JP2001027762A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

Info

Publication number
JP2001027762A
JP2001027762A JP11200153A JP20015399A JP2001027762A JP 2001027762 A JP2001027762 A JP 2001027762A JP 11200153 A JP11200153 A JP 11200153A JP 20015399 A JP20015399 A JP 20015399A JP 2001027762 A JP2001027762 A JP 2001027762A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
spacer
crystal display
display device
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11200153A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3285011B2 (ja
Inventor
Makoto Watanabe
渡辺　　誠
Shoichi Kuroba
昇一 黒羽
Masanobu Hidehira
昌信 秀平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP20015399A priority Critical patent/JP3285011B2/ja
Priority to NL1015693A priority patent/NL1015693C2/nl
Priority to US09/615,131 priority patent/US6573969B1/en
Priority to TW089114008A priority patent/TWI224693B/zh
Priority to KR10-2000-0040605A priority patent/KR100378412B1/ko
Publication of JP2001027762A publication Critical patent/JP2001027762A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3285011B2 publication Critical patent/JP3285011B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】逆スタガード型のＴＦＴを搭載する液晶表示装
置では、スペーサが帯電した場合にバックチャネルの電
位が変化するため帯電に対するスイッチング特性の劣化
や、帯電していない場合でも共通電極電位がバックチャ
ネルに作用しＴＦＴのオフ特性を劣化させ、表示領域内
で生じ表示ムラの原因となっていた。 【解決手段】スペーサ２９を、薄膜トランジスタ１０の
バックチャネル部上を覆う保護絶縁膜８に接触するよう
に形成し、かつ、スペーサ２９に動作中の装置のゲート
オフ電位又は共通電極電位を印加するので、表示領域全
面の薄膜トランジスタに対して均一なバックチャネル電
位を供給でき、表示面内で均一なトランジスタ特性が得
られるため、表示領域内での表示ムラを低減させること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、逆スタガー型薄膜
トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称する）を能動素子と
するアクティブマトリクス型液晶表示装置に関し、特
に、表示ムラのない均一な表示を可能とするＴＦＴのバ
ックチャネルの構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示素子としては、図１０に
示すようなものが知られている。この液晶表示素子の構
造は、同図に示すように、ＴＦＴ側ガラス基板１０１側
に、複数の画素電極１０７と、これに接続されたスイッ
チング素子としてのＴＦＴ１１０とが設けられ、対向ガ
ラス基板１２１側に、共通電極１２３とブラックマトリ
クス１２２とが設けられている。ブラックマトリクス１
２２はＴＦＴ１１０等に対向する位置に配設されてい
る。また、上下ガラス基板の対向内側面にはそれぞれ配
向膜１０８、１２８が形成されている。そして、これら
上下ガラス基板１０１、１２１間を所定の間隔に保つた
めに、例えば樹脂を球形に加工してなる多数のビーズ型
のスペーサ（ギャップ材）１２９が上下ガラス基板１０
１、１２１間に介在している。なおスペーサ１２９は、
ＴＦＴ側ガラス基板１０１と対向ガラス基板１２１とを
貼り合わせる前に、一方のガラス基板の配向膜上に散布
することによって配置されている。このようなスペーサ
１２９によって上下ガラス基板に液晶１３０が封入され
て、液晶表示素子が構成されている。
【０００３】しかしながら、以上に説明した液晶表示素
子にあっては、スペーサ１２９を一方のガラス基板の配
向膜上に散布するという方法を採っているため、画素電
極１０７上の配向膜１０８上にスペーサ１２９が当然載
ってしまうのでスペーサ１２９が常に基板間に入射され
る光を透過してしまったり、液晶分子の配向を乱してし
