JP2001009276A - アルキル芳香族またはパラフィンを相当するアルケニル芳香族または相当するオレフィンへ酸化的脱水素するための触媒系、および方法 - Google Patents
アルキル芳香族またはパラフィンを相当するアルケニル芳香族または相当するオレフィンへ酸化的脱水素するための触媒系、および方法Info
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C5/00—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms
- C07C5/42—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms by dehydrogenation with a hydrogen acceptor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/16—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- B01J23/20—Vanadium, niobium or tantalum
- B01J23/22—Vanadium
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の触媒と比べて、反応開始時における選
択性を示す図であるが良好であり、総生産性が高く、触
媒自身の寿命も長い、新規な触媒系を提供すること。 【解決手段】 酸化バナジウム、酸化ビスマス、および
マグネシウムを基剤とする担体、からなる、アルキル芳
香族（特に、エチルベンゼン）またはパラフィンを、相
当するアルケニル芳香族（特に、スチレン）または相当
するオレフィンへ酸化的脱水素するための触媒系であっ
て、Ｖ２Ｏ５として表されるバナジウムが１〜１５重量
％、好ましくは２〜１０重量％の範囲の量であり、Ｂｉ
２Ｏ３として表されるビスマスが２〜３０重量％、好ま
しくは５〜２５重量％の範囲であり、総量を１００とす
る残部が担体である、前記触媒系。
択性を示す図であるが良好であり、総生産性が高く、触
媒自身の寿命も長い、新規な触媒系を提供すること。 【解決手段】 酸化バナジウム、酸化ビスマス、および
マグネシウムを基剤とする担体、からなる、アルキル芳
香族（特に、エチルベンゼン）またはパラフィンを、相
当するアルケニル芳香族（特に、スチレン）または相当
するオレフィンへ酸化的脱水素するための触媒系であっ
て、Ｖ２Ｏ５として表されるバナジウムが１〜１５重量
％、好ましくは２〜１０重量％の範囲の量であり、Ｂｉ
２Ｏ３として表されるビスマスが２〜３０重量％、好ま
しくは５〜２５重量％の範囲であり、総量を１００とす
る残部が担体である、前記触媒系。
Description
【０００１】
【発明の背景】発明の分野 本発明は、アルキル芳香族、特にエチルベンゼン、また
はパラフィンを、相当するアルケニル芳香族、特にスチ
レンまたは相当するオレフィンへ、酸化的脱水素するた
めの触媒系および対応する方法に関する。
はパラフィンを、相当するアルケニル芳香族、特にスチ
レンまたは相当するオレフィンへ、酸化的脱水素するた
めの触媒系および対応する方法に関する。
【０００２】背景技術 プラスチック材料の重要な中間体であるスチレンは、主
としてポリスチレン（ＧＰＰＳ結晶、耐衝撃性ＨＩＰ
Ｓ、および発泡性ＥＰＳ）、アクリルニトリル−スチレ
ン−ブタジエン（ＡＢＳ）コポリマーおよびスチレン−
アクリルニトリル（ＳＡＮ）コポリマー、およびスチレ
ン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）の生産に用いられる。
としてポリスチレン（ＧＰＰＳ結晶、耐衝撃性ＨＩＰ
Ｓ、および発泡性ＥＰＳ）、アクリルニトリル−スチレ
ン−ブタジエン（ＡＢＳ）コポリマーおよびスチレン−
アクリルニトリル（ＳＡＮ）コポリマー、およびスチレ
ン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）の生産に用いられる。
【０００３】現在では、スチレンは主として次の２つの
工程によって製造される。すなわち、エチルベンゼン
（ＥＢ）の脱水素化による工程と、モリブデン錯体を基
剤とする触媒を用いる、プロピレンのエチルベンゼンヒ
ドロペルオキシドによるエポキシ化における副生成物と
しての工程により得られる。
工程によって製造される。すなわち、エチルベンゼン
（ＥＢ）の脱水素化による工程と、モリブデン錯体を基
剤とする触媒を用いる、プロピレンのエチルベンゼンヒ
ドロペルオキシドによるエポキシ化における副生成物と
しての工程により得られる。
【０００４】もう一つのモノマーの製造法は、酸素の存
在下またはなしで行うことができる水素の同時酸化によ
るエチルベンゼンの脱酸素化である。
在下またはなしで行うことができる水素の同時酸化によ
るエチルベンゼンの脱酸素化である。
【０００５】酸素なしの酸化的脱水素化は、１種類以上
の金属酸化物の使用にあり、エチルベンゼンの脱水素化
反応を触媒することを除き、生成した水素を酸化物自身
で利用可能な酸素により酸化して、下記反応（１）によ
りスチレン（ＳＴＹ）の形成へ平衡のシフトを促進する
ことができる。
の金属酸化物の使用にあり、エチルベンゼンの脱水素化
反応を触媒することを除き、生成した水素を酸化物自身
で利用可能な酸素により酸化して、下記反応（１）によ
りスチレン（ＳＴＹ）の形成へ平衡のシフトを促進する
ことができる。
【化１】
【０００６】反応（１）から明らかであるが、触媒はま
た、試薬として作用することによって反応の化学量論に
関与し、反応の開始時には、酸素の一部を生じることが
できかつ還元化合物種（触媒ｒｅｄ）となることができ
る酸化的状態（触媒ｏｘ）にある。反応を触媒するに
は、還元された触媒が酸素を容易に取り戻して、下記反
