JP2001011629A - タングステン膜の成膜方法、半導体デバイス及び成膜装置 - Google Patents
タングステン膜の成膜方法、半導体デバイス及び成膜装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＷｘＮ膜上に高品質のＷニュークリエーショ
ン膜を形成し、ひいては高品質のＷ膜を形成するための
ＣＶＤ成膜方法を提供すること。 【解決手段】 本発明による成膜方法では、被処理基板
１４のＷｘＮ膜の表面にＳｉＨ４ガスをその供給源３２
から供給し、その後、Ｂ2Ｈ6ガスをその供給源３８から
所定時間、吹き付ける。そして、Ｗニュークリエーショ
ン膜をＣＶＤ法により形成することを特徴とする。この
ように、Ｗニュークリエーション膜の成膜前にＳｉＨ4
ガスとＢ2Ｈ6ガスを順次供給すると、ＷｘＮ膜上に良質
のＷニュークリエーション膜が形成される。
ン膜を形成し、ひいては高品質のＷ膜を形成するための
ＣＶＤ成膜方法を提供すること。 【解決手段】 本発明による成膜方法では、被処理基板
１４のＷｘＮ膜の表面にＳｉＨ４ガスをその供給源３２
から供給し、その後、Ｂ2Ｈ6ガスをその供給源３８から
所定時間、吹き付ける。そして、Ｗニュークリエーショ
ン膜をＣＶＤ法により形成することを特徴とする。この
ように、Ｗニュークリエーション膜の成膜前にＳｉＨ4
ガスとＢ2Ｈ6ガスを順次供給すると、ＷｘＮ膜上に良質
のＷニュークリエーション膜が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造等で用
いられるタングステン膜の成膜技術に関する。
いられるタングステン膜の成膜技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造においては、ステップカバレ
ッジに優れ、マイグレーション耐性に富み、且つ、エッ
チングも容易であることから、化学気相堆積（ＣＶＤ）
法によるタングステン膜（以下「Ｗ膜」という）の成膜
技術が広く採用されている。このＣＶＤ法により形成さ
れたＷ膜、特にブランケットＷ膜は、多層配線の層間接
続等に用いられる。
ッジに優れ、マイグレーション耐性に富み、且つ、エッ
チングも容易であることから、化学気相堆積（ＣＶＤ）
法によるタングステン膜（以下「Ｗ膜」という）の成膜
技術が広く採用されている。このＣＶＤ法により形成さ
れたＷ膜、特にブランケットＷ膜は、多層配線の層間接
続等に用いられる。
【０００３】一般に、ブランケットＷ膜をＣＶＤ法によ
り成膜する場合、予め下地（例えばＳｉ）の上にバリア
層を形成した後、ブランケットＷ膜を形成するための核
となるタングステンニュークリエーション膜（以下「Ｗ
ニュークリエーション膜」という）をＣＶＤ法で形成し
ている。
り成膜する場合、予め下地（例えばＳｉ）の上にバリア
層を形成した後、ブランケットＷ膜を形成するための核
となるタングステンニュークリエーション膜（以下「Ｗ
ニュークリエーション膜」という）をＣＶＤ法で形成し
ている。
【０００４】層間接続等のためのバリア層としては、従
来、ＴｉＮ膜が用いられているが、近年、ゲート配線と
してポリメタル構造が採用されつつあり、タングステン
ナイトライド膜（以下「ＷｘＮ膜」という）がバリア層
として考えられている。
来、ＴｉＮ膜が用いられているが、近年、ゲート配線と
してポリメタル構造が採用されつつあり、タングステン
ナイトライド膜（以下「ＷｘＮ膜」という）がバリア層
として考えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、バリア
層にＷｘＮ膜を用い、その上に従来方法でＷニュークリ
エーション膜及びブランケットＷ膜を形成すると、Ｗ膜
に鬆（ボイド）が入ったりＷ膜の表面が荒れたりする等
の欠陥が生ずる。
層にＷｘＮ膜を用い、その上に従来方法でＷニュークリ
エーション膜及びブランケットＷ膜を形成すると、Ｗ膜
に鬆（ボイド）が入ったりＷ膜の表面が荒れたりする等
の欠陥が生ずる。
【０００６】より詳細には、六フッ化タングステン（Ｗ
Ｆ6）ガスとモノシラン（ＳｉＨ4）ガスを主成分として
含む処理ガスを用いてＣＶＤ法によりＷニュークリエー
ション膜を形成するという従来方法では、ＷｘＮ膜上に
は極めて粗いＷニュークリエーション膜しか形成され
ず、その結果としてブランケットＷ膜も欠陥が生ずるこ
とになる（図４〜図６を参照）。
Ｆ6）ガスとモノシラン（ＳｉＨ4）ガスを主成分として
含む処理ガスを用いてＣＶＤ法によりＷニュークリエー
ション膜を形成するという従来方法では、ＷｘＮ膜上に
は極めて粗いＷニュークリエーション膜しか形成され
ず、その結果としてブランケットＷ膜も欠陥が生ずるこ
とになる（図４〜図６を参照）。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、ＷｘＮ膜上に良好なＷニュークリエー
ション膜を形成し、ひいては良好なＷ膜を形成するため
の成膜方法及び装置を提供することにある。
で、その目的は、ＷｘＮ膜上に良好なＷニュークリエー
ション膜を形成し、ひいては良好なＷ膜を形成するため
の成膜方法及び装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは、Ｗニュークリエーション膜の形成前
にジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガス又はＳｉＨ4ガスのいずれか
一方を単独で供給する成膜方法を提案している。この方
法によれば、ＷｘＮ膜上に形成されるＷニュークリエー
ション膜は良質なものとなる。
に、本発明者らは、Ｗニュークリエーション膜の形成前
にジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガス又はＳｉＨ4ガスのいずれか
一方を単独で供給する成膜方法を提案している。この方
法によれば、ＷｘＮ膜上に形成されるＷニュークリエー
ション膜は良質なものとなる。
【０００９】しかしがら、Ｂ2Ｈ6ガスを供給する方法で