まい、印加電圧に応じて画素電極１０７を通過する光の
量や色味を調整することが困難となり、表示品質を低下
させる問題があった。また、スペーサ１２９の散布密度
が工程のゆらぎにより表示面内で均一とならない場合
は、光の透過量が領域ごとに異なりムラに見えるという
問題があった。
【０００４】さらに、図１０に示すように、対向ガラス
基板１２１側には、ブラックマトリクス１２２が形成さ
れているのにも拘わらず、斜め方向から入射する光がＴ
ＦＴ１１０のバックチャネル１１１に入射し、電子−正
孔対が励起してしまうため、スイッチング素子としての
ＴＦＴ１１０の特性が変化して、表示品質を劣化させる
という問題があった。
【０００５】以上の問題を解決する公知技術として、特
開平８−２３４２１２号公報ではＴＦＴのバックチャネ
ル上に遮光性を有するスペーサを配置する技術が公開さ
れている（図１１）。ここでのスペーサ１６９は、ＴＦ
Ｔ１５０の上にパターン形成されている。これにより、
従来の散布型のスペーサが不必要となり、画素上は常に
液晶で満たされているので各画素における光の透過量が
均一となり、またスペーサ１６９による画素の液晶の配
向状態の乱れがほとんどないので、光の透過量が表示面
内でほぼ均一となる。さらに、スペーサ１６９が、遮光
性を有するため、ＴＦＴ１５０のバックチャネル１５１
に光が入射するのを防止でき、光による電気特性を劣化
を防ぐことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら特開平８
−２３４２１２号公報ではスペーサ１６９が帯電した場
合にバックチャネル１５１の電位が変化するため帯電に
対するスイッチング特性の劣化や、帯電していない場合
でも共通電極１６３の電位がバックチャネル１５１に作
用しＴＦＴ１５０のオフ特性を劣化させることになる。
【０００７】上記欠点を生じる理由を、もう少し詳しく
説明する。
【０００８】特開平８−２３４２１２（図１１）でＴＦ
Ｔ１５０部分に着目し、スペーサ１６９を電極とみなす
と、スペーサ１６９はＴＦＴ１５０のバックチャネル１
５１を制御するバックゲート的な役割をするため、ＴＦ
Ｔ１５０をフロントチャネル１５２側、バックチャネル
１５１側に分離し等価回路で表現すると図１１のＴＦＴ
部は図１２のような回路とみなせる。ここで、ＶＧは走
査線１４２に印加される電圧、ＶＤは信号線（図略）に
印加される電圧、ＶｃｏＭは共通電極１６３に印加され
る電圧である。ＣＬＣは液晶容量である。
【０００９】ここで、特開平８−２３４２１２号公報で
はスペーサ１６９の電位（Ｖｓｐ）が積極的に与えられ
ていないため、スペーサ１６９の電位は帯電または周辺
電場により変化する。
【００１０】図１３に一般的なアモルファスシリコン
（以下ａ−Ｓｉと略記する）ＴＦＴのゲート電圧とドレ
イン−ソース電極間を流れる電流の関係を示す。スペー
サの電位がある程度低く設定されていないと、ドレイン
−ソース間を流れる電流（ＩＤＳ）が大きく、画素から
電荷がリークすることにより液晶表示装置として所望の
透過率が得られなくなる。スペーサの電位が表示領域内
で一定でない場合には、透過率の変化が表示領域内で生
じ表示ムラの原因となる。
【００１１】本発明の目的は、バックチャネル上に柱状
のスペーサを配置する逆スタガー型薄膜トランジスタ搭
載のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、表
示ムラのない均一な表示を可能とする液晶表示装置を提
供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の形態の液
晶表示装置は、相対向する面にそれぞれ表示電極が設け
られた一対の第１の基板と第２の基板との間に液晶が封
入されると共に、前記一対の基板のうちの前記第１の基
板上に第１の表示電極がマトリクス状に配置され、且
つ、前記第１の表示電極にスイッチング素子が接続され
ている液晶表示装置であって、少なくとも前記スイッチ
ング素子の上に所定の電位を与えることができるスペー
サを設けたことを特徴とし、前記第２の基板の上には、
前記第１の基板に対向し、前記スイッチング素子を少な
くとも包含して形成されるブラックマトリックスと、前
記ブラックマトリックスの前記スイッチング素子と対向
する領域以外を覆うカラーフィルタと、前記ブラックマ
トリックス及び前記カラーフィルタを覆う平坦化膜が形
成されており、前記平坦化膜上には共通電極が形成され
ている、という特徴を有する。
【００１３】次に、本発明の第２の形態の液晶表示装置
は、相対向する面を構成する第１の基板と第２の基板の
うち第１の基板にのみに表示電極が設けられた一対の基
板間に液晶が封入されると共に、前記表示電極がマトリ
クス状に配置され、且つ、前記表示電極にスイッチング
素子が接続されている液晶表示装置であって、少なくと
も前記スイッチング素子の上に所定の電位を与えること
ができるスペーサを設けたことを特徴とし、前記第２の
基板の上には、前記スイッチング素子に対向し、前記ス
イッチング素子を少なくとも包含して形成されるブラッ
クマトリックスと、前記ブラックマトリックスの前記ス
イッチング素子と対向する領域以外を覆うカラーフィル
タと、を有しており、前記スペーサが、前記ブラックマ
トリックスの前記スイッチング素子と対向する領域の上
に形成され、又、前記ブラックマトリックスと前記スペ
ーサは、共に導電性材料からなり、かつ、互いに導通し
