JP2000512402A - フォトレジスト組成物用の反射防止膜用組成物及びそれの使用法 - Google Patents
フォトレジスト組成物用の反射防止膜用組成物及びそれの使用法Info
- Publication number
- JP2000512402A JP2000512402A JP10546558A JP54655898A JP2000512402A JP 2000512402 A JP2000512402 A JP 2000512402A JP 10546558 A JP10546558 A JP 10546558A JP 54655898 A JP54655898 A JP 54655898A JP 2000512402 A JP2000512402 A JP 2000512402A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- carboxylic acid
- photoresist
- solvent
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B69/00—Dyes not provided for by a single group of this subclass
- C09B69/10—Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds
- C09B69/106—Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds containing an azo dye
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
- C08F8/30—Introducing nitrogen atoms or nitrogen-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L81/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of polysulfones; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L81/06—Polysulfones; Polyethersulfones
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/006—Anti-reflective coatings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/76—Photosensitive materials characterised by the base or auxiliary layers
- G03C1/825—Photosensitive materials characterised by the base or auxiliary layers characterised by antireflection means or visible-light filtering means, e.g. antihalation
- G03C1/835—Macromolecular substances therefor, e.g. mordants
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1. a)以下の単位を含んでなるポリマー、つまり以下の構造 [式中、 R1〜R4は、互いに独立して、水素、アルキル、アルコキシ、アルキルエー テル、ハロゲン、シアノ、ジビニルシアノ、アリール、アラル キル、アミノ、ヒドロキシ、フルオロアルキル、ニトロ、アミ ド、アルキルアミド、スルホン酸、スルホネートエステル、カ ルボン酸、カルボン酸エステル、またはカルボン酸もしくはス ルホン酸のアルカリ塩であり、 Xは、N=N、R'C=CR'、R'C=NまたはN=CR'であり、ここでR'はHまたはアル キルであり、 Yは、アリール、アラルキル、複素環状基またはアルキルであり、 mは、1〜3である] を有する少なくとも一種の染料単位、及び以下の式 [式中、 R6〜R9は、互いに独立して、水素、アルキル、アルコキシ、ハロゲン、ア ルキルエーテル、アミノ、ヒドロキシ、フルオロアルキル、ア ミド、アルキルアミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、ス ルホン酸、スルホン酸エステル、カルボン酸もしくはスルホン 酸のアルカリ塩または架橋性基であるか、あるいはR8及びR9は 一緒になって酸無水物基を形成する] で表される少なくとも一種の非芳香族系コモノマー単位を含むポリマー、及 び b)溶剤組成物、 を含む、フォトリソグラフに使用するのに適した反射防止膜用組成物。 2. 上記染料単位が、以下の構造 [式中、R1〜R5は、水素、アルキル、アルコキシ、ハロゲン、シアノ、ジビニル シアノ、アリール、アラルキル、アミノ、ヒドロキシ、フルオロアルキル、ニト ロ、アミド、スルホン酸、スルホネートエステル、カルボン酸、カルボン酸エス テル、またはカルボン酸もしくはスルホン酸のアルカリ塩からなる群から選択さ れ、mは1〜3であり、そしてnは1〜5である] を有する、請求の範囲第1項に記載の組成物。 3. 上記ポリマーが、以下の構造 [式中、R1〜R5は、水素、アルキル、アルコキシ、ハロゲン、シアノ、ジビニル シアノ、アリール、アラルキル、アミノ、ヒドロキシ、フルオロアルキル、ニト ロ、アミド、スルホン酸、スルホネートエステル、カルボン酸、カルボン酸エス テル、またはカルボン酸もしくはスルホン酸のアルカリ塩からなる群から選択さ れ、mは1〜3であり、そしてnは1〜5である] の染料単位を有し、そして上記コモノマー単位が、以下の構造 [式中、R6〜R8及びR10は、互いに独立して、水素、アルキル、アルコキシ、ハ ロゲン、シアノ、ジビニルシアノ、アリール、アラルキル、アミノ、ヒドロキシ 、フルオロアルキル、ニトロ、アミド、スルホン酸、スルホネートエステル、カ ルボン酸、カルボン酸エステル、またはカルボン酸もしくはスルホン酸のアルカ リ塩、あるいは架橋性基である] を有する、請求の範囲第1項に記載の組成物。 4. Yが、2-ピリジン、4-ピリジン、安息香酸、アセトフェノン、アセトアニ リド、ニトロベンゼン、ベンゼンスルホン酸及びN-(2,4-ジニトロフェニル)-1,4 -フェニレンジアミンからなる群から選択される、請求の範囲第1項に記載の組 成 物。 5. 上記コモノー単位が、以下の構造 [式中、R6〜R8及びR10は、互いに独立して、水素、アルキル、アルコキシ、ハ ロゲン、アミノ、ヒドロキシ、フルオロアルキル、アミド、カルボン酸、カルボ ン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、カルボン酸もしくはスルホン 酸のアルカリ塩、または架橋性基である] を有する、請求の範囲第1項に記載の組成物。 6. 