は、良質のＷ膜を得るための供給流範囲が比較的狭く、
供給量制御が困難であるという問題がある。
は、良質のＷ膜を得るための供給流範囲が比較的狭く、
供給量制御が困難であるという問題がある。
【００１０】一方、ＳｉＨ4ガスを供給する方法では、
供給量制御は比較的容易であり、また、後プロセスで高
温を加えない限り、Ｗ膜の耐剥離性は高いという特性を
示すものの、高温アニール等の熱処理が加えられると、
Ｗ膜が簡単に剥離してしまうという問題がある。
供給量制御は比較的容易であり、また、後プロセスで高
温を加えない限り、Ｗ膜の耐剥離性は高いという特性を
示すものの、高温アニール等の熱処理が加えられると、
Ｗ膜が簡単に剥離してしまうという問題がある。
【００１１】そこで、上記問題点を解決すべく、本発明
者らは種々の検討を加え、本発明をなした。すなわち、
本発明による成膜方法は、ＷｘＮ膜が形成された被処理
基板を収容している処理チャンバ内を所定の真空度に
し、被処理基板のＷｘＮ膜の表面にＳｉＨ4ガスを所定
時間、吹き付ける第１ステップと、第１ステップの終了
後、処理チャンバ内を所定の真空度にし、被処理基板の
タングステンナイトライド膜の表面にＢ2Ｈ6ガスを所定
時間、吹き付ける第２ステップと、第２ステップの終了
後、処理チャンバ内を所定の真空度にし、ＷｘＮ膜の上
にＷニュークリエーション膜をＣＶＤ法により形成する
第３ステップと、第３ステップの終了後、処理チャンバ
内を所定の真空度にし、Ｗニュークリエーション膜を核
にしてＣＶＤ法によりＷ膜を形成する第４ステップとを
含むことを特徴としている。
者らは種々の検討を加え、本発明をなした。すなわち、
本発明による成膜方法は、ＷｘＮ膜が形成された被処理
基板を収容している処理チャンバ内を所定の真空度に
し、被処理基板のＷｘＮ膜の表面にＳｉＨ4ガスを所定
時間、吹き付ける第１ステップと、第１ステップの終了
後、処理チャンバ内を所定の真空度にし、被処理基板の
タングステンナイトライド膜の表面にＢ2Ｈ6ガスを所定
時間、吹き付ける第２ステップと、第２ステップの終了
後、処理チャンバ内を所定の真空度にし、ＷｘＮ膜の上
にＷニュークリエーション膜をＣＶＤ法により形成する
第３ステップと、第３ステップの終了後、処理チャンバ
内を所定の真空度にし、Ｗニュークリエーション膜を核
にしてＣＶＤ法によりＷ膜を形成する第４ステップとを
含むことを特徴としている。
【００１２】このように、ＳｉＨ4ガスを供給し、その
後更にＢ2Ｈ6ガスを供給した後にＷニュークリエーショ
ン膜を形成すると、形成される膜は極めて良質なものと
なる。この場合、Ｂ2Ｈ6ガスの供給量の制限は従来に比
して大幅に緩和される。また、後プロセスで高温アニー
ル処理を行っても、Ｗ膜の耐剥離性は高く維持される。
後更にＢ2Ｈ6ガスを供給した後にＷニュークリエーショ
ン膜を形成すると、形成される膜は極めて良質なものと
なる。この場合、Ｂ2Ｈ6ガスの供給量の制限は従来に比
して大幅に緩和される。また、後プロセスで高温アニー
ル処理を行っても、Ｗ膜の耐剥離性は高く維持される。
【００１３】更に、請求項４に係る発明は、上記成膜方
法を実施するのに適した成膜装置に関するものであり、
処理チャンバと、処理チャンバ内に配置され、被処理基
板を支持する基板支持体と、基板支持体により支持され
た被処理基板を加熱する加熱手段と、処理チャンバ内を
減圧する真空排気手段と、Ｗニュークリエーション膜を
形成すべくＷＦ6ガス、ＳｉＨ4ガス及びＢ2Ｈ6ガスを処
理チャンバ内に供給するガス供給手段と、加熱手段、真
空排気手段及びガス供給手段を制御する制御手段とを備
え、前記制御手段が、Ｗニュークリエーション膜の形成
を行う前に、ガス供給手段によりＳｉＨ4ガスのみを所
定時間、処理チャンバ内に供給し、次いで、ガス供給手
段によりＢ2Ｈ6ガスのみを所定時間、処理チャンバ内に
供給するよう構成されている成膜装置を特徴としてい
る。
法を実施するのに適した成膜装置に関するものであり、
処理チャンバと、処理チャンバ内に配置され、被処理基
板を支持する基板支持体と、基板支持体により支持され
た被処理基板を加熱する加熱手段と、処理チャンバ内を
減圧する真空排気手段と、Ｗニュークリエーション膜を
形成すべくＷＦ6ガス、ＳｉＨ4ガス及びＢ2Ｈ6ガスを処
理チャンバ内に供給するガス供給手段と、加熱手段、真
空排気手段及びガス供給手段を制御する制御手段とを備
え、前記制御手段が、Ｗニュークリエーション膜の形成
を行う前に、ガス供給手段によりＳｉＨ4ガスのみを所
定時間、処理チャンバ内に供給し、次いで、ガス供給手
段によりＢ2Ｈ6ガスのみを所定時間、処理チャンバ内に
供給するよう構成されている成膜装置を特徴としてい
る。
【００１４】また、ＷｘＮ膜は、ＷＦ6ガスを主成分と
した処理ガスを用いてＣＶＤ法により形成することがで
きるので、ＷｘＮ膜からＷ膜までの一連の成膜プロセス
を一の処理チャンバで行うことができる。
した処理ガスを用いてＣＶＤ法により形成することがで
きるので、ＷｘＮ膜からＷ膜までの一連の成膜プロセス
を一の処理チャンバで行うことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施形態について詳細に説明する。
適な実施形態について詳細に説明する。
【００１６】図１は、本発明によるＷ膜の成膜方法を実
施するために適した成膜装置を概略的に示したものであ
る。図示実施形態の成膜装置１０はＣＶＤ法による成膜
が可能な装置であり、内部が所望の真空度に減圧可能な
処理チャンバ１２を備えている。処理チャンバ１２内に
は、シリコンウェハ（被処理基板）１４を上面にて支持
するペデスタル（基板支持体）１６が設けられている。
このペデスタル１６には、シリコンウェハ１４を加熱す
るために、電気抵抗式ヒータ等の加熱手段１８が埋設さ
れている。この加熱装置１８は、システム全体を制御す
るマイクロコンピュータ等から成る制御手段２０によっ
て制御される。
施するために適した成膜装置を概略的に示したものであ
る。図示実施形態の成膜装置１０はＣＶＤ法による成膜
