JP2001007381A5 - - Google Patents
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Description
すなわち本発明に係る光電変換膜は、第1導電型の半導体層と、当該半導体層上に形成した光電変換膜と、この光電変換膜上に形成され、第1導電型とは反対の第2導電型の半導体層とを具える光電変換装置の光電変換膜において、
粒径が数ナノメートルのシリコン結晶粒を含むナノ結晶層と、入射光により発生したキャリアがトンネル伝導できる厚さの絶縁層とが交互に形成されたナノシリコン層を具え、当該光電変換膜において、入射光に応じてキャリアが発生すると共に電荷増倍作用が行われることを特徴とする。
粒径が数ナノメートルのシリコン結晶粒を含むナノ結晶層と、入射光により発生したキャリアがトンネル伝導できる厚さの絶縁層とが交互に形成されたナノシリコン層を具え、当該光電変換膜において、入射光に応じてキャリアが発生すると共に電荷増倍作用が行われることを特徴とする。
上記構造では、熱的に安定な基板を使用しているのでLP−CVD法によりナノシリコン層を作製することができる。ナノシリコン層の作製は次の手順で行う。まず、n型c−Si基板あるいはp型a−SiCz :Oを表面酸化後、LP−CVD法により自己組織的にSiナノ結晶を形成する。ナノ結晶粒のサイズは堆積基板温度、堆積時間、原料ガスの圧力で制御する。次に、ナノ結晶表面を酸素雰囲気中で酸化しSiO2 を作製する。SiO2 の膜厚は酸化温度と時間により制御する。さらに、その上に2層目のナノ結晶を堆積し表面酸化する。このプロセスを繰り返すことで、光吸収・電荷増倍層として必要な厚さのナノシリコン層を作製する。
Claims (19)
- 第1導電型の半導体層と、当該半導体層上に形成した光電変換膜と、この光電変換膜上に形成され、第1導電型とは反対の第2導電型の半導体層とを具える光電変換装置の光電変換膜において、
粒径が数ナノメートルのシリコン結晶粒を含むナノ結晶層と、入射光により発生したキャリアがトンネル伝導できる厚さの絶縁層とが交互に形成されたナノシリコン層を具え、当該光電変換膜において、入射光に応じてキャリアが発生すると共に電荷増倍作用が行われることを特徴とする光電変換膜。 - 請求項1に記載の光電変換膜において、前記絶縁層を、酸化シリコン(SiOx:0<x≦2)、窒化シリコン(SiOy:0<y≦4/3)、又は水素化非晶質シリコン(a−Si:H)のいずれか1つの材料から選択したことを特徴とする光電変換膜。
- 請求項2に記載の光電変換膜において、前記ナノ結晶層は、電気的に活性な不純物を含まない真性半導体層としたことを特徴とする光電変換膜。
- 請求項2又は3に記載の光電変換膜において、前記ナノシリコン層の各ナノ結晶層に含まれるシリコンナノ結晶粒の粒径を、光入射面から遠ざかるにしたがって順次小さくし、ナノ結晶層のバンドギャップを入射面から遠ざかるにしたがって順次大きくなるように構成したことを特徴とする光電変換膜。
- 請求項4に記載の光電変換膜において、前記光入射面と直交する方向にそって複数のナノシリコン層を有し、各ナノシリコン層の境界において伝導帯オフセットが形成されることを特徴とする光電変換膜。
- 第1導電型の半導体層と、当該半導体層上に形成した光電変換膜と、この光電変換膜上に形成され、第1導電型とは反対の第2導電型の半導体層とを具える光電変換装置の光電変換膜において、
当該光電変換膜は、入射光に応じてキャリアを発生する光電変換作用を行う第1の層と、発生したキャリアに対して電荷増倍作用を行う第2の層とを有し、
前記第1の層を水素化非晶質シリコンで構成し、
前記第2の層を、粒径が数ナノメートルのシリコン結晶粒を含むナノ結晶層と、入射光により発生したキャリアがトンネル伝導できる厚さの絶縁層とが交互に形成されたナノシリコン層で構成したことを特徴とする光電変換膜。 - 第1導電型の半導体層と、当該半導体層上に形成した光電変換膜と、この光電変換膜上に形成され、第1導電型とは反対の第2導電型の半導体層とを具える光電変換装置に用いられる光電変換膜において、
当該光電変換膜は、粒径が数ナノメートルのシリコン結晶粒を主体的に含むナノ結晶層と、入射光により発生したキャリアがトンネル伝導できる厚さの絶縁層とが交互に形成され、光入射面と直交する方向に沿って順次形成した複数のナノシリコン層を具え、
各ナノシリコン層は、互いに異なる吸収ピーク波長を有し、それぞれ入射波長光に応じてキャリアを発生すると共に電荷増倍作用を行うことを特徴とする光電変換膜。 - 請求項7に記載の光電変換膜において、前記複数のナノシリコン層を前記光入射面から遠ざかる方向に沿って第1〜第3の3個のナノシリコン層で構成し、第1〜第3のナノシリコン層のバンドギャップをそれぞれ青、緑及び赤の波長域に吸収ピークを有するように構成したことを特徴とする光電変換膜。
- 第1導電型の半導体層と、当該半導体層上に形成した光電変換膜と、この光電変換膜上に形成され、第1導電型とは反対の第2導電型の半導体層とを具える光電変換装置に用いられる光電変換膜において、
当該光電変換膜は、粒径が数ナノメートルのシリコン結晶粒を含むナノ結晶層と、入射光により発生したキャリアがトンネル伝導できる厚さの絶縁層とが交互に形成され、入射光に応じてキャリアを発生すると共に電荷増倍作用を行うナノシリコン層を具え、
前記ナノシリコン層は、当該ナノシリコン層の面内に形成され、吸収ピーク波長が、青、緑及び赤の波長域に対応する3個の領域を含むことを特徴とする光電変換膜。 - 第1導電型の半導体基板と、当該半導体基板上に形成され、第1導電型の第1の半導体層と、当該第1の半導体層上に形成した光電変換膜と、この光電変換膜上に形成され、第1導電型とは反対の第2導電型の第2の半導体層と、この第2の半導体層上に形成した透明電極とを具える光電変換装置において、
前記光電変換膜が、粒径が数ナノメートルのシリコン結晶粒を含むナノ結晶層と、入射光により発生したキャリアがトンネル伝導できる厚さの絶縁層とが交互に形成されたナノシリコン層を具え、当該光電変換膜において、入射光に応じてキャリアが発生すると共に電荷増倍作用が行われることを特徴とする光電変換装置。 - 第1導電型の半導体基板と、当該半導体基板上に形成され、第1導電型の第1の半導体層と、当該第1の半導体層の上側に形成され、入射光に応じて光電変換作用を行う光電変換膜と、前記第1の半導体層と光電変換膜との間に形成され、光電変換膜で発生したキャリアに対して電荷増倍を行う電荷増倍層と、前記光電変換膜上に形成され、第1導電型とは反対の第2導電型の第2の半導体層と、この第2の半導体層上に形成した透明電極とを具え、
前記光電変換膜を、水素化非晶質シリコンで構成し、
前記電荷増倍層を、粒径が数ナノメートルのシリコン結晶粒を含むナノ結晶層と、入射光により発生したキャリアがトンネル伝導できる厚さの絶縁層とが交互に形成されたナノシリコン層により構成したことを特徴とする光電変換装置。 - 請求項10又は11に記載の光電変換装置において、前記半導体基板をn型の不純物が添加されたシリコン基板とし、
前記第1の半導体層を、シリコンカーバイド(a−SiCz :O)、シリコンオキシナイトライド(SiOxNv )又はSiO2 のいずれか1つの材料から選択され、n型の不純物が添加された半導体材料で構成し、
前記ナノシリコン層のナノ結晶層を、電気的に活性な不純物を含まない真性半導体材料で構成し、
前記第2の半導体層を、p型の不純物が添加されたシリコンカーバイド(a−SiCz :O)で構成したことを特徴とする光電変換装置。 - 透明基板と、この透明基板上に形成した透明電極層と、当該透明電極層上に形成され、第1導電型の半導体層と、この半導体層上に形成した光電変換膜と、当該光電変換膜上に形成され、第1導電型とは反対の第2の導電型の半導体層とを具える光電変換装置において、
前記光電変換膜が、粒径が数ナノメートルのシリコン結晶粒を含むナノ結晶層と、入射光により発生したキャリアがトンネル伝導できる厚さの絶縁層とが交互に形成されたナノシリコン層を具え、当該光電変換膜において、入射光に応じてキャリアが発生すると共に電荷増倍作用が行われることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項13に記載の光電変換装置において、前記第1の半導体層を、p型の不純物が添加されたシリコンカーバイド(a−SiCz :O)で構成し、
前記ナノシリコン層のナノ結晶層を、電気的に活性な不純物を含まない真性半導体材料で構成し、
前記第2の半導体層を、n型の不純物が添加されたシリコンカーバイド(a−SiCz :O)又はシリコンオキシナイトライド(SiOxNv )、或いはSiO2 のいずれか1つの材料から選択した半導体材料で構成したことを特徴とする光電変換装置。 - 請求項10から14までのいずれか1項に記載の光電変換装置において、前記ナノシリコン層を、請求項2から9までのいずれか1項に記載の光電変換膜で構成したことを特徴とする光電変換装置。
- 直径数ナノメートルのシリコン結晶粒を含むナノ結晶層と、入射光に応じて発生したキャリアがトンネル伝導できる厚さの絶縁層とが交互に形成された光電変換膜を製造するに際し、
低圧化学気相成長法により基体上に直径数ナノメートルのシリコン結晶粒を主体的に含むナノ結晶層を形成する第1の工程と、
前記ナノ結晶層の表面に酸化処理を行って絶縁層を形成する第2の工程とを具え、
前記第1及び第2の工程を複数回交互に繰り返すことにより光電変換膜を製造する光電変換膜の製造方法。 - 請求項16に記載の光電変換膜の製造方法において、前記第1の工程は、低圧化学気相成長法により基体上に非晶質シリコン層を形成する工程と、非晶質シリコン層に対してアニール処理を行い、固相成長により結晶化する工程とを含むことを特徴とする光電変換膜の製造方法。
- 請求項16に記載の光電変換膜の製造方法において、前記第1の工程は、低圧化学気相成長法により基体上に非晶質シリコン層を堆積する工程と、当該非晶質シリコン層に高輝度X線を照射してシリコン結晶粒を形成する工程とを含むことを特徴とする光電変換膜の製造方法。
- 請求項16に記載の光電変換膜の製造方法において、前記第1の工程は、電圧が印加された微小な針状電極を用いて下地となる基体の表面を走査して結晶核を形成するサイトを増加させる工程と、その後、低圧化学気相成長法により基体上にナノ結晶層を堆積する工程とを具えることを特徴とする光電変換膜の製造方法。
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