応（２）によって新たな酸化的脱水素化サイクルに用い
られる出発時の酸化化合物種に変換できることが必要で
ある。
た、試薬として作用することによって反応の化学量論に
関与し、反応の開始時には、酸素の一部を生じることが
できかつ還元化合物種（触媒ｒｅｄ）となることができ
る酸化的状態（触媒ｏｘ）にある。反応を触媒するに
は、還元された触媒が酸素を容易に取り戻して、下記反
応（２）によって新たな酸化的脱水素化サイクルに用い
られる出発時の酸化化合物種に変換できることが必要で
ある。
【化２】
【０００７】脱水素化を行うこの特定の方法は、伝統的
な酸化的脱水素化、すなわち酸素の存在下における脱水
素化、と同じ利点を有し、脱水素化に要する熱を生成し
かつ脱水素化反応の平衡を生成物へシフトすることがで
き、酸化性ガスの使用による酸化化合物の副生のような
欠点はない。
な酸化的脱水素化、すなわち酸素の存在下における脱水
素化、と同じ利点を有し、脱水素化に要する熱を生成し
かつ脱水素化反応の平衡を生成物へシフトすることがで
き、酸化性ガスの使用による酸化化合物の副生のような
欠点はない。
【０００８】酸化性ガスの非存在下での炭化水素の酸化
的脱水素化を行う考え方は、Bayerの米国特許第３，１
１８，００７号明細書によって６０年代の前半に既に報
告されていた。この特許明細書には、酸化性ガスの非存
在下でかつ酸素輸送体としても作用する酸化鉄を基剤と
した触媒を用いる炭化水素の脱水素化法が記載されてい
る。この明細書には、流動床条件下で操作し、触媒を連
続的に除去して再酸化相へ付し、続いて反応相へ再循環
することができることも記載されている。
的脱水素化を行う考え方は、Bayerの米国特許第３，１
１８，００７号明細書によって６０年代の前半に既に報
告されていた。この特許明細書には、酸化性ガスの非存
在下でかつ酸素輸送体としても作用する酸化鉄を基剤と
した触媒を用いる炭化水素の脱水素化法が記載されてい
る。この明細書には、流動床条件下で操作し、触媒を連
続的に除去して再酸化相へ付し、続いて反応相へ再循環
することができることも記載されている。
【０００９】酸化性ガスの非存在下での酸化的脱水素化
に関する様々な特許が過去数年間に出願されており、そ
の内で最も適当なものは下記のものである。
に関する様々な特許が過去数年間に出願されており、そ
の内で最も適当なものは下記のものである。
【００１０】FINAの欧州特許第４８２２７６号明細書に
は、酸素輸送体として作用する触媒であって、かつ一旦
消費されてしまっても第二の反応装置中で空気を用いて
処理することによって再生させることができる触媒を用
いて、５０５℃において、既にエチルベンゼンを完全に
変換する方法が記載されている。遷移金属の酸化物を含
む触媒は、好ましくはマグネシウム上に担持されたバナ
ジウムを基剤としており、高い脱水素化活性並びに水素
の燃焼を目的とする構造酸素を供給する強い傾向を有す
る。この特許明細書に記載された結果は、燃焼が反応の
最も重要な相であることを示しており、実際に、触媒活
性の開始時には、エチルベンゼンおよび／またはスチレ
ンの燃焼から誘導される多量の炭素酸化物と共にスチレ
ンが低選択性で生成する。この特許明細書は、触媒を一
酸化炭素で処理することによる部分的前処理により、そ
の強力な酸化力を調節することができ、活性の第一相に
おいて既に高選択性を得ることができることを示してい
る。しかしながら、この場合には、転換率が急速に低下
し、約５０％の値で安定化する。
は、酸素輸送体として作用する触媒であって、かつ一旦
消費されてしまっても第二の反応装置中で空気を用いて
処理することによって再生させることができる触媒を用
いて、５０５℃において、既にエチルベンゼンを完全に
変換する方法が記載されている。遷移金属の酸化物を含
む触媒は、好ましくはマグネシウム上に担持されたバナ
ジウムを基剤としており、高い脱水素化活性並びに水素
の燃焼を目的とする構造酸素を供給する強い傾向を有す
る。この特許明細書に記載された結果は、燃焼が反応の
最も重要な相であることを示しており、実際に、触媒活
性の開始時には、エチルベンゼンおよび／またはスチレ
ンの燃焼から誘導される多量の炭素酸化物と共にスチレ
ンが低選択性で生成する。この特許明細書は、触媒を一
酸化炭素で処理することによる部分的前処理により、そ
の強力な酸化力を調節することができ、活性の第一相に
おいて既に高選択性を得ることができることを示してい
る。しかしながら、この場合には、転換率が急速に低下
し、約５０％の値で安定化する。
【００１１】BASFの英国特許第２２９７０４３号明細書
には、ビスマス、チタン、ランタン、カリウムを基剤と
し、貴金属で処理した混合酸化物からなる触媒の、酸素
の非存在下でのエチルベンゼンの酸化的脱水素化への使
用が記載されている。示された結果では、触媒性能を経
時的に正確に評価することはできない。特許明細書の本
文には、触媒は初期には活性が極めて高いが、余り選択
的ではなく、炭化水素の燃焼に由来する化合物が形成さ
れることが記載されている。FINAの特許明細書の場合に
既に見られるように、工程が進行すると、触媒は余り活
性でなくなりかつ次第に選択的になり、最終的に最大値
に到達する。
には、ビスマス、チタン、ランタン、カリウムを基剤と
し、貴金属で処理した混合酸化物からなる触媒の、酸素
の非存在下でのエチルベンゼンの酸化的脱水素化への使
用が記載されている。示された結果では、触媒性能を経
時的に正確に評価することはできない。特許明細書の本
文には、触媒は初期には活性が極めて高いが、余り選択
的ではなく、炭化水素の燃焼に由来する化合物が形成さ
れることが記載されている。FINAの特許明細書の場合に
既に見られるように、工程が進行すると、触媒は余り活
性でなくなりかつ次第に選択的になり、最終的に最大値
に到達する。
【００１２】
【発明の概要】本発明者らは、驚くべきことに、上記の
既知の触媒と比較して、適切に担持されたバナジウムお
