NL1015693C2

NL1015693C2 - Vloeibare-kristallenweergeefeenheid met geleidende afstandsstukken tussen twee substraatstructuren.

Info

Publication number: NL1015693C2
Application number: NL1015693A
Authority: NL
Inventors: Makoto Watanabe; Shoichi Kuroha; Masanobu Hidehira
Original assignee: Nec Lcd Technologies
Priority date: 1999-07-14
Filing date: 2000-07-12
Publication date: 2004-10-05
Also published as: KR100378412B1; JP2001027762A; TWI224693B; KR20010029948A; JP3285011B2; US6573969B1; NL1015693A1

Description

. # ' τ

Korte aanduiding: Vloeibare-kristallenweergeefeenheid met geleidende afstandstukken tussen twee substraatstructuren.

GEBIED VAN DE UITVINDING

De uitvinding heeft betrekking op een vloeibare-kristallenweergeef eenheid en meer in het bijzonder op een vloeibare-kristallenweer-geefeenheid van het actieve-matrixtype met tussen twee substraat-5 structuren aangebrachte afstandsstukken.

BESCHRIJVING VAN DE STAND VAN DE TECHNIEK

Een typisch voorbeeld van de vloeibare-kristallenweergeefeen-heid is weergegeven in fig. 1. De bekende vloeibare-kristallenweer-geefeenheid is geclassificeerd in het type actieve matrix met omge-10 keerde overlappingstype dunne-filmtransistoren. De bekende vloeibare-kristallenweergeefeenheid omvat substraatstructuren, afstandsstukken 129 en vloeibare kristallen 130. De afstandsstukken 129 zijn van transparante kunsthars en als bolvormige druppels gevormd. De afstandsstukken 129 zijn verdeeld over elke substraatstructuur voordat 15 de substraatstructuren worden samengesteld. Bij het samenstellen van de substraatstructuren creëeren de afstandsstukken 129 een ruimte tussen de twee substraatstructuren en de ruimte wordt gevuld met vloeibare kristallen 130.

De onderste substraatstructuur bevat een glassubstraat 101, af-20 tastlijnen 102, dunne-filmschakeltransistoren 110, pixelelektroden 107 en een oriëntatielaag 108. De dunne-filmschakeltransistor 110 bevat een deel van de aftastlijn, die dienst doet als een poortelektro-de, een poortisolatielaag 103, een halfgeleiderlaag 104, een afvoer-elektrode 105 en een aanvoerelektrode 106. De aftastlijnen 102 zijn 25 op het glassubstraat 101 gevormd en zijn bedekt met de poortisolatielaag. De halfgeleiderlagen 104 zijn in patroon op de poortisolatielaag 103 gevormd, en de aanvoer/afvoergebieden zijn in elk van de halfgeleiderlagen 104 gevormd. Het aanvoergebied is op afstand gelegen van het afvoergebied, en de poortelektrode of het deel van de af-30 tastlijn 102 ligt tegenover een achterkanaal 111. De afvoerelektrode 105 wordt in contact gehouden met het afvoergebied, en de aanvoer-elektrode 106 wordt in contact gehouden met het aanvoergebied. De pixelelektroden 107 zijn verder op de poortisolatielaag 103 gevormd, en zijn respectievelijk verbonden met de dunne-filmschakel- - 2 - transistoren 110. De aanvoerelektroden 106 zijn elk verbonden met de bijbehorende pixelektrode 107. De dunne-filmschakeltransistoren 110 en de poortelektrode 107 zijn bedekt met de oriëntatielaag 108.

Anderzijds bevat de bovenste substraatstructuur een glassub·* 5 straat 121, een zwartmatrix 122, een gemeenschappelijke elektrode 123 en een oriëntatielaag 128. De zwartmatrix 122 is op het glassubstraat 121 gevormd en de gemeenschappelijke elektrode 123 is op het glassubstraat 121 en de zwartmatrix 122 gevormd, en de zwartmatrix wordt overlapt door een deel van de gemeenschappelijke elektrode 123. De 10 gemeenschappelijke elektrode 123 is bedekt met de oriëntatielaag 128, en de oriëntatielaag 128 is onder tussenkomst van de afstandsstukken 129 op afstand van de oriëntatielaag 108 gelegen.

In de bekende vloeibare-kristallenweergeefeenheid wordt als probleem een slechte kwaliteit van daarop geproduceerde beelden on-15 dervonden. De beelden van slechte kwaliteit zijn het gevolg van de afstandsstukken 129 en schuin invallend licht. In detail zijn de afstandsstukken 129 verdeeld over een van de oriëntatielagen 108/128, zoals hiervoor is beschreven. Het is onvermijdelijk om de afstandsstukken 129 boven-de pixelelektroden 107 te plaatsen. De afstands-20 stukken boven de pixelelektroden 107 verdrijven de vloeibare kristallen 130 en maken het mogelijk dat het licht daar doorheen gaat ongeacht de oriëntatie van de vloeibaar-kristalmoleculen 130. Bovendien variëren de afstandsstukken 129 de oriëntatie van de daaromheen aanwezige vloeibaar-kristalmoleculen 130, en doen de hoeveelheid 25 doorgelaten licht en de tint oncontroleerbaar zijn. In het geval waarin de afstandsstukken 129 niet uniform verdeeld zijn, wordt de hoeveelheid licht tezamen met de spreiding van de dichtheid van de afstandsstukken 129 gevarieerd. De afstandsstukken 129 zijn derhalve de oorzaak van de slechte kwaliteit van de beelden.

30 Hoewel de zwartmatrix 122 op het glassubstraat 121 is gevormd, bereikt het schuin invallende licht het achterkanaal 111, en wekt elektron-gatparen in de halfgeleiderlagen 104 op. De elektron-gatpa-ren variëren de transistorkarakteristieken van de dunne-filmschakel-transistor 110 en tussen de bijbehorende poortelektrode 107 en de ge-35 meenschappelijke elektrode 123 wordt ongeschikt een spanningsverschil aangelegd. Dit resulteert in de slechte kwaliteit van de beelden.

Een oplossing wordt geopenbaard in de Japanse octrooipublicatie van de niet-onderzochte aanvrage (ter inzage gelegd) nr. 8-234212. De bekende vloeibare-kristallenweergeefeenheid is weergegeven in fig. 2.

t I

- 3 -

De bekende vloeibare-kristallenweergeefeenheid omvat ook substraat-structuren, afstandsstukken 169 en vloeibare kristallen 170. Een verschil tussen de twee bekende vloeibare-kristallenweergeefeenheden is de plaats van de afstandsstukken 169. De afstandsstukken 169 zijn 5 niet transparant. Terwijl de afstandsstukken 129 willekeurig zijn verdeeld over de oriëntatielaag 108/128, zijn de afstandsstukken 169 boven het achterkanaal 151 geplaatst. Bij het samenstellen van de substraatstructuren creëeren de afstandsstukken 169 eveneens een ruimte tussen de twee substraatstructuren, en de ruimte wordt gevuld 10 met vloeibare kristallen 170.

