KR940016771A - 초고집적 반도체 소자의 트랜치형 절연막 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 기판(21) 상부에 패드용 산화막(22), 패드용 폴리 실리콘(23), 질화막(24)을 형성하고 사진 식각법으로 소정 부분을 제거한 후에 필드 산화막(25)과, 질화막(24) 상부의 소정 두께의 산화막(26)을 형성하는 제 1 단계, 상기 제 1 단계 후에 상기 필드 산화막(25)와 산화막(26) 상부에 질화막(27)을 증착한 후에 감광막(28)으로 소정의 패턴을 형성하는 제 2 단계, 상기 제 2 단계 후에 상기 감광막(28)을 마스크로 하여 사진 식각법으로 소정 부분을 제거하여 트렌치를 형성한 후에 감광막(28)을 제거하고 불순물 확산방지층(29)을 형성한 후에 폴리 실리콘(23)의 중간 높이까지 도핑된 폴리 실리콘(30)을 매립하는 제 3 단계, 상기 제 3 단계 후에 상기 필드 산화막(25), 산화막(26) 상부의 질화막(27)을 제거하는 제 4 단계, 상기 제 4 단계 후에 상기 산화막(26)을 제거한 후에 열 산화막(31)을 형성하는 제 5 단계, 상기 제 5 단계 후에 상기 질화막(24)을 제거한 후에 건식 식각으로 폴리 실리콘(23)을 제거하고 게이트 전극(32)을 형성하는 제 6 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

초고집적 반도체 소자의 트랜치형 절연막 제조 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제 2 도는 본 발명에 따른 트렌치형 절연막 제조 공정도.

Claims (5)

1. 초고집적 반도체 소자의 트렌치형 절연막 제조 방법에 있어서, 반도체 기판(21) 상부에 패드용 산화막(22), 패드용 폴리 실리콘(23), 질화막(24)을 형성하고 사진 식각법으로 소정 부분을 제거한 후에 필드산화막(25)과 질화막(24) 상부의 소정 두께의 산화막(26)을 형성하는 제 1 단계, 상기 제 1 단계 후에 상기 필드 산화막(25)과 산화막(26) 상부에 질화막(27)을 증착한 후에 감광막(28)으로 소정의 패턴을 형성하는 제 2 단계, 산기 제 2 단계 후에 상기 감광막(28)을 마스크로하여 사진 식각법으로 소정 부분을 제거하여 트렌치를 형성한 후에 감광막(28)을 제거하고 불순물 확산 방지층(29)을 형성한 후에 폴리 실리콘(23)의 중간 높이까지 도핑된 폴리 실리콘(30)을 매립하는 제 3 단계, 상기 제 3 단계 후에 상기 필드 산화막(25), 산화막(26) 상부의 질화막(27)을 제거하는 제 4 단계, 상기 제 4 단계 후에 상기 산화막(26)을 제거한 후에 열 산화막(31)을 형성하는 제 5 단계, 상기 제 5 단계 후에 상기 질화막(24)을 제거한 후에 건식 식각으로 폴리 실리콘(23)을 제거하고 게이트 전극(32)을 형성하는 제 6 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 트랜치형 절연막 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 불순물 확산 방지층(29)이 열 산화막인 것을 특징으로 하는 트렌치형 절연막 제조 방법.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 불순물 확산 방지층(29)이 스퍼터링에 의한 Ta₂0₅등의 절연막인 것을 특징으로 하는 트랜치형 절연막 제조 방법.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 불순물 확산 방지층(29)이 열 산화막과 질화막의 이중구조인 것을 특징으로 하는 트렌치형 절연막 제조 방법.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 불순물 확산 방지층(29)이 열 산화막과 질화막과 절연막의 3중 구조인 것을 특징으로 하는 트렌치형 절연막 제조 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.