JPS5851515A - レジスト膜の露光方法 - Google Patents
レジスト膜の露光方法Info
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- JPS5851515A JPS5851515A JP14999281A JP14999281A JPS5851515A JP S5851515 A JPS5851515 A JP S5851515A JP 14999281 A JP14999281 A JP 14999281A JP 14999281 A JP14999281 A JP 14999281A JP S5851515 A JPS5851515 A JP S5851515A
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- refractive index
- resist film
- film
- silicon
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Links
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 claims 1
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- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多結晶シリコン膜等の被処理膜上に塗布され
たレジスト膜の露光方法の改良に関する。
たレジスト膜の露光方法の改良に関する。
牛導体装置の製造方法において、シリコン（８１）上に
スピンコードさｈたフォトレジスト膜を、フォトマスク
の使用の下に、選択的に１光する工程は数多く存在する
０かかる工程において社、フォトマスクのノぐターンと
全＜ ｌ’ｉＪ−のパターンに露光されることが必要ｆ
あるが、との要請を満すことは必ずしも容易ｆはない０
光の回折等に加えて、シリコン（８１）面から乱反射さ
れる反射光によって不所望の頓域のレジスト膜が露光さ
れるからで、する。したがって、シリコン（Ｓｌ）面で
の反射を防止することがｆきねば、塵光和匿の向上した
フォトレジス）ＩＩＩの露光方法が実現さ名る筈であり
、このような特性を有する、フォトレジスト膜の露光方
法の開発が求められていた。
スピンコードさｈたフォトレジスト膜を、フォトマスク
の使用の下に、選択的に１光する工程は数多く存在する
０かかる工程において社、フォトマスクのノぐターンと
全＜ ｌ’ｉＪ−のパターンに露光されることが必要ｆ
あるが、との要請を満すことは必ずしも容易ｆはない０
光の回折等に加えて、シリコン（８１）面から乱反射さ
れる反射光によって不所望の頓域のレジスト膜が露光さ
れるからで、する。したがって、シリコン（Ｓｌ）面で
の反射を防止することがｆきねば、塵光和匿の向上した
フォトレジス）ＩＩＩの露光方法が実現さ名る筈であり
、このような特性を有する、フォトレジスト膜の露光方
法の開発が求められていた。
本発明の目的は、かかる要請に応じる本のであ抄、シリ
コン（Ｓｌ）上に塗布さｈた７オトレジスト膜の露光方
法において、シリコン（Ｓｌ）而１の反射が防止されて
おり、露光精！変の向上したフォトレジスト膜の難光方
法を提供することにある。
コン（Ｓｌ）上に塗布さｈた７オトレジスト膜の露光方
法において、シリコン（Ｓｌ）而１の反射が防止されて
おり、露光精！変の向上したフォトレジスト膜の難光方
法を提供することにある。
以下図面を参照しつつ説明する。図面は本発明を糾明す
るための断面図ｆある。
るための断面図ｆある。
基板ｌ上のシリコン（Ｓｉ）２とフォトレジスト膜４と
の間に、シリコン（Ｓｌ）の屈折率と７オトレジスト膜
の屈折率との積の平方根を屈折率とする物質よりなる薄
層３を介在させることにある。
の間に、シリコン（Ｓｌ）の屈折率と７オトレジスト膜
の屈折率との積の平方根を屈折率とする物質よりなる薄
層３を介在させることにある。
この発明の依拠する原理は、屈折率が夫々ｎ１・ｎ２
＋ ｎ３ ′１％ある物質よりなる３層が存在し、ｎｌ
−ｎ２− ｎ３の方向に入射した光が屈折率ｎ３′１
％ある面１反射しないようにする条件は中間層の屈折率
ｎ！をｎ！＝ｒ１１７ｎ３に選定すること−ｔ％あると
いう幾何光学の教えるところである。
＋ ｎ３ ′１％ある物質よりなる３層が存在し、ｎｌ
−ｎ２− ｎ３の方向に入射した光が屈折率ｎ３′１
％ある面１反射しないようにする条件は中間層の屈折率
ｎ！をｎ！＝ｒ１１７ｎ３に選定すること−ｔ％あると
いう幾何光学の教えるところである。
ところで、多結晶シリコン（８１）の屈折率は波長４０
０ ｎｌ１１附近においては約５．０であり、一般に使
用されるフォトレジスト膜の屈折率は１．５５程度であ
る。よって、屈折率が、凸子マ〒５５：５Ｌ７８１％あ
る材料を中間層として介在させれば、この例においては
、上記の要件を満足する筈ｆある。そこで、屈折率が２
７８１あり、光透過性の良好な物質を求めたところ、屈
折率が１．９８である蟹化シリコ ン（Ｓｉ、Ｎ４）と
屈折率が五〇〇である多結晶シリコ ン（Ｓｌ）の中間
体がこの要請に応えつる本のであることが判明した。更
に、この組成比を調整すれば、２００〜＆５０程度の範
囲においてＰ９′ｒ望の屈折率を有する光透過性物質が
得られることが判明した。更に、このような中間体は、
モノシラン（ＳｉＨ，）トアンモニャ（ＮＨｍ）とを所
望の容積比に混合してこれを反応性物質とし、窒素（Ｎ