De onderste substraatstructuur is soortgelijk aan de in fig. 1 weergegeven structuur. Met name bevat de onderste substraatstructuur een glassubstraat 141, aftastlijnen 142, dunne-filmschakeltransisto-rèn 150, pixelelektroden 147 en een oriëntatielaag 148. De dunne-15 filmschakeltransistor 150 bevat een deel van de aftastlijn, die dienst doet als een poortelektrode, een poortisolatielaag 143, een halfgeleiderlaag 144, een afvoerelektrode 145 en een aanvoerelektrode 146. De aftastlijnen 142 zijn op het glassubstraat 141 gevormd en zijn bedekt met de poortisolatielaag 143. De halfgeleiderlagen 144 20 zijn op de poortisolatielaag 143 gevormd en aanvoer/afvoergebieden zijn in elk van de halfgeleiderlagèn 144 gevormd. Het aanvoergebied is op afstand van het afvoergebied gelegen, en de poortelektrode of het deel van de aftastlijn 142 ligt tegenover het achterkanaal 151.

De afvoerelektrode 145 wordt in contact met het afvoergebied gehou-25 den, en de aanvoerelektrode 146 wordt in contact met het aanvoergebied gehouden. De pixelelektroden 147 zijn verder op de poortisolatielaag 143 gevormd en zijn respectievelijk verbonden met de dunne-filmschakeltransistoren 150. De aanvoerelektroden 146 zijn elk verbonden met de bijbehorende pixelektrode 147. De dunne-filmschakel-30 transistoren 150 en de poortelektrode 147 zijn met de oriëntatielaag 148 bedekt.

De bovenste substraatstructuur bevat een glassubstraat 161, een gemeenschappelijke elektrode 163 en een oriëntatielaag 168. De gemeenschappelijke elektrode 163 is op het glassubstraat 161 gevormd en 35 is met de oriëntatielaag 168 bedekt. De afstandsstukken 169 zijn omgekeerd tussen de oriëntatielagen 148 en 168 aangebracht en de tussenruimte is opgevuld met de vloeibare kristallen 170.

De afstandsstukken 129 zijn vervangen door de afstandsstukken 169 en zijn niet tranparant. Zelfs indien licht schuin invalt op de - 4 - bekende vloeibare-kristallenweergeefeenheid, beschermen de niet-transparante afstandsstukken 169 de achterkanalen 151 tegen het invallende licht en houden de transistorkarakteristieken constant. Bovendien bevindt er zich geen enkel afstandsstuk boven de pixelelek-5 troden 147 en de vloeibare kristallen nemen de ruimte tussen de pixelelektroden 147 en de gemeenschappelijke elektrode 163 in. Dit heeft tot resultaat, dat de turbulentie verwaarloosbaar is in de oriëntatie van de vloeibaar-kristalmoleculen. De afstandsstukken 169 hebben minder invloed op de vloeibaar-kristalmoleculen tussen de 10 pixelelektroden 147 en de gemeenschappelijke elektrode 163. De oriëntatie van de vloeibaar-kristalmoleculen is eenvoudig afhankelijk van het spanningsverschil tussen de pixelelektroden 147 en de gemeenschappelijke elektrode 163, en het doorlaatvermogen van de vloeibare kristallen 170 is constant over de vloeibare kristallen 170 onder een 15 standaard instelvoorwaarde. De plaats van de afstandsstukken 169 is derhalve effectief tegen de slechte kwaliteit van beelden. In de bekende in de Japanse octrooipublicatie van de niet-onderzochte aanvrage geopenbaarde vloeibare-kristallenweergeefeenheid wordt echter een probleem ondervonden, dat er een foutwerking optreedt in de dun-20 ne-filmschakeltransistoren 150.

Hoewel het afstandsstuk 169 niet met enige spanningsbron is verbonden wordt het afstandsstuk 169 geladen en deze lading varieert als gevolg van het elektrische veld daaromheen. De beschermende isolatielaag 148 is aangebracht tussen het afstandsstuk 169 en de half-25 geleiderlaag 144 en vormt tezamen met het afstandsstuk 169 en de halfgeleiderlaag 144 een condensator. Met andere woorden doet het afstandsstuk 169 dienst als een achterpoort van een veldeffecttrarisis-tor en het spanningsniveau op het afstandsstuk 169 heeft invloed op het geleidingsvermogen van het achterkanaal 151. De dunne-filmscha-30 keltransistor 150 is equivalent aan de parallelschakeling van twee veldeffecttransistoren, zoals is weergegeven in fig. 3. In fig. 3 staan "V8P", "VG", "VD", "V^en "CLS" voor het spanningsniveau op het afstandsstuk 169, het spanningsniveau op de aftastlijn 142, het spanningsniveau op de afvoerelektrode 145, het spanningsniveau op de ge-35 meenschappelijke elektrode 163 respectievelijk de capaciteit van de vloeibare kristallen 170. Hoewel het frontkanaal 152 wordt bestuurd met het spanningsniveau Ve, heeft het spanningsniveau VSP op het afstandsstuk 169 meer invloed op de achterpoort 151 dan het spanningsniveau Ve op de aftastlijn 142 heeft, en het afstandsstuk 169 geeft - 5 - het geleidingsvermogen aan het achterkanaal 151 afhankelijk van het spanningsniveau VSP.

Wanneer het afstandsstuk 169 wordt geladen, verandert de elektrische ladeing het spanningsniveau op het afstandsstuk 169. Zelfs 5 indien het afstandsstuk 169 niet wordt geladen, staat het afstandsstuk 169 onder invloed van het spanningsniveau op de gemeenschappelijke elektrode 163, en de geïnduceerde lading verandert het spanningsniveau op het afstandsstuk 169.

Fig. 4 toont de spanning-stroomkarakteristieken van een stan-10 daard dunne-filmtransistor van amorf silicium. Indien het afstandsstuk 169 niet een voldoende laag spanningsniveau heeft, vloeit er een stroom IDS door het achterkanaal 151 ondanks het lage spanningsniveau Vcorpr en deze stroom verandert ongewenst het spanningsniveau op de pixelektrode 147. Dit resulteert erin, dat de vloeibaar-kristalmole-15 culen 170 de oriëntatie ten opzichte van de ontwerphoek veranderen. Wanneer de oriëntatie wordt veranderd, verandert het deel van de vloeibare kristallen boven de poortelektrode 147 het doorlaatvermo-gen. Indien het spanningsniveau op de afstandsstukken 169 wordt gespreid, varieert de lichtsterkte ongewenst over de beelden. Dit re-20 sulteert in een slechte kwaliteit van de op de bekende vloeibare-kristallenweergeefeenheid geproduceerde beelden.

SAMENVATTING VAN DE UITVINDING

Het is derhalve een belangrijk doel van de uitvinding een vloeibare-kristallenweergeefeenheid te verschaffen, welke eenheid 25 beelden van hoge kwaliteit produceert.

Om dit doel te bereiken stelt de uitvinding voor om een afstandsstuk op een bepaald spanningsniveau in te stellen teneinde een geleidingsvermogen van een achterkanaal te verlagen.