よびビスマスを基剤とする触媒を用いると、主として反
応の開始時に選択性が一層良好になり、総生産性が一層
高くなることに加えて、触媒自身の寿命も長くなること
を見出した。
既知の触媒と比較して、適切に担持されたバナジウムお
よびビスマスを基剤とする触媒を用いると、主として反
応の開始時に選択性が一層良好になり、総生産性が一層
高くなることに加えて、触媒自身の寿命も長くなること
を見出した。
【００１３】アルキル芳香族（特に、エチルベンゼン）
またはパラフィンを、相当するアルケニル芳香族（特
に、スチレン）または相当するオレフィンへ酸化的脱水
素(oxidative dehydrogenation)するための本発明の触
媒系は、酸化バナジウム、酸化ビスマス、およびマグネ
シウムを基剤とする担体からなり、Ｖ２Ｏ５として表さ
れるバナジウムが１〜１５重量％、好ましくは２〜１０
重量％の範囲の量であり、Ｂｉ２Ｏ３として表されるビ
スマスが２〜３０重量％、好ましくは５〜２５重量％の
範囲であり、総量を１００とする残部が担体であるもの
である。
またはパラフィンを、相当するアルケニル芳香族（特
に、スチレン）または相当するオレフィンへ酸化的脱水
素(oxidative dehydrogenation)するための本発明の触
媒系は、酸化バナジウム、酸化ビスマス、およびマグネ
シウムを基剤とする担体からなり、Ｖ２Ｏ５として表さ
れるバナジウムが１〜１５重量％、好ましくは２〜１０
重量％の範囲の量であり、Ｂｉ２Ｏ３として表されるビ
スマスが２〜３０重量％、好ましくは５〜２５重量％の
範囲であり、総量を１００とする残部が担体であるもの
である。
【００１４】
【発明の具体的説明】マグネシウムを基剤とする担体
は、好ましくは、酸化マグネシウムからなる担体、酸化
マグネシウムと酸化ジルコニウムからなる担体であっ
て、ここで、ＭｇＯとして表されるマグネシウムが触媒
系に対して好ましくは２０〜４０重量％の範囲であり、
ＺｒＯ２として表されるジルコニウムが触媒系に対して
３０〜５０重量％の範囲であるもの、およびマグネシウ
ムとアルミニウムヒドロタルサイトからなる担体であっ
て、ここで、マグネシウム／アルミニウムの原子比が好
ましくは７０／３０〜３０／７０の範囲であるもの、か
ら選択される。
は、好ましくは、酸化マグネシウムからなる担体、酸化
マグネシウムと酸化ジルコニウムからなる担体であっ
て、ここで、ＭｇＯとして表されるマグネシウムが触媒
系に対して好ましくは２０〜４０重量％の範囲であり、
ＺｒＯ２として表されるジルコニウムが触媒系に対して
３０〜５０重量％の範囲であるもの、およびマグネシウ
ムとアルミニウムヒドロタルサイトからなる担体であっ
て、ここで、マグネシウム／アルミニウムの原子比が好
ましくは７０／３０〜３０／７０の範囲であるもの、か
ら選択される。
【００１５】前記の触媒系の製造法は、本質的に触媒系
の成分の誘導体を基剤とする溶液または懸濁液を調製
し、調製した溶液または懸濁液を混合して、混合物をゲ
ル化させ、得られたゲルを乾燥させ、該乾燥させた固形
物を５５０〜７８０℃の範囲の温度で焼成する工程によ
って行うことができる。
の成分の誘導体を基剤とする溶液または懸濁液を調製
し、調製した溶液または懸濁液を混合して、混合物をゲ
ル化させ、得られたゲルを乾燥させ、該乾燥させた固形
物を５５０〜７８０℃の範囲の温度で焼成する工程によ
って行うことができる。
【００１６】本発明の触媒系は、いずれのエチルベンゼ
ンの固定、流動または移動床脱水素化技術に応用するこ
ともできる。
ンの固定、流動または移動床脱水素化技術に応用するこ
ともできる。
【００１７】触媒系が７５０℃での焼成形態での酸化マ
グネシウムと酸化ジルコニウムからなる担体上の酸化バ
ナジウムまたは酸化ジルコニウムからなるときには（例
１参照）、電子衝撃カウンター装置を備えた垂直ゴニオ
メーターによって、表１（表中、ｄは面間距離である）
および図１に示される主反射を含むＣｕＫα放射線（λ
＝１．５４１７８オングストローム）を用いて記録した
Ｘ線回折スペクトルを有する。
グネシウムと酸化ジルコニウムからなる担体上の酸化バ
ナジウムまたは酸化ジルコニウムからなるときには（例
１参照）、電子衝撃カウンター装置を備えた垂直ゴニオ
メーターによって、表１（表中、ｄは面間距離である）
および図１に示される主反射を含むＣｕＫα放射線（λ
＝１．５４１７８オングストローム）を用いて記録した
Ｘ線回折スペクトルを有する。
【００１８】相（Ｘ）として示される未知相（構造的に
特定されていない）、並びにＺｒＯ ２およびＭｇＯ相の
存在が見られる。
特定されていない）、並びにＺｒＯ ２およびＭｇＯ相の
存在が見られる。
【００１９】本発明者らは、酸化マグネシウムと酸化ジ
ルコニウムからなる担体上の酸化バナジウム、酸化ビス
マスからなる触媒系の場合にも、調製の最後の部分、す
なわち焼成を特定の温度範囲内で行うと、驚くべきこと
に、より高温で焼成した上記の触媒系と比較して一層良
好な触媒活性を有する触媒系が得られることも見出し
た。
ルコニウムからなる担体上の酸化バナジウム、酸化ビス
マスからなる触媒系の場合にも、調製の最後の部分、す
なわち焼成を特定の温度範囲内で行うと、驚くべきこと
に、より高温で焼成した上記の触媒系と比較して一層良
好な触媒活性を有する触媒系が得られることも見出し
た。
【００２０】本発明のもう一つの目的を形成する触媒活
性が改良されたこの触媒系は、酸化バナジウム、酸化ビ
スマス、および酸化マグネシウムと酸化ジルコニウムか
らなる担体からなり、Ｖ２Ｏ５として表されるバナジウ
ムが１〜１５重量％、好ましくは２〜１０重量％、更に
好ましくは２〜５重量％の範囲の量であり、Ｂｉ２Ｏ３
として表されるビスマスが２〜３０重量％、好ましくは
５〜２５重量％の範囲であり、ＭｇＯとして表されるマ
グネシウムが２０〜４０重量％の範囲であり、ＺｒＯ２
として表されるジルコニウムが３０〜５０重量％の範囲
であり、かつ触媒系はその焼成形態では、電子衝撃カウ
ンター装置を備えた垂直ゴニオメーターによって、表２
（表中、ｄは面間距離である）および図２に示される主
反射を含むＣｕＫα放射線（λ＝１．５４１７８オング
ストローム）を用いて記録したＸ線回折スペクトルを有
する。
性が改良されたこの触媒系は、酸化バナジウム、酸化ビ
スマス、および酸化マグネシウムと酸化ジルコニウムか
らなる担体からなり、Ｖ２Ｏ５として表されるバナジウ
ムが１〜１５重量％、好ましくは２〜１０重量％、更に
好ましくは２〜５重量％の範囲の量であり、Ｂｉ２Ｏ３
として表されるビスマスが２〜３０重量％、好ましくは
５〜２５重量％の範囲であり、ＭｇＯとして表されるマ
グネシウムが２０〜４０重量％の範囲であり、ＺｒＯ２
として表されるジルコニウムが３０〜５０重量％の範囲
であり、かつ触媒系はその焼成形態では、電子衝撃カウ
ンター装置を備えた垂直ゴニオメーターによって、表２
（表中、ｄは面間距離である）および図２に示される主
反射を含むＣｕＫα放射線（λ＝１．５４１７８オング
ストローム）を用いて記録したＸ線回折スペクトルを有
する。
【００２１】７５０℃で焼成した上記の触媒系に関し
て、この系は相（Ｘ）に帰属される回折ピークを持たな
いことが分かる。
て、この系は相（Ｘ）に帰属される回折ピークを持たな
いことが分かる。
【００２２】上記のように、この触媒系の調製法は、上
記の方法に類似しており、調製の最終段階を形成する焼
成を５８５〜６１５℃の範囲の温度で行う。
記の方法に類似しており、調製の最終段階を形成する焼
成を５８５〜６１５℃の範囲の温度で行う。
【００２３】従って、上記の触媒系の調製法は、本質的
に触媒系の成分の誘導体を基剤とする溶液または懸濁液
を調製し、調製した溶液または懸濁液を混合して、混合
物をゲル化させ、得られたゲルを乾燥させ、該乾燥させ
た固形物を５８５〜６１５℃の範囲の温度で焼成する工
程を含んでなる。
に触媒系の成分の誘導体を基剤とする溶液または懸濁液
を調製し、調製した溶液または懸濁液を混合して、混合
物をゲル化させ、得られたゲルを乾燥させ、該乾燥させ
た固形物を５８５〜６１５℃の範囲の温度で焼成する工
程を含んでなる。
【００２４】本発明のもう一つの目的であるアルキル芳
香族、特にエチルベンゼン、またはパラフィンを、酸化
的に脱水素して、相当するアルケニル芳香族、特にスチ
レン、または相当するオレフィンとする方法は、アルキ
ル芳香族またはパラフィンを、４００〜７５０℃の範囲
の温度、０．１〜３０ｐｓｉａの圧力および０．０１〜
１０秒−１、好ましくは０．１〜１秒−１（標準−炭化
水素のリットル数／秒×触媒のリットル数）の範囲のＧ
ＨＳＶ空間速度で場合によっては希釈剤の存在下で操作
する反応装置で、上記の触媒系を用いて反応させ、４０
０℃をより高い温度で操作する反応相中に堆積したコー
クスを燃焼させることによって再生装置中でこの触媒系
を再生させることから実質的になる。
香族、特にエチルベンゼン、またはパラフィンを、酸化
的に脱水素して、相当するアルケニル芳香族、特にスチ
レン、または相当するオレフィンとする方法は、アルキ
ル芳香族またはパラフィンを、４００〜７５０℃の範囲
の温度、０．１〜３０ｐｓｉａの圧力および０．０１〜
１０秒−１、好ましくは０．１〜１秒−１（標準−炭化
水素のリットル数／秒×触媒のリットル数）の範囲のＧ
ＨＳＶ空間速度で場合によっては希釈剤の存在下で操作
する反応装置で、上記の触媒系を用いて反応させ、４０
０℃をより高い温度で操作する反応相中に堆積したコー
クスを燃焼させることによって再生装置中でこの触媒系
を再生させることから実質的になる。
【００２５】この方法で用いられる酸化性媒質は、酸素
および／または空気であることができる。
および／または空気であることができる。
【００２６】用いることができる希釈剤は、例えば
Ｎ２、ＣＨ４、Ｈ２Ｏ（蒸気）、ＣＯ、ＣＯ２などが挙
げられる。
Ｎ２、ＣＨ４、Ｈ２Ｏ（蒸気）、ＣＯ、ＣＯ２などが挙
げられる。
【００２７】本発明をもっとよく説明するために幾つか
の例を示すが、これらは本発明の範囲を制限するもので
はない。
の例を示すが、これらは本発明の範囲を制限するもので
はない。
【００２８】
【実施例】９種類の触媒（その中の５種類は比較用）を
合成した後、相当する触媒試験を行う。
合成した後、相当する触媒試験を行う。
【００２９】例１ ＭｇＯおよびＺｒＯ ２ 上に担持され
た触媒の合成 下記の混合物を調製する。 懸濁液Ａ： ＶＯＳＯ４・５Ｈ２Ｏ（４．３０ｇ）／エ
タノール（２０ｇ）（分子量＝２５３ｇモル−１，０．
００８５モルＶ２Ｏ５） 溶液Ｂ： ７０％Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４（５９．４６
ｇ）溶液（分子量＝３２７ｇモル−１，０．１２７モル
ＺｒＯ２） 溶液Ｄ： ＴＰＡ−ＯＨ（４０％，３．７９ｇ）／Ｈ２
Ｏ（１２ｇ）（分子量＝２０３ｇモル−１，０．００７
５モル）。 溶液Ｂを加熱（約６０℃）下およびマグネチックスター
ラーによる攪拌下にて懸濁液Ａに加え、褐色懸濁液（懸
濁液Ｃ）を得る。Ｂｉ（ＮＯ３）３・５Ｈ２Ｏ８．２４
ｇ（分子量＝４８５ｇモル−１，０．００８５モルＢｉ
２Ｏ３）およびＭｇＯ １１．６５ｇ（分子量＝４０．
３ｇモル−１，０．２９モルＭｇＯ）を加熱下およびマ
グネチックスターラー攪拌下にてこのようにして得られ
た懸濁液に加え、懸濁液が得られ、これに溶液Ｄを加え
る。水酸化アルキルアンモニウムを加えるとゲルが形成
され、これを２４時間エージングした後、ゲルを１２０
℃で一晩乾燥し、最後に気流中で７５０℃にて４時間焼
成する。
た触媒の合成 下記の混合物を調製する。 懸濁液Ａ： ＶＯＳＯ４・５Ｈ２Ｏ（４．３０ｇ）／エ
タノール（２０ｇ）（分子量＝２５３ｇモル−１，０．
００８５モルＶ２Ｏ５） 溶液Ｂ： ７０％Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４（５９．４６
ｇ）溶液（分子量＝３２７ｇモル−１，０．１２７モル
ＺｒＯ２） 溶液Ｄ： ＴＰＡ−ＯＨ（４０％，３．７９ｇ）／Ｈ２
Ｏ（１２ｇ）（分子量＝２０３ｇモル−１，０．００７
５モル）。 溶液Ｂを加熱（約６０℃）下およびマグネチックスター
ラーによる攪拌下にて懸濁液Ａに加え、褐色懸濁液（懸
濁液Ｃ）を得る。Ｂｉ（ＮＯ３）３・５Ｈ２Ｏ８．２４
ｇ（分子量＝４８５ｇモル−１，０．００８５モルＢｉ
２Ｏ３）およびＭｇＯ １１．６５ｇ（分子量＝４０．
３ｇモル−１，０．２９モルＭｇＯ）を加熱下およびマ
グネチックスターラー攪拌下にてこのようにして得られ
た懸濁液に加え、懸濁液が得られ、これに溶液Ｄを加え
る。水酸化アルキルアンモニウムを加えるとゲルが形成
され、これを２４時間エージングした後、ゲルを１２０
℃で一晩乾燥し、最後に気流中で７５０℃にて４時間焼
成する。
【００３０】例２ Ｍｇ−Ａｌヒドロタルサイト上に担
持された触媒の合成 ＮＨ４ＶＯ３（分子量＝１１７ｇモル−１，０．００４
１モルＶ２Ｏ５）を水４０ｇに溶解し、ヒドロタルサイ
ト（ＭｇＯ／Ａｌ２Ｏ３＝１，重量比）７．２８ｇをこ
のようにして得られた溶液に加える。Ｂｉ（ＮＯ３）３
・５Ｈ２Ｏ ３．９８ｇ（分子量＝４８５ｇモル−１，
０．００４１モルＢｉ２Ｏ３）を、このようにして得ら
れた黄白色懸濁液に加える。黄橙色懸濁液を、５時間攪
拌を継続した後、乾燥し、固形物を空気中にて６５０℃
で４時間焼成する。
持された触媒の合成 ＮＨ４ＶＯ３（分子量＝１１７ｇモル−１，０．００４
１モルＶ２Ｏ５）を水４０ｇに溶解し、ヒドロタルサイ
ト（ＭｇＯ／Ａｌ２Ｏ３＝１，重量比）７．２８ｇをこ
のようにして得られた溶液に加える。Ｂｉ（ＮＯ３）３
・５Ｈ２Ｏ ３．９８ｇ（分子量＝４８５ｇモル−１，
０．００４１モルＢｉ２Ｏ３）を、このようにして得ら
れた黄白色懸濁液に加える。黄橙色懸濁液を、５時間攪
拌を継続した後、乾燥し、固形物を空気中にて６５０℃
で４時間焼成する。
【００３１】例３ ＭｇＯに担持された触媒の合成 ＮＨ４ＶＯ３ ２．８０ｇ（分子量＝１１７ｇモ
ル−１，０．０１２モルＶ２Ｏ５）を、９０℃の温度で
水１００ｇに分散させる。この懸濁液を、９０℃の温度
で加熱しながらＭｇＯ １５．００ｇ（分子量＝４０．
３ｇモル−１，０．３７５モルＭｇＯ）およびＢｉ（Ｎ
Ｏ３）３・５Ｈ２Ｏ １１．６４ｇ（分子量＝４８５ｇ
モル−１，０．０１２モルＢｉ２Ｏ３）を水１００ｇに
加えることによって得られる懸濁液に加える。このよう
にして得られた混合物を９０℃で２時間蒸解した後、Ｎ
２気流下にて乾燥する。次いで、これを６００℃の温度
で気流中にて４時間焼成する。
ル−１，０．０１２モルＶ２Ｏ５）を、９０℃の温度で
水１００ｇに分散させる。この懸濁液を、９０℃の温度
で加熱しながらＭｇＯ １５．００ｇ（分子量＝４０．
３ｇモル−１，０．３７５モルＭｇＯ）およびＢｉ（Ｎ
Ｏ３）３・５Ｈ２Ｏ １１．６４ｇ（分子量＝４８５ｇ
モル−１，０．０１２モルＢｉ２Ｏ３）を水１００ｇに
加えることによって得られる懸濁液に加える。このよう
にして得られた混合物を９０℃で２時間蒸解した後、Ｎ
２気流下にて乾燥する。次いで、これを６００℃の温度
で気流中にて４時間焼成する。
【００３２】例４ ６００℃で焼成したＭｇＯおよびＺ
ｒＯ ２ 上に担持された触媒の合成 気流中で７５０℃の代わりに６００℃で４時間焼成を行
うことを除き例１と同様にして調製したＭｇＯおよびＺ
ｒＯ２上に担持されたＶ２Ｏ５およびＢｉ２Ｏ ３からな
る触媒を調製する。
ｒＯ ２ 上に担持された触媒の合成 気流中で７５０℃の代わりに６００℃で４時間焼成を行
うことを除き例１と同様にして調製したＭｇＯおよびＺ
ｒＯ２上に担持されたＶ２Ｏ５およびＢｉ２Ｏ ３からな
る触媒を調製する。
【００３３】例５（比較例） 酸化バナジウム 下記の混合物を調製する。 懸濁液Ａ： ＶＯＳＯ４・５Ｈ２Ｏ（２．１５ｇ）／エ
タノール（２０ｇ）（分子量＝２５３ｇモル−１，０．
００４２モルＶ２Ｏ５） 溶液Ｂ： ７０％Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４（５９．４６
ｇ）溶液（分子量＝３２７ｇモル−１，０．１２７モル
ＺｒＯ２） 溶液Ｄ： ＴＰＡ−ＯＨ（４０％，３．７９ｇ）／Ｈ２
Ｏ（１２ｇ）（分子量＝２０３ｇモル−１，０．００７
５モル）。 溶液Ｂを加熱（約６０℃）下およびマグネチックスター
ラーによる攪拌下にて懸濁液Ａに加え、褐色懸濁液（懸
濁液Ｃ）を得る。ＭｇＯ １１．６５ｇ（分子量＝４
０．３ｇモル−１，０．２９モルＭｇＯ）を加熱下およ
びマグネチックスターラー攪拌下にて上記の方法で得ら
れた懸濁液に加え、懸濁液が得られ、これに溶液Ｄを加
える。水酸化アルキルアンモニウムを加えるとゲルが形
成され、これを２４時間エージングした後、ゲルを１２
０℃で一晩乾燥し、最後に気流中で７５０℃にて４時間
焼成する。
タノール（２０ｇ）（分子量＝２５３ｇモル−１，０．
００４２モルＶ２Ｏ５） 溶液Ｂ： ７０％Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４（５９．４６
ｇ）溶液（分子量＝３２７ｇモル−１，０．１２７モル
ＺｒＯ２） 溶液Ｄ： ＴＰＡ−ＯＨ（４０％，３．７９ｇ）／Ｈ２
Ｏ（１２ｇ）（分子量＝２０３ｇモル−１，０．００７
５モル）。 溶液Ｂを加熱（約６０℃）下およびマグネチックスター
ラーによる攪拌下にて懸濁液Ａに加え、褐色懸濁液（懸
濁液Ｃ）を得る。ＭｇＯ １１．６５ｇ（分子量＝４
０．３ｇモル−１，０．２９モルＭｇＯ）を加熱下およ
びマグネチックスターラー攪拌下にて上記の方法で得ら
れた懸濁液に加え、懸濁液が得られ、これに溶液Ｄを加
える。水酸化アルキルアンモニウムを加えるとゲルが形
成され、これを２４時間エージングした後、ゲルを１２
０℃で一晩乾燥し、最後に気流中で７５０℃にて４時間
焼成する。