りをキャリヤとして、α５ ＴＯｒｒ程度の真空容器中
に導入し、ここでプラズマデボ９フＭンさせれば、 ３８１Ｈ４＋４ ＮＨ３： Ｓｉ３Ｎ、 ＋１２Ｈ２な
る反応と、 ８ｉＨ４＝ Ｓｉ ＋ ２ Ｎ２ なる□反応とが同時に進行し、上臼ビ盾望の容積比によ
って組成比の決定さｈる窒化シリコン（８１３Ｎ、）と
多結晶シリコン（Ｓｌ）との中間体が得られ、広範囲に
わたって、本発明の要旨を実現することが１きることが
確認された。
０ ｎｌ１１附近においては約５．０であり、一般に使
用されるフォトレジスト膜の屈折率は１．５５程度であ
る。よって、屈折率が、凸子マ〒５５：５Ｌ７８１％あ
る材料を中間層として介在させれば、この例においては
、上記の要件を満足する筈ｆある。そこで、屈折率が２
７８１あり、光透過性の良好な物質を求めたところ、屈
折率が１．９８である蟹化シリコ ン（Ｓｉ、Ｎ４）と
屈折率が五〇〇である多結晶シリコ ン（Ｓｌ）の中間
体がこの要請に応えつる本のであることが判明した。更
に、この組成比を調整すれば、２００〜＆５０程度の範
囲においてＰ９′ｒ望の屈折率を有する光透過性物質が
得られることが判明した。更に、このような中間体は、
モノシラン（ＳｉＨ，）トアンモニャ（ＮＨｍ）とを所
望の容積比に混合してこれを反応性物質とし、窒素（Ｎ
りをキャリヤとして、α５ ＴＯｒｒ程度の真空容器中
に導入し、ここでプラズマデボ９フＭンさせれば、 ３８１Ｈ４＋４ ＮＨ３： Ｓｉ３Ｎ、 ＋１２Ｈ２な
る反応と、 ８ｉＨ４＝ Ｓｉ ＋ ２ Ｎ２ なる□反応とが同時に進行し、上臼ビ盾望の容積比によ
って組成比の決定さｈる窒化シリコン（８１３Ｎ、）と
多結晶シリコン（Ｓｌ）との中間体が得られ、広範囲に
わたって、本発明の要旨を実現することが１きることが
確認された。
以下、本発明の一冥施例について説明し、本発明の構成
と特育の効果とを史に明らかにする。−例として、屈折
率を２．７８とする中間体をシリコン（８１）上に形成
する場合について述べる。１８０Ｗｍｉｎのモノシラ／
（８１Ｈ，）と１５０ ＣＣ／ ｍｉｎのアンモニヤ（
ＮＨ，）とを８８０ ＱＣ／ ｍｉｎのキャリヤーガス
としての１素（Ｎ２）ガスをもって０．５ＴＯｒｒの真
空容器に導き、５００Ｗの４源をもって多結晶シリコン
（Ｂ１）上に１分間プラズマデポジションさせたところ
、屈折率が２８ の上記中間体が約ａｅｏ ′Ａの厚さ
に成長した。この中間体を介在させた場合、４３６ｎｍ
の波長をもってする上記フォトレジストの施光におい
て反射は確実に防止され極めて良好な精度が得られるこ
とが確認された０ 以上説明せるとおり、本発明によれば、シリコン（Ｓｌ
）上に塗布されたフォトレジスト膜の無光方法において
、シリコン（８１）面１の反射が確実に防止され、露光
精度の祢めて向上したフォトレジスト膜の露光方法を提
供することが↑きる０
と特育の効果とを史に明らかにする。−例として、屈折
率を２．７８とする中間体をシリコン（８１）上に形成
する場合について述べる。１８０Ｗｍｉｎのモノシラ／
（８１Ｈ，）と１５０ ＣＣ／ ｍｉｎのアンモニヤ（
ＮＨ，）とを８８０ ＱＣ／ ｍｉｎのキャリヤーガス
としての１素（Ｎ２）ガスをもって０．５ＴＯｒｒの真
空容器に導き、５００Ｗの４源をもって多結晶シリコン
（Ｂ１）上に１分間プラズマデポジションさせたところ
、屈折率が２８ の上記中間体が約ａｅｏ ′Ａの厚さ
に成長した。この中間体を介在させた場合、４３６ｎｍ
の波長をもってする上記フォトレジストの施光におい
て反射は確実に防止され極めて良好な精度が得られるこ
とが確認された０ 以上説明せるとおり、本発明によれば、シリコン（Ｓｌ
）上に塗布されたフォトレジスト膜の無光方法において
、シリコン（８１）面１の反射が確実に防止され、露光
精度の祢めて向上したフォトレジスト膜の露光方法を提
供することが↑きる０
図面は本発明を説明するための断面図！ある。
１＃ｉ基板、２は多結晶シリコン膜、３は薄層、４はレ
ジスト膜″Ｃ％ある。
ジスト膜″Ｃ％ある。
Claims (1)
- 被処理膜上に塗布されたレジスト膜の一光方法において
、前記被処理膜と前記レジスト膜との間に、屈折率が略
前記被処理膜の屈折率と前記レジスト膜の屈折率との積
の平方根でおる物質よりなる薄層な介在させることを特
徴とする、！／シスト膜の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14999281A JPS5851515A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | レジスト膜の露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14999281A JPS5851515A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | レジスト膜の露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5851515A true JPS5851515A (ja) | 1983-03-26 |
Family