ており、更には、前記スペーサが、導電性樹脂、金属、
カーボン、導電性の高いカラーフィルタ、のいずれかか
らなる、という特徴を有する。
【００１４】上記本発明の第１、２の形態の液晶表示装
置における第１、第２の基板の具体的構成とバイアスの
手段が、前記第１の基板表面に形成された走査線を兼ね
るゲート電極と、前記ゲート電極を含む前記第１の基板
を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の上方の前記ゲ
ート絶縁膜上に形成された半導体領域と、前記ゲート電
極を挟む形で前記半導体領域上においては互いに対向す
る形に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有
する前記スイッチング素子と、前記ソース電極と接続さ
れ前記ゲート絶縁膜上に形成された画素電極と、前記ゲ
ート絶縁膜上にあって前記ドレイン電極と接続される信
号線と、前記半導体領域、前記ソース電極、前記ドレイ
ン電極、前記画素電極を含む前記ゲート絶縁膜の上に堆
積された保護絶縁膜と、を有しており、前記第２の基板
が、その上方にスペーサを有しており、前記液晶表示装
置が動作するとき、前記半導体領域が一定の電圧にバイ
アスされ、前記半導体領域が、前記半導体領域上の前記
保護絶縁膜に達する前記スペーサにより前記保護絶縁膜
を介してバイアスされる、というものである。
【００１５】上記バイアスの具体的な形態は、前記所定
の電位が、共通電極とは異なる、或いは、前記所定の電
位が、前記スイッチング素子をオフさせるゲートオフ電
圧である、或いは、前記所定の電位が、共通電極と同じ
電圧である、というものである。
【００１６】上記本発明の第１の形態の液晶表示装置に
おけるスペーサの具体的形態は、樹脂からなる、或い
は、赤、緑、青の３色のカラーフィルタ材料のうち、少
なくとも２色の前記カラーフィルタ材料を含む、という
ものであり、上記本発明の第１、第２の形態の液晶表示
装置に共通するスペーサの具体的形態として、遮光性を
有する、というものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態を図１〜
４を用いて説明する。
【００１８】図１は第１の実施形態の構成を示す等価回
路図である。
【００１９】従来技術に述べたように、図１１の逆スタ
ガー型ＴＦＴのバックチャネル１５１上にスペーサ１６
９が設置されている構造においては、スペーサ１６９が
構造的にバックゲート電極の機能をもっている。本発明
では、従来技術では特に電位を与えていなかったスペー
サ１６９に、図１３のＴＦＴのドレイン−ソース電極間
電流−ゲート電圧特性のグラフに示す、薄膜トランジス
タをオフするゲート電極の電位（以下、ゲートオフ電位
（ＶＧＯＦＦ）と称する）を積極的に与え、図１に示す
バックチャネル１１をバイアスしている。
【００２０】図２〜４に図１の等価回路を実現するため
の構造を示す。
【００２１】図２はＴＦＴを搭載するＴＦＴ側基板の表
示画素の平面図である。表示画素は、外部駆動回路と接
続されゲート電極を兼ねる走査線２、信号線１３および
スイッチング素子であるＴＦＴ１０、および画素電極７
から構成される。１４は開口領域、すなわち対向側基板
のブラックマトリクス２２（図３）の端部である。ＴＦ
Ｔ１０のバックチャネル１１上には、対向側基板に設け
られたスペーサ２９が接触している。
【００２２】図２中の切断線ａ−ａ’でのＴＦＴ側ガラ
ス基板１を切断したときの断面図を図３に示す。図３に
おいて、ＴＦＴ側ガラス基板１上には、走査線２が形成
され、その上にゲート絶縁膜３を介し、半導体膜４が走
査線２と走査線２の上方で交差するように形成される。
その上に半導体膜４と一部重ねるようにドレイン電極
５、ソース電極６が設けられ、ソース電極６と一部重な
るように画素電極７が形成される。画素電極７以外の大
部分の領域は保護絶縁膜８により被覆される。以上によ
りＴＦＴ側基板１００が作製される。
【００２３】対向ガラス基板２１の上には図２の走査線
２、信号線１３、それに、ＴＦＴ１０を覆うようにブラ
ックマトリクス２２がマトリックス状に設けられ、その
上に色表示をするために必要な色層３１が形成される。
さらにその上に対向ガラス基板２１上を平坦化させるの
に必要である平坦化膜３２が設けられ、その上に例えば
樹脂でなるスペーサ２９が形成され、平坦化膜３２とス
ペーサ２９の上に共通電極材料を堆積させてそれをスペ
ーサ電極部３３と共通電極２３とに電気的に絶縁できる
ように分断する。
【００２４】図４は、共通電極材料をスペーサ電極部３
３と共通電極２３とに電気的に分断した後の対向ガラス
基板２１を、ＴＦＴ側ガラス基板１から眺めた基板全体
の平面図であり、共通電極２３とスペーザ電極配線３４
とが櫛歯形に形成されている様子を示している。尚、図
３に示す各表示電極のＴＦＴ１０のバックチャネル１１
上の保護絶縁膜８に接するスペーサ２９は、スペーザ電
極部３３に覆われており、スペーザ電極配線３４の一部
を構成している。又、共通電極２３は主に画素電極７上
方に画素電極７と対向して形成され、共通電極電位（Ｖ
ｃｏＭ）が印加されている。スペーザ電極部３３はスペ
ーザ電極配線３４を通してゲートオフ電位（ＶＧＯＦ
Ｆ）が印加されている。共通電極２３とスペーザ電極配
線３４に電位を与える方法としては、表示領域周辺で、
銀ペースト、導電性シール等によりＴＦＴ側と接続す