が可能な装置であり、内部が所望の真空度に減圧可能な
処理チャンバ１２を備えている。処理チャンバ１２内に
は、シリコンウェハ（被処理基板）１４を上面にて支持
するペデスタル（基板支持体）１６が設けられている。
このペデスタル１６には、シリコンウェハ１４を加熱す
るために、電気抵抗式ヒータ等の加熱手段１８が埋設さ
れている。この加熱装置１８は、システム全体を制御す
るマイクロコンピュータ等から成る制御手段２０によっ
て制御される。
【００１７】ペデスタル１６の上方には、ガス分配プレ
ート２２がペデスタル１６の上面に対して平行に配置さ
れている。ガス分配プレート２２は中空プレートであ
り、その下面には多数のガス出口２４が形成されてお
り、ガス分配プレート２２の内部空間には、配管２６を
介して処理チャンバ外部のガス混合室２８から所定の処
理ガスが供給されるようになっている。ガス混合室２８
では、成膜に必要なガスが均一に混合される。本実施形
態では、シリコンウェハ１４上にＷｘＮ膜、Ｗニューク
リエーション膜、ブランケットＷ膜の成膜を連続して行
うため、処理ガス供給手段として、ＷＦ6ガス供給源３
０、ＳｉＨ4ガス供給源３２、Ｎ2ガス供給源３４、Ｈ2
ガス供給源３６、Ｂ2Ｈ6ガス供給源３８がそれぞれ流量
調節バルブ４０，４２，４４，４６，４８を介してガス
混合室２８に接続されている。流量調節バルブ４０〜４
８は前記制御手段２０により遠隔的に制御され、これに
より各ガスの流量が調節されるので、処理ガスの混合割
合を所望の値に設定した上で処理チャンバ１２内に送り
込むことが可能である。
ート２２がペデスタル１６の上面に対して平行に配置さ
れている。ガス分配プレート２２は中空プレートであ
り、その下面には多数のガス出口２４が形成されてお
り、ガス分配プレート２２の内部空間には、配管２６を
介して処理チャンバ外部のガス混合室２８から所定の処
理ガスが供給されるようになっている。ガス混合室２８
では、成膜に必要なガスが均一に混合される。本実施形
態では、シリコンウェハ１４上にＷｘＮ膜、Ｗニューク
リエーション膜、ブランケットＷ膜の成膜を連続して行
うため、処理ガス供給手段として、ＷＦ6ガス供給源３
０、ＳｉＨ4ガス供給源３２、Ｎ2ガス供給源３４、Ｈ2
ガス供給源３６、Ｂ2Ｈ6ガス供給源３８がそれぞれ流量
調節バルブ４０，４２，４４，４６，４８を介してガス
混合室２８に接続されている。流量調節バルブ４０〜４
８は前記制御手段２０により遠隔的に制御され、これに
より各ガスの流量が調節されるので、処理ガスの混合割
合を所望の値に設定した上で処理チャンバ１２内に送り
込むことが可能である。
【００１８】ガス分配プレート２２は、アルミニウム等
の導電性材料から成り、例えば１３．５６ＭＨｚの高周
波電力を印加するために整合器４８及び高周波電源５０
を介して接地されている。また、ペデスタル１６もアル
ミニウム等の導電性材料から構成されており、同様に接
地されている。
の導電性材料から成り、例えば１３．５６ＭＨｚの高周
波電力を印加するために整合器４８及び高周波電源５０
を介して接地されている。また、ペデスタル１６もアル
ミニウム等の導電性材料から構成されており、同様に接
地されている。
【００１９】更に、処理チャンバ１２には真空排気手段
（図示しない）が接続されており、内部が所望の真空度
に減圧可能となっている。この真空排気手段も前記の制
御手段２０により制御される。
（図示しない）が接続されており、内部が所望の真空度
に減圧可能となっている。この真空排気手段も前記の制
御手段２０により制御される。
【００２０】このような構成の成膜装置１０を用いてブ
ランケットＷ膜をＷｘＮ膜上に形成する手順について、
次に説明する。
ランケットＷ膜をＷｘＮ膜上に形成する手順について、
次に説明する。
【００２１】まず、シリコンウェハ１４上にバリア層と
してＷｘＮ膜を形成する（シリコンウェハ１４の表面に
直接ＷｘＮ膜を形成する場合の他、シリコンウェハ１４
上に他の層が形成されており、その上にＷｘＮ膜を形成
する場合も含む）。ＷｘＮ膜の成膜方法としては種々あ
るが、本実施形態ではプラズマＣＶＤによっている。す
なわち、まずペデスタル１６内の加熱装置１８によりペ
デスタル１６の加熱を開始すると共に、シリコンウェハ
１４を適当な搬送ロボットを用いて処理チャンバ１２内
に搬入し、ペデスタル１６上に載置、支持する。次い
で、処理チャンバ１２内を所定の真空度、例えば約５Ｔ
ｏｒｒに減圧する。更に、処理ガスとして、ＷＦ6ガ
ス、Ｎ2ガス及びＨ2ガスをそれぞれＷＦ6ガス供給源３
０、Ｎ2ガス供給源３４及びＨ2ガス供給源３６から所定
流量でガス混合室２８に供給、混合してガス分配プレー
ト２２を経て、処理チャンバ１２内に導入する。そし
て、高周波電源５２をオンとすると、ガス分配プレート
２２のガス出口２４から噴出された処理ガスはガス分配
プレート２２とペデスタル１６との間でプラズマ化さ
れ、ＷＦ6、Ｎ2及びＨ2はイオン又はラジカルに電離さ
れた状態でペデスタル１６上のシリコンウェハ１４の表
面に達し、化学反応によりシリコンウェハ１４上にバリ
ア層としてのＷｘＮ膜を形成する。
してＷｘＮ膜を形成する（シリコンウェハ１４の表面に
直接ＷｘＮ膜を形成する場合の他、シリコンウェハ１４
上に他の層が形成されており、その上にＷｘＮ膜を形成
する場合も含む）。ＷｘＮ膜の成膜方法としては種々あ
るが、本実施形態ではプラズマＣＶＤによっている。す
なわち、まずペデスタル１６内の加熱装置１８によりペ
デスタル１６の加熱を開始すると共に、シリコンウェハ
１４を適当な搬送ロボットを用いて処理チャンバ１２内
に搬入し、ペデスタル１６上に載置、支持する。次い
で、処理チャンバ１２内を所定の真空度、例えば約５Ｔ
ｏｒｒに減圧する。更に、処理ガスとして、ＷＦ6ガ
ス、Ｎ2ガス及びＨ2ガスをそれぞれＷＦ6ガス供給源３
０、Ｎ2ガス供給源３４及びＨ2ガス供給源３６から所定
流量でガス混合室２８に供給、混合してガス分配プレー
ト２２を経て、処理チャンバ１２内に導入する。そし
て、高周波電源５２をオンとすると、ガス分配プレート
