッチング耐性の低下を招くこととなる。また、ポジ型
感光性樹脂組成物の未露光部は、現像液に触れると感光
性物質とアルカリ可溶性樹脂、添加剤がジアゾカップリ
ングを行い、表面難溶化層を形成することが知られてお
り、カップリング反応を行うことにより、現像後の残存
感光性樹脂層の分子量は高くなり、組成物表面はドライ
エッチング耐性が向上することとなる。
感度化することにより、より高分子量のアルカリ可溶性
樹脂を用いることが可能となる高分子量化効果と、ジア
ゾカップリングによる高分子量化効果とにより、感度を
低下することなく、ドライエッチング耐性を向上するこ
とができる。高感度化は、ヒドロキシル基数の多い添加
剤ほど露光部の溶解速度が速くなり、高感度化を促進で
きる一方、添加量が多くなると低分子成分によるドライ
エッチング耐性の低下を招くこととなる。また、ポジ型
感光性樹脂組成物の未露光部は、現像液に触れると感光
性物質とアルカリ可溶性樹脂、添加剤がジアゾカップリ
ングを行い、表面難溶化層を形成することが知られてお
り、カップリング反応を行うことにより、現像後の残存
感光性樹脂層の分子量は高くなり、組成物表面はドライ
エッチング耐性が向上することとなる。
【００１４】上記のように、本発明で添加剤として用い
られるフェノール性水酸基を有する化合物は、アルカリ
可溶性樹脂および感光性物質からなる感光性樹脂組成物
を高感度化する機能を有するものである。このような添
加剤としては、例えば下記一般式（Ｉ）〜（Ｖ）で示さ
れ、上記式１で表されるパラメーター（Ｐ）の値が３０
以上である化合物が挙げられる。
られるフェノール性水酸基を有する化合物は、アルカリ
可溶性樹脂および感光性物質からなる感光性樹脂組成物
を高感度化する機能を有するものである。このような添
加剤としては、例えば下記一般式（Ｉ）〜（Ｖ）で示さ
れ、上記式１で表されるパラメーター（Ｐ）の値が３０
以上である化合物が挙げられる。
【００１５】
【化６】
【化７】
【化８】
【化９】
【化１０】
【００１６】上記式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は互い
に独立しており、同一でもよい、水素原子、Ｃ1 〜Ｃ10
アルキル基、ヒドロキシフェニル基、多価ヒドロキシフ
ェニル基、ヒドロキシフェネチル基、ヒドロキシベンジ
ル基、ポリ（ヒドロキシフェニル）メチル基、ビス（ヒ
ドロキシベンジル）ヒドロキシフェニル基を表し、
Ｒ5 、Ｒ6 は互いに独立しており、同一でもよい、水素
原子、Ｃ1 〜Ｃ10アルキル基、アセチル基、ヒロドキシ
ベンジル基、ヒドロキシベンゾイル基、ヒドロキシメシ
チル基を表し、Ｒ7 は水素原子、Ｃ1 〜Ｃ10アルキル
基、Ｃ3 〜Ｃ10シクロアルキル基、ヒドロキシベンジル
基を表す。なお、上記置換基中、ベンゼン環はＣ1 〜Ｃ
10アルキル基、Ｃ1 〜Ｃ10アルコキシル基など他の置換
基で置換されていてもよい。またｋ、ｍ、ｎ、ｐおよび
ｑは０又は１〜５の整数を表す。
に独立しており、同一でもよい、水素原子、Ｃ1 〜Ｃ10
アルキル基、ヒドロキシフェニル基、多価ヒドロキシフ
ェニル基、ヒドロキシフェネチル基、ヒドロキシベンジ
ル基、ポリ（ヒドロキシフェニル）メチル基、ビス（ヒ
ドロキシベンジル）ヒドロキシフェニル基を表し、
Ｒ5 、Ｒ6 は互いに独立しており、同一でもよい、水素
原子、Ｃ1 〜Ｃ10アルキル基、アセチル基、ヒロドキシ
ベンジル基、ヒドロキシベンゾイル基、ヒドロキシメシ
チル基を表し、Ｒ7 は水素原子、Ｃ1 〜Ｃ10アルキル
基、Ｃ3 〜Ｃ10シクロアルキル基、ヒドロキシベンジル
基を表す。なお、上記置換基中、ベンゼン環はＣ1 〜Ｃ
10アルキル基、Ｃ1 〜Ｃ10アルコキシル基など他の置換
基で置換されていてもよい。またｋ、ｍ、ｎ、ｐおよび
ｑは０又は１〜５の整数を表す。
【００１７】本発明において添加剤として用いられるフ
ェノール性水酸基を有する化合物の例を具体的に示す
と、パラメーター（Ｐ）の値が３０以上４０未満の化合
物としては、例えば４，４’，４”，４''' −（１，４
−フェニレンジメチリジン）テトラキスフェノール、
４，４’−［（３−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビ
ス［２−メチルエチルフェノール］、２，２’−［（３
−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３，５，６−
トリメチルフェノール］、２，２’−［（２−ヒドロキ
シ−３−メトキシルフェニル）メチレン］ビス［３，５
−ジメチルフェノール］、２，２’−［（４−ヒドロキ
シ−３−メトキシルフェニル）メチレン］ビス［３，５
−ジメチルフェノール］、４−［ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）メチル］−２−エトキシフェノール、４−
［ビス（４−ヒドロキシフェニル）メチル］−２−メト
キシフェノール、２，４，６−トリス（４−ヒドロキシ
フェニルメチル）１，３−ベンゼンジオール、４，４’
−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１
−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノー
ル、４−（２，３，５−トリメチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）メチル−１，３−ベンゼンジオール、６，６’
−メチレンビス［４−（４−ヒドロキシ−３，５−ジメ