Volgens één aspect van de uitvinding is een vloeibare-kristal-30 lenweergeefeenheid verschaft, welke eenheid omvat: een eerste sub-straatstructuur, welke structuur bevat: een eerste transparant substraat, ten minste een op het eerste transparante substraat vervaardigde dunne-filmtransistor, die een eerste kanaalgebied en een tweede kanaalgebied, dat dichter bij het eerste transparante substraat is 35 gelegen dan het eerste kanaalgebied, heeft, ten minste een over het eerste transparante substraat gevormde pixelektrode, die via de ten minste ene dunne-filmtransistor met een signaalbron is verbonden voor het opwekken van een elektrisch veld, en een beschermende isolatielaag, die de ten minste ene dunne-filmtransistor bedekt; een op af- - 6 - stand van de eerste substraatstructuur gelegen tweede substraatstructuur, teneinde een ruimte te vormen, ten minste een tussen de beschermende isolatielaag en de tweede substraatstructuur aangebracht afstandsstuk, en vloeibare kristallen, die de ruimte tussen de be-5 schermende isolatielaag en de tweede substraatstructuur vullen en een oriëntatie in afhankelijkheid van de sterkte van het elektrische veld veranderen.

KORTE BESCHRIJVING VAN DE TEKENING De kenmerken en voordelen van de vloeibare-kristallenweergeef-10 eenheid zullen duidelijker worden uit de volgende beschrijving in samenhang met de bijgevoegde tekening, waarin: fig. 1 een dwarsdoorsnedeaanzicht is, dat de structuur van de bekende vloeibare-kristallenweergeefeenheid toont; fig. 2 een dwarsdoorsnedeaanzicht is, dat de structuur van de 15 bekende in de Japanse octrooipublicatie van de niet-onderzochte aanvrage nr. 8-234212 geopenbaarde vloeibare-kristallenweergeefeenheid toont; fig. 3 een ketendiagram is, dat de equivalente keten van de in de bekende vloeibare-kristallenweergeefeenheid opgenomen dunne-film-20 schakeltransistor toont; fig. 4 een grafiek is, die de poortspanning-afvoerelektrode-stroomkarakteristieken van de standaard dunne-filmtransistor van amorf silicium toont; fig. 5 een ketendiagram is, dat een equivalente keten van een 25 in een vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens de uitvinding opgenomen pixel toont; fig. 6 een aanzicht is, dat het ontwerp van het in de vloeibare-kristallenweergeef eenheid opgenomen pixel toont; fig. 7 een dwarsdoorsnedeaanzicht volgens de lijn a-a' van fig. 30 6 is, dat de structuur van het pixel toont; fig. 8 een onderaanzicht is, dat het ontwerp van het geleidende patroon op het binnenoppervlak van een tweede substraatstructuur toont; fig. 9 een ketendiagram is, dat een equivalente keten van een 35 in een andere vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens de uitvinding opgenomen pixel toont; fig. 10 een dwarsdoorsnedeaanzicht is, dat de structuur van het pixel toont; - 7 - fig. 11 een onderaanzicht is, dat het ontwerp van het geleidende patroon op het binnenoppervlak van een in de vloeibare-kristallen-weergeefeenheid opgenoraen tweede substraatstructuur toont; fig. 12 een aanzicht is, dat het ontwerp van een in nog een an-5 dere vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens de uitvinding' opgenomen pixel toont; en , .

fig. 13 een dwarsdoorsnedeaanzicht volgens de lijn b-b' van fig. 12 is, dat de structuur van het pixel toont.

BESCHRIJVING VAN DE VOORKEÜRSUITVOERINGSVORMEN 10 Eerste uitvoeringsvorm

Zoals in samenhang met de in fig. 2 weergegeven bekende vloei-bare-kristallenweergeefeenheid is beschreven, is het afstandsstuk 169 gelegen boven het achterkanaal 151 van de omgekeerd-overlappingstype duhne-filmtransistor 150, en dient als een achterpoortelektrode, die . 15 van andere geleidende lagen elektrisch is geïsoleerd. Anderzijds bevat een de uitvinding belichamende vloeibare-kristallenweergeefeen-heid ook afstandsstukken tussen twee substraatstructuren, en de βίε tands stukken worden ingesteld met een bepaalde spanning om de ach-terkanalen van dunne-filmschakeltransistoren in een uitgeschakelde 20 toestand te houden. De bepaalde spanning is met "V®»," in fig. 4 aangeduid. Dit resulteert erin, dat de dunne-filmschakeltransistor equivalent is aan de in fig. 5 weergegeven keten, waarin een achterkanaal 11 ten alle tijde is uitgeschakeld. De bepaalde spanning wordt hieronder aangeduid als "poort-uit spanning”.

25 Onder verwijzing naar fig. 6, 7 en 8, omvat de de uitvinding belichamende vloeibare-kristallenweergeefeenheid in grote trekken een eerste substraatstructuur 100, een tweede substraatstructuur 200, tussen de eerste substraatstructuur 100 en de tweede substraatstructuur 200 aangebrachte afstandsstukken 250 en vloeibare kristallen 30, 30 die de ruimte tussen de eerste substraatstructuur 100 en de tweede substraatstructuur 200 vullen. Deze componenten 100, 200, 250 en 30 vormen vele in een matrix gerangschikte pixels, en de pixels bevatten elk een dunne-filmschakeltransistor 10, een pixelektrode 7, een gemeenschappelijke elektrode 23 en een deel van de vloeibare-kristal-35 lenlaag.30 tussen de pixelektrode 7 en een deel van de gemeenschappelijke elektrode 23 tegenover de pixelektrode 7. De gemeenschappelijke elektrode 23 is transparant en wordt gedeeld door de pixels. De de uitvinding belichamende vloeibare-kristallenweergeefeenheid is derhalve van het type, dat "actieve matrix" wordt genoemd, en de dunne- - 8 - filmschakeltransistor 10 is geclassificeerd in het omgekeerde-over-lappingstype dunne-filmtransistor. Hoewel de eerste en tweede sub-straatstructuren 100/200 verder polarisatielagen voor het polariseren van licht en oriëntatielagen voor het oriënteren van de vloeibaar-5 kristalmoleculen hebben, zijn deze lagen om wille van de eenvoud uit de figuren weggelaten.

De matrix van pixels is verbonden met aftastlijnen 2 en signaallijnen 13. De aftastlijnen 2 en de signaallijnen 13 strekken zich in loodrechte richtingen uit over een glassubstraat 1 van de eerste 10 substraatstructuur 100. De aftastlijnen 2 zijn echter elektrisch geïsoleerd van de signaallijnen 13. De aftastlijnen 2 verschaffen elk poortelektroden aan de dunne-filmschakeltransistoren 10 in de betreffende rij pixels, en de dunne-filmschakeltransistoren 10 zijn geschakeld tussen de betreffende signaallijnen 13 en de betreffende pixel-15 elektroden 7. Hoewel de aftastlijnen 2 en de signaallijnen 13 met een externe signaalbron zijn verbonden, is de externe signaalbron in de tekening niet weergegeven.

De aftastlijnen 2 worden achtereenvolgens veranderd naar een actief niveau en de signaallijnen 13 worden elektrisch verbonden met 20 de pixelelektroden 14 in de betreffende rij. Terwijl de aftastlijnen 2 achtereenvolgens worden veranderd naar het actieve niveau, worden voor een beeld representatieve videosignalen selectief geleverd aan de pixelelektroden 7, en het beeld wordt geproduceerd op de matrix van de pixels. Een zwartmatrix 22 definieert openingen 14 (zie fig.

25 6), en de openingen 14 zijn elk ingebed in een bijbehorende pixelek- trode van de pixelelektroden 7.

De eerste substraatstructuur 100 bevat het glassubstraat 1, de aftastlijnen 2, de dunne-filmschakeltransistoren 10, de signaallijnen 13, de pixelelektroden 7 en een beschermende isolatielaag 8. Het 30 glassubstraat 1 is transparant. De aftastlijnen 2 zijn evenwijdig op een hoofdoppervlak van het glassubstraat 1 gevormd, en de aftastlijnen 2 en het resterende oppervlak van het glassubstraat 1 zijn bedekt met een poortisolatielaag 3. De poortisolatielaag 3 wordt gedeeld door de dunne-filmschakeltransistoren 10. De dunne-filmschakeltran-35 sistoren 10 zijn in structuur gelijk aan elkaar, en van slechts een van de dunne-filmschakeltransistoren 10 wordt een beschrijving gegeven.

Een halfgeleiderlaag 4 is gevormd op de poortisolatielaag 3 en is boven de bijbehorende aftastlijn 2 gelegen. De halfgeleiderlaag 4 - 9 - kan van amorf silicium zijn. De signaallijnen 13 zijn op de poortiso-latielaag 3 gevormd. Een afvoergebied en een aanvoergebied zijn op afstand van elkaar gevormd in de halfgeleiderlaag 4. De halfgeleiderlaag 4 is gedeeltelijk ingezakt tussen het aanvoergebied en het 5 afvoergebied. Een achterkanaal 11 en een frontkanaal 12 zijn gevormd in de halfgeleiderlaag 4 tussen het afvoergebied en het aanvoergebied. Een afvoerelektrode 5 strekt zich uit vanaf de bijbehorende signaallijn 13 en wordt in contact gehouden met het afvoergebied. Op de poortisolatielaag 3 is verder een aanvoerelektrode 6 gevormd, dié 10 aan één eindgedeelte daarvan in contact wordt gehouden met het aanvoergebied en aan het andere einde daarvan met de pixelektrode 7. De poortisolatielaag 3, de halfgeleiderlaag 4, de afvoerelektrode 5, de aanvoerelektrode 6 vormen in combinatie de dunne-filmschakeltransis-tor 10 tezamen met het deel van de aftastlijn 2 dat als de poortelek- . 15 trode dient. De dunne-filmschakeltransistoren 10 en de signaallijnen 13 zijn bedekt met de beschermende isolatielaag 8. De pixelelektroden 7 zijn echter blootgesteld aan in de beschermende isolatielaag 8 gevormde openingen. De dunne-filmschakeltransistor 10 is overeenkomstig bedekt met de beschermende isolatielaag 8 en een uitsparing is ge-20 vormd in de beschermende isolatielaag 8. De uitsparing is gelegen boven het achterkanaal 11.

De tweede substraatstructuur 200 bevat een glassubstraat 21, de zwartmatrix 22, kleurfilters 31, een planarisatielaag 32, afstands-stuklichamen 29, afstandsstukelektroden 33 en een gemeenschappelijke 25 elektrode 23. Het glassubstraat 21 is transparant. De zwartmatrix 22 is als een rooster op te vatten, en de binnenranden van de zwartmatrix 22 definiëren de openingen 14, zoals hiervoor is beschreven. De openingen 14 zijn respectievelijk ingebed in de pixelelektroden 7, en dienovereenkomstig zijn de pixelelektroden 7 blootgesteld aan de 30 openingen 14 behoudens de omtreksgebieden daarvan. De openingen 14 zijn bedekt met de kleurfilters 31, die selectief rood, groen en blauw zijn gekleurd.

Anderzijds bevinden de dunne-filmschakeltransistoren 10, de af-tastlijnen 2 en de signaallijnen 13 zich onder de zwartmatrix 22, en 35 de pixelelektroden 31 bevinden zich tegenover de kleurfilters 31. Wanneer licht zich door de delen van de vloeibare-kristallenlaag 30 boven de pixelelektroden 7 voortplant, wordt het licht door de kleurfilters 31 gekleurd, en kleurbeelden worden geproduceerd op de matrix van de pixels.

H De zwartmatrix 22 en de kleurfilters 31 zijn bedekt met de pla- narisatielaag 32 om een glad oppervlak te creëeren. De afstandsstuk- I lichamen 29 steken vanaf het gladde oppervlak uit en zijn gevormd van I kunsthars. De kunsthars heeft een lichtafschermeigenschap. In het fa- I 5 bricageproces wordt de kunsthars uitgespreid en de kunstharslaag I wordt tot de afstandsstuklichamen 29 gevormd.

I Geleidend materiaal werd aangebracht op het gladde Oppervlak en de afstandhouderlichamen 29 en de geleidend-materiaallaag werd in het I patroon van de gemeenschappelijke elektrode 23 en de afstandsstuk- I 10 elektroden 33 gevormd. De gemeenschappelijke elektrode 23 heeft een I kamachtige vorm (zie fig. 8) en de afstandsstukelektroden 33 zijn H elektrisch verbonden met een geleidend patroon 34. Het geleidende pa- I troon 34 heeft eveneens een kamachtige configuratie en grijpt in de I kamvormige gemeenschappelijke elektrode 23. Het geleidende patroon 34 15 is echter op afstand van de gemeenschappelijke elektrode 23 gelegen.

I De afstandsstukelektroden 33 zijn derhalve ten opzichte van de ge- I meenschappelijke elektrode 23 elektrisch geïsoleerd. De afstands- I stuklicharoen 29 en de afstandsstukelektroden 33 vormen in combinatie I de afstandsstukken 250. De leidende einden van de afstandsstukken 250 20 zijn respectievelijk opgenomen in de in de beschermende laag 8 ge- I vormde uitsparingen en worden in contact met de beschermende isola- I tielaag 8 boven de bijbehorende achterkanalen 11 gehouden. De af- I standsstukelektroden 33 liggen derhalve tegenover de achterkanalen 11 I van de dunne-filmschakeltransistoren 10.

I 25 De poort-uit spaning Vgofp wordt via het geleidende patroon 34 I aan de afstandsstukelektroden 33 geleverd. De gemeenschappelijke I elektrode 23 en het geleidende patroon 34 bereiken een omtreksgebied I rond het weergeefoppervlak, en zijn via het omtreksgebied met de eer- I ste substraatstructuur 100 verbonden onder gebruikmaking van zilver- I 30 pasta of geleidende afdichtingslagen.