２２のガス出口２４から噴出された処理ガスはガス分配
プレート２２とペデスタル１６との間でプラズマ化さ
れ、ＷＦ6、Ｎ2及びＨ2はイオン又はラジカルに電離さ
れた状態でペデスタル１６上のシリコンウェハ１４の表
面に達し、化学反応によりシリコンウェハ１４上にバリ
ア層としてのＷｘＮ膜を形成する。
【００２２】なお、ＷｘＮ膜は物理気相堆積（ＰＶＤ）
法によっても成膜することは可能である。また、後プロ
セスでＷニュークリエーション膜及びブランケットＷ膜
が形成される本実施形態では、処理ガス中のＷＦ6が各
プロセスで共通であるため、同一の処理チャンバ１２で
ＷｘＮ膜の形成を行うことができる。従って、処理チャ
ンバ間でシリコンウェハを移動する必要がなく、コンタ
ミネーションが減じられ、処理効率が高くなる等の利点
がある。
法によっても成膜することは可能である。また、後プロ
セスでＷニュークリエーション膜及びブランケットＷ膜
が形成される本実施形態では、処理ガス中のＷＦ6が各
プロセスで共通であるため、同一の処理チャンバ１２で
ＷｘＮ膜の形成を行うことができる。従って、処理チャ
ンバ間でシリコンウェハを移動する必要がなく、コンタ
ミネーションが減じられ、処理効率が高くなる等の利点
がある。
【００２３】ＷｘＮ膜が形成されたならば、高周波電源
５２をオフにすると共に、処理チャンバ１２の内部のガ
スを排気する。この後、従来であれば、Ｗニュークリエ
ーション膜の成膜プロセスを開始することとなろうが、
本発明によれば、ニュークリエーション膜成膜プロセス
に先だってＳｉＨ4ガスとＢ2Ｈ6ガスをそれぞれ単独で
ＷｘＮ膜の表面全域に吹き付けることとしている。
５２をオフにすると共に、処理チャンバ１２の内部のガ
スを排気する。この後、従来であれば、Ｗニュークリエ
ーション膜の成膜プロセスを開始することとなろうが、
本発明によれば、ニュークリエーション膜成膜プロセス
に先だってＳｉＨ4ガスとＢ2Ｈ6ガスをそれぞれ単独で
ＷｘＮ膜の表面全域に吹き付けることとしている。
【００２４】最初にＳｉＨ4ガスを吹き付けるのである
が、このＳｉＨ4ガス吹付けプロセスでは、処理チャン
バ１２の内部圧力を例えば３０〜９０Ｔｏｒｒ程度に維
持し、ＳｉＨ4ガスのみをその供給源３２から適当な流
量及び時間（例えば３０〜６０秒間）で供給する。Ｓｉ
Ｈ4ガスはガス分配プレート２２のガス出口２４からシ
リコンウェハ１４上のＷｘＮ膜の表面全域に吹き付けら
れる。シリコンウェハ１４は、ペデスタル１６内の加熱
手段１８により加熱されており、ＷｘＮ膜の表面に対し
てＳｉＨ4が何らかの作用を及ぼす。おそらくは、原
子、数個〜数十個分程度の極めて薄いアモルファスシリ
コン層が形成されるものと考えられる。
が、このＳｉＨ4ガス吹付けプロセスでは、処理チャン
バ１２の内部圧力を例えば３０〜９０Ｔｏｒｒ程度に維
持し、ＳｉＨ4ガスのみをその供給源３２から適当な流
量及び時間（例えば３０〜６０秒間）で供給する。Ｓｉ
Ｈ4ガスはガス分配プレート２２のガス出口２４からシ
リコンウェハ１４上のＷｘＮ膜の表面全域に吹き付けら
れる。シリコンウェハ１４は、ペデスタル１６内の加熱
手段１８により加熱されており、ＷｘＮ膜の表面に対し
てＳｉＨ4が何らかの作用を及ぼす。おそらくは、原
子、数個〜数十個分程度の極めて薄いアモルファスシリ
コン層が形成されるものと考えられる。
【００２５】この後、供給ガスをＢ2Ｈ6ガスに切り換え
るべく、バルブ４２を閉じると共に、バルブ４８を開放
してＢ2Ｈ6ガスをその供給源３８から適当な流量及び時
間で供給する。これにより、極薄のアモルファスシリコ
ン層の上に、極薄のボロン層が更に形成されるか、或い
は、アモルファスシリコン層にボロンが拡散した層が形
成されると考えられる。
るべく、バルブ４２を閉じると共に、バルブ４８を開放
してＢ2Ｈ6ガスをその供給源３８から適当な流量及び時
間で供給する。これにより、極薄のアモルファスシリコ
ン層の上に、極薄のボロン層が更に形成されるか、或い
は、アモルファスシリコン層にボロンが拡散した層が形
成されると考えられる。
【００２６】次いで、処理チャンバ１２内の圧力を４〜
３０Ｔｏｒｒ程度に減じ、従来と同様に、ＷＦ6ガス、
ＳｉＨ4ガス、Ｈ2ガス及びＢ2Ｈ6ガスそれぞれＷＦ6ガ
ス供給源３０、ＳｉＨ4ガス供給源３２、Ｈ2ガス供給源
３６及びＢ2Ｈ6ガス供給源３８からガス混合室２８に供
給し、均一に混合した後、ガス分配プレート２２を経て
処理チャンバ１２内に導入する。これにより、ＷｘＮ膜
の上にＷニュークリエーション膜が熱ＣＶＤにより形成
される。このＷニュークリエーション膜は、ＷｘＮ膜の
表面全域にわたり均質に且つ良質に形成される。これ
は、アモルファスシリコン／ボロン層がＷｘＮとＷとの
間の結合性を改善するからと推定される。特にボロンは
Ｗニュークリエーション膜の均質さを向上させる効果が
あると考えられる。この点が、Ｂ2Ｈ6ガスをＳｉＨ4ガ
スの後に吹き付けるという順序を採用した理由となって
いる。
３０Ｔｏｒｒ程度に減じ、従来と同様に、ＷＦ6ガス、
ＳｉＨ4ガス、Ｈ2ガス及びＢ2Ｈ6ガスそれぞれＷＦ6ガ
ス供給源３０、ＳｉＨ4ガス供給源３２、Ｈ2ガス供給源
３６及びＢ2Ｈ6ガス供給源３８からガス混合室２８に供
給し、均一に混合した後、ガス分配プレート２２を経て
処理チャンバ１２内に導入する。これにより、ＷｘＮ膜
の上にＷニュークリエーション膜が熱ＣＶＤにより形成
される。このＷニュークリエーション膜は、ＷｘＮ膜の
表面全域にわたり均質に且つ良質に形成される。これ
は、アモルファスシリコン／ボロン層がＷｘＮとＷとの
間の結合性を改善するからと推定される。特にボロンは
Ｗニュークリエーション膜の均質さを向上させる効果が
あると考えられる。この点が、Ｂ2Ｈ6ガスをＳｉＨ4ガ
スの後に吹き付けるという順序を採用した理由となって
いる。
【００２７】なお、ここでＢ2Ｈ6ガスを添加するのはＷ
膜の低抵抗化を図るためであり、必須のガスではないこ
とに注意されたい。
膜の低抵抗化を図るためであり、必須のガスではないこ
とに注意されたい。
