KR970054424A - 반도체 소자의 트랜지스터 및 그의 제조 방법 - Google Patents
반도체 소자의 트랜지스터 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 접합 영역 및 게이트 전극의 상부에 도전막을 형성하므로써 소자의 동작 속도를 증가시켜 소자의 신뢰성이 향상되며, 표면의 단차를 감소시켜 후속 절연 및 평탄화 공정을 용이하게 실시하므로써 공정의 단순화를 이룰 수 있도록 한 반도체 소자의 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 제1실시예를 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (10)
- 반도체 소자의 트랜지스터에 있어서, 게이트 산화막 및 폴리실리콘층이 적층된 구조를 가지며, 실리콘 기판상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 양측벽에 형성된 질화막 스페이서와, 상기 게이트 전극 양측부의 상기 실리콘 기판에 형성된 접합 영역과, 상기 접합 영역의 상기 실리콘 기판상에 형성된 도전막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 도전막은 불순물 이온이 주입된 에피택셜층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터.
- 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 도전막은 텅스텐 실리사이드가 증착된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터.
- 반도체 소자의 트랜지스터에 있어서, 게이트 산화막 및 폴리실리콘층이 적층된 구조를 가지며, 실리콘 기판상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 양측벽에 형성된 질화막 스페이서와, 상기 게이트 전극 양측부의 상기 실리콘 기판에 형성된 접합 영역과, 상기 접합 영역의 실리콘 기판 상부 및 상기 게이트 전극 상부에 형성된 도전막으로 이루어져있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터.
- 제4항에 있어서, 상기 도전막은 텅스텐 실리사이드가 증착된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터.
- 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법에 있어서, 실리콘 기판상에 게이트 산화막 및 폴리실리콘층을 순차적으로 형성한 후 게이트 전극용 마스크를 이용한 사진 및 식각 공정으로 상기 폴리실리콘층 및 게이트 산화막을 순차적으로 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 게이트 전극의 양측벽에 질화막 스페이서를 형성한 후 전체 상부면에 불순물 이온을 주입하여 상기 게이트 전극 양측부의 노출된 상기 실리콘 기판에 접합 영역을 형성하는 단계와, 상기 단계로 부터 상기 접합 영역의 실리콘 기판상에 도전막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 도전막은 불순물 이온이 주입된 에피택셜층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 제6 또는 제7항에 있어서, 상기 도전막을 텅스텐 실리사이드를 선택적으로 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법에 있어서, 실리콘 기판상에 게이트 산화막, 폴리실리콘층) 및 PSG막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 게이트 전극용 마스크를 이용한 사진 및 식각 공정으로 상기 PSG막, 폴리실리콘층 및 게이트 산화막을 순차적으로 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 게이트 전극의 측벽에 질화막 스페이서를 형성한 후 전체 상부면에 불순물 이온을 주입하여 상기 게이트 전극 양측부의 상기 실리콘 기판에 접합 영역을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 게이트 전극의 상부에 잔류된 상기 PSG막을 제거한 후 상기 게이트 전극 및 상기 접합 영역의 상부에 도전막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 도전막은 텅스텐 실리사이드를 선택적으로 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046320A KR970054424A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자의 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019950046320A KR970054424A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자의 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054424A true KR970054424A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66593525
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019950046320A KR970054424A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 반도체 소자의 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054424A (ko) |
-
1995
- 1995-12-04 KR KR1019950046320A patent/KR970054424A/ko not_active Application Discontinuation
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