チルフェニルメチル）−１，２，３−ベンゼントリオー
ル］などの化合物が挙げられる。
ェノール性水酸基を有する化合物の例を具体的に示す
と、パラメーター（Ｐ）の値が３０以上４０未満の化合
物としては、例えば４，４’，４”，４''' −（１，４
−フェニレンジメチリジン）テトラキスフェノール、
４，４’−［（３−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビ
ス［２−メチルエチルフェノール］、２，２’−［（３
−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３，５，６−
トリメチルフェノール］、２，２’−［（２−ヒドロキ
シ−３−メトキシルフェニル）メチレン］ビス［３，５
−ジメチルフェノール］、２，２’−［（４−ヒドロキ
シ−３−メトキシルフェニル）メチレン］ビス［３，５
−ジメチルフェノール］、４−［ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）メチル］−２−エトキシフェノール、４−
［ビス（４−ヒドロキシフェニル）メチル］−２−メト
キシフェノール、２，４，６−トリス（４−ヒドロキシ
フェニルメチル）１，３−ベンゼンジオール、４，４’
−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１
−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノー
ル、４−（２，３，５−トリメチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）メチル−１，３−ベンゼンジオール、６，６’
−メチレンビス［４−（４−ヒドロキシ−３，５−ジメ
チルフェニルメチル）−１，２，３−ベンゼントリオー
ル］などの化合物が挙げられる。
【００１８】また、パラメーター（Ｐ）の値が４０以上
５０未満の化合物としては、例えば２，６−ビス
［（２，４−ジヒドロキシフェニル）メチル］−４−エ
チルフェノール、２，４−ビス［（２，４−ジヒドロキ
シフェニル）メチル］−６−シクロヘキシルフェノー
ル、２，６−ビス［［２，３−ジヒドロキシ−５−
（１，１−ジメチルエチル）フェニル］メチル］−４−
メチルフェノール、４，４’−［（３，４−ジヒドロキ
シフェニル）メチレン］ビス［２−（メチルエチル）フ
ェノール］、２，２’−［（３，４−ジヒドロキシフェ
ニル）メチレン］ビス［３，５，６−トリメチルフェノ
ール］、２，２’−［（３−ヒドロキシ−４−メトキシ
ルフェニル）メチレン］ビス［３，５−ジメチルフェノ
ール］、２，４’，４”−メチリジントリスフェノー
ル、４，４’−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレ
ン］ビス［３−メチルフェノール］、４，４’，４”−
（３−メチル−１−プロパニル−３−イリデン）トリス
フェノール、２，２’−［（３−ヒドロキシフェニル）
メチレン］ビス［３，５−ジメチルフェノール」、４，
４’４”，４''' −（１，２−エタンジイリデン）テト
ラキスフェノール、４，６−ビス［（４−ヒドロキシフ
ェニル）メチル］−１，３−ベンゼンジオール、４，
４’−［（３，４−ジヒドロキシフェニル）メチレン］
ビス［２−メチルフェノール］、２，２’−［（２−ヒ
ドロキシフェニル）メチレン］ビス［３，５−ジメチル
フェノール］、２，２’−［（４−ヒドロキシフェニ
ル）メチレン］ビス［３，５−ジメチルフェノール］、
（２，４−ジヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフ
ェニル）メタノン、４−［１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１−メチルエチル］−１，３−ベンゼンジオー
ル、４−［（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）メチル］−１，２，３−ベンゼントリオール、４，
４’−［１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデ
ン）］ビス［ベンゼン−１，２−ジオール］、５，５’
−［１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデ
ン）］ビス［ベンゼン−１，２，３−トリオール］、４
−（３，４−ジヒドロ−７−ヒドロキシ−２，４，４−
トリメチル−２Ｈ−１−ベンゾピラン−２−イル）−
１，３−ベンゼンジオール、４−［（２，３，５−トリ
メチル−４−ヒドロキシフェニル）メチル］−１，２，
３−ベンゼントリオール、４，４’−メチレンビス［６
−メチルカルボニル−１，３−ベンゼンジオール、６，
６’−メチレンビス［４−（４−ヒドロキシフェニルメ
チル）−１，２，３−ベンゼントリオール］、６，６’
−エチリデンビス［４−（４−ヒドロキシフェニルカル
ボキシ）−１，２，３−ベンゼントリオール］、４，
４’，４”−メチリジントリス［２，６−ビス［（ヒド
ロキシフェニル）メチル］フェノール］、４，４’，
４”−エチリジントリス［２，６−ビス［（ヒドロキシ
フェニル）メチル］フェノール］などの化合物が挙げら
れる。
５０未満の化合物としては、例えば２，６−ビス
［（２，４−ジヒドロキシフェニル）メチル］−４−エ
チルフェノール、２，４−ビス［（２，４−ジヒドロキ
シフェニル）メチル］−６−シクロヘキシルフェノー