る。
【００２５】以上により、図３の如く対向基板２００が
作製される。この後、ＴＦＴ側基板１００、対向基板２
００の間には、液晶３０が封入される。
【００２６】以上の説明では、入射光を偏光するに必要
な偏光板、液晶３０を配向させるに必要な配向膜の図示
および説明は省略している。
【００２７】上記実施形態においては、スペーサ２９は
樹脂をパターニングして形成した例を示したが、特開平
８−２６２４８４号公報に示されているような、赤、
青、緑のうちのいづれか２つの色層を選んで重ねる方式
で形成してもかまわない。また、スペーサ２９はＴＦＴ
側基板１００上に形成してもよい。
【００２８】スペーサを以上のような構成とすることに
より、バックチャネルを常時ＯＦＦ状態にする一定電位
（ＶＧＯＦＦ）がスペーザ電極配線を通してスペーザ電
極によりスペーサの表面に与えられているため、ＴＦＴ
の保持特性が表示領域全域で均一に向上する。
【００２９】又、ＴＦＴの保持特性が表示領域全域で均
一となったため、表示ムラが低減しコントラストも向上
した。更に、バックチャネルの電位が安定化されたた
め、電気抵抗値が比較的低いシアノ系の液晶等の使用も
可能となり液晶材料の選択の幅が広がった。
【００３０】又、スペーサを上記構成とする副次的な効
果として、薄膜トランジスタのバックチャネルの凹部と
スペーサの凸部がかみ合うことで製造時の上基板と下基
板の重ねずれの量が減少する、という効果も得られる。
【００３１】次に、本発明の第２の実施形態を図５〜７
を用いて説明する。
【００３２】図５は第２の実施形態の構成を示す等価回
路であり、図６は、第１の実施形態と同じ箇所のＴＦＴ
近傍の様子を示す断面図であり、図７は対向ガラス基板
の上にレイアウトされた共通電極とスペーサとを、基板
全体を眺めたときに得られる平面図である。
【００３３】本実施形態の第１の実施形態との構造上の
差異は、図６の共通電極４３が連続パターンであり、対
向基板２００全面に共通電極電位（ＶｃｏＭ）が与えら
れ、図５に示すようにバックチャネル４１が共通電極電
位にバイアスされていることである。図６、７に示すよ
うに、対向ガラス基板２１を被覆する透明の共通電極４
３電極を従来と同様に連続パターンとし、スペーサ２９
をも覆う形状に形成してスペーサ２９に共通電極電位
（ＶｃｏＭ）を与えている。その他の構成は、第１の実
施形態と同じである。
【００３４】図１３からも読み取れるように、スペーサ
に共通電極電位（ＶｃｏＭ）が与えられたときは、ＴＦ
Ｔのゲート−ソース間に流れる電流は第１の実施形態と
比較しやや大きいが、表示領域全面に均一なバックチャ
ネル電位が与えられる。又、表示面内で均一なトランジ
スタ特性が得られるため、表示ムラが低減した。又、第
１の実施形態と比較し、対向ガラス基板の透明電極をパ
ターンニングする必要がないため、比較的製造が容易で
ある。さらに、第１の実施形態同様に液晶材料の選択の
幅が広がった。また、上、下の重ねずれの量も減少し
た。
【００３５】スペーサに共通電極の電位を与える方式
は、特開平８−２６２４８４号公報にも開示されている
が、スペーサは蓄積容量線の上に形成されており、本発
明と構成、目的、効果ともに異なる。
【００３６】ここではスペーサ２９は樹脂等をパターニ
ングして形成した例を示したが、第１の実施形態と同
様、赤、青、緑のうちのいずれか２つの色層を選んで重
ねる方式で形成してもかまわない。また、スペーサはＴ
ＦＴ側基板１００上に形成し、対向基板２００と接触さ
せる方式でもよい。
【００３７】次に、本発明の第３の実施形態を図８、９
を用いて説明する。
【００３８】図８はＴＦＴを搭載するＴＦＴ側基板３０
０（図９に示す）の表示画素の平面図である。表示画素
は、外部駆動回路と接続されゲート電極を兼ねる走査線
５２、信号線６３およびスイッチング素子であるＴＦＴ
６０、および画素電極５７から構成される。ＴＦＴ６０
のバックチャネル９１上には、対向基板４００に設けら
れたスペーサ７９（図９に示す）がスペーサ接触領域８
９で保護絶縁膜５８（図９に示す）を介して接触してい
る。図９は、図８中の切断線ｂ−ｂ’でのＴＦＴ側ガラ
ス基板５１を切断したときの断面図である。
【００３９】本実施形態は、特公昭６３−２１９０７号
公報に示されるような、基板に平行な電界を印加して表
示を行う（以下、横電界駆動型と称する）液晶表示装置
に関するものである。横電界駆動型の液晶表示装置では
対向基板側に一般的に対向電極が存在しない。
【００４０】そこで、導電性を持つブラックマトリクス
（金属、カーボン等）７２に電位を印加し、かつ、色層
８１で覆われないブラックマトリクス７２の領域上に導
電性を有するスペーサ（導電性樹脂、金属、半導体、カ
ーボン等）７９を形成し、バックチャネル９１上に保護
絶縁膜５８を介して接触させることで、バックチャネル
９１を制御する。印加する電圧としては、ゲート電位
（ＶＧ）を印加する方式、第２の実施形態のように共通
電極電位（ＶｃｏＭ）を与える方式が考えられる。
【００４１】このような構成にすると、ブラックマトリ
クス７２の電位が、柱状のスペーサ７９を介しバックチ
ャネル９１の電位を制御し、ＴＦＴ６０のバックチャネ
ル部のドレイン−ソース間に流れる電流を低減する。従
って、表示面内で均一なトランジスタ特性が得られ、表
示ムラが低減した。
【００４２】以上ではスペーサ７９は導電性樹脂、金
属、カーボン等をパターニングし形成した例を示した