Er wordt nu weer verwezen naar fig. 7, waarin de gemeenschappe- I lijke elektrode 23 tegenover de pixelelektroden 7 is gelegen en I waarin een spanningsniveau VcOM wordt aangelegd op de gemeenschappen I lijke elektrode 23. Spanningsverschillen worden derhalve selectief I 35 aangelegd tussen de pixelelektroden 7 en de gemeenschappelijke elek- I trode 23.

I De tweede substraatstructuur 200 is samengesteld met de eerste I substraatstructuur 100 en de ruimte tussen beide structuren is gevuld I met de vloeibare kristallen 30.

- 11 - I De hiervoor beschreven vloeibare-kristallenweergeefeenheid is I effectief tegen de slechte kwaliteit van op de matrix van pixels ge- I produceerde beelden. Terwijl de vloeibare-kristallenweergeefeenheid I beelden op de matrix van pixels produceert, is de poort-uit spanning I 5 via het geleidende patroon 34 continu op de afstandsstukelektroden 33 I aangelegd. De afstandsstukelektroden 33 liggen onder tussenkomst van I de beschermende isolatielaag 8 tegenover de achterkanalen 11 en indu- I ceren ladingsdragers met een geleidbaarheidstype dat tegengesteld is I aan het geleidbaarheidstype van het in de geleidende laag 4 geïntro- I 10 duceerde doteringsmiddel. De geïnduceerde ladingsdragers verwijderen I ten allen tijde de geleidbaarheid van de achterkanalen 11 en slechts I de frontkanalen 12 kunnen de videosignalen vanaf de signaallijnen 13 I naar de pixelelektroden 7 doen voortplanten. Wanneer met andere woor- I den een aftastlijn 2 naar het actieve niveau wordt gewijzigd, scha- I 15 kelen de bijbehorende dunne-filmtransistoren 10 aan en de videosigna- I len worden slechts via de frontkanalen 12 naar de pixelelektroden 7 I overgebracht. Wanneer de aftastlijn 2 echter naar het inactieve ni- I veau wordt hersteld, worden alle geleidende kanalen uit de bijbeho- I rende dunne-filmschakeltransistoren 10 verwijderd en de pixelelek- 20 troden 7 zijn ten opzichte van de signaallijnen 13 elektrisch geïso- I leerd. Dit betekent, dat het spanningsniveau van de pixelelektroden 7 nauwelijks achteruitgaat. De spanningsverschillen tussen de pixel- I elektroden 7 en de gemeenschappelijke elektrode 23 houden de vloei- I baar-kristalmoleculen 30 in de gegeven oriëntatie, en beelden worden I 25 stabiel geproduceerd op de matrix van pixels.

I Bovendien zijn de afstandsstukelektroden 33 vastgelegd op het I poort-uit spanningsniveau V^,^. Dit betekent, dat de dunne-filmscha- I keltransistoren 10 de transistorkarakteristieken zonder enige uitzon- I dering stabiel bezitten. De lichtsterkte van de pixels is strikt af- I 30 hankelijk van de videosignalen en fluctueert niet. Dit resulteert in I een verbetering van het contrast van de beelden.

I Hoewel de vloeibare kristallen in het cyanosysteem een relatief I laag elektrisch weerstandsvermogen hebben, zijn de vloeibare kristal- len in het cyanosysteem beschikbaar voor de vloeibare-kristallenweer- I 35 geefeenheid volgens de uitvinding aangezien de afstandsstukken 250 het spanningsniveau op de achterkanalen 11 stabiel maken. De fabri- kant kan de meest geschikte vloeibare kristallen uit talrijke kandi- daten selecteren.

Ten slotte verbeteren de afstandsstukken 250 het productieren-dement van de vloeibare-kristallenweergeefeenheid, aangezien de ver-H schuiving tussen de eerste substraatstructuur en de tweede substraat- H structuur 100 is verlaagd. In detail zijn de uitsparingen gevormd in H 5 de beschermende isolatielaag 8 als gevolg van de ten opzichte van de H afvoer/aanvoerelekroden 5/6 verzakte achterkanalen 11, en bij het as- H semblagewerk ontvangen de uitsparingen de leidende einden van de bij- H behorende afstandsstukken 250. De afstandsstukken 250 zijn respectie- velijk uitgelijnd met de achterkanalen 11 van de bijbehorende dunne- 10 filmschakeltransistoren 10, en dientengevolge wordt de eerste sub- straatstructuur 100 nauwkeurig gemonteerd op de tweede substraat- structuur 200.

Tweede uitvoeringsvorm

Er wordt nu verwezen naar fig. 9, 10 en 11, waarin een de uit- 15 vinding belichamende andere vloeibare-kristallenweergeefeenheid in grote trekken een eerste substraatstructuur 150, een tweede sub- I straatstructuur 230, vloeibare kristallen 30 en afstandsstukken 260 I bevat. De afstandsstukken 260 strekken zich vanaf de tweede sub- straatstructuur 230 uit en doen de eerste substraatstructuur 250 op I 20 afstand houden van de tweede substraatstructuur 230. De ruimte tussen de eerste substraatstructuur 150 en de tweede substraatstructuur 230 is gevuld met de vloeibare kristallen. De afstandsstukken 260 zijn geleidend en worden ingesteld op een bepaald spanningsniveau, dat ge- I lijk is aan de instelspanning VC0M op een een deel van de tweede sub- I 25 straatstructuur 230 vormende gemeenschappelijke elektrode 43.

De eerste substraatstructuur 150 is in opbouw gelijk aan de I eerste substraatstructuur 100 en lagen en elektroden van de eerste I substraatstructuur 150 zijn aangeduid met dezelfde verwijzingen als I voor de corresponderende lagen en elektroden van de eerste substraat- I 30 structuur. De dunne-filmschakeltransistor 10 heeft een achterkanaal- gebied 41 en een frontkanaalgebied 42. Het afstandsstuk 260 wordt in contact met de geleidende isolatielaag 8 boven het achterkanaalgebied 41 gehouden en ligt dienovereenkomstig tegenover het achterkanaal 41. Aangezien de instelspanning co» rdt aangelegd op de afstandsstukken 35 260, is het pixel equivalent aan een in fig. 9 weergegeven keten.

De beschermende isolatielaag 8 is overeenkomstig gevormd over de dunne-filmschakeltransistoren 10 en is ingezakt in het gebied boven de achterkanaalgebieden 41. De afstandsstukken 260 zijn in de uitsparingen in de beschermende isolatielaag 8 gestoken en zijn met - 13 - het leidende-eindgedeelte in de beschermende isolatielaag 8 ingebed. De afstandsstukken 260 en de uitsparingen in de beschermende isolatielaag 8 voorkomen een verschuiving tussen de eerste substraatstruc-tuur 150 en de tweede substraatstructuur 230 van de vloeibare-kris-5 tallenweergeefeenheid. De afstandsstukken 260 en de uitsparingen zijn derhalve effectief tegen de verschuiving in de montagestap.

De tweede substraatstructuur 230 verschilt van de tweede substraatstructuur 200 in een geleidend patroon op het binnenoppervlak I daarvan. Andere lagen zijn echter gelijk aan die van de tweede sub- .