溶剤組成物が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プ ロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、エチル3-エトキシプロピ オネート、セロソルブ(cellosolve)アセテート、アニソール、シクロヘキサノン 、シクロペンタノン、2-ヘプタノンまたはこれらの混合物から選択される、請求 の範囲第1項に記載の組成物。 7. 溶剤組成物が水を含んでなる、請求の範囲第1項に記載の組成物。 8. 溶剤組成物が、水、及び水と混和可能な低級アルコール、ケトンまたはエ ステル溶剤からなる、請求の範囲第1項に記載の組成物。 9. 染料を上記組成物中に溶解させる、請求の範囲第1項に記載の組成物。 10. 架橋剤を上記組成物中に溶解させる、請求の範囲第1項に記載の組成物。 11. 酸を上記組成物中に溶解させる、請求の範囲第1項に記載の組成物。 12. 潜在的な酸を上記組成物中に溶解させる、請求の範囲第1項に記載の組成 物。 13. 上記ポリマーが約2,500〜約1,000,000の範囲の重量平均分子量を有する、 請求の範囲第1項に記載の組成物。 14. 金属イオン濃度が各々の金属イオンについて50ppb未満である、請求の範 囲第1項に記載の組成物。 15. 上記ポリマーが更に、非吸光性でかつ非芳香族系である一種またはそれ以 上のビニルモノマーを含んでなる、請求の範囲第1項に記載の組成物。 16. 上記ポリマーが更に、架橋性基を含む一種またはそれ以上のビニルモノマ ーを含んでなる、請求の範囲第1項に記載の組成物。 17. 以下の段階、つまり a)請求の範囲第1項の反射防止膜用組成物で基体をコーティングし、 b)この反射防止膜を加熱処理し、 c)上記反射防止膜上に、フォトレジスト溶液からの塗膜を形成し、 d)このフォトレジスト膜を加熱処理して、この塗膜から溶剤を実質的に除 去し、 e)このフォトレジスト膜を像形成性露光し、 f)水性アルカリ性現像剤を用いて画像を現像し、 g)場合によっては、現像の前及び後に基体を加熱処理し、および h)上記反射防止膜をドライエッチングする、 段階を含む、基体上に画像を形成する方法。 18. 上記フォトレジスト溶液が、ノボラック樹脂、感光性化合物及びフォトレ ジスト溶剤を含んでなる、請求の範囲第17項に記載の方法。 19. 上記フォトレジスト溶液が、置換されたポリヒドロキシスチレン、光活性 化合物及びフォトレジスト溶剤を含んでなる、請求の範囲第17項に記載の方法。 20. 上記フォトレジスト溶液が、ポリヒドロキシスチレン、光活性化合物、溶 解抑制剤及びフォトレジスト溶剤を含んでなる、請求の範囲第17項に記載の方法 。 21. 反射防止膜のための加熱処理温度が、約70℃〜約250℃の範囲である、請 求の範囲第17項に記載の方法。 22. 像形成性露光が、180nm〜450nmの放射線を使用する、請求の範囲第17項に 記載の方法。 23. 現像剤が、金属イオンを含まないアルカリ性水酸化物の水溶液である、請 求の範囲第17項に記載の方法。 24. 以下の段階、つまり a)基体上にフォトレジスト溶液からの塗膜を形成し、 b)このフォトレジストを、請求の範囲第1項の反射防止膜用組成物でコー ティングし、 c)加熱処理して、この塗膜から溶剤を実質的に除去し、 d)上記フォトレジスト膜を像形成性露光し、 e)水性アルカリ性現像剤を用いて画像を現像し、及び f)場合によっては、現像段階の前及び後に基体を加熱処理する、 段階を含む、基体上に画像を形成する方法。 25. 反射防止膜用組成物のための溶剤が水を含んでなる、請求の範囲第24項 に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/841,750 US5994430A (en) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | Antireflective coating compositions for photoresist compositions and use thereof |
US841,750 | 1997-04-30 | ||
US08/841,750 | 1997-04-30 | ||
PCT/EP1998/002334 WO1998049603A1 (en) | 1997-04-30 | 1998-04-21 | Antireflective coating compositions for photoresist compositions and use thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000512402A true JP2000512402A (ja) | 2000-09-19 |
JP3231794B2 JP3231794B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=25285612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54655898A Expired - Lifetime JP3231794B2 (ja) | 1997-04-30 | 1998-04-21 | フォトレジスト組成物用の反射防止膜用組成物及びそれの使用法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5994430A (ja) |
EP (1) | EP0978016B1 (ja) |
JP (1) | JP3231794B2 (ja) |
KR (1) | KR100567639B1 (ja) |
CN (1) | CN1159627C (ja) |
DE (1) | DE69840910D1 (ja) |
TW (1) | TW530193B (ja) |
WO (1) | WO1998049603A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003506568A (ja) * | 1999-08-05 | 2003-02-18 | クラリアント・インターナシヨナル・リミテッド | フォトレジスト組成物用の反射防止膜 |
WO2004092840A1 (ja) * | 2003-04-17 | 2004-10-28 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 多孔質下層膜及び多孔質下層膜を形成するための下層膜形成組成物 |
US7238462B2 (en) | 2002-11-27 | 2007-07-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Undercoating material for wiring, embedded material, and wiring formation method |
JP2009065188A (ja) * | 2003-05-30 | 2009-03-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