ル、２，６−ビス［［２，３−ジヒドロキシ−５−
（１，１−ジメチルエチル）フェニル］メチル］−４−
メチルフェノール、４，４’−［（３，４−ジヒドロキ
シフェニル）メチレン］ビス［２−（メチルエチル）フ
ェノール］、２，２’−［（３，４−ジヒドロキシフェ
ニル）メチレン］ビス［３，５，６−トリメチルフェノ
ール］、２，２’−［（３−ヒドロキシ−４−メトキシ
ルフェニル）メチレン］ビス［３，５−ジメチルフェノ
ール］、２，４’，４”−メチリジントリスフェノー
ル、４，４’−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレ
ン］ビス［３−メチルフェノール］、４，４’，４”−
（３−メチル−１−プロパニル−３−イリデン）トリス
フェノール、２，２’−［（３−ヒドロキシフェニル）
メチレン］ビス［３，５−ジメチルフェノール」、４，
４’４”，４''' −（１，２−エタンジイリデン）テト
ラキスフェノール、４，６−ビス［（４−ヒドロキシフ
ェニル）メチル］−１，３−ベンゼンジオール、４，
４’−［（３，４−ジヒドロキシフェニル）メチレン］
ビス［２−メチルフェノール］、２，２’−［（２−ヒ
ドロキシフェニル）メチレン］ビス［３，５−ジメチル
フェノール］、２，２’−［（４−ヒドロキシフェニ
ル）メチレン］ビス［３，５−ジメチルフェノール］、
（２，４−ジヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフ
ェニル）メタノン、４−［１−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１−メチルエチル］−１，３−ベンゼンジオー
ル、４−［（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）メチル］−１，２，３−ベンゼントリオール、４，
４’−［１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデ
ン）］ビス［ベンゼン−１，２−ジオール］、５，５’
−［１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデ
ン）］ビス［ベンゼン−１，２，３−トリオール］、４
−（３，４−ジヒドロ−７−ヒドロキシ−２，４，４−
トリメチル−２Ｈ−１−ベンゾピラン−２−イル）−
１，３−ベンゼンジオール、４−［（２，３，５−トリ
メチル−４−ヒドロキシフェニル）メチル］−１，２，
３−ベンゼントリオール、４，４’−メチレンビス［６
−メチルカルボニル−１，３−ベンゼンジオール、６，
６’−メチレンビス［４−（４−ヒドロキシフェニルメ
チル）−１，２，３−ベンゼントリオール］、６，６’
−エチリデンビス［４−（４−ヒドロキシフェニルカル
ボキシ）−１，２，３−ベンゼントリオール］、４，
４’，４”−メチリジントリス［２，６−ビス［（ヒド
ロキシフェニル）メチル］フェノール］、４，４’，
４”−エチリジントリス［２，６−ビス［（ヒドロキシ
フェニル）メチル］フェノール］などの化合物が挙げら
れる。
【００１９】さらにパラメーター（Ｐ）の値が５０以上
の化合物としては、例えば２，２’−ビス［３，４−ジ
ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３，５−ジメチ
ルフェノール」、４−［（４−ヒドロキシフェニル）メ
チル］−１，２，３−ベンゼントリオールなどの化合物
が挙げられる。
の化合物としては、例えば２，２’−ビス［３，４−ジ
ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３，５−ジメチ
ルフェノール」、４−［（４−ヒドロキシフェニル）メ
チル］−１，２，３−ベンゼントリオールなどの化合物
が挙げられる。
【００２０】本発明において好ましく用いることができ
る添加剤としては、例えばＴＰＰＡ（４，４’−［１−
［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチル
エチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール）
る添加剤としては、例えばＴＰＰＡ（４，４’−［１−
［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチル
エチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール）
【化１１】
【００２１】ＢｉｓＰＧ−ＰＤ（４，４’−［１，４−
フェニレンビス（１−メチルエチリデン）］ビス［ベン
ゼン−１，２，３−トリオール］）
フェニレンビス（１−メチルエチリデン）］ビス［ベン
ゼン−１，２，３−トリオール］）
【化１２】 を挙げることができる。
【００２２】本発明の感光性樹脂組成物を溶解させる溶
剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレング
リコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモ
ノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエー
テル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート等のプロビレングリコールモノアルキルエーテル