が、第１の実施形態のように導電性の高い赤、青、緑の
いづれかの色層を重ねる方式で形成してもかまわない。
また、スペーサはＴＦＴ側基板３００上に形成し、対向
基板４００と接触させる方式てもよい。
【００４３】更に、以上の実施形態において、スペーサ
を遮光性を有する樹脂を用いる、或いは、スペーサを覆
う導電性電極に遮光性を有する導電膜を用いれば、ＴＦ
Ｔに入射する光を一層効果的に排除できることは勿論で
ある。
【００４４】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置は、逆スタガー型
の薄膜トランジスタを搭載する液晶表示装置に用いられ
るスペーサを、薄膜トランジスタのバックチャネル部上
を覆う保護絶縁膜に接触するように形成し、かつ、スペ
ーサに動作中の装置のゲートオフ電位、或いは、共通電
極電位を印加するので、表示領域全面の薄膜トランジス
タに対して均一なバックチャネル電位を供給でき、表示
面内で均一なトランジスタ特性が得られるため、表示ム
ラを低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の液晶表示装置におい
て、スペーサのバイアス方法を示す等価回路である。
【図２】本発明の第１実施形態の液晶表示装置の、ＴＦ
Ｔ側基板のうちの１表示画素を対向基板から眺めたとき
の平面図である。
【図３】図２の平面図に示す切断線ａ−ａ’に沿った断
面図である。
【図４】本発明の第１実施形態の液晶表示装置の、対向
基板全体をＴＦＴ側基板から眺めたときの共通電極、ス
ペーサ電極配線、スペーサ電極部の平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態の液晶表示装置におい
て、スペーサのバイアス方法を示す等価回路である。
【図６】本発明の第２実施形態の液晶表示装置の、ＴＦ
Ｔ近傍の様子を示す断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態の液晶表示装置の、対向
基板全体をＴＦＴ側基板から眺めたときの共通電極とス
ペーサ電極部の平面図である。
【図８】本発明の第３実施形態の液晶表示装置の、ＴＦ
Ｔ側基板のうちの１表示画素を対向基板から眺めたとき
の平面図である。
【図９】図８の平面図に示す切断線ｂ−ｂ’に沿った断
面図である。
【図１０】従来の液晶表示装置において、ビーズ型スペ
ーサを用いている第１の従来例のＴＦＴ近傍の様子を示
す断面図である。
【図１１】従来の液晶表示装置において、ＴＦＴ上方に
スペーサを用いている第２の従来例のＴＦＴ近傍の様子
を示す断面図である。
【図１２】従来の液晶表示装置にスペーサが用いられた
ときのＴＦＴのバックチャネルのバイアス状態を示す等
価回路である。
【図１３】一般的なアモルファスシリコンＴＦＴのゲー
ト電圧とドレイン−ソース電極間を流れる電流の関係を
示すグラフである。
【符号の説明】
１、５１、１０１、１４１ ＴＦＴ側ガラス基板 ２、５２、１０２、１４２ 走査線 ３、５３、１０３、１４３ ゲート絶縁膜 ４、５４、１０４、１４４ 半導体膜 ５、５５、１０５、１４５ ドレイン電極 ６、５６、１０６、１４６ ソース電極 ７、５７、１０７、１４７ 画素電極 ８、５８ 保護絶縁膜 １０、６０ ＴＦＴ １１、４１、９１、１１１、１５１ バックチャネル １２、４２、１５２ フロントチャネル １３、６３ 信号線 １４ 開口領域 ２１、７１、１２１、１６１ 対向ガラス基板 ２２、７２ ブラックマトリクス ２３、７３、１２３、１６３ 共通電極 ２９、７９、１２９、１６９ スペーサ ３０、８０、１３０、１７０ 液晶 ３１、８１ 色層 ３２ 平坦化膜 ３３ スペーサ電極部 ３９、８９ スペーサ接触領域 １００、３００ ＴＦＴ側基板 １２８、１６８ 配向膜 ２００、４００ 対向基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秀平 昌信 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H089 LA09 LA16 NA14 PA04 QA14 QA16 TA05 TA09 TA12 TA13 2H091 FA02Y FA35Y GA02 GA07 GA08 GA13 GA16 LA03 LA16 2H092 GA14 JA26 JB05 JB56 JB58 NA01 NA22 NA26 PA08 PA09 5F110 BB01 CC07 DD02 EE30 HM18 NN02

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 相対向する面にそれぞれ表示電極が設け
    られた一対の第１の基板と第２の基板との間に液晶が封
    入されると共に、前記一対の基板のうちの前記第１の基
    板上に第１の表示電極がマトリクス状に配置され、且
    つ、前記第１の表示電極にスイッチング素子が接続され
    ている液晶表示装置であって、少なくとも前記スイッチ
    ング素子の上に所定の電位を与えることができるスペー
    サを設けたことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 前記第２の基板の上には、前記第１の基
    板に対向し、前記スイッチング素子を少なくとも包含し
    て形成されるブラックマトリックスと、前記ブラックマ