KR20150126968A (ko) * | 2013-03-15 | 2015-11-13 | 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. | 상층막 형성용 조성물 및 이를 사용한 레지스트 패턴 형성 방법 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6808869B1 (en) * | 1996-12-24 | 2004-10-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Bottom anti-reflective coating material composition and method for forming resist pattern using the same |
US7361444B1 (en) * | 1998-02-23 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | Multilayered resist systems using tuned polymer films as underlayers and methods of fabrication thereof |
US6251562B1 (en) * | 1998-12-23 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | Antireflective polymer and method of use |
US7259880B1 (en) * | 1999-04-01 | 2007-08-21 | Oce Printing Systems Gmbh | Device and method for processing and printing information |
US6346361B1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-02-12 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Method for synthesizing polymeric AZO dyes |
US6686124B1 (en) * | 2000-03-14 | 2004-02-03 | International Business Machines Corporation | Multifunctional polymeric materials and use thereof |
JP3445584B2 (ja) * | 2001-08-10 | 2003-09-08 | 沖電気工業株式会社 | 反射防止膜のエッチング方法 |
US20060060096A1 (en) * | 2002-10-15 | 2006-03-23 | Agfa-Gevaert | Polymer for heat-sensitive lithographic printing plate precursor |
US7029821B2 (en) * | 2003-02-11 | 2006-04-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist and organic antireflective coating compositions |
CN100440431C (zh) * | 2003-03-04 | 2008-12-03 | 东京応化工业株式会社 | 液浸曝光工艺用浸渍液及使用该浸渍液的抗蚀剂图案形成方法 |
US6867844B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
KR100586541B1 (ko) * | 2003-07-16 | 2006-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR100570206B1 (ko) * | 2003-10-15 | 2006-04-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지막용 광 흡수제 중합체 및 이의 제조 방법과상기 중합체를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물 |
US7534555B2 (en) * | 2003-12-10 | 2009-05-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Plating using copolymer |
KR100966197B1 (ko) * | 2004-12-03 | 2010-06-25 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 반사 방지막 형성용 조성물, 적층체 및 레지스트 패턴의형성 방법 |
US20060177772A1 (en) * | 2005-02-10 | 2006-08-10 | Abdallah David J | Process of imaging a photoresist with multiple antireflective coatings |
DE602006005841D1 (de) * | 2005-11-11 | 2009-04-30 | Canon Kk | Polymer mit sulfonsäuregruppe oder sulfonsäure-ester-gruppe und amidgruppe sowie toner zur entwicklung elektrostatisch latenter bilder mit dem polymer |
US7968650B2 (en) * | 2006-10-31 | 2011-06-28 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | Polymeric compositions comprising at least one volume excluding polymer |
US9541829B2 (en) | 2013-07-24 | 2017-01-10 | Orthogonal, Inc. | Cross-linkable fluorinated photopolymer |
CN106662808A (zh) | 2014-02-07 | 2017-05-10 | 正交公司 | 可交联的氟化光聚合物 |
CN114686057B (zh) * | 2020-12-28 | 2023-06-02 | 中国科学院微电子研究所 | 一种图形化用抗反射涂层组合物及图形化方法 |
US20220406593A1 (en) * | 2021-05-27 | 2022-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Coating composition for photolithography |