アセテート類、乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸エステ
ル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチ
ルエチルケトン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン等
のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチ
ルピロリドン等のアミド類、γ−ブチロラクトン等のラ
クトン類等を挙げることができる。これらの溶剤は、単
独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレング
リコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモ
ノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエー
テル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート等のプロビレングリコールモノアルキルエーテル
アセテート類、乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸エステ
ル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチ
ルエチルケトン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン等
のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチ
ルピロリドン等のアミド類、γ−ブチロラクトン等のラ
クトン類等を挙げることができる。これらの溶剤は、単
独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
【００２３】本発明の感光性樹脂組成物には、必要に応
じ染料、接着助剤および界面活性剤等を配合することが
できる。染料の例としては、メチルバイオレット、クリ
スタルバイオレット、マラカイトグリーン等が、接着助
剤の例としては、アルキルイミダゾリン、酪酸、アルキ
ル酸、ポリヒドロキシスチレン、ポリビニルメチルエー
テル、ｔ−ブチルノボラック、エポキシシラン、エポキ
シポリマー、シラン等が、界面活性剤の例としては、非
イオン系界面活性剤、例えばポリグリコール類とその誘
導体、すなわちポリプロピレングリコール、またはポリ
オキシエチレンラウリルエーテルなど、フッ素含有界面
活性剤、例えばフロラード（商品名、住友３Ｍ社製）、
メガファック（商品名、大日本インキ化学工業社製）、
スルフロン（商品名、旭硝子社製）、または有機シロキ
サン界面活性剤、例えばＫＰ３４１（商品名、信越化学
工業社製）などが挙げられる。
じ染料、接着助剤および界面活性剤等を配合することが
できる。染料の例としては、メチルバイオレット、クリ
スタルバイオレット、マラカイトグリーン等が、接着助
剤の例としては、アルキルイミダゾリン、酪酸、アルキ
ル酸、ポリヒドロキシスチレン、ポリビニルメチルエー
テル、ｔ−ブチルノボラック、エポキシシラン、エポキ
シポリマー、シラン等が、界面活性剤の例としては、非
イオン系界面活性剤、例えばポリグリコール類とその誘
導体、すなわちポリプロピレングリコール、またはポリ
オキシエチレンラウリルエーテルなど、フッ素含有界面
活性剤、例えばフロラード（商品名、住友３Ｍ社製）、
メガファック（商品名、大日本インキ化学工業社製）、
スルフロン（商品名、旭硝子社製）、または有機シロキ
サン界面活性剤、例えばＫＰ３４１（商品名、信越化学
工業社製）などが挙げられる。
【００２４】
【実施例】以下に本発明をその実施例をもって説明する
が、本発明の態様はこれらの実施例に限定されるべきも
のではない。
が、本発明の態様はこれらの実施例に限定されるべきも
のではない。
【００２５】実施例１ 重量平均分子量がポリスチレン換算で７，５００のノボ
ラック樹脂１００重量部に対し、添加剤としてＴＰＰＡ
（本州化学工業社製）を５重量部、感光性物質として、
２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンと
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルフォニルクロ
ライドのエステル化物を、樹脂と添加剤の和１００重量
部に対し２５重量部の割合でプロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテートに溶解し、回転塗布の際にレ
ジスト膜上にできる放射線状のしわ、いわゆるストリエ
ーションを防止するために更にフッ素系界面活性剤、フ
ロラード−４７２（住友３Ｍ社製）を３００ｐｐｍ添加
して攪拌した後、０．２μｍのフィルターでろ過し、本
発明の感光性樹脂組成物を調製した。この組成物を４イ
ンチシリコンウェハー上に回転塗布し、１００℃、９０
秒間ホットプレートにてべーク後、１．５μｍ厚のレジ
スト膜を得た。なお、ＴＴＰＡのパラメーター値は、３
０．７５である。（表１参照）
ラック樹脂１００重量部に対し、添加剤としてＴＰＰＡ
（本州化学工業社製）を５重量部、感光性物質として、
２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンと
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルフォニルクロ
ライドのエステル化物を、樹脂と添加剤の和１００重量
部に対し２５重量部の割合でプロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテートに溶解し、回転塗布の際にレ
ジスト膜上にできる放射線状のしわ、いわゆるストリエ
ーションを防止するために更にフッ素系界面活性剤、フ
ロラード−４７２（住友３Ｍ社製）を３００ｐｐｍ添加
して攪拌した後、０．２μｍのフィルターでろ過し、本
発明の感光性樹脂組成物を調製した。この組成物を４イ
ンチシリコンウェハー上に回転塗布し、１００℃、９０
秒間ホットプレートにてべーク後、１．５μｍ厚のレジ
スト膜を得た。なお、ＴＴＰＡのパラメーター値は、３
０．７５である。（表１参照）
【００２６】このレジスト膜にニコン社製ステッパー
（ＦＸ−６０４Ｆ、ＮＡ＝０．１、ｇ＋ｈ線）にてライ
ンとスペース幅が１：１となった種々の線幅がそろった
テストパターンを露光し、ＡＺ（登録商標、以下同じ）
３００ＭＩＦ（登録商標、以下同じ）、２．３８重量％
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で２３℃、６０
秒間現像した。現像後、５μｍのライン・アンド・スペ
ースが１：１に解像されている露光エネルギー量（Ｅ
ｏ）を感度として、観察、測定した。結果を表２に示
す。
（ＦＸ−６０４Ｆ、ＮＡ＝０．１、ｇ＋ｈ線）にてライ
ンとスペース幅が１：１となった種々の線幅がそろった
テストパターンを露光し、ＡＺ（登録商標、以下同じ）
３００ＭＩＦ（登録商標、以下同じ）、２．３８重量％
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で２３℃、６０
秒間現像した。現像後、５μｍのライン・アンド・スペ
ースが１：１に解像されている露光エネルギー量（Ｅ
ｏ）を感度として、観察、測定した。結果を表２に示
す。
【００２７】その後、１３０℃、１２０秒間ホットプレ
ートにてポストベークを行い、サムコ社製反応性イオン
エッチング装置（ＲＩＥ−１０Ｎ）にて、ガス組成をＣ
2 Ｆ6 ：ＣＨＦ3 ：Ｈｅ＝１６：２４：１００とし、１
００および１０５Ｗで、それぞれ５および６分間の条件
でドライエッチングを行った。エッチング後、塗布膜の
表面状態を観察し、以下の評価基準に基づいてドライエ
ッチング耐性の評価を行った。結果を表３に示す。評価基準 ◎ ： 変化なし ○ ： ウロコ状のムラあり △ ： 白濁部分あり × ： 完全に白濁 − ： 炭化
ートにてポストベークを行い、サムコ社製反応性イオン
エッチング装置（ＲＩＥ−１０Ｎ）にて、ガス組成をＣ
2 Ｆ6 ：ＣＨＦ3 ：Ｈｅ＝１６：２４：１００とし、１
００および１０５Ｗで、それぞれ５および６分間の条件
でドライエッチングを行った。エッチング後、塗布膜の
表面状態を観察し、以下の評価基準に基づいてドライエ
ッチング耐性の評価を行った。結果を表３に示す。評価基準 ◎ ： 変化なし ○ ： ウロコ状のムラあり △ ： 白濁部分あり × ： 完全に白濁 − ： 炭化
【００２８】実施例２ ノボラック樹脂として、重量平均分子量がポリスチレン
換算で８，０００のノボラック樹脂を用い、添加剤の添
加量を７．５重量部とすること以外は実施例１と同様に
行い、表２および表３の結果を得た。
換算で８，０００のノボラック樹脂を用い、添加剤の添
加量を７．５重量部とすること以外は実施例１と同様に
行い、表２および表３の結果を得た。
【００２９】実施例３ ノボラック樹脂として、重量平均分子量がポリスチレン
換算で８，７００のノボラック樹脂を用い、添加剤の添
加量を１０．０重量部とすること以外は実施例１と同様
に行い、表２および表３の結果を得た。
換算で８，７００のノボラック樹脂を用い、添加剤の添
加量を１０．０重量部とすること以外は実施例１と同様
に行い、表２および表３の結果を得た。
【００３０】実施例４ ノボラック樹脂として、重量平均分子量がポリスチレン
換算で７，８００のノボラック樹脂を用い、添加剤とし
て、ＴＰＰＡに代えてＢｉｓＰＧ−ＰＤ（本州化学社
製）を用いること以外は実施例１と同様に行い、表２お
よび表３の結果を得た。なお、ＢｉｓＰＧ−ＰＤのパラ
メーター値は、４４．６７である。（表１参照）
換算で７，８００のノボラック樹脂を用い、添加剤とし
て、ＴＰＰＡに代えてＢｉｓＰＧ−ＰＤ（本州化学社
製）を用いること以外は実施例１と同様に行い、表２お
よび表３の結果を得た。なお、ＢｉｓＰＧ−ＰＤのパラ
メーター値は、４４．６７である。（表１参照）
【００３１】実施例５ ノボラック樹脂として、重量平均分子量がポリスチレン
換算で８，６００のノボラック樹脂を用い、添加剤の添
加量を７．５重量部とすること以外は実施例４と同様に
行い、表２および表３の結果を得た。
換算で８，６００のノボラック樹脂を用い、添加剤の添
加量を７．５重量部とすること以外は実施例４と同様に
行い、表２および表３の結果を得た。
【００３２】実施例６ ノボラック樹脂として、重量平均分子量がポリスチレン
換算で９，６００のノボラック樹脂を用い、添加剤の添
加量を１０．０重量部とすること以外は実施例４と同様
に行い、表２および表３の結果を得た。
換算で９，６００のノボラック樹脂を用い、添加剤の添
加量を１０．０重量部とすること以外は実施例４と同様
に行い、表２および表３の結果を得た。
【００３３】比較例１ ノボラック樹脂として、重量平均分子量がポリスチレン
換算で５，３００のノボラック樹脂を用い、添加剤を添
加しないこと以外は実施例１と同様に行い、表２および