【００２８】Ｗニュークリエーション膜の形成後、ＷＦ
6ガス及びＨ2ガスをそれぞれＷＦ6ガス供給源３０及び
Ｈ2ガス供給源３６からガス混合室２８に供給し、混合
した後、ガス分配プレート２２を経て処理チャンバ１２
内に導入する。これにより、Ｗニュークリエーション膜
を核としてブランケットＷ膜が熱ＣＶＤにより形成され
る。前述したように、ＷｘＮ膜上のＷニュークリエーシ
ョン膜はＷ膜形成の核として良質なものであるため、形
成されるブランケットＷ膜も均質で稠密なものとなる。
また、Ｗニュークリエーション膜の表面は平坦であり、
ブランケットＷ膜の成長速度が全面にわたりほぼ均一と
なるので、ブランケットＷ膜の表面も平坦性に優れたも
のとなる。
6ガス及びＨ2ガスをそれぞれＷＦ6ガス供給源３０及び
Ｈ2ガス供給源３６からガス混合室２８に供給し、混合
した後、ガス分配プレート２２を経て処理チャンバ１２
内に導入する。これにより、Ｗニュークリエーション膜
を核としてブランケットＷ膜が熱ＣＶＤにより形成され
る。前述したように、ＷｘＮ膜上のＷニュークリエーシ
ョン膜はＷ膜形成の核として良質なものであるため、形
成されるブランケットＷ膜も均質で稠密なものとなる。
また、Ｗニュークリエーション膜の表面は平坦であり、
ブランケットＷ膜の成長速度が全面にわたりほぼ均一と
なるので、ブランケットＷ膜の表面も平坦性に優れたも
のとなる。
【００２９】以上のプロセスは、各流量調節バルブ（ガ
ス供給手段）４０〜４８、加熱手段１８及び真空排気手
段等に接続されたシステム全体を制御する制御手段２０
により、自動的に実行される。
ス供給手段）４０〜４８、加熱手段１８及び真空排気手
段等に接続されたシステム全体を制御する制御手段２０
により、自動的に実行される。
【００３０】上記方法に従ってＷｘＮ膜上に形成された
Ｗ膜は耐剥離性に優れたものとなる。すなわち、後プロ
セスに高温による熱処理があるか否かに拘わらず、Ｗｘ
Ｎ膜とＷニュークリエーション膜との間の結合性が向上
される。
Ｗ膜は耐剥離性に優れたものとなる。すなわち、後プロ
セスに高温による熱処理があるか否かに拘わらず、Ｗｘ
Ｎ膜とＷニュークリエーション膜との間の結合性が向上
される。
【００３１】なお、上記実施形態では、ＷｘＮ膜の形成
からブランケットＷ膜の形成まで一つの処理チャンバ１
２内で連続的に行うことととしているが、各プロセスは
別個の処理チャンバで行うことも可能である。
からブランケットＷ膜の形成まで一つの処理チャンバ１
２内で連続的に行うことととしているが、各プロセスは
別個の処理チャンバで行うことも可能である。
【００３２】
【実施例】次に、上記方法に従って実際にシリコンウェ
ハ上にＷｘＮ膜とＷニュークリエーション膜を成膜した
結果について述べる。
ハ上にＷｘＮ膜とＷニュークリエーション膜を成膜した
結果について述べる。
【００３３】以下で述べる実施例及び比較例では、アプ
ライド・マテリアルズ・インコーポレイテッドにより
「Ｃｅｎｔｕｒａ（登録商標）」という名で製造、販売
されている枚葉式マルチチャンバCVD装置を用いた。
ライド・マテリアルズ・インコーポレイテッドにより
「Ｃｅｎｔｕｒａ（登録商標）」という名で製造、販売
されている枚葉式マルチチャンバCVD装置を用いた。
【００３４】実施例においては、ＳｉＨ4ガス吹付けプ
ロセス、Ｂ2Ｈ6ガス吹付けプロセス及びＷニュークリエ
ーションの成膜プロセスにおける条件を種々変え、Ｗニ
ュークリエーション膜の表面状態、鬆（ボイド）の有無
及び剥離試験用粘着を用いての剥離の難易度を調べた。
この剥離試験は、Ｗニュークリエーション膜の形成後、
更にブランケットＷ膜を形成し、その後、８５０℃のＮ
2ガス雰囲気で高温アニール処理を施した試験片に対し
て剥離試験用粘着テープを膜表面に貼着し、それを剥が
した時にテープにＷ膜がどの程度付着したかを調べるも
のである。
ロセス、Ｂ2Ｈ6ガス吹付けプロセス及びＷニュークリエ
ーションの成膜プロセスにおける条件を種々変え、Ｗニ
ュークリエーション膜の表面状態、鬆（ボイド）の有無
及び剥離試験用粘着を用いての剥離の難易度を調べた。
この剥離試験は、Ｗニュークリエーション膜の形成後、
更にブランケットＷ膜を形成し、その後、８５０℃のＮ
2ガス雰囲気で高温アニール処理を施した試験片に対し
て剥離試験用粘着テープを膜表面に貼着し、それを剥が
した時にテープにＷ膜がどの程度付着したかを調べるも
のである。
【００３５】各プロセスの詳細は次の通りである。
【００３６】ＷｘＮ膜の成膜プロセスでは、処理チャン
バ内の圧力を５Ｔｏｒｒ、ペデスタルの温度を４７５
℃、ＷＦ6ガスの流量を６ｓｃｃｍ、Ｎ2ガスの流量を５
００ｓｃｃｍ、Ｈ2ガスの流量を５００ｓｃｃｍとし、
１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、２０秒間、処
理を行い、シリコンウェハ上に厚さ２００オングストロ
ームのＷｘＮ膜を形成した。
バ内の圧力を５Ｔｏｒｒ、ペデスタルの温度を４７５
℃、ＷＦ6ガスの流量を６ｓｃｃｍ、Ｎ2ガスの流量を５
００ｓｃｃｍ、Ｈ2ガスの流量を５００ｓｃｃｍとし、
１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、２０秒間、処
理を行い、シリコンウェハ上に厚さ２００オングストロ
ームのＷｘＮ膜を形成した。
【００３７】ＳｉＨ4ガス吹付けプロセスでは、処理チ
ャンバ内の圧力を３０Ｔｏｒｒ、ペデスタルの温度を４
７５℃、ＳｉＨ4ガスの流量を３０ｓｃｃｍとし、３０
秒間、処理を行うものと、処理チャンバ内の圧力を９０
Ｔｏｒｒ、ペデスタルの温度を４７５℃、ＳｉＨ4ガス
の流量を３０ｓｃｃｍとし、６０秒間、処理を行うもの
の２通りとした。
ャンバ内の圧力を３０Ｔｏｒｒ、ペデスタルの温度を４
７５℃、ＳｉＨ4ガスの流量を３０ｓｃｃｍとし、３０
秒間、処理を行うものと、処理チャンバ内の圧力を９０
Ｔｏｒｒ、ペデスタルの温度を４７５℃、ＳｉＨ4ガス
の流量を３０ｓｃｃｍとし、６０秒間、処理を行うもの
の２通りとした。