I 10 straatstructuur 200 en worden eveneens aangeduid met dezelfde verwij- I zingscijfers als voor de corresponderende lagen van de tweede sub- I straatstructuur 200.

I Om de instelspanning op de afstandsstukken 260 boven de I dunne-filmschakeltransistoren 10 aan te leggen, zijn de afstandsstuk- I 15 lichamen 29 bedekt met de elektroden 33, en de afstandsstukelektroden I 33 zijn integraal met de gemeenschappelijke elektrode 43, zoals is I weergegeven in fig. 11. De gemeenschappelijke elektrode 43 is verbon- I den met een instelspanningsbron VC0M. De instelspanning wordt der- I halve via de gemeenschappelijke elektrode 43 aan de afstandsstukelek- I 20 troden 33 geleverd en de afstandsstukelektroden 33 zijn in spannings- I niveau gelijk aan de gemeenschappelijke elektrode 43.

I De geleidende afstandsstukken 260 verwijderen de geleidende I achterkanalen uit de achterkanaalgebieden 43 en maken de dunne-film- I schakeltransistoren 10 uniform in transistorkarakteristieken. Dit re- I 25 sulteert in dezelfde voordelen als van de de eerste uitvoeringsvorm I vormende vloeibare-kristallenweergeefeenheid. Hoewel de instelspan- I ning ^COM dichter bij de poort-uit spanning Vq^ ligt dan de poort-aan I spanning Va» (zie fig. 4), maakt de instelspanning VC0H het mogelijk dat een achterkanaal met lage geleidbaarheid in elk van de achterka- I 30 naalgebieden 41 aanwezig is, en er vloeit een lekstroom tussen de I pixelelektroden 7 en de signaallijnen 13. De hoeveelheid lekstroom is echter niet aanzienlijk. Om deze reden houden de pixels de vloeibaar- kristalmoleculen 30 correct georiënteerd en het beeld is in contrast I verbeterd. De vloeibare kristallen 30 zijn selecteerbaar uit I 35 verschillende soorten vloeibare kristallen.

I De gemeenschappelijke elektrode 43 is in het fabricageproces van voordeel boven de gemeenschappelijke elektrode 23. De gemeen- I schappelijke elektrode 23 is gescheiden van de afstandsstukelektroden I 33 en een patroonvormingsstap is vereist voor de scheiding. Ander- Η Η zijds strekt de gemeenschappelijke elektrode 43 zich over het gehele inwendige oppervlak van de eerste substraatstructuur 230 uit, en er is geen patroonvormingsstap vereist voor de gemeenschappelijke elek- H trode 43. De gemeenschappelijke elektrode 43 maakt derhalve het fa- H 5 bricageproces eenvoudiger.

H Hoewel de Japanse octrooipublicatie van de niet-onderzochte aanvrage nr. 8-262484 leert hoe de instelspanning ^COM wordt aangelegd op de afstandsstukken 260, zijn de in deze Japanse octrooipublicatie geopenbaarde afstandsstukken geplaatst op opslagcondensatorlijnen en 10 deze zijn verschillend van de afstandsstukken 260. Het instelsysteem in deze Japanse octrooipublicatie is echter modificeerbaar voor de vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens de uitvinding.

Derde uitvoeringsvorm I Er wordt nu verwezen naar fig. 12 en 13 van de tekening, waarin I 15 nog een andere de uitvinding belichamende vloeibare-kristallenweer- geefeenheid in grote trekken een eerste substraatstructuur 300, een tweede substraatstructuur 400, afstandsstukken 79 en vloeibare kris- tallen 80 omvat. De eerste substraatstructuur 300 ligt tegenover de I tweede substraatstructuur 400 en is door middel van de afstandsstuk- I 20 ken 79 van de tweede substraatstructuur gescheiden. Tussen de eerste I substraatstructuur 300 en de tweede substraatstructuur 400 is een I ruimte aanwezig en deze ruimte is met de vloeibare kristallen 80 ge- I vuld.

I De de derde uitvoeringsvorm belichamende vloeibare-kristallen- I 25 weergeefeenheid is gecategoriseerd in een lateraal elektrisch-veld- I aanstuurtype. Een typisch voorbeeld van een vloeibare-kristallen- weergeefeenheid van het lateraal elektrisch-veldaanstuurtype wordt I geopenbaard in de Japanse octrooipublicatie van de onderzochte aan vrage nr. 63-21907. Het typische voorbeeld van de vloeibare-kristal- 30 lenweergeefeenheid van het lateraal elektrisch-veldaanstuurtype heeft geen gemeenschappelijke elektrode op de tweede substraatstructuur en het elektrisch veld wordt evenwijdig aan de eerste substraatstructuur opgewekt.

De eerste substraatstructuur 300 bevat een glassubstraat 51, 35 aftastlijnen 52, gemeenschappelijke elektroden 73, dunne-filmschakel-transistoren 60, pixelelektroden 57, signaallijnen 63 en een beschermende isolatielaag 58. De aftastlijnen 52 zijn verbonden met een externe signaalbron en worden selectief veranderd naar een actief niveau. Anderzijds worden videosignalen aan de signaallijnen 63 gele- - 15 - verd en deze doen de matrix van pixels een beeld produceren. De af-tastlijnen 52 zijn op intervallen op het glassubstraat 51 gevormd en de gemeenschappelijke elektroden 73 zijn afgewisseld met de aftast-lijnen 52. De gemeenschappelijke elektroden 73 zijn gevormd in een 5 kamachtige configuratie, zoals is weergegeven in fig. 12.

De dunne-filmtransistoren 60 zijn gevormd boven de aftastlijnen 52. De dunne-filmtransistoren 60 hebben elk een poortisolatielaag 53, een halfgeleiderlaag 54, een afvoerelektrode 55, een aanvoerelektrode 56. De poortisolatielaag 53 wordt gedeeld door de dunne-filmtransis-10 toren 60 en de aftastlijnen 52 en de gemeenschappelijke elektroden 73 zijn bedekt met de poortisolatielaag 53. De aftastlijnen verschaffen elk poortelektroden voor de dunne-filmschakeltransistoren van een van de rijen en de halfgeleiderlaag 54 is gevormd op de poortisolatielaag 53 boven elk van de poortelektroden. De halfgeleiderlaag 54 is ge- 15 deeltelijk ingezakt en een aanvoergebied en een afvoergebied zijn gevormd aan beide zijden van de inzakking. Een achterkanaal 91 en een frontkanaal 92 zijn aanwezig in het gedeelte van de halfgeleiderlaag 54 tussen het aanvoergebied en het afvoergebied. De signaallijnen 63 zijn op intervallen op de poortisolatielaag 53 gevormd en staan lood- 20 recht op de aftastlijnen 52. De afvoerelektrode 55 strekt zich vanaf de bijbehorende signaallijn 63 uit en wordt in contact met het afvoergebied van de halfgeleiderlaag 54 gehouden. De aanvoerelektrode 56 en de pixelelektrode 57 zijn gevormd op de poortisolatielaag 53 en zijn integraal met elkaar. De aanvoerelektrode 56 wordt in contact 25 met het aanvoergebied van de halfgeleiderlaag 54 gehouden en de pixelektrode 57 strekt zich evenwijdig aan de twee aangrenzende tanden van de kamvormige gemeenschappelijke elektrode 73 uit. De dunne-filmschakeltransistoren 60 en de pixelelektroden 57 zijn bedekt met de beschermende isolatielaag 58. De halfgeleiderlaag 54 is gedeel-30 telijk ingezakt tussen het aanvoergebied en het afvoergebied en de beschermende isolatielaag 58 is overeenkomstig gevormd over de dunne-filmschakeltransistoren 60. Om deze reden zijn uitsparingen in de beschermende isolatielaag 58 boven de halfgeleiderlagen 54 gevormd. De afstandsstukken 79 zijn in de uitsparingen gestoken en voorkomen dat 35 de eerste en tweede substraatstructuren 300/400 ten opzichte van elkaar verschuiven.