表３の結果を得た。
換算で５，３００のノボラック樹脂を用い、添加剤を添
加しないこと以外は実施例１と同様に行い、表２および
表３の結果を得た。
【００３４】比較例２ ノボラック樹脂として、重量平均分子量がポリスチレン
換算で８，６００のノボラック樹脂を用い、添加剤とし
て下記構造式で示されるＴＰＰＡ−１０００Ｐを７．５
部添加すること以外は実施例１と同様に行い、表２およ
び表３の結果を得た。なお、ＴＴＰＡ−１０００Ｐのパ
ラメーター値は、２８．５０である。（表１参照）
換算で８，６００のノボラック樹脂を用い、添加剤とし
て下記構造式で示されるＴＰＰＡ−１０００Ｐを７．５
部添加すること以外は実施例１と同様に行い、表２およ
び表３の結果を得た。なお、ＴＴＰＡ−１０００Ｐのパ
ラメーター値は、２８．５０である。（表１参照）
【００３５】ＴＰＰＡ−１０００Ｐ
【化１３】
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】
【表３】
【００３９】表２および表３から明らかなように、式１
で表されるパラメーター（Ｐ）の値が３０以上の化合物
は感度向上効果とエッチング耐性向上効果の相反する特
性をバランス良く高めることができる。なお、各実施例
において形成されたレジストパターンの形状は、いずれ
も良好であった。
で表されるパラメーター（Ｐ）の値が３０以上の化合物
は感度向上効果とエッチング耐性向上効果の相反する特
性をバランス良く高めることができる。なお、各実施例
において形成されたレジストパターンの形状は、いずれ
も良好であった。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、良好なパターンを形成
することができることは勿論、高感度、高解像力で、ド
ライエッチング耐性の良好な感光性樹脂組成物を得るこ
とができる。したがって、本発明の感光性樹脂組成物
は、半導体デバイスや液晶表示の製造において好適に使
用することができ、その有用性は大きいものがある。
することができることは勿論、高感度、高解像力で、ド
ライエッチング耐性の良好な感光性樹脂組成物を得るこ
とができる。したがって、本発明の感光性樹脂組成物
は、半導体デバイスや液晶表示の製造において好適に使
用することができ、その有用性は大きいものがある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA09 AA14 AB15 AB16 AC01 AD03 BE01 CB29 CB42 CB45 CC20 5F046 JA21 JA22 LA14
Claims (6)
- 【請求項１】アルカリ可溶性樹脂、感光性物質および下
記式１で表されるパラメーター（Ｐ）の値が３０以上の
フェノール性水酸基を有する化合物を含有すること特徴
する感光性樹脂組成物。 【式１】 （式中、ジアゾカップリング反応点数は、化合物中にお
けるベンゼン環のヒドロキシル基のｏ−、ｐ−位で、置
換基のない炭素数である。） - 【請求項２】前記フェノール性水酸基を有する化合物
が、下記一般式（Ｉ）〜（Ｖ）で表され、かつ式１で表
わされるパラメーター（Ｐ）の値が３０以上のフェノー
ル性水酸基を有する化合物であることを特徴とする請求
項１記載の感光性樹脂組成物。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 （上記式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は互いに独立して
おり、同一でもよい、水素原子、Ｃ1 〜Ｃ10アルキル
基、ヒドロキシフェニル基、多価ヒドロキシフェニル
基、ヒドロキシフェネチル基、ヒドロキシベンジル基、
ポリ（ヒドロキシフェニル）メチル基またはビス（ヒド
ロキシベンジル）ヒドロキシフェニル基を表し、Ｒ5 、
Ｒ6 は互いに独立しており、同一でもよい、水素原子、
Ｃ1 〜Ｃ10アルキル基、アセチル基、ヒロドキシベンジ
ル基、ヒドロキシベンゾイル基またはヒドロキシメシチ
ル基を表し、Ｒ7 は水素原子、Ｃ1 〜Ｃ10アルキル基、
Ｃ3 〜Ｃ10シクロアルキル基またはヒドロキシベンジル
基を表す。なお、上記置換基中、ベンゼン環はＣ1 〜Ｃ
10アルキル基、Ｃ1 〜Ｃ10アルコキシル基など他の置換
基で置換されていてもよい。またｋ、ｍ、ｎ、ｐおよび
ｑは０または１〜５の整数を表す。） - 【請求項３】前記フェノール性水酸基を有する化合物
が、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］
ビスフェノールまたは４，４’−［１，４−フェニレン
ビス（１−メチルエチリデン）］ビス［ベンゼン−１，
２，３−トリオール］であることを特徴とする請求項２
記載の感光性樹脂組成物。 - 【請求項４】アルカリ可溶性樹脂、感光性物質および請
求項１の式１で表されるパラメーター（Ｐ）の値が３０
以上のフェノール性水酸基を有する化合物を含有するこ
とにより、感光性樹脂組成物のドライエッチング耐性を
向上させる方法。 - 【請求項５】前記フェノール性水酸基を有する化合物
が、請求項２の一般式（Ｉ）〜（Ｖ）で表され、かつ式
１で表わされるパラメーター（Ｐ）の値が３０以上のフ
ェノール性水酸基を有する化合物であることを特徴とす
る請求項４記載の感光性樹脂組成物のドライエッチング
耐性を向上させる方法。 - 【請求項６】前記フェノール性水酸基を有する化合物
が、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］