ID=15487093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14999281A Pending JPS5851515A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | レジスト膜の露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5851515A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997033201A1 (en) * | 1996-03-07 | 1997-09-12 | Clariant International, Ltd. | Bottom antireflective coatings through refractive index modification by anomalous dispersion |
| US5733714A (en) * | 1996-09-30 | 1998-03-31 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Antireflective coating for photoresist compositions |
| US5981145A (en) * | 1997-04-30 | 1999-11-09 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Light absorbing polymers |
| US5994430A (en) * | 1997-04-30 | 1999-11-30 | Clariant Finance Bvi) Limited | Antireflective coating compositions for photoresist compositions and use thereof |
| US6274295B1 (en) | 1997-03-06 | 2001-08-14 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Light-absorbing antireflective layers with improved performance due to refractive index optimization |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5158072A (ja) * | 1974-11-18 | 1976-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Handotaisochinoseizohoho |
-
1981
- 1981-09-22 JP JP14999281A patent/JPS5851515A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5158072A (ja) * | 1974-11-18 | 1976-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Handotaisochinoseizohoho |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997033201A1 (en) * | 1996-03-07 | 1997-09-12 | Clariant International, Ltd. | Bottom antireflective coatings through refractive index modification by anomalous dispersion |
| US6042992A (en) * | 1996-03-07 | 2000-03-28 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Bottom antireflective coatings through refractive index modification by anomalous dispersion |
| US5733714A (en) * | 1996-09-30 | 1998-03-31 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Antireflective coating for photoresist compositions |
| US6274295B1 (en) | 1997-03-06 | 2001-08-14 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Light-absorbing antireflective layers with improved performance due to refractive index optimization |
| US5981145A (en) * | 1997-04-30 | 1999-11-09 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Light absorbing polymers |
| US5994430A (en) * | 1997-04-30 | 1999-11-30 | Clariant Finance Bvi) Limited | Antireflective coating compositions for photoresist compositions and use thereof |
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