De tweede substraatstructuur 400 bevat een glassubstraat 71, een zwartmatrix en kleurfilters 81. De zwartmatrix 72 is op het glassubstraat 71 gevormd. De zwartmatrix 72 is geleidend en is ingesteld.

I - 16 - I De zwartmatrix 72 is gevormd van geleidend metaal, koolstof enzo- I voorts. Het niet door de zwartmatrix 72 ingenomen oppervlak is bedekt met de kleurfilters 81 en de zwartmatrix 72 wordt gedeeltelijk over- I lapt door de kleurfilters 81. De afstandsstukken 79 zijn geleidend en I 5 strekken zich vanaf het niet door de kleurfilters 81 bedekte gebied I van de zwartmatrix 72 uit. De afstandsstukken 79 zijn gevormd van I geleidende kunsthars, geleidend metaal, halfgeleidermateriaal, I koolstof enzovoorts.

I Zoals hiervoor is beschreven, worden de afstandsstukken 79 aan I 10 de leidende einden daarvan in contact met de beschermende isolatie- I laag 58 gehouden en dienen als achterpoorten van de dunne-filmscha- keltransistoren 60. Een poortspanning VG, zoals bijvoorbeeld de I poort-uit spanning V,»,, of de instel spanning Vc*, op de gemeenschappe- I lijke elektroden 57 wordt via de geleidende zwartmatrix 72 tijdens de I 15 werking van de vloeibare-kristallenweergeefeenheid op de geleidende I afstandsstukken 79 aangelegd. De instelspanning VG of Vee, induceert I ladingsdragers die tegengesteld zijn aan de meerderheidsladingsdra- gers in de achterkanaalgebieden 91 en de geleidbaarheid wordt verwij- I derd van of gereduceerd in de achterkanalen 91 als gevolg van de I 20 geïnduceerde ladingsdrager. De afstandsstukken 79 verhinderen der- halve de achterkanalen 91 om de lekstroom te doen vloeien, en doen de pixels goed contrasterende kleurbeelden produceren. De onregelmatig- I heid is uit de kleurbeelden geëlimineerd.

I Zoals duidelijk zal zijn uit de voorgaande beschrijving, worden I 25 de afstandsstukken ingesteld op de bepaalde spanning V,^ of Vcm om de I achterkanalen 11/41/91 te verhinderen stroom te voeren. De transpa- I rantheid van de pixels wordt gevarieerd door middel van het selectief I leveren van de videosignalen aan de pixelelektroden 57 en de dunne- filmschakeltransistoren 10/60 houden de spanningsverschillen tussen H 30 de pixelelektroden 7/57 en de gemeenschappelijke elektrode 23/43/73 H in stand. Dit resulteert in een op de matrix van pixels geproduceerd I goed contrasterend beeld. De onregelmatigheid is uit het beeld H geëlimineerd.

H Hoewel bijzondere uitvoeringsvormen van de uitvinding zijn H 35 weergegeven en beschreven, zal het voor de vakman op dit gebied van de techniek duidelijk zijn dat talrijke veranderingen en modificaties uitgevoerd kunnen worden zonder de gedachte en het kader van de uit- vinding te verlaten.

- 17 -

Bijvoorbeeld kunnen de afstandsstuklichamen 29 en de geleidende afstandsstukken 79 een gelamineerde structuur van twee lagen, die selectief met twee van de drie primaire kleuren, d.w.z. rood, groen en blauw, zijn gekleurd. Bovendien kunnen de afstandsstukken 250/260 op 5 de eerste substraatstructuur 100 gevormd zijn.

Lichtafschermlagen kunnen worden gebruikt voor de afstandsstukken 250/260. In dit geval is voor de afstandsstuklichamen 29 de lichtafschermeigenschap niet vereist. De afstandsstuklichamen 29 zijn bedekt met de lichtafschermlagen en de lichtafschermlagen beschermen 10 de dunne-filmschakeltransistoren tegen invallend licht.

Claims

1. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid omvattende: een eerste substraatstructuur (100; 150; 300) welke structuur bevat: een eerste transparant substraat (1; 51), 5 ten minste een op het eerste transparante substraat (1; 51. vervaardigde dunne-filmtransistor (10; 60), die een eerste ka-naalgebied (1; 41; 91) en een tweede kanaalgebied (12; 42; 92), dat dichter bij het eerste transparante substraat (1; 51) is gelegen dan het eerste kanaalgebied (11; 41; 91), heeft, 10 ten minste een over het eerste transparante substraat (1; 51. gevormde pixelelektrode (7; 57), die via de ten minste ene dunne-filmtransistor (10; 60) met een signaalbron (13; 63) is verbonden voor het opwekken van een elektrisch veld, en een beschermende isolatielaag (8; 58), die de ten minste 15 ene dunne-filmtransistor (10; 60) bedekt, een op afstand van de eerste substraatstructuur (100; 150; 300) gelegen tweede substraatstructuur (200; 230; 400), teneinde een ruimte te vormen, ten minste een tussen de beschermende isolatielaag (8; 58) en 20 de tweede substraatstructuur (200; 230; 400) aangebracht afstandsstuk (250; 260; 79), en vloeibare kristallen (30; 80), die de ruimte tussen de beschermende isolatielaag (8; 58) en de tweede substraatstructuur (200; 230; 400) vullen en een oriëntatie in afhankelijkheid van de sterkte van 25 het elektrische veld veranderen, met het kenmerk, dat het ten minste ene afstandsstuk (250; 260; 79) geleidend is en verbonden is met een spanningsniveaubron (VG; Va»), zodat het eerste kanaalgebied met een bepaald spanningsniveau is ingesteld voor 30 het verlagen van een geleidingsvermogen van het eerste kanaalgebied (11; 41; 91).

2. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 1, waarbij het bepaalde spanningsniveau (Ve; ν<χ>ττ) verschilt van een in-stelspanning (V^*,), die op een op een van de eerste en tweede sub- 35 straatstructuren gevormde gemeenschappelijke elektrode (7; 73) is aangelegd. - 19 -

3. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 1, waarbij het bepaalde spanningsniveau (Va*,) gelijk is aan een spanningsniveau, dat de hoeveelheid van de tussen de pixelelektrode en de signaalbron door het eerste kanaalgebied vloeiende stroom tot een mi- 5 nimum reduceert.

4. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 1, waarbij het bepaalde spanningsniveau gelijk is aan een instelspanning (VC0M), die op een op een van de eerste en tweede substraatstructuren gevormde gemeenschappelijke elektrode (7; 57) is aangelegd.

5. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 1, waarbij de ten minste ene dunne-filmtransistor (10; 60) een omge-keerd-overlappingstype veldeffecttransistor is.

6. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 5, waarbij de ten minste ene dunne-filmtransistor (10; 60) bevat: 15 een poortelektrode, die een deel van een op het eerste transpa rante substraat (1; 51) gevormde aftastlijn (2; 52) vormt, een poortisolatielaag (3; 53), die over het eerste transparante substraat (1; 51) is gevormd om de aftastlijn (2; 52) te bedekken. een op de poortisolatielaag (3; 53) gevormde halfgeleiderlaag 20 (4; 54), die het eerste kanaalgebied (11; 41; 91) en het tweede kanaalgebied (12; 42; 92) verschaft en op een zodanige manier is aangebracht, dat deze het tweede kanaalgebied (12; 42; 92) boven de poortelektrode en het eerste kanaalgebied (11; 41; 91) tegenover ten minste een geleidend afstandsstuk (250; 260; 79) doet liggen, 25 een zich op de poortisolatielaag (3; 53) uitstrekkende afvoere- lektrode (5; 55), die tussen de signaalbron (13; 63) en een als een afvoergebied dienend deel van de halfgeleiderlaag (4; 54) is aangesloten, en een tezamen met de ten minste ene pixelelektrode (7; 57) op de 30 poortisolatielaag (3; 53) gevormde aanvoerelektrode (6; 56), die tussen de pixelelektrode (7; 57) en een ander als een aanvoergebied dienend deel van de halfgeleiderlaag (7; 57) is aangesloten.

7. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 6, waarbij de half geleiderlaag (4; 54), de afvoerelektrode (5; 55) en de 35 aanvoerelektrode (6; 56) een inzakking in de beschermende isolatielaag (8; 58) vormen, en het ten minste ene geleidende afstandsstuk (250; 260; 79) gedeeltelijk in de inzakking is opgenomen.

8. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 6, waarbij het bepaalde spanningsniveau (V,**,) het ten minste ene gelei- I .- 20 - dende afstandsstuk (250; 79) het geleidingsvermogen van het eerste I kanaalgebied (11; 91) tot een minimum doet reduceren.

9. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 6, I waarbij het bepaalde spanningsniveau op het ten minste ene geleidende 5 afstandsstuk (260; 79) gelijk is aan een instelspanning (V^), die op een op een van de eerste en tweede substraatstructuren gevormde ge- meenschappelijke elektrode (7; 57) is aangelegd.

10. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 6, I waarbij de tweede substraatstructuur (200) verder bevat: I 10 een tweede transparant substraat (21), een onder het tweede transparante substraat (21) gevormde I zwartmatrix (22), die een in de ten minste ene pixelelektrode (7) in- I gebedde opening (14) definieert, en een op een zodanige wijze onder het tweede transparante substraat (21) gevormde planarisatielaag (32) 15 om de zwartmatrix (22) te bedekken, en I waarbij de gemeenschappelijke elektrode (23) en het ten minste I ene geleidende afstandsstuk (250) zijn gevormd onder de planarisatie- laag (32) en elektrisch van elkaar gescheiden zijn.

11. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 10, I 20 waarbij de tweede substraatstructuur (200) verder ten minste een kleurfilter (31) bevat, welk kleurfilter op een zodanige wijze onder I het tweede transparante substraat (21) is gevormd om de opening (14) te vullen.

12. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 10, 25 waarbij de gemeenschappelijke elektrode (23) met een van het bepaalde spanningsniveau (Vgofp) verschillende instelspanning (Vcc) wordt inge- steld en tegenover de ten minste ene pixelelektrode (7) is gelegen om het elektrische veld daartussen op te wekken.

13. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 6, 30 waarbij de tweede substraatstructuur (230) verder bevat: een tweede transparant substraat (21), een onder het tweede transparante substraat (21) gevormde zwartmatrix (22), die een in de ten minste ene pixelektrode (7) inge- bedde opening (14) definieert, en een op een zodanige wijze onder het 35 tweede transparante substraat (21) gevormde planarisatielaag (32) om de zwartmatrix (22) te bedekken, en waarbij de gemeenschappelijke elektrode (43) en het ten minste ene geleidende afstandsstuk (260) integraal met elkaar onder de pla-H narisatielaag (32) zijn gelegen. - 21 -

14. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 13, waarbij de tweede substraatstructuur (230) verder ten minste een kleurfilter (31) bevat, welk kleurfilter op een zodanige wijze onder het tweede transparante substraat (21) is gevormd om de opening te 5 vullen.

15. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 13, waarbij de gemeenschappelijke elektrode (43) en het ten minste ene geleidende afstandsstuk (260) zijn ingesteld met het bepaalde spanningsniveau (Vcq,,) , dat geschikt is voor het opwekken van het elektri- 10 sche veld tussen de ten minste ene pixelektrode en de gemeenschappelijke elektrode.

16. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 6, waarbij de eerste substraatstructuur (300) verder ten minste een op het eerste transparante substraat (51) evenwijdig aan de ten minste 15 ene pixelektrode (57) gevormde gemeenschappelijke elektrode (73) bevat voor het evenwijdig aan het eerste transparante substraat opwekken van het elektrische veld.

17. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 16, waarbij de tweede substraatstructuur (400) een tweede transparant 20 substraat (71) en een onder het tweede transparante substraat (71) gevormde geleidende zwartmatrix (72), die een in de ten minste ene pixelektrode (57) ingebedde opening heeft, bevat, waarbij het ten minste ene geleidende afstandsstuk (79) zich uitstrekt vanaf de geleidende zwartmatrix (72) naar de beschermende isolatielaag.

18. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 17, waarbij de tweede substraatstructuur (400) verder ten minste een onder het tweede transparante substraat (71) gevormd en de opening vullend kleurfilter (81) bevat.

19. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 1, 30 waarbij het ten minste ene geleidende afstandsstuk (250; 260) een af-standsstuklichaam (29) en een geleidende afstandsstukelektrode (33), die een oppervlak van het afstandsstuklichaam (29) bedekt, bevat.

20. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 19, waarbij het afstandsstuklichaam (29) een lichtafschermeigenschap 35 heeft.

21. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 19, waarbij het afstandsstuklichaam een gelamineerde structuur heeft, welke structuur meerdere lagen heeft, die met twee kleuren uit rood, groen en blauw zijn gekleurd. I - 22 -

22. Vloeibare-kristallenweergeefeenheid volgens conclusie 1, I waarbij het ten minste ene geleidende afstandsstuk (29) is gevormd I van geleidend materiaal, dat wordt gekozen uit kunsthars, metaal, I koolstof en gekleurd materiaal, dat wordt gebruikt voor ten minste 5 een een deel van de tweede substraatstructuur vormend kleurfilter.