JP2001024197A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2001024197A5 JP2001024197A5 JP1999191081A JP19108199A JP2001024197A5 JP 2001024197 A5 JP2001024197 A5 JP 2001024197A5 JP 1999191081 A JP1999191081 A JP 1999191081A JP 19108199 A JP19108199 A JP 19108199A JP 2001024197 A5 JP2001024197 A5 JP 2001024197A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type impurity
- active layer
- resist mask
- film
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19108199A JP4372896B2 (ja) | 1999-07-05 | 1999-07-05 | 電気光学装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19108199A JP4372896B2 (ja) | 1999-07-05 | 1999-07-05 | 電気光学装置の作製方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001024197A JP2001024197A (ja) | 2001-01-26 |
| JP2001024197A5 true JP2001024197A5 (enExample) | 2006-08-24 |
| JP4372896B2 JP4372896B2 (ja) | 2009-11-25 |
Family
ID=16268555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19108199A Expired - Fee Related JP4372896B2 (ja) | 1999-07-05 | 1999-07-05 | 電気光学装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4372896B2 (enExample) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100623230B1 (ko) * | 2003-11-29 | 2006-09-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| KR102092842B1 (ko) * | 2013-08-07 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
| KR102158365B1 (ko) * | 2020-03-18 | 2020-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
| KR102199496B1 (ko) * | 2020-09-15 | 2021-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
| KR102402739B1 (ko) * | 2020-09-15 | 2022-05-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
-
1999
- 1999-07-05 JP JP19108199A patent/JP4372896B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940012647A (ko) | 반도체 집적 회로 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20060123434A (ko) | Dc 소스/드레인 아래 산화물 홀을 갖는 차별적 soi | |
| JP2001024197A5 (enExample) | ||
| KR930022481A (ko) | 다결정 실리콘 게이트를 평탄화하는 집적 회로 제조방법 | |
| KR960005795A (ko) | 반도체소자의 콘택 제조방법 | |
| KR0138065B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택 형성 방법 | |
| KR970003468A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| JP3007994B2 (ja) | Mos半導体装置の製造方法 | |
| KR950007168A (ko) | 반도체 장치의 캐패시터 전극 제조 방법 | |
| KR20040008423A (ko) | 반도체소자의 트랜지스터 형성방법 | |
| KR940004836A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970052290A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR970053093A (ko) | 반전층 드레인 트랜지스터 제조방법 | |
| KR970053470A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR970013348A (ko) | 반도체장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR970063728A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR980006049A (ko) | 소자분리 방법 | |
| KR940016771A (ko) | 초고집적 반도체 소자의 트랜치형 절연막 제조 방법 | |
| KR970054414A (ko) | 상이한 스페이서의 크기를 가지는 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR970063740A (ko) | 반도체소자 및 제조방법 | |
| KR970054130A (ko) | 반도체 메모리장치의 패드층 형성방법 | |
| KR960026221A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR960019540A (ko) | 반도체 소자 제조시 미세패턴 형성방법 | |
| KR970052405A (ko) | 반도체장치의 미세 콘택홀 형성 방법 | |
| KR970053203A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 |