【００３４】例６（比較例） ＭｇＯおよびＺｒＯ ２ 上
に担持された酸化ビスマス 下記の溶液を調製する。 懸濁液Ａ： ７０％Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４（５９．４６
ｇ）溶液（分子量＝３２７ｇモル−１，０．１２７モル
ＺｒＯ２） 溶液Ｃ： ＴＰＡ−ＯＨ（４０％，３．７９ｇ）／Ｈ２
Ｏ（１２ｇ）（分子量＝２０３ｇモル−１，０．００７
５モル）。 エタノール５０ｇを溶液Ａに加え、Ｂｉ（ＮＯ３）３・
５Ｈ２Ｏ ４．１２ｇ（分子量＝４８５ｇモル−１，
０．００４２モルＢｉ２Ｏ３）およびＭｇＯ １１．６
５ｇ（分子量＝４０．３ｇモル−１，０．２９モルＭｇ
Ｏ）をマグネチックスターラー攪拌下にて加え、懸濁液
を得て、これに溶液Ｃを加える。水酸化アルキルアンモ
ニウムを加えるとゲルが形成され、これを２４時間エー
ジングした後、ゲルを１２０℃で一晩乾燥し、最後に気
流中で７５０℃にて４時間焼成する。
に担持された酸化ビスマス 下記の溶液を調製する。 懸濁液Ａ： ７０％Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４（５９．４６
ｇ）溶液（分子量＝３２７ｇモル−１，０．１２７モル
ＺｒＯ２） 溶液Ｃ： ＴＰＡ−ＯＨ（４０％，３．７９ｇ）／Ｈ２
Ｏ（１２ｇ）（分子量＝２０３ｇモル−１，０．００７
５モル）。 エタノール５０ｇを溶液Ａに加え、Ｂｉ（ＮＯ３）３・
５Ｈ２Ｏ ４．１２ｇ（分子量＝４８５ｇモル−１，
０．００４２モルＢｉ２Ｏ３）およびＭｇＯ １１．６
５ｇ（分子量＝４０．３ｇモル−１，０．２９モルＭｇ
Ｏ）をマグネチックスターラー攪拌下にて加え、懸濁液
を得て、これに溶液Ｃを加える。水酸化アルキルアンモ
ニウムを加えるとゲルが形成され、これを２４時間エー
ジングした後、ゲルを１２０℃で一晩乾燥し、最後に気
流中で７５０℃にて４時間焼成する。
【００３５】例７（比較例） ヒドロタルサイト上に担
持された酸化バナジウム ＮＨ４ＶＯ３ １．９３ｇ（分子量＝１１７ｇモ
ル−１，０．００８２モルＶ ２Ｏ５）を、９０℃の温度
で水４０ｇに溶解させ、このようにして得られた溶液を
用いて、ヒドロタルサイト（ＭｇＯ／Ａｌ２Ｏ３＝１，
重量比）８．５０ｇを含浸させる。含浸の後、ケーキを
８０℃のオーブンで一晩乾燥した後、気流中で６５０℃
で４時間焼成する。
持された酸化バナジウム ＮＨ４ＶＯ３ １．９３ｇ（分子量＝１１７ｇモ
ル−１，０．００８２モルＶ ２Ｏ５）を、９０℃の温度
で水４０ｇに溶解させ、このようにして得られた溶液を
用いて、ヒドロタルサイト（ＭｇＯ／Ａｌ２Ｏ３＝１，
重量比）８．５０ｇを含浸させる。含浸の後、ケーキを
８０℃のオーブンで一晩乾燥した後、気流中で６５０℃
で４時間焼成する。
【００３６】例８（比較例） 酸化バナジウム−アルミ
ナ−マグネシア ＮＨ４ＶＯ３ １．８２ｇ（分子量＝１１７ｇモ
ル−１，０．０１５６モルＶ）をＴＰＡ−ＯＨ ７．９
０ｇ（４０％水溶液）（分子量＝２０３ｇモル−１，
０．０１５６モル）によってアルカリ性にした水２０ｇ
に溶解する。 溶液Ｂ： Ａｌ（ｓｅｃ−ＯＣ４Ｈ９）３（２０．５４
ｇ）（分子量＝２４６ｇモル−１，０．０８３５モルＡ
ｌ）／エタノール（５０ｇ）。 溶液Ａを懸濁液Ｂに加え、ＭｇＯ ４．２５ｇ（分子量
＝４０．３ｇモル−１，０．１０５モルＭｇＯ）を、こ
のようにして得られた懸濁液Ｃにマグネチックスターラ
ー攪拌下にて加える。懸濁液の攪拌を５時間継続した
後、乾燥し、固形物をこれを空気中６５０℃で４時間焼
成する。
ナ−マグネシア ＮＨ４ＶＯ３ １．８２ｇ（分子量＝１１７ｇモ
ル−１，０．０１５６モルＶ）をＴＰＡ−ＯＨ ７．９
０ｇ（４０％水溶液）（分子量＝２０３ｇモル−１，
０．０１５６モル）によってアルカリ性にした水２０ｇ
に溶解する。 溶液Ｂ： Ａｌ（ｓｅｃ−ＯＣ４Ｈ９）３（２０．５４
ｇ）（分子量＝２４６ｇモル−１，０．０８３５モルＡ
ｌ）／エタノール（５０ｇ）。 溶液Ａを懸濁液Ｂに加え、ＭｇＯ ４．２５ｇ（分子量
＝４０．３ｇモル−１，０．１０５モルＭｇＯ）を、こ
のようにして得られた懸濁液Ｃにマグネチックスターラ
ー攪拌下にて加える。懸濁液の攪拌を５時間継続した
後、乾燥し、固形物をこれを空気中６５０℃で４時間焼
成する。
【００３７】例９（比較例） バナジウム−マグネシア 欧州特許第０４０３４６２号明細書(FINA)の実施例１に
準じて調製した触媒。下記の混合物を調製する。 溶液Ａ： ＮＨ４ＶＯ３５．６ｇを、Ｈ２Ｏ １００ml
に加熱溶解する。 溶液Ｂ： ＭｇＯ １５．００ｇを、Ｈ２Ｏ １００ml
に懸濁する。次に、懸濁液を９０℃の温度まで加熱す
る。 溶液Ａを懸濁液Ｂに加熱下にて添加し、生成する懸濁液
をマグネチックスターラーにて２時間攪拌する。次に、
これを１２０℃まで加熱し、溶媒をＮ２気流中で除去す
る。乾燥生成物を、６００℃で４時間焼成する。
準じて調製した触媒。下記の混合物を調製する。 溶液Ａ： ＮＨ４ＶＯ３５．６ｇを、Ｈ２Ｏ １００ml
に加熱溶解する。 溶液Ｂ： ＭｇＯ １５．００ｇを、Ｈ２Ｏ １００ml
に懸濁する。次に、懸濁液を９０℃の温度まで加熱す
る。 溶液Ａを懸濁液Ｂに加熱下にて添加し、生成する懸濁液
をマグネチックスターラーにて２時間攪拌する。次に、
これを１２０℃まで加熱し、溶媒をＮ２気流中で除去す
る。乾燥生成物を、６００℃で４時間焼成する。
【００３８】例１〜９の触媒の触媒試験 総ての触媒試験は、微量反応装置でエチルベンゼンのパ
ルス供給を行いながら行った。総ての試験では、触媒約
５００ｇを充填し、５００℃の空気雰囲気中で２時間活
性化した。この前処理が終了したならば、エチルベンゼ
ン約３mgのパルスを供給しながら、約１．１秒の接触時
間で、反応を５００℃（４８０℃で行った例４の触媒を
用いる反応を除く）で行った。
ルス供給を行いながら行った。総ての試験では、触媒約
５００ｇを充填し、５００℃の空気雰囲気中で２時間活
性化した。この前処理が終了したならば、エチルベンゼ
ン約３mgのパルスを供給しながら、約１．１秒の接触時
間で、反応を５００℃（４８０℃で行った例４の触媒を
用いる反応を除く）で行った。
【００３９】エチルベンゼンの転換率およびスチレンへ
の選択性を、それぞれ図３（ａ）〜１１（ａ）および３
（ｂ）〜１１（ｂ）のグラフに示す（図３〜１１におい
ては、それぞれ触媒の合成例１〜９を用いる）。
の選択性を、それぞれ図３（ａ）〜１１（ａ）および３
（ｂ）〜１１（ｂ）のグラフに示す（図３〜１１におい
ては、それぞれ触媒の合成例１〜９を用いる）。
【表１】
【表２】
【図１】酸化マグネシウムと酸化ジルコニウムからなる
担体上の酸化バナジウムまたは酸化ジルコニウムからな
る触媒系の、電子衝撃カウンター装置を備えた垂直ゴニ
オメーターにより、主反射を含むＣｕＫα放射線（λ＝
１．５４１７８オングストローム）を用いて記録したＸ
線回折スペクトルを示す。
担体上の酸化バナジウムまたは酸化ジルコニウムからな
る触媒系の、電子衝撃カウンター装置を備えた垂直ゴニ
オメーターにより、主反射を含むＣｕＫα放射線（λ＝
１．５４１７８オングストローム）を用いて記録したＸ
線回折スペクトルを示す。
【図２】酸化バナジウム、酸化ビスマス、および酸化マ
グネシウムと酸化ジルコニウムからなる担体からなる触
媒系の、電子衝撃カウンター装置を備えた垂直ゴニオメ
ーターにより、主反射を含むＣｕＫα放射線（λ＝１．
５４１７８オングストローム）を用いて記録したＸ線回
折スペクトルを示す。
グネシウムと酸化ジルコニウムからなる担体からなる触
媒系の、電子衝撃カウンター装置を備えた垂直ゴニオメ
ーターにより、主反射を含むＣｕＫα放射線（λ＝１．
５４１７８オングストローム）を用いて記録したＸ線回
折スペクトルを示す。
【図３】例１の触媒におけるエチルベンゼンの転換率
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
【図４】例２の触媒におけるエチルベンゼンの転換率
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
【図５】例３の触媒におけるエチルベンゼンの転換率
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
【図６】例４の触媒におけるエチルベンゼンの転換率
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
【図７】例５の触媒におけるエチルベンゼンの転換率
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
【図８】例６の触媒におけるエチルベンゼンの転換率
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
【図９】例７の触媒におけるエチルベンゼンの転換率
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
【図１０】例８の触媒におけるエチルベンゼンの転換率
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
【図１１】例９の触媒におけるエチルベンゼンの転換率
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
（ａ）およびスチレンへの選択性（ｂ）を示す図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ (72)発明者 パトリツィア、インガリーナ イタリー国ミラノ、サン、ドナート、ミラ ネーゼ、ビア、ケネディ、26 (72)発明者 ルチアーノ、カルルッチオ イタリー国ミラノ、サン、ドナート、ミラ ネーゼ、ビア、アルフォンシネ、１ (72)発明者 ジウゼッペ、ベッルッシ イタリー国ピアチェンツァ、ビア、アルベ ルト、スコト、44 (72)発明者 ガストーネ、デル、ピエロ イタリー国ミラノ、ビアーレ、モンツァ、 196 (72)発明者 エウジェニオ、アンドレオーリ イタリー国マントバ、ビアーレ、マンツォ ーニ、３ (72)発明者 レナート、パルデット イタリー国ミラノ、ビア、クレッシェンツ ァーゴ、16
Claims (10)
- 【請求項１】酸化バナジウム、 酸化ビスマス、およびマグネシウムを基剤とする担体、
からなる、アルキル芳香族またはパラフィンを相当する
アルケニル芳香族または相当するオレフィンへ酸化的脱
水素するための触媒系であって、 Ｖ２Ｏ５として表されるバナジウムが１〜１５重量％の
範囲の量であり、 Ｂｉ２Ｏ３として表されるビスマスが２〜３０重量％の
範囲であり、 総量を１００とする残部が担体である、前記触媒系。 - 【請求項２】マグネシウムを基剤とする担体が、酸化マ
グネシウム、酸化マグネシウムと酸化ジルコニウム、お
よびマグネシウムとアルミニウムヒドロタルサイトから
なる担体から選択される、請求項１に記載の触媒系。 - 【請求項３】ＭｇＯとして表されるマグネシウムが２０
〜４０重量％の範囲であり、ＺｒＯ ２として表されるジ
ルコニウムが３０〜５０重量％の範囲である、請求項２
に記載の触媒系。 - 【請求項４】ヒドロタルサイト中におけるマグネシウム
／アルミニウムの原子比が７０／３０〜３０／７０の範
囲である、請求項２に記載の触媒系。 - 【請求項５】Ｖ２Ｏ５として表されるバナジウムが２〜
１０重量％の範囲の量であり、Ｂｉ ２Ｏ３として表され
るビスマスが５〜２５重量％の範囲である、請求項１に
記載の触媒系。 - 【請求項６】Ｖ２Ｏ５として表されるバナジウムが１〜
１５重量％の範囲であり、 Ｂｉ２Ｏ３として表されるビスマスが２〜３０重量％の
範囲であり、 ＭｇＯとして表されるマグネシウムが２０〜４０重量％
の範囲であり、 ＺｒＯ２として表されるジルコニウムが３０〜５０重量
％の範囲である、請求項１に記載の触媒系であって、表
２に示されるＸ線回折スペクトルを有することを特徴と
する、触媒系。 - 【請求項７】Ｖ２Ｏ５として表されるバナジウムが２〜
１０重量％の範囲の量であり、Ｂｉ ２Ｏ３として表され
るビスマスが５〜２５重量％の範囲である、請求項６に
記載の触媒系。 - 【請求項８】Ｖ２Ｏ５として表されるバナジウムが２〜
５重量％の範囲である、請求項７に記載の触媒系。 - 【請求項９】成分の誘導体を基剤とする溶液または懸濁
液を調製し、 調製した溶液または懸濁液を混合して、混合物をゲル化
させ、 得られたゲルを乾燥させ、 該乾燥させた固形物を５８５〜６１５℃の温度で焼成す
る工程によって調製される、請求項６〜８のいずれか一
項に記載の触媒系。 - 【請求項１０】アルキル芳香族、特にエチルベンゼン、
またはパラフィンを脱水素して、相当するアルケニル芳
香族、特にスチレン、または相当するオレフィンとする
方法であって、 アルキル芳香族またはパラフィンを、４００〜７５０℃
の範囲の温度、０．１〜３０ｐｓｉａの圧力および０．
０１〜１０秒−１（標準−炭化水素のリットル数／秒×
触媒のリットル数）の範囲のＧＨＳＶ空間速度で操作す
る反応装置において、請求項１〜９のいずれか一項に記
載の触媒系を用いて反応させ、４００℃より高い温度で
操作する反応相中に堆積したコークスを燃焼させること
によって再生装置中で前記触媒系を再生させることから
実質的になる、前記方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT1999MI001242A IT1312340B1 (it) | 1999-06-03 | 1999-06-03 | Sistema catalitico e procedimento per la deidrogenazione ossidativa dialchilaromatici o paraffine ai corrispondenti alchenilaromatici o alle |
| IT99A001242 | 1999-06-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001009276A true JP2001009276A (ja) | 2001-01-16 |
Family
ID=11383108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000168046A Pending JP2001009276A (ja) | 1999-06-03 | 2000-06-05 | アルキル芳香族またはパラフィンを相当するアルケニル芳香族または相当するオレフィンへ酸化的脱水素するための触媒系、および方法 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6586360B1 (ja) |
| EP (1) | EP1057530B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001009276A (ja) |
| AT (1) | ATE249275T1 (ja) |
| CA (1) | CA2310203C (ja) |
| DE (1) | DE60005083T2 (ja) |
| ES (1) | ES2204399T3 (ja) |
| IT (1) | IT1312340B1 (ja) |
| MX (1) | MXPA00005391A (ja) |
| RU (1) | RU2218986C2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014073471A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Cosmo Oil Co Ltd | 酸化脱水素触媒及びその製造方法、並びにアルカジエンの製造方法 |
| JP2015509046A (ja) * | 2012-01-20 | 2015-03-26 | サムスン トータル ペトロケミカルズ カンパニー リミテッド | ノルマル−ブタンの酸化的脱水素化反応触媒用マグネシア−ジルコニア複合担体の製造方法、それによって製造されたマグネシア−ジルコニア複合担体に担持されたマグネシウムオルソバナデート触媒の製造方法及び前記触媒を用いたノルマル−ブテンと１，３ーブタジエンの製造方法 |
| JP2016509536A (ja) * | 2013-11-18 | 2016-03-31 | エルジー・ケム・リミテッド | 触媒組成物及びその製造方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1318551B1 (it) * | 2000-06-01 | 2003-08-27 | Enichem Spa | Procedimento per la preparazione di sistemi catalitici per ladeidrogenazione ossidativa di alchilaromatici o paraffine. |
| DE10028432A1 (de) * | 2000-06-13 | 2001-12-20 | Basell Polyolefine Gmbh | Auf calciniertes Hydrotalcit geträgerter Katalysatorfeststoff zur Olefinpolymerisation |
| KR100962082B1 (ko) * | 2008-07-31 | 2010-06-09 | 희성촉매 주식회사 | 수소를 이용한 질소산화물의 환원제거용 촉매 및 이를이용한 질소산화물의 환원제거 방법 |
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