ビスフェノールまたは４，４’−［１，４−フェニレン
ビス（１−メチルエチリデン）］ビス［ベンゼン−１，
２，３−トリオール］であることを特徴とする請求項５
記載の感光性樹脂組成物のドライエッチング耐性を向上
させる方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11191579A JP2001033951A (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 感光性樹脂組成物および感光性樹脂組成物のドライエッチング耐性向上方法 |
| TW089111433A TW548519B (en) | 1999-07-06 | 2000-06-12 | Photosensitive resin composition and method of modifying the dry etching resist of photosensitive resin composition |
| CNB008013144A CN1226670C (zh) | 1999-07-06 | 2000-06-16 | 敏射线树脂组合物及改进该组合物的防干蚀刻性能的方法 |
| KR1020017002860A KR20010099639A (ko) | 1999-07-06 | 2000-06-16 | 감광성 수지 조성물 및 감광성 수지 조성물의 드라이 에칭내성을 향상시키는 방법 |
| EP00937264A EP1146394A1 (en) | 1999-07-06 | 2000-06-16 | Photosensitive resin composition and method for improving dry etching resistance of photosensitive resin composition |
| PCT/JP2000/003925 WO2001002909A1 (fr) | 1999-07-06 | 2000-06-16 | Composition de resine photosensible et procede d'amelioration de la resistance a la gravure a sec de cette composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11191579A JP2001033951A (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 感光性樹脂組成物および感光性樹脂組成物のドライエッチング耐性向上方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001033951A true JP2001033951A (ja) | 2001-02-09 |
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ID=16277013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11191579A Pending JP2001033951A (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 感光性樹脂組成物および感光性樹脂組成物のドライエッチング耐性向上方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1146394A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001033951A (ja) |
| KR (1) | KR20010099639A (ja) |
| CN (1) | CN1226670C (ja) |
| TW (1) | TW548519B (ja) |
| WO (1) | WO2001002909A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005128516A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Hoya Corp | マスクブランク及びその製造方法、並びに転写マスクの製造方法 |
| US7927897B2 (en) | 2008-02-26 | 2011-04-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photoresist composition and method of manufacturing array substrate using the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11945893B2 (en) | 2020-09-30 | 2024-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Curable composition |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2629271B2 (ja) * | 1988-06-13 | 1997-07-09 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型レジスト用組成物 |
| JP2566171B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1996-12-25 | 日本ゼオン株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JPH061377B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1994-01-05 | 日本ゼオン株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JP2927013B2 (ja) * | 1990-02-20 | 1999-07-28 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| JPH03259149A (ja) * | 1990-03-08 | 1991-11-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JP2813034B2 (ja) * | 1990-06-01 | 1998-10-22 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JPH04251849A (ja) * | 1991-01-29 | 1992-09-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感電離放射線性樹脂組成物 |
| JP3052412B2 (ja) * | 1991-03-28 | 2000-06-12 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP3036147B2 (ja) * | 1991-09-11 | 2000-04-24 | 東レ株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JP3275505B2 (ja) * | 1993-12-02 | 2002-04-15 | 日本ゼオン株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
| JP3105459B2 (ja) * | 1996-10-31 | 2000-10-30 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物およびこれを用いた多層レジスト材料 |
-
1999
- 1999-07-06 JP JP11191579A patent/JP2001033951A/ja active Pending
-
2000
- 2000-06-12 TW TW089111433A patent/TW548519B/zh active
- 2000-06-16 EP EP00937264A patent/EP1146394A1/en not_active Withdrawn
- 2000-06-16 KR KR1020017002860A patent/KR20010099639A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-06-16 WO PCT/JP2000/003925 patent/WO2001002909A1/ja not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005128516A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Hoya Corp | マスクブランク及びその製造方法、並びに転写マスクの製造方法 |
| JP4629396B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2011-02-09 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランクの製造方法及び転写マスクの製造方法 |
| US7927897B2 (en) | 2008-02-26 | 2011-04-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photoresist composition and method of manufacturing array substrate using the same |
| US8808963B2 (en) | 2008-02-26 | 2014-08-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Photoresist composition and method of manufacturing array substrate using the same |
Also Published As
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|---|---|
| CN1316068A (zh) | 2001-10-03 |
| CN1226670C (zh) | 2005-11-09 |
| EP1146394A1 (en) | 2001-10-17 |
| WO2001002909A1 (fr) | 2001-01-11 |
| TW548519B (en) | 2003-08-21 |
| KR20010099639A (ko) | 2001-11-09 |
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