CN117820910A (zh) * | 2022-06-30 | 2024-04-05 | 华为技术有限公司 | 涂层材料和集成电路及制备方法、电子设备 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3625919A (en) * | 1967-02-10 | 1971-12-07 | Hiroyoshi Kamogawa | Process for the preparation of diazotized vinylphenol polymers having phototropic properties |
US3709724A (en) * | 1969-09-18 | 1973-01-09 | Basf Ag | Process for finishing leather and synthetic leather substitutes |
JPS5851515A (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-26 | Fujitsu Ltd | レジスト膜の露光方法 |
DE3211400A1 (de) * | 1982-03-27 | 1983-09-29 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Polymere mit mesogenen gruppen und farbstoffresten in den seitenketten |
US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
GB8401166D0 (en) * | 1984-01-17 | 1984-02-22 | Bevaloid Ltd | Labelled polymer compositions |
US5207952A (en) * | 1986-10-10 | 1993-05-04 | University Of Southern Mississippi | Side chain liquid crystalline polymers as nonlinear optical materials |
JPS63202915A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
DE3817012A1 (de) * | 1988-05-19 | 1989-11-30 | Basf Ag | Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern |
JP2640137B2 (ja) * | 1989-02-28 | 1997-08-13 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
FR2668158B1 (fr) * | 1990-10-22 | 1994-05-06 | Thomson Csf | Polymere reticulable pour applications en optique non lineaire. |
DE69214035T2 (de) * | 1991-06-28 | 1997-04-10 | Ibm | Reflexionsverminderde Überzüge |
US5472827A (en) * | 1991-12-30 | 1995-12-05 | Sony Corporation | Method of forming a resist pattern using an anti-reflective layer |
US5294680A (en) * | 1992-07-24 | 1994-03-15 | International Business Machines Corporation | Polymeric dyes for antireflective coatings |
DE4232394A1 (de) * | 1992-09-26 | 1994-03-31 | Basf Ag | Copolymerisate mit nichtlinear optischen Eigenschaften und deren Verwendung |
FR2709755B1 (fr) * | 1993-09-06 | 1995-11-17 | France Telecom | Matériau polymère réticulable, utilisable en optique non linéaire, et son procédé d'obtention. |
JP3492375B2 (ja) * | 1993-10-12 | 2004-02-03 | エイチ・エヌ・エイ・ホールディングス・インコーポレイテッド | 改良されたフォトレジスト用水溶性反射防止塗料組成物およびその製造法 |
JP3334304B2 (ja) * | 1993-11-30 | 2002-10-15 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3248353B2 (ja) * | 1994-06-29 | 2002-01-21 | ソニー株式会社 | 反射防止膜の設計方法 |
US5525457A (en) * | 1994-12-09 | 1996-06-11 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Reflection preventing film and process for forming resist pattern using the same |
WO1997033200A1 (en) * | 1996-03-07 | 1997-09-12 | Clariant International, Ltd. | Light-absorbing antireflective layers with improved performance due to refractive index optimization |
EP0885407B1 (en) * | 1996-03-07 | 2001-08-22 | Clariant Finance (BVI) Limited | Bottom antireflective coatings through refractive index modification by anomalous dispersion |
US5652317A (en) * | 1996-08-16 | 1997-07-29 | Hoechst Celanese Corporation | Antireflective coatings for photoresist compositions |
US5652297A (en) * | 1996-08-16 | 1997-07-29 | Hoechst Celanese Corporation | Aqueous antireflective coatings for photoresist compositions |
-
1997
- 1997-04-30 US US08/841,750 patent/US5994430A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-04-21 KR KR1019997009978A patent/KR100567639B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-04-21 DE DE69840910T patent/DE69840910D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-21 CN CNB988045893A patent/CN1159627C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-21 EP EP98922750A patent/EP0978016B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-21 JP JP54655898A patent/JP3231794B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-21 WO PCT/EP1998/002334 patent/WO1998049603A1/en active IP Right Grant
- 1998-04-29 TW TW087106633A patent/TW530193B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003506568A (ja) * | 1999-08-05 | 2003-02-18 | クラリアント・インターナシヨナル・リミテッド | フォトレジスト組成物用の反射防止膜 |
JP4714394B2 (ja) * | 1999-08-05 | 2011-06-29 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | フォトレジスト組成物用の反射防止膜 |
US7238462B2 (en) | 2002-11-27 | 2007-07-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Undercoating material for wiring, embedded material, and wiring formation method |
WO2004092840A1 (ja) * | 2003-04-17 | 2004-10-28 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 多孔質下層膜及び多孔質下層膜を形成するための下層膜形成組成物 |
US7365023B2 (en) | 2003-04-17 | 2008-04-29 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Porous underlayer coating and underlayer coating forming composition for forming porous underlayer coating |
JP2009065188A (ja) * | 2003-05-30 | 2009-03-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
JP4551470B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2010-09-29 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
KR20150126968A (ko) * | 2013-03-15 | 2015-11-13 | 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. | 상층막 형성용 조성물 및 이를 사용한 레지스트 패턴 형성 방법 |
KR102001819B1 (ko) | 2013-03-15 | 2019-07-19 | 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. | 상층막 형성용 조성물 및 이를 사용한 레지스트 패턴 형성 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3231794B2 (ja) | 2001-11-26 |
CN1159627C (zh) | 2004-07-28 |
US5994430A (en) | 1999-11-30 |
TW530193B (en) | 2003-05-01 |
WO1998049603A1 (en) | 1998-11-05 |
EP0978016B1 (en) | 2009-06-17 |
DE69840910D1 (de) | 2009-07-30 |
KR100567639B1 (ko) | 2006-04-05 |
KR20010020358A (ko) | 2001-03-15 |
CN1253639A (zh) | 2000-05-17 |
EP0978016A1 (en) | 2000-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3220698B2 (ja) | 光吸収性ポリマー | |
JP3231794B2 (ja) | フォトレジスト組成物用の反射防止膜用組成物及びそれの使用法 | |
JP3835823B2 (ja) | フォトレジスト組成物のための反射防止膜 | |
EP0919013B1 (en) | Antireflective coatings for photoresist compositions | |
JP4714394B2 (ja) | フォトレジスト組成物用の反射防止膜 | |
JP3846809B2 (ja) | アリールヒドラゾ染料を含有する底部反射防止膜 | |
EP1208408A1 (en) | Antireflective coating material for photoresists | |
JP2001501323A (ja) | アリールヒドラゾ染料を含む感光性組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070914 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130914 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130914 Year of fee payment: 12 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130914 Year of fee payment: 12 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |