JP2001013429A - レーザ光量制御方法 - Google Patents

レーザ光量制御方法

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JP2001013429A
JP2001013429A JP11188314A JP18831499A JP2001013429A JP 2001013429 A JP2001013429 A JP 2001013429A JP 11188314 A JP11188314 A JP 11188314A JP 18831499 A JP18831499 A JP 18831499A JP 2001013429 A JP2001013429 A JP 2001013429A
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Japan
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laser
light
laser diode
bias
light amount
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JP11188314A
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English (en)
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Masanobu Sakamoto
順信 坂本
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Koki Holdings Co Ltd
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Hitachi Koki Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 多ビームの半導体レーザを用いた電子写真装
置において、1個の光量検出器で、各レーザを制御した
時、ある特定のレーザのバイアス電流及び最大書込み電
流を制御する直前に、他のレーザがバイアス電流かそれ
と同等以上の電流で発光していると、特定のレーザの光
量を制御するときに、光量検出器の出力が他のレーザの
合成された光量から前記の特定のレーザの光量値に安定
するまでに時間がかかる、あるいは制御が不安定にな
る。 【解決手段】 ある特定のレーザダイオードの光量を制
御する際に、制御直前にすべてのレーザダイオードを極
力小さな光量に抑えるか、ある特定のレーザのみ発光
し、他のレーザは発光量を極力小さくする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザビームの走
査光と電子写真プロセスにより印字するレーザビームプ
リンタ等のレーザ光量制御に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のレーザビームプリンタは、半導体
レーザの露光をオンとオフの2値で行い感光ドラム上に
画像を静電潜像している。このとき、レーザのオン時の
光量は、光量検出器(ホトダイオード)より得られた信
号と静電潜像するために必要な基準信号で、1走査ごと
に比較しその結果をサンプリングしてコンデンサにチャ
ージし、そのチャージ量で半導体レーザに流す電流(最
大書込み電流)を制御したり、半導体レーザのオフは、
静電潜像しない露光量以下に半導体レーザの電流(バイ
アス電流)を、前記と同様に光量検出器よりバイアス電
流を制御したりしていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年プリンタ
の印刷速度の高速化が進み、半導体レーザの多ビーム化
が図られ、複数のラインで走査する方式が考えられてい
るが、この場合、1走査ごとに1個の光量検出器で、あ
る特定のレーザのバイアス電流あるいは最大書込み電流
を制御するが、この1走査時間中において、前記制御時
間及び印字時間以外では、すべてのレーザが、バイアス
電流近傍で発光している。しかし、ある特定のレーザの
バイアス電流を制御する時は、他のレーザの光量を下げ
るが、その直前までは、すべての半導体レーザの光量が
光量検出器において合成された大きな値となっており、
光量検出器回路が特定のレーザのバイアス電流の光量に
安定するまでに時間を要し、制御時間内に安定せず、レ
ーザの制御に影響を及ぼしてしまう問題があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】この問題を解決するため
の本発明のレーザ光量制御手段は、半導体レーザのバイ
アス電流を制御する直前にすべての半導体レーザの光量
を極力少ない値に抑えるか、光量を制御するある特定の
レーザのみ発光し、他のレーザは発光量を極力小さくす
る方法で、特定の半導体レーザの光量制御を安定に行な
うようにする。
【0005】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例について
図面を参照して説明する。
【0006】図6は、本発明に係る光走査装置が適用さ
れる例えばレーザビームプリンタの光学系を示すもので
ある。図にしめすように、半導体レーザ40はレーザダ
イオード2個とフォトダイオード1個で構成されてお
り、半導体レーザ40からは、2本のビームが出射され
る。半導体レーザ40より出射した2本のビームは、コ
リメータレンズ110を通り、ポリゴンミラー113に
達する。ポリゴンミラー113は、駆動モータ114に
よって、回転変動の少ない高速回転を行っている。ここ
で、ポリゴンミラー113と駆動モータ114で構成さ
れたスキャナモータ115は、半導体レーザ40からの
2本のビームを偏向し走査する。この偏向走査された2
本のビームは、非球面レンズ112を介して感光体11
1上に達し、主走査方向に走査する。この時2本のビー
ムが感光体上に斜めにある特定のピッチ(600DPI
の時は約40μm)で配置するように半導体レーザが固
定されている。
【0007】半導体レーザ40を印字データからオンオ
フ制御し、感光体111が副走査方向に回転することに
よって、図のように感光体上に静電潜像を形成する。
【0008】コリメータ110及び非球面レンズ112
は、感光体上のビームを一定に絞るため用いられてい
る。
【0009】ビーム検出器52は、感光体上の書き出し
位置を決定するため、ビーム走査上で感光体の走査線上
以外の位置に設けられている。このビーム検出器は、各
ビームの書き出し位置を決定しているため、高速応答が
高く要求されるので、高速型PINホトダイオードが用
いられている。
【0010】図3は、上記のように構成されたレーザビ
ームプリンタの制御部の一部を示すものである。51は
全体的な制御を司る主制御部としてのCPUであり、5
0は印字データ書込み制御回路であり、この印字データ
書込み制御回路50はイメージデータ書込み用の半導体
レーザ40の光変調を行なうレーザ変調回路47を駆動
制御して、ホストから転送してきたビデオイメージの印
字データを感光体111上の所定の位置に書き込むよう
に制御している。ビーム検出器52で得られた水平同期
信号は、印字データ書込み制御回路50に送出してい
る。53は、インターフェイス回路でありホストへのス
テータスデータの出力。ホストからのコマンドデータ及
び印字データの受け取り等の制御を行なう。
【0011】本発明に係る実施例であるレーザ変調回路
47とレーザ変調回路48を図1に示す。なお、図3の
レーザ変調回路47を2つ設けたものと考えればよい。
また、図1の一部詳細回路を図2に示す。半導体レーザ
40にはレーザダイオード10及び12から発せられた
レーザビーム光の光量を検知する光検出器としてフォト
ダイオード11が設けられ、フォトダイオード11から
の出力電流をオぺアンプ37にて電圧に変換している。
このフォトダイオード11の検知結果を用いて、レーザ
ダイオード10及び12の光量を一定に保つようにして
いる。ここで、2つのレーザダイオードの内、1つのレ
ーザダイオード10のレーザ変調回路47の動作につい
て説明する。また、もう一つのレーザダイオード12の
レーザ変調回路48も同様の動作をする。レーザダイオ
ード10の光量は、感光体に静電潜像しない最少光量設
定回路43と書込みするための最大光量設定回路44の
2つで制御されている。すなわち、最少光量設定回路4
3は、図2に示すように、オペアンプ37の出力電圧と
VR1で設定された基準電圧と比較した差分がオペアン
プ36より出力され、第1のバイアスサンプル信号がH
iとなった時、アナログスイッチ21が導通しコンデン
サC1に充電され、第1のバイアスサンプル信号がLow
となった時、アナログスイッチ21がオフしてコンデン
サC1に電圧は保持され、オペアンプ35を介して電圧
は出力される構成となっている。次に最大光量設定回路
44も上記同様に、オペアンプ37の出力電圧とVR2
で設定された基準電圧と比較した差分がオペアンプ38
より出力され、第1の書込みサンプル信号がHiとなっ
た時、アナログスイッチ22が導通しコンデンサC2に
充電され、第1の書込みサンプル信号がLowとなった
時、アナログスイッチ22がオフしてコンデンサC2に
電圧は保持され、オペアンプ39を介して電圧は出力さ
れる構成となっている。ここで、コンデンサC1、C2
に充電される電圧は、各VR1、2の電圧が高くなれ
ば、光検出器からの信号と比較した差分が大きくなり、
レーザダイオード10の光量が大きくなり、ある特定の
光量になると前記差分した電圧とバランスし、その光量
を一定に保持するように制御される。最少光量設定回路
43から出力された電圧は、オペアンプ34で反転さ
れ、D/A出力器41からの結果と加算されて加算出力
器42を介してレーザダイオード10を駆動する。次
に、最大光量設定回路44から出力される電圧は、D/
A出力器41内のラダー抵抗に流れる電流を制御する端
子に入力され、D/A出力器41の出力電圧を制御して
出力される。この時、最大光量設定時には書込みレベル
データ(D0〜D7)が16進でFFに設定されてい
る。
【0012】ここで、各レーザダイオード10、12の
最少光量を決定するにあたり、両方のレーザダイオード
が発光していては、光量を確定することが出来きないた
め、最少光量設定回路43の後に、それぞれのレーザダ
イオード10、12のバイアス電流をゼロとするよう
に、アナログスイッチ25、26、25A、26Aが設
けられている。例えば、レーザダイオード10の最少光
量つまりバイアス電流を確定する際には、レーザダイオ
ード10を駆動する変調回路47内のアナログスイッチ
25はオンし、アナログスイッチ26はオフし、最少光
量検出器43の信号は加算出力器42に入力され、レー
ザダイオード10の光量が確定するが、この時、レーザ
ダイオード12を駆動する変調回路48内では、アナロ
グスイッチ25Aはオフし、アナログスイッチ26Aは
オンしているため、オペアンプ34Aの出力はゼロレベ
ルとなり、加算出力器42にはD/A出力器41のレベ
ルのみが出力され、レーザダイオード12は発光しな
い。逆に、レーザダイオード12の光量を確定する際
は、レーザダイオード10を発光しないようにコントロ
ールされる。
【0013】次に、図1のタイミングチャートを図4
に、レーザの光出力と電流の関係を図5に示し、これを
用いて、以下、上記信号のタイミングと光出力の関係を
説明する。図4に示すように、ビーム検出器52から得
られたビーム検出信号は、2つのビームが走査している
為時間差をおいて2つのパルスが発生している。ここ
で、最初に第1のレーザダイオード10のバイアス及び
書込みレベルを決定するタイミングは、ビーム検出器5
2からのビーム検出信号を受ける前に、まず、第1のバ
イアスサンプリング信号がHとなった区間(数μ秒)
で、最少光量設定回路43で制御されたレーザの出力に
設定される。この時の書込みレベルデータ(D0〜D
7)は16進で00に設定されているので、D/A出力
器41からの出力は0となっている。ここで、図5に示
すようにバイアス電流I0が決定する。その後、書込み
サンプリング信号がHになり、更に書込みレベルデータ
(D0〜D7)は16進でFFに設定され、最大光量設
定回路44で制御されたレーザの出力に設定される。つ
まり、図5で示す最大書込み電流Im0が決定される。
その後、ビーム検出信号を得て、ある特定の時間を経て
印字データの信号として、書込みレベルデータ(D0〜
D7)が16進データで高速(数十n秒)に設定され
る。つまり、印字をしない場合は00、最大書込み時は
FF、その間は01〜FEで高速変調される。図5にお
いてはアナログ変調の区間で変調されることになる。し
たがって、最大光量設定回路44のコンデンサC2に関
係なくD/A出力器41を高速動作することによって高
速変調が可能となる。また、図5に示すように、温度が
0℃から50℃に変化した時、同じレーザ電流であると
バイアスでの光出力や書込みでの光出力が大きく低下し
てしまうが、本回路ではバイアスと書込みの光出力を一
定に保持するように制御してその間をD/A出力器41
で分割しているため光量は安定している。また、図では
示してないが、最少光量設定回路43と加算出力器42
の間にD/A出力器41と同様の機能を設けることのよ
って、光出力をゼロからバイアス間で高速に設定するこ
とも可能となり、光量を必要としない区間レーザダイオ
ードの電流を抑えレーザダイオードの長寿命化が可能と
なるし、書込み出力を256レベル(D/Aが8ビット
の場合)から、さらに細く分割制御することも可能とな
る。
【0014】ここで、最初に第1のレーザダイオード1
0のバイアス及び書込みレベルを決定するタイミングの
前に、第1及び第2のバイアスオフ信号がLowとな
り、加算出力器42の出力がD/A出力器41と同じレ
ベルとなり、レーザダイオード10、12の光量を極め
て低い値、つまり、光量検出器11のレベルが2つのレ
ーザダイオードのバイアス光量合成値からかなり低い値
となり、その後のバイアス電流を決定する際に光量検出
器11が応答よく安定に動作することが可能となる。第
1のバイアス電流を決定する際に第2のレーザダイオー
ド12においては、バイアス及び書込みのサンプリング
信号は出さず、バイアスオフ信号がLowとなって、第
1のサンプリング区間だけ、レーザダイオード12をオ
フしている。この時、第2の最少光量設定回路43と最
大光量設定回路44のデータは、前回のサンプリングデ
ータを保持している。
【0015】次の第2のレーザダイオード12のバイア
ス及び書込みレベルを決定するタイミングは、上記と同
様に、第1のレーザダイオード10においては、バイア
ス及び書込みのサンプリング信号は出さず、第1のバイ
アスオフ信号が、第2のサンプリング区間直前及びサン
プリング区間だけLowとなり、レーザダイオード10
をオフしている。この時、第1の最少光量設定回路43
と最大光量設定回路44のデータは、前回のサンプリン
グデータを保持している。第2のレーザダイオード12
においては、サンプリング区間直前のみ、第2のバイア
スオフ信号がLowとなり、レーザダイオードをオフし
ている。つまり、1走査おきに片方のレーザダイオード
の影響を受けることなく各レーザダイオード10、12
の光量が確定し、印字区間は常に安定な光出力を得るこ
とが可能となる。
【0016】ビームの数が3本、4本、5本と増えて
も、上記と同様に、特定のレーザダイオードの光量を確
定する際は、他のレーザダイオードを光量を減少させ、
1走査ごとに順次これを切替える事によって光量を一定
に保つ事ができる。
【0017】上記では、レーザダイオードの光量をサン
プリングする前に、すべてのレーザダイオードをオフし
ていたが、その必要はなく、光量を検出するレーザダイ
オード以外のレーザダイオードをオフするだけでも上記
と同様に応答性のよい安定した光量検出量を得ることが
できる。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば、多ビーム走査を行なう
ための複数レーザダイオードの光量を、1つの光量検出
器にて、安定した光量制御を得る事ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る回路図である。
【図2】 図1の一部詳細回路図である。
【図3】 レーザプリンタの制御回路の一部を示すブロ
ック図である。
【図4】 図1のタイミングチャート図である。
【図5】 レーザダイオードの光出力と電流の関係であ
る。
【図6】 レーザプリンタの2ビーム光学系の構成図を
しめす。
【符号の説明】
10,12:レーザダイオード、11:フォトダイオー
ド、40:半導体レーザ、41:D/A出力器、42:
加算出力器、43:最少光量設定器、44:最大光量設
定器、47,48:レーザ変調回路、25,26,25
A,26A:アナログスイッチ、52:ビーム検出器、
110:コリメータレンズ、112:非球面レンズ、1
13:ポリゴンミラー、111:感光体。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の半導体レーザより出射したビーム
    を走査し、該半導体レーザの光量を検出する光量検出手
    段を備えた光走査装置において、 光量検出手段が少なくとも半導体レーザの個数より少な
    い個数で構成され、光量検出手段からの信号により、複
    数の半導体レーザの光量を制御するレーザ光量制御が、
    特定の半導体レーザで光量制御が行われる直前に、すべ
    ての半導体レーザの光量を極めて少ない光量とすること
    を特徴としたレーザ光量制御方法。
  2. 【請求項2】 半導体レーザの光量を設定するに当た
    り、レーザ光量制御が、特定の半導体レーザで光量制御
    が行われる直前に、他の半導体レーザの光量を極めて少
    ない光量とすることを特徴としたレーザ光量制御方法。
JP11188314A 1999-07-02 1999-07-02 レーザ光量制御方法 Pending JP2001013429A (ja)

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