【００３８】Ｂ2Ｈ6ガス吹付けプロセスでは、処理チャ
ンバ内の圧力を４．５Ｔｏｒｒ、ペデスタルの温度を４
７５℃、処理時間を３０秒間とし、Ｂ2Ｈ6ガスの流量を
１．５ｓｃｃｍ、２．５ｓｃｃｍ、５ｓｃｃｍ、１０ｓ
ｃｃｍ、１９ｓｃｃｍと変化させた。
ンバ内の圧力を４．５Ｔｏｒｒ、ペデスタルの温度を４
７５℃、処理時間を３０秒間とし、Ｂ2Ｈ6ガスの流量を
１．５ｓｃｃｍ、２．５ｓｃｃｍ、５ｓｃｃｍ、１０ｓ
ｃｃｍ、１９ｓｃｃｍと変化させた。
【００３９】Ｗニュークリエーション膜の成膜プロセス
では、処理チャンバ内の圧力を４．５Ｔｏｒｒ、ペデス
タルの温度を４７５℃、ＷＦ6ガスの流量を２０ｓｃｃ
ｍ、ＳｉＨ4ガスの流量を１０ｓｃｃｍ、Ｈ2ガスの流量
を１０００ｓｃｃｍ、処理時間を１０秒間とし、Ｂ2Ｈ6
ガスの供給流量を０．７５ｓｃｃｍ、１．５ｓｃｃｍ、
２．５ｓｃｃｍ、４ｓｃｃｍの４通りとした。形成され
るＷニュークリエーション膜の厚さは３００オングスト
ロームとした。
では、処理チャンバ内の圧力を４．５Ｔｏｒｒ、ペデス
タルの温度を４７５℃、ＷＦ6ガスの流量を２０ｓｃｃ
ｍ、ＳｉＨ4ガスの流量を１０ｓｃｃｍ、Ｈ2ガスの流量
を１０００ｓｃｃｍ、処理時間を１０秒間とし、Ｂ2Ｈ6
ガスの供給流量を０．７５ｓｃｃｍ、１．５ｓｃｃｍ、
２．５ｓｃｃｍ、４ｓｃｃｍの４通りとした。形成され
るＷニュークリエーション膜の厚さは３００オングスト
ロームとした。
【００４０】なお、剥離試験のために形成したブランケ
ットＷ膜の厚さは７００オングストロームである。ま
た、各プロセスにおいてＡｒガスをキャリアガスとして
適量流した。
ットＷ膜の厚さは７００オングストロームである。ま
た、各プロセスにおいてＡｒガスをキャリアガスとして
適量流した。
【００４１】上記条件を適宜組み合わせて行った実験結
果は、次の表１の通りである。
果は、次の表１の通りである。
【００４２】
【表１】
【００４３】この表から理解されるように、Ｂ2Ｈ6ガス
吹付けプロセスでの流量を１９ｓｃｃｍとした場合に、
Ｗ膜が剥離し易いという結果がでた。これは、ボロン層
が厚くなり、機械的に脆くなったからと考えられる。
吹付けプロセスでの流量を１９ｓｃｃｍとした場合に、
Ｗ膜が剥離し易いという結果がでた。これは、ボロン層
が厚くなり、機械的に脆くなったからと考えられる。
【００４４】また、上記表から、全ての結果において、
膜質が非常に良好であることが分かる。例えば、表１の
☆印を付した条件下で得られたＷニュークリエーション
膜は、ＳＥＭ顕微鏡写真である図２に示すように、非常
に平滑な表面を有するが、他の条件下でも同等の結果が
得られている。この結果から、Ｂ2Ｈ6ガス吹付けプロセ
スでの許容流量は、膜質という観点からは、少なくとも
１．５ｓｃｃｍから１９ｓｃｃｍまでの広範囲にわたっ
ていることが理解されよう。
膜質が非常に良好であることが分かる。例えば、表１の
☆印を付した条件下で得られたＷニュークリエーション
膜は、ＳＥＭ顕微鏡写真である図２に示すように、非常
に平滑な表面を有するが、他の条件下でも同等の結果が
得られている。この結果から、Ｂ2Ｈ6ガス吹付けプロセ
スでの許容流量は、膜質という観点からは、少なくとも
１．５ｓｃｃｍから１９ｓｃｃｍまでの広範囲にわたっ
ていることが理解されよう。
【００４５】次の表２は、ＳｉＨ4ガス吹付けプロセス
を省略した点を除き、上記実施例とほぼ同様な条件下で
行った第１比較例の結果を示すものである。この第２比
較例では、Ｗニュークリエーション膜の表面状態と剥離
の難易度のみを見た。
を省略した点を除き、上記実施例とほぼ同様な条件下で
行った第１比較例の結果を示すものである。この第２比
較例では、Ｗニュークリエーション膜の表面状態と剥離
の難易度のみを見た。
【００４６】
【表２】
【００４７】この表２から、質の良いＷニュークリエー
ション膜が得られるのは、Ｂ2Ｈ6ガス吹付けプロセスで
の流量が１０〜１９ｓｃｃｍの範囲内に限られ、流量制
御が困難とであることが分かる。なお、図３は、表２の
☆印を付した条件下で得られたＷニュークリエーション
膜の状態を示すＳＥＭ顕微鏡写真であるが、この図から
Ｗニュークリエーション膜が如何に荒れているかが分か
るであろう。また、Ｂ 2Ｈ6ガスの流量が１９ｓｃｃｍで
あるとき、上記実施例と同様にＷ膜が剥離しやすいとい
う結果が得られた。
ション膜が得られるのは、Ｂ2Ｈ6ガス吹付けプロセスで
の流量が１０〜１９ｓｃｃｍの範囲内に限られ、流量制
御が困難とであることが分かる。なお、図３は、表２の
☆印を付した条件下で得られたＷニュークリエーション
膜の状態を示すＳＥＭ顕微鏡写真であるが、この図から
Ｗニュークリエーション膜が如何に荒れているかが分か
るであろう。また、Ｂ 2Ｈ6ガスの流量が１９ｓｃｃｍで
あるとき、上記実施例と同様にＷ膜が剥離しやすいとい
う結果が得られた。
【００４８】図４及び図５は、従来方法でＷニュークリ
エーション膜を形成した第１比較例を示すＳＥＭ顕微鏡
写真である。この第２比較例でのＷｘＮ膜の成膜プロセ
スは、上記実施例のものと同じ条件とした。また、Ｓｉ
Ｈ4ガス吹付けプロセス及びＢ2Ｈ6ガス吹付けプロセス
は行わず、Ｗニュークリエーション膜の成膜プロセスで
は、処理チャンバ内の圧力を３０Ｔｏｒｒ、ペデスタル
の温度を４７５℃、ＷＦ6ガスの流量を３０ｓｃｃｍ、
ＳｉＨ4ガスの流量を１５ｓｃｃｍ、Ｈ2ガスの流量を１
０００ｓｃｃｍとし、１０秒間、処理を行った。
エーション膜を形成した第１比較例を示すＳＥＭ顕微鏡
写真である。この第２比較例でのＷｘＮ膜の成膜プロセ
スは、上記実施例のものと同じ条件とした。また、Ｓｉ
Ｈ4ガス吹付けプロセス及びＢ2Ｈ6ガス吹付けプロセス
は行わず、Ｗニュークリエーション膜の成膜プロセスで
は、処理チャンバ内の圧力を３０Ｔｏｒｒ、ペデスタル
の温度を４７５℃、ＷＦ6ガスの流量を３０ｓｃｃｍ、
ＳｉＨ4ガスの流量を１５ｓｃｃｍ、Ｈ2ガスの流量を１
０００ｓｃｃｍとし、１０秒間、処理を行った。
【００４９】この第２比較例による方法では、図４及び
図５から理解されるように、Ｗニュークリエーション膜
は形成されるものの、ウェハ外周部分におけるＷニュー
クリエーション膜の表面は荒れたものとなる。
図５から理解されるように、Ｗニュークリエーション膜
は形成されるものの、ウェハ外周部分におけるＷニュー
クリエーション膜の表面は荒れたものとなる。
【００５０】また、図６は第３比較例によるＷニューク
リエーション膜の状態を示している。この第３比較例
は、Ｗニュークリエーション膜成膜プロセスでの処理チ
ャンバの内部圧力を４．５Ｔｏｒｒとした点を除き、第
１比較例と同条件とした。
リエーション膜の状態を示している。この第３比較例
は、Ｗニュークリエーション膜成膜プロセスでの処理チ
ャンバの内部圧力を４．５Ｔｏｒｒとした点を除き、第
１比較例と同条件とした。
【００５１】図６から明らかなように、第２比較例の方
法では、Ｗニュークリエーション膜は形成されず、Ｗｘ
Ｎ膜上にはＷの塊状物が形成されるだけである。
法では、Ｗニュークリエーション膜は形成されず、Ｗｘ
Ｎ膜上にはＷの塊状物が形成されるだけである。
【００５２】更に、Ｂ2Ｈ6ガス吹付けプロセスは省略す
るが、ＳｉＨ4ガスを単独でＷニュークリエーション膜
の成膜前にＷｘＮ膜上に吹き付けるという第４比較例を
行った。
るが、ＳｉＨ4ガスを単独でＷニュークリエーション膜
の成膜前にＷｘＮ膜上に吹き付けるという第４比較例を
行った。
【００５３】この第４比較例の方法でのＷｘＮ膜成膜プ
ロセスは上記実施例と同じ条件とした。また、ＳｉＨ4
ガス吹付けプロセスでは、処理チャンバ内の圧力を９０
Ｔｏｒｒ、ペデスタルの温度を４７５℃、ＳＩＨ4ガス
の流量を３０ｓｃｃｍとし、３０秒間、処理を行った。
Ｗニュークリエーション膜の成膜プロセスは、第２比較
例と同じである。
ロセスは上記実施例と同じ条件とした。また、ＳｉＨ4
ガス吹付けプロセスでは、処理チャンバ内の圧力を９０
Ｔｏｒｒ、ペデスタルの温度を４７５℃、ＳＩＨ4ガス
の流量を３０ｓｃｃｍとし、３０秒間、処理を行った。
Ｗニュークリエーション膜の成膜プロセスは、第２比較
例と同じである。
【００５４】第４比較例の方法によっても、外観は図２
に示すものと同等の優れたＷニュークリエーション膜が
得られた。しかしながら、上記と同方法で剥離試験を行
った場合、極めて容易にＷ膜が剥離するという結果とな
った。
に示すものと同等の優れたＷニュークリエーション膜が
得られた。しかしながら、上記と同方法で剥離試験を行
った場合、極めて容易にＷ膜が剥離するという結果とな
った。
【００５５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、Ｗ
ｘＮのバリア層の上に良質のＷニュークリエーション膜
を形成することが可能となる。この際、処理ガスの供給
量制御が容易となるという効果もある。また、後プロセ
スにおいて熱を加えても、形成された膜は剥離しにくい
という効果を得る。
ｘＮのバリア層の上に良質のＷニュークリエーション膜
を形成することが可能となる。この際、処理ガスの供給
量制御が容易となるという効果もある。また、後プロセ
スにおいて熱を加えても、形成された膜は剥離しにくい
という効果を得る。
【００５６】従って、本発明により形成されたＷニュー
クリエーション膜を成長の核としたブランケットＷ膜も
良質なものとなり、本発明による成膜方法を経て形成さ
れる半導体デバイスも優れたものとなる。
クリエーション膜を成長の核としたブランケットＷ膜も
良質なものとなり、本発明による成膜方法を経て形成さ
れる半導体デバイスも優れたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による成膜方法を実施できるＣＶＤ装置
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図２】本発明による実施例の方法に従って形成された
Ｗニュークリエーション膜の表面状態を示すＳＥＭ顕微
鏡写真である。
Ｗニュークリエーション膜の表面状態を示すＳＥＭ顕微
鏡写真である。
【図３】本発明の第１比較例の方法に従って形成された
Ｗニュークリエーション膜の表面状態を示すＳＥＭ顕微
鏡写真である。
Ｗニュークリエーション膜の表面状態を示すＳＥＭ顕微
鏡写真である。
【図４】本発明の第２比較例の方法に従って形成された
ウェハ中央部分におけるＷニュークリエーション膜の表
面状態を示すＳＥＭ顕微鏡写真である。
ウェハ中央部分におけるＷニュークリエーション膜の表
面状態を示すＳＥＭ顕微鏡写真である。
【図５】本発明の第２比較例の方法に従って形成された
ウェハ外周部分におけるＷニュークリエーション膜の表
面状態を示すＳＥＭ顕微鏡写真である。
ウェハ外周部分におけるＷニュークリエーション膜の表
面状態を示すＳＥＭ顕微鏡写真である。
【図６】本発明の第３比較例の方法に従って形成された
Ｗニュークリエーション膜の表面状態を示すＳＥＭ顕微
鏡写真である。
Ｗニュークリエーション膜の表面状態を示すＳＥＭ顕微
鏡写真である。
１０…成膜装置、１２…処理チャンバ、１４…シリコン
ウェハ（被処理基板）、１６…ペデスタル（基板支持
体）、１８…加熱手段、２０…制御手段、２２…ガス分
配プレート、２８…ガス混合室、３０…ＷＦ6ガス供給
源、３２…ＳｉＨ4ガス供給源、３４…Ｎ2ガス供給源、
３６…Ｈ2ガス供給源、３８…Ｂ2Ｈ6ガス供給源，４
０，４２，４４，４６，４８…流量調節バルブ、５０…
整合器、５２…高周波電源。
ウェハ（被処理基板）、１６…ペデスタル（基板支持
体）、１８…加熱手段、２０…制御手段、２２…ガス分
配プレート、２８…ガス混合室、３０…ＷＦ6ガス供給
源、３２…ＳｉＨ4ガス供給源、３４…Ｎ2ガス供給源、
３６…Ｈ2ガス供給源、３８…Ｂ2Ｈ6ガス供給源，４
０，４２，４４，４６，４８…流量調節バルブ、５０…
整合器、５２…高周波電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北崎 正樹 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 仁科 和宏 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 AA01 AA06 AA07 BA20 BA38 BB12 CA04 CA05 EA01 EA11 GA01 KA24 KA41 LA11 4M104 AA01 BB18 BB33 CC01 DD22 DD44 DD45 DD86 FF16 FF18 HH08
Claims (5)
- 【請求項１】 タングステンナイトライド膜が形成され
た被処理基板を収容している処理チャンバ内を所定の真
空度にし、前記被処理基板の前記タングステンナイトラ
イド膜の表面にモノシランガスを所定時間、吹き付ける
第１ステップと、 前記第１ステップの終了後、前記処理チャンバ内を所定
の真空度にし、前記被処理基板の前記タングステンナイ
トライド膜の表面にジボランガスを所定時間、吹き付け
る第２ステップと、 前記第２ステップの終了後、前記処理チャンバ内を所定
の真空度にし、前記タングステンナイトライド膜の上に
タングステンニュークリエーション膜を化学気相堆積法
により形成する第３ステップと、 前記第３ステップの終了後、前記処理チャンバ内を所定
の真空度にし、前記タングステンニュークリエーション
膜を核にして化学気相堆積法によりタングステン膜を形
成する第４ステップとを含むタングステン膜の成膜方
法。 - 【請求項２】 前記タングステンナイトライド膜は前記
処理チャンバ内で化学気相堆積法により形成されたもの
である請求項１に記載のタングステン膜の成膜方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載のタングステン膜
の成膜方法を用いて製造された半導体デバイス。 - 【請求項４】 被処理基板上に形成されたタングステン
ナイトライド膜上にタングステンニュークリエーション
膜を化学気相堆積法により形成する成膜装置であって、 処理チャンバと、 前記処理チャンバ内に配置され、被処理基板を支持する
基板支持体と、 前記基板支持体により支持された被処理基板を加熱する
加熱手段と、 前記処理チャンバ内を減圧する真空排気手段と、 タングステンニュークリエーション膜を形成すべく六フ
ッ化タングステンガス、モノシランガス及びジボランガ
スを前記処理チャンバ内に供給するガス供給手段と、 前記加熱手段、前記真空排気手段及び前記ガス供給手段
を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段が、タン
グステンニュークリエーション膜の形成を行う前に、前
記ガス供給手段によりモノシランガスのみを所定時間、
前記処理チャンバ内に供給し、次いで、前記ガス供給手
段によりジボランガスのみを所定時間、前記処理チャン
バ内に供給するよう構成されている成膜装置。 - 【請求項５】 前記ガス供給手段は窒素ガス及び水素ガ
スの供給が可能であり、前記処理チャンバ内の前記基板
支持体により支持された被処理基板上にタングステンナ
イトライド膜を化学気相堆積法により形成することがで
きるようになっている請求項４に記載の成膜装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/328,240 US6064847A (en) | 1999-06-21 | 1999-06-08 | Developing device |
| JP11174260A JP2001011629A (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | タングステン膜の成膜方法、半導体デバイス及び成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11174260A JP2001011629A (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | タングステン膜の成膜方法、半導体デバイス及び成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001011629A true JP2001011629A (ja) | 2001-01-16 |
Family
ID=15975535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11174260A Withdrawn JP2001011629A (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | タングステン膜の成膜方法、半導体デバイス及び成膜装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6064847A (ja) |
| JP (1) | JP2001011629A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN100430838C (zh) * | 2004-09-30 | 2008-11-05 | 兄弟工业株式会社 | 图像形成装置 |
| US20070237925A1 (en) * | 2006-04-07 | 2007-10-11 | Castle Scott R | Radiation cured coatings |
| WO2008069224A1 (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-12 | Nec Corporation | 情報秘匿装置、方法およびプログラム |
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| JP5151302B2 (ja) * | 2007-08-06 | 2013-02-27 | 株式会社リコー | 現像装置、プロセスカートリッジ、画像形成装置 |
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