    トリックスの前記スイッチング素子と対向する領域以外
    を覆うカラーフィルタと、前記ブラックマトリックス及
    び前記カラーフィルタを覆う平坦化膜が形成されてお
    り、前記平坦化膜上には共通電極が形成されている請求
    項１記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 相対向する面を構成する第１の基板と第
    ２の基板のうち第１の基板にのみに表示電極が設けられ
    た一対の基板間に液晶が封入されると共に、前記表示電
    極がマトリクス状に配置され、且つ、前記表示電極にス
    イッチング素子が接続されている液晶表示装置であっ
    て、少なくとも前記スイッチング素子の上に所定の電位
    を与えることができるスペーサを設けたことを特徴とす
    る液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 前記第２の基板の上には、前記スイッチ
    ング素子に対向し、前記スイッチング素子を少なくとも
    包含して形成されるブラックマトリックスと、前記ブラ
    ックマトリックスの前記スイッチング素子と対向する領
    域以外を覆うカラーフィルタと、を有しており、前記ス
    ペーサが、前記ブラックマトリックスの前記スイッチン
    グ素子と対向する領域の上に形成されている請求項３記
    載の液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 前記ブラックマトリックスと前記スペー
    サは、共に導電性材料からなり、かつ、互いに導通して
    いる請求項４記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 前記スペーサが、導電性樹脂、金属、カ
    ーボン、導電性の高いカラーフィルタ、のいずれかから
    なる請求項５記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 前記第１の基板が、前記第１の基板表面
    に形成された走査線を兼ねるゲート電極と、前記ゲート
    電極を含む前記第１の基板を覆うゲート絶縁膜と、前記
    ゲート電極の上方の前記ゲート絶縁膜上に形成された半
    導体領域と、前記ゲート電極を挟む形で前記半導体領域
    上においては互いに対向する形に設けられたソース電極
    及びドレイン電極と、を有する前記スイッチング素子
    と、前記ソース電極と接続され前記ゲート絶縁膜上に形
    成された画素電極と、前記ゲート絶縁膜上にあって前記
    ドレイン電極と接続される信号線と、前記半導体領域、
    前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記画素電極を含
    む前記ゲート絶縁膜の上に堆積された保護絶縁膜と、を
    有しており、前記第２の基板が、その上方にスペーサを
    有しており、前記液晶表示装置が動作するとき、前記半
    導体領域が一定の電圧にバイアスされる請求項１、２、
    ３、４、５又は６記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項８】 前記半導体領域が、前記半導体領域上の
    前記保護絶縁膜に達する前記スペーサにより前記保護絶
    縁膜を介してバイアスされる請求項７記載の液晶表示装
    置。
  9. 【請求項９】 前記所定の電位が、共通電極とは異なる
    請求項１、２、３、４、５、６、７又は８記載の液晶表
    示装置。
  10. 【請求項１０】 前記所定の電位が、前記スイッチング
    素子をオフさせるゲートオフ電圧である請求項１、２、
    ３、４、５、６、７又は８記載の液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】 前記所定の電位が、共通電極と同じ電
    圧である請求項１、２、３、４、５、６、７又は８記載
    の液晶表示装置。
  12. 【請求項１２】 前記スペーサは、樹脂からなる請求項
    １、２又は７、８、９、１０記載の液晶表示装置。
  13. 【請求項１３】 前記スペーサは、赤、緑、青の３色の
    カラーフィルタ材料のうち、少なくとも２色の前記カラ
    ーフィルタ材料を含む請求項１、２又は７、８、９、１
    ０記載の液晶表示装置。
  14. 【請求項１４】 前記スペーサは、遮光性を有する請求
    項１乃至１３記載の液晶表示装置。
JP20015399A 1999-07-14 1999-07-14 液晶表示装置 Expired - Fee Related JP3285011B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20015399A JP3285011B2 (ja) 1999-07-14 1999-07-14 液晶表示装置
NL1015693A NL1015693C2 (nl) 1999-07-14 2000-07-12 Vloeibare-kristallenweergeefeenheid met geleidende afstandsstukken tussen twee substraatstructuren.
US09/615,131 US6573969B1 (en) 1999-07-14 2000-07-13 Liquid crystal display unit with conductive spacers between two substrate structures for biasing back channels of thin film transistors
TW089114008A TWI224693B (en) 1999-07-14 2000-07-13 Liquid crystal display unit with conductive spacers between two substrate structures for biasing back channels of thin film transistors
KR10-2000-0040605A KR100378412B1 (ko) 1999-07-14 2000-07-14 박막 트랜지스터의 백 채널을 바이어스하기 위한 2개의기판 구조물 사이에 도전 스페이서를 구비하는 액정 표시장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20015399A JP3285011B2 (ja) 1999-07-14 1999-07-14 液晶表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001027762A true JP2001027762A (ja) 2001-01-30
JP3285011B2 JP3285011B2 (ja) 2002-05-27

Family

ID=16419680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20015399A Expired - Fee Related JP3285011B2 (ja) 1999-07-14 1999-07-14 液晶表示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6573969B1 (ja)
JP (1) JP3285011B2 (ja)
KR (1) KR100378412B1 (ja)
NL (1) NL1015693C2 (ja)
TW (1) TWI224693B (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030073068A (ko) * 2002-03-08 2003-09-19 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
JP2007188083A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Samsung Electronics Co Ltd カラーフィルター基板及びこれを備えた液晶表示パネル
JP2009128552A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
JP2012019206A (ja) * 2010-07-07 2012-01-26 Samsung Mobile Display Co Ltd ダブルゲート型薄膜トランジスタ及びこれを備えた有機発光表示装置
JP2012108541A (ja) * 2006-09-29 2012-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2017097771A (ja) * 2015-11-27 2017-06-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置のタッチ検出方法
US11181786B2 (en) 2020-02-06 2021-11-23 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100685312B1 (ko) * 2000-02-25 2007-02-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시패널 및 그의 제조방법
TW573190B (en) * 2000-08-14 2004-01-21 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display and fabricating method thereof
KR100482469B1 (ko) * 2000-11-25 2005-04-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 크로스 토크 방지용 액정표시장치 제조방법
TWI302996B (en) * 2002-07-25 2008-11-11 Toppoly Optoelectronics Corp Method for forming a self-aligned pixel electrode of lcd
US7102717B2 (en) * 2002-12-23 2006-09-05 Au Optronics Corp. Method of forming a color filter having various thicknesses and a transflective LCD with the color filter
KR101080356B1 (ko) * 2003-10-13 2011-11-04 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치
TWI261716B (en) * 2004-05-13 2006-09-11 Quanta Display Inc Liquid crystal display apparatus and fabrication thereof
KR100640216B1 (ko) * 2004-05-29 2006-10-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시패널 및 그 제조방법
US7345732B2 (en) * 2004-09-29 2008-03-18 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
CN100381924C (zh) * 2005-01-31 2008-04-16 友达光电股份有限公司 液晶显示装置及其制造方法
TWI293385B (en) * 2005-04-01 2008-02-11 Innolux Display Corp Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US20060274253A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-07 Wintek Corporation Conductive spacers for liquid crystal displays
US20070052909A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-08 Chih-Chien Chou Liquid crystal display panel and fabricating method thereof
CN100419556C (zh) * 2006-09-13 2008-09-17 友达光电股份有限公司 液晶显示面板及其主动元件阵列基板
CN101339341B (zh) * 2007-07-06 2011-08-24 奇美电子股份有限公司 液晶显示面板及其制作方法及使用其的液晶显示装置
JP4683090B2 (ja) * 2008-08-06 2011-05-11 ソニー株式会社 液晶表示装置、及びその製造方法
TWI371619B (en) * 2008-08-13 2012-09-01 Wintek Corp Fringe field switch lcd
KR101592386B1 (ko) 2009-01-16 2016-02-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN107526200B (zh) 2013-03-08 2021-05-07 Lg电子株式会社 显示装置
CN203811938U (zh) * 2014-05-14 2014-09-03 北京京东方光电科技有限公司 一种显示面板和显示装置
US20190155091A1 (en) * 2017-11-22 2019-05-23 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Tft array substrate, manufacturing method and liquid crystal display panel

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI74871B (fi) 1986-06-26 1987-12-31 Sinisalo Sport Oy Skyddsklaede.
DE69121782T2 (de) * 1990-05-31 1997-01-30 Canon Kk Flüssigkristall-Farbanzeige und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2772405B2 (ja) 1990-11-22 1998-07-02 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPH05232505A (ja) * 1992-02-20 1993-09-10 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP2547523B2 (ja) * 1994-04-04 1996-10-23 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置及びその製造方法
TW289097B (ja) * 1994-08-24 1996-10-21 Hitachi Ltd
JP3267844B2 (ja) 1994-11-09 2002-03-25 シャープ株式会社 液晶素子およびその製造方法
JPH08234212A (ja) 1995-02-28 1996-09-13 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子
JP3014291B2 (ja) * 1995-03-10 2000-02-28 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示パネル、液晶表示装置及び液晶表示パネルの製造方法
JP2780677B2 (ja) * 1995-07-27 1998-07-30 日本電気株式会社 アクティブマトリクス液晶表示パネル
JPH09120074A (ja) 1995-08-18 1997-05-06 Toshiba Electron Eng Corp カラーフィルタ基板及びそれを用いた液晶表示素子
JPH0980467A (ja) * 1995-09-14 1997-03-28 Toshiba Corp ペン入力位置の検出機能を有するアクティブマトリックス型表示装置
JPH09325342A (ja) 1996-05-31 1997-12-16 Toshiba Corp 液晶表示素子及びその製造方法
JP2907137B2 (ja) 1996-08-05 1999-06-21 日本電気株式会社 液晶表示装置
JPH112717A (ja) 1997-06-12 1999-01-06 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタ
JPH1124082A (ja) 1997-06-30 1999-01-29 Toshiba Corp 表示素子用基板及び液晶表示素子の製造方法
JP3105183B2 (ja) 1997-09-12 2000-10-30 株式会社東芝 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3702096B2 (ja) * 1998-06-08 2005-10-05 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタ及び表示装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030073068A (ko) * 2002-03-08 2003-09-19 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
JP2007188083A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Samsung Electronics Co Ltd カラーフィルター基板及びこれを備えた液晶表示パネル
JP2012108541A (ja) * 2006-09-29 2012-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2014089452A (ja) * 2006-09-29 2014-05-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014209267A (ja) * 2006-09-29 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2009128552A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
JP2012019206A (ja) * 2010-07-07 2012-01-26 Samsung Mobile Display Co Ltd ダブルゲート型薄膜トランジスタ及びこれを備えた有機発光表示装置
JP2017097771A (ja) * 2015-11-27 2017-06-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置のタッチ検出方法
US10282017B2 (en) 2015-11-27 2019-05-07 Japan Display Inc. Display device and touch detection method of display device
US10809851B2 (en) 2015-11-27 2020-10-20 Japan Display Inc. Display device and touch detection method of display device
US11181786B2 (en) 2020-02-06 2021-11-23 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
JP7388219B2 (ja) 2020-02-06 2023-11-29 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
TWI224693B (en) 2004-12-01
US6573969B1 (en) 2003-06-03
NL1015693A1 (nl) 2001-01-16
NL1015693C2 (nl) 2004-10-05
KR100378412B1 (ko) 2003-03-29
KR20010029948A (ko) 2001-04-16
JP3285011B2 (ja) 2002-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3285011B2 (ja) 液晶表示装置
KR100713188B1 (ko) 액티브매트릭스 액정표시장치
JP3883244B2 (ja) 液晶表示装置
JP3842529B2 (ja) 液晶表示装置
KR100372533B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
US7663723B2 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof
US7671956B2 (en) Liquid crystal display panel and fabricating method thereof
KR100498632B1 (ko) 액정 표시패널 및 그 제조방법
KR101274022B1 (ko) 표시기판, 이를 갖는 표시패널, 표시기판의 제조방법 및이를 이용한 표시패널의 제조방법
JP3129293B2 (ja) 液晶表示装置
US20070146620A1 (en) Liquid crystal display element
US6429918B1 (en) Liquid crystal display having high aperture ratio and high transmittance
KR101109978B1 (ko) 고개구율 액정표시소자
JP3394433B2 (ja) アクティブマトリクス液晶表示装置
US6833897B2 (en) IPS-LCD device with a color filter formed on an array substrate
JP3716964B2 (ja) 液晶表示装置
JP4099324B2 (ja) 液晶表示装置
JP3281791B2 (ja) 液晶表示装置
US6052163A (en) Thin film transistor and liquid crystal display device
JPH10228031A (ja) 薄膜トランジスタアレイ基板
KR100284710B1 (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
JP3029426B2 (ja) 液晶表示素子のアレイ基板、アレイ基板を備えた液晶表示素子、およびアレイ基板の製造方法
JP3282542B2 (ja) アクティブマトリックス型液晶表示装置
JP2002006329A (ja) 液晶表示パネル
JPH11174494A (ja) アクティブマトリックス型液晶表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020205

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080308

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110308

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees