JP2000503189A - 高周波ｓａｗデバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 基板や結晶の配置方向に関し所定範囲のオイラー角を有するランガサイト結晶基板は、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスの信号処理を改善し、従って無線電話、移動通信システム、テレビシステムなどの信号処理を改善する。入力櫛歯状トランスデューサＩＤＴ（２）に電圧が掛けられると、ランガサイトの圧電基板（１）内に弾性表面波が発生される。この波は、一般にＩＤＴ（２）の電極に垂直な方向に伝播する。ＳＡＷ変換、回折、及びビーム操縦による挿入損失を低減するようなランガサイト結晶カット及び波の伝搬方向が定められる。温度安定性は改善される。低パワーフロー角で且つ低レベル回折も達成される。

Description

【発明の詳細な説明】 高周波ＳＡＷデバイス発明の分野 本発明は弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスに係り、特に、所定の結晶配置方向を 有するランガサイト（langasite）結晶基板を備えて、弾性表面波を基板の所定 結晶軸に沿って伝播させるデバイスに関する。発明の背景 本発明は、一般にランガサイト（ＬＳＧ）として公知の単結晶ランタンガリウ ムケイ酸塩すなわちＬａ₃ Ｇａ₅ ＳｉＯ₁₄上の弾性表面波の最適な配置方向に関 係する。今のところＳＡＷデバイスは、ワイヤレス、セルラー通信およびケーブ ルＴＶのようなＲＦ及びＩＦ用途の広い範囲において、バンドパスフィルタ、共 振器、遅延線、コンボルバー(convolvers)などとして使用されている。一般に用 いられる３つの基板は、リチウムニオブ酸塩、ＳＴ−クオーツ、及びリチウムタ ンタル酸塩である。任意の特定結晶の有効性と特に特定結晶の配置方向を決める 幾つかの材料特性がある。これらの特性には、１）ＳＡＷ速度Ｖｓ、２）ＳＡＷ 圧電カップリング係数ｋ² 、３）パワーフロー角ＰＦＡ、４）回折又はビーム拡 散係数γ（ガンマ）、及び５）遅延の温度係数ＴＣＤが含まれる。任意の既存基 板における配置方向のうち、これらのパラメータを同時に最適化するものを見つ けることは出来なかった。従って、基板と配置方向の選択は、用途にとって重要 なものに依存し、ほとんど常にＳＡＷ材料特性間での妥協が為される。デバイス 形状パター（patters）はより大きく、よって、デバイスはより製造し易いので 、高周波デバイスに対しては高速度が望まれる。低周波ではデバイスサイズはよ り小さいので、通常は低速度が望まれ、デバイス及びパッケージングのコストが 低くなる。このように、一般的な最適速度は存在しない。広いバンド幅デバイス に対しては、高い値のｋ² が望ましい。というのは、それにより低い挿入損失が 可能となるからである。ｋ² の観点からは、リチウムニオブ酸塩が最適であり、 ク オーツは最悪であり、リチウムタンタル酸塩はその中間である。大抵のデバイス 、特に狭バンドデバイスに対しては、ＴＣＤは出来るだけ低く、理想的には零と すべきである。この観点からは、ＳＴ−クオーツが最適であり、リチウムニオブ 酸塩は最悪であり、リチウムタンタル酸塩はその中間である（ｋ² に対する評価 とちょうど反対である）。γの最適値は−１であり、これは最小のビーム拡散を もたらす。この観点からは、ＹＺリチウムニオブ塩酸が現在理想的であり、ＳＴ −クオーツは最悪であり、リチウムタンタル塩酸はその中間である。ＰＦＡは零 とすべきであり、このことは、１．５５゜のＰＦＡを有する１１２゜リチウムタ ンタル塩酸は例外として通常使用される大抵のＳＡＷ基板の場合に当てはまる。 最狭バンド用途に対しては、ＳＴ−クオーツは全く受容できる選択肢である。ま た、温度安定性がそれほど重要でない非常に広いバンド用途（例えば、デバイス が一定温度で保持され得る）に対しては、リチウムニオブ酸塩は通常完全に受容 できる。必要とされるものは、より高いｋ² と同時に低い又は零のビーム操縦（ ＰＦＡ）及び回折（γ＝−１）を有するけれどもＳＴ−クオーツの温度安定性を 与える基板配置方向である。我々は、これらの条件を満たす基板を得ている。 ＳＡＷデバイスは公知であり、圧電基板を含み、その表面上に入力及び出力櫛 歯状トランスデューサ（ＩＤＴ）を備える。より良い温度安定性を得るのにＳＴ −クオーツが用いられる。結晶軸に対するＳＴカットの配置方向は、オイラー角 φ＝０゜、θ＝１３２．７５゜、ψ＝０゜により示される。このカットに対して は、温度係数は零に等しい。 公知デバイスには、高い挿入損失を生じるという欠点があり、これは、低い電 気−機械的係数ｋ_S ² ＝０．１１６％による変換損失や高周波範囲における伝搬 損失（１ＧＨｚで３．１Ｄｂ／μｓ以上）に起因する。このことにより、デバイ スの挿入損失が増加し、移動通信システムでそれらを使用するのを不可能にして いる。移動通信用フィルタの挿入損失は、中間無線周波数８００〜１８００ＭＨ ｚにおいて３〜４Ｄｂを越えてはならない。 発明の概要 本発明の目的は、オイラー角により定められる実質的に平坦な表面を有したラ ンガサイト結晶を提供することであり、これらの角度範囲内ではランガサイト上 でのＳＡＷ伝搬は、例えばＳＴ−クオーツで一般に見受けられるものより約２倍 から３倍も強い圧電カップリング、零に近いＰＦＡ、零に近いＴＣＤ、及び最小 に近いビーム拡散により特徴付けられる。後者３つの条件は任意の配置方向に対 して正確には全てを満たさないが、これら３つの条件共々により測定された性能 は、ＬｉＮｂＯ₃、ＬｉＴａＯ₃又はクオーツの如何なる公知カットよりも十分に 優れており、この範囲内での選択肢は、３番目のものの僅かの経費にて１又は２ を好適に選択できる。 本発明の好ましい態様は、表面上に入力及び出力ＩＤＴが配置されたランガサ イト基板（１）を備えたデバイスを含む。 ランガサイトを使用すると、クオーツに比べて伝搬損失が減少する（周波数１ ＧＨｚにおいて１ｄＢ／μｓまで）。変換損失を減少させるため、基板の配置方 向を定めるオイラー角は、φ＝９０゜、θ＝１０゜、ψ＝０゜が選択される。 公知デバイスにおける欠点には、低い温度安定性（温度係数＝１２×１０^-6） 、高い変換損失、高いビーム操縦損失、及び高い回折損失が含まれ、これらはそ れぞれ電気−機械的カップリングｋ_S ²、ＰＦＡφ、及び異方性パラメータにより 定められる。上記デバイスの場合、ｋ_S ² ＝０．２５％、φ＝−５．７％、γ＝ −２．８５９％である。 本発明は挿入損失を減少させ温度安定性を改善することを目的とする。 この目的は次のように達成される。すなわち、ランガサイト基板の表面はＺ軸 に対して垂直であり、ＩＤＴの電極はＸ軸に対して垂直でＹ軸に対して平行であ る。軸Ｘ、Ｙ、Ｚは、ランガサイトの結晶軸Ｘ、Ｙ、Ｚに対するオイラー角によ り定められる。この場合、角φは−１５゜から１０゜までの範囲にあり、角φは １２０゜から１６５゜までの範囲にあり、角ψは２０゜から４５゜までの範囲に ある。 図面の簡単な説明 図１は基板軸Ｘ’、Ｙ’、Ｚ’及び結晶軸Ｘ、Ｙ、Ｚをオイラー角にて概略的 に示し、Ｘ’，Ｙ’，Ｚ’に対するＸ，Ｙ，Ｚの相対的な配置方向を規定してい る。 図２はＳＡＷデバイスの斜視図であり、ランガサイト基板表面に設けられた櫛 歯状トランスデューサを示す。 図３は、異なる値のθの場合において伝搬角ψに対するＳＡＷパラメータ（速 度、パワーフロー角、電気−機械的カップリング係数、及び温度係数）の関係を 示す。 図４は、θ＝１４５゜かつ異なる値のθの場合においてψに対する図３のＳＡ Ｗパラメータの関係を示す。 好適実施態様の説明 オイラー角φ＝−１％、θ＝１３５．６゜±１０％、ψ＝２４．１゜±８゜で のランガサイトの結晶カットにより、ＳＡＷデバイスの性能が改善される。特に 、この結晶カットにより、３つの臨界ＳＡＷ伝搬パラメータがほぼ同時に最適化 され且つ第４パラメータの好適値が与えられる。この第４パラメータはカップリ ング定数ｋ² であり、これはＳＴ−クオーツ結晶において．１２％と比較して０ ．２５から０．３５％まで変化する。３つのＳＡＷ伝搬パラメータはＰＦＡ、γ およびＴＣＤであり、これらはそれぞれパワーフロー角、回折係数および温度係 数遅延である。ＰＦＡはビーム操縦角としても知られており、その角度は、タッ プ電極に対して常に垂直なＳＡＷ波ベクトルと、パワーフローの方向の間にある 。理想的には、ＰＦＡは零であるべきである。γは回折又はビーム拡散の目安で ある。通常は、ＳＡＷが基板上を伝搬するにつれ、ビームプロファイルは変化し 拡がる。このビーム拡散により、回折損失やフィルタ応答に対する歪みが生じる 。等方性材料では、γの値は零であり、回折はやや深刻な問題である。回折はγ ＝−１のときに最小化され、これは、ＹＺ ＬｉＮｂＯ₃ やＬｉＴａＯ₃ の特定 のＭＤＣ（最小回折カット）の場合である。ＳＴ−クオーツでは、γ＝＋．３８ であり、回折は等方性の場合よりも悪い。本開示の指定範囲内において、理想的 なγ＝−１となる角度範囲が存在する。同様に、ＴＣＤが零である角度範囲が存 在する。（ＴＣＤは１℃当たりの相対的遅延変化である。）各パラメータに対し て、ここで開示された角度の制限範囲内で理想的なパラメータ値が得られる。し かしながら、これらの値に関係した角度は２次元角度空間（θとψに亘る）内で 点軌跡を形成するので、３つの軌跡が交差する点は無い。このことは、３つのパ ラメータのうち２つは理想的な性能を達成できるが、３つ全部のパラメータでは 出来ないことを意味する。従って、この範囲内では角度の最適な選択はなお用途 に依存し、実際、３つ全てのパラメータの問題を最小にする中間点が存在する。 これが、本開示における角度拡散の理由である。 オイラー角の使用についてはしばしば混乱が生じるので、言葉による説明が適 当である。Ｚ’軸に垂直な表面上のウエハ外形を考える。Ｘ’軸に垂直なウエハ 外形の１つの縁に沿って平面を構成する。ＳＡＷ伝搬の方向はＸ’軸に平行であ る。ここで、結晶軸Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれウエハ外形軸Ｘ’、Ｙ’、Ｚ’に一致 すると仮定する。回転させなければ、ウエハはＺカット（ウエハがＺに垂直な研 磨表面でカットされる）およびＸ伝搬（ＳＡＷがＸ軸に平行な方向に伝搬する） と考えられる。続く任意の回転により、ウエハ軸Ｘ’、Ｙ’、Ｚ’は回転され、 一方で結晶軸Ｘ、Ｙ、Ｚは固定されると仮定される。ここで、例として、指定範 囲の中間に近い場合であるオイラー角（φ，θ，ψ）＝（０゜，１３５゜，２８ ゜）を考える。最初の回転はＺ’を中心として（Ｘ’からＹ’に向けて）φだけ 回転する。φ＝０゜であるから、この場合は回転しない。次の回転は「新しい」 Ｘ’（どんな回転も前の全ての回転を含んだウエハ軸を中心とするように、「新 しい」軸は常にウエハに結びつけられる）を中心としてθ（１３５゜）だけ回転 する（正の角度回転の場合はＹ’からＺ’に向かう）。最後に、Ｚ’を中心とし て（Ｘ’からＹ’に向けて）μ（この場合は２８゜である）だけ回転させる。 高周波ＳＡＷデバイスが図１及び図２を参照して説明される。図３には、角度 θの幾つかの値とφ＝０゜の場合についてオイラー角ψに対するＳＡＷ速度、Ｐ ＦＡφ、電気−機械的カップリングｋ_S ² 及び温度係数が示されている。φの幾 つかの値とθ＝１４５゜の場合についてψに対する速度、φ、ｋ_S 及び温度係数 が図４に示される。 本発明の好ましい実施態様では、ランガサイト基板（１）とＩＤＴ（２）、（ ３）及び必要ならば反射電極（６）を含むＳＡＷデバイスが含まれる。例として 描かれた基板表面に垂直なＺ’、電極４、５、６に垂直なＸ’及び軸Ｙ’（電極 に平行）は、結晶軸に対して次のように定められる。すなわち、φ＝−１５゜〜 １０゜、θ＝１２０゜〜１６５゜、ψ＝２０゜〜４５゜であり、ここでφ、θ、 ψはオイラー角である。 φは、結晶軸Ｘと補助軸Ｘ”との間の角であり、この補助軸Ｘ”は平面ＸＹの 回転軸である（基板表面の求められる配置方向まで）。 θは、軸Ｚと基板表面（１）に垂直なＺ’との間の角である。 ψは、軸Ｘ”と軸Ｘ’との間の角であり、Ｘ’はＩＤＴ（２）、（３）の電極 に垂直である。 ＳＡＷデバイスは次のように動作する。ＩＤＴ（２）に電圧が印加されると、 弾性表面波が基板内で発生され、エネルギーフローがＸ’方向に伝搬する（Ｘ” とＸ’との間のこの角はφに等しい）。ＳＡＷは出力ＩＤＴにより検出され、出 力電圧に変換される。ＳＡＷデバイスの挿入損失は幾つかの要因から生じる（こ こでは双方向性は考慮されてない）。すなわち、基板内での電気−機械的カップ リングにより定められる入出力ＩＤＴの変換損失ａ_t ＝ａ_t1＋ａ_t2、伝搬損失ａ_p 、回折損失ａ_d、ビーム操縦損失ａ_Oである。 従って、挿入損失は次のように定められる。 ａ_L＝ａ_T1＋ａ_T2＋ａ_p ＋ａ_d ＋ａ_O，ｄＢ 挿人損失の各成分は、基板の電気物理的パラメータやＩＤＴの形状パラメータ に依存する。 変換挿入損失ａ_Tiは、中心周波数で誘導器によりマッチングされたＮ対の電極 を有するＩＤＴに対する電気−機械的カップリング係数の逆数である。すなわち 、 ａ_Ti＝−１０１ｇ［２ｂ／（１＋ｂ）²］，ｄＢ ここで、ｂ＝Ｇ_O／Ｇ_aであり、Ｇ_Oは負荷コンダクタンス、Ｇ_aはＩＤＴアドミタ ンスである。例えば、中心周波数ｆ₀でのアンアポダイズド(unapodized)ＩＤＴ のアドミタンスは、 Ｇ_a＝８ｋ_S ² ｆ₀ Ｃ_S Ｎ² Ｗ として定められ、ここで、Ｃ_S ＝２（ε^T _pr＋１）（６．５）ｄ_n ²＋１．０８ｄ_n ＋２．３７）１０^-12（Ｆ／ｍ）は、単位長さの電極対のキャパシタンスであ り、ε^T _prは誘電体の誘電率であり、Ｗはアパーチャーであり、Ｎは電極対の数 である。Ｎは特定のバンド幅により次のように定められる。Ｎ＝０．６３２（Δ ｆ_-3／ｆ₀）、ここで（Δｆ_-3）は規格化された３ｄｂバンド幅である。 伝搬損失は、入力及び出力ＩＤＴ間の距離に比例する。すなわち、 ａ_p＝ｂｆ² ＋ｄｆ，ｄＢ／μｓｅｃ ここで、ｂ，ｃは基板材料の定数であり、ｆは動作周波数であり単位はＧＨｚで ある。 ビーム操縦損失は角度に比例し、 ａ₀ ＝−２０１ｇ（１−Ｂｔｇφ），ｄＢ となり、ここで、Ｂは形状パラメータであり１／ｗに等しく、１はＩＤＴ中心間 の距離であり、Ｗはアパーチャーである。 フレネル領域での回折損失は次のように定められる「４］。 ここで、 Ｒｅ ｕ（Ｗ，ｙ）＝Ｃｉ（α₁）−Ｃｉ（α₂） Ｉｍ ｕ（Ｗ，ｙ）＝Ｓｉ（α₂）−Ｓｉ（α₁） ａ₁ ＝πＷ²（ｙ＋１／２）²／［｜１＋γ｜１λ］ ａ₂ ＝πｗ²（ｙ−１／２）²／［｜１＋γ｜１λ］ である。Ｃ_i（α）とＳ_i（α）はフレネル積分であり、γは伝搬方向における基 板材料の異方性パラメータであり、λは波長である。回折損失はγの符号と値に 依存し、γ＝−１のとき最小となり、これはオートコリメーションを有するカッ トに対応する。 このように、デバイスにおける挿入損失は、高い電気−機械的カップリング、 低いビーム操縦角φ、異方性パラメータ（−１に近い）を有する基板の配置方向 を選択することにより抑えることができる。ＩＤＴアパーチャーの一般的な値と しては、Ｗ＝（２０〜８０）λであり、入力及び出力トランスデューサ間の距離 は１＝（２００〜３００）λであり、回折損失は弾性ビームの形式の歪みに関係 し且つ１．６ｄＢを越えない［１］。従って、デバイスの挿入損失は変換損失と ビーム操縦損失にほとんど依存する。 ［２］で知られたものと比較して本提案デバイスの利点を評価してみる。 配置方向（９０゜，１０゜，０゜）のプロトタイプデバイスのＳＡＷ伝搬パラ メータは、温度係数＝１２×１０^-6（１／℃）、ｋ_S ² ＝０．２６％、φ＝−５ ．７゜である。 図３及び図４に示されているように、本提案デバイスは、選択された制限１５ ゜≦φ≦＋１０゜、１２０゜≦θ≦１６５゜、２０゜≦ψ≦４５゜内の任意のオ イラー角にてランガサイト上に基づき、温度係数は１０×１０^-6（１／℃）を越 えず、配置方向（０゜，１４４゜，２２．７５゜）のとき零に近い。 結果として、公知デバイスと比較して温度安定性が改善されている。 図３及び図４には、提案デバイスにおいてＰＦＡφは５゜より小さく、電気− 機械的カップリング係数は０．２％より大きくその最大値は０．４５％であるこ とが示される。従って、提案した配置方向のほとんどの部分では、電気−機械的 カップリング係数ｋ_S はデバイス内のものより大きく、角度φはデバイスのもの より小さい。このことにより、変換及びビーム操縦損失が減少する。８０゜≦ψ ≦４５゜である幾つかの場合には、ｋ_S ² は、プロトタイプより幾らか小さく（ ０．２％＜ｋ_S ² ＜０．２６％）、これはビーム操縦損失を減少させることによ り補償される。 従って、提案されたグループの配置方向内の各オイラー角の如何なる値に対し ても、プロトタイプと比べて温度安定性を改善し挿入損失を減少させるような２ つの異なる角度の値を見つけることは常に可能である。 よって、本提案デバイスにおいて所望の結果が達成される。 例として、中間周波数ｆ₀ ＝１１０．６Ｍｈｚでバンド幅Δｆ_0-3 ＝０．９６ ５Ｍｈｚ又は（Δｆ_-3／ｆ₀）＝０．８８％のワイヤレス無線電話（欧州規格Ｄ ＥＣＴ）用のフィルタを考える。ランガサイト基板は、オイラー角（０゜，１４ ６゜，２２．５゜）により定めれる配置方向、及びパラメータｋ_S ² ＝０．４２ ％、φ＝０．９゜、温度係数＝２×１０^-6（１／℃）のものが用いられる。各Ｉ ＤＴの電極数が最適値Ｎ＝７２に近いなら（これはもし負荷抵抗が５０オームで あり、アパーチャーＷ＝３．５でありＩＤＴ間の距離１＝１０ｍｍならば最小の 変換損失となる）、提案デバイスの変換損失は零に近く（双方向性は考慮せず） 、ビーム操縦損失は０．４ｄＢである。 同様の形状パラメータを有するデバイスでは、変換損失とビーム操縦損失の値 はそれぞれ０．６ｄＢと２．９ｄＢである。それから、挿入損失における利得は ３．１ｄＢである。さらに、温度安定性はプロトタイプよりもかなり良い。 別の例として、ワイヤレス無線電話（欧州規格ＤＥＣＴ）におけるキャリア無 線周波数の選択用の高周波フィルタを考える。動作周波数はｆ₀＝１．８９ＧＨ ｚであり、バンド幅Δｆ_-3＝２０ＭＨｚ又は（Δｆ_-3／ｆ₀）≒１％である。Ｎ ＝６５、一般的なアパーチャーＷ＝０．１４ｍｍ（１００λ）、ＩＤＴ中心間の 距離１＝１ｍｍ、及びオイラー角（０゜，１４４゜，２２．７５゜）により定め られる基板配置方向並びにパラメータｋ_S ² ≒０．３７、φ≒０゜、温度係数≒ ０（１／℃）の場合、ビーム操縦損失は零であり、変換損失は１．２ｄＢである （双方向性は考慮せず）。 同様の形状パラメータを有するデバイスでは、ビーム操縦損失及び変換損失は それぞれ２．６ｄＢと１０．８ｄＢである。挿入損失における利得は１２．２ｄ Ｂである。さらに、温度安定性が改善される。 上記低損失フィルタはＳＴクオーツに基づいて設計され得ないことに留意すべ きである。 本願発明の特定の実施態様について上記詳細に説明してきたが、添付請求の範 囲に記載の発明の精神及び範囲を逸脱することなく、ここに説明の特定の詳細か ら種々の変更がされ得ることが理解される。 発明、その構成、動作、その好適実施態様の使用、及びそれらにより得られた 有利で新規で有効な結果を説明してきたが、添付請求の範囲には、新規で有効な 構成、使用方法及び当業者には自明の機械的等価物が示される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，Ｓ Ｚ，ＵＧ)，ＵＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ， ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，Ｈ Ｕ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ， ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，Ｐ Ｔ，ＲＯ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスであって、 ＳＡＷ伝搬表面を有するランガサイト基板と、 弾性表面波を放ち且つ検出するため表面上に電極を備えた入力及び出力櫛歯状 トランスデューサと、 を含み、表面波の伝搬方向は、Ｘ’軸に沿っており、該基板は、表面に垂直なＺ ’軸及び表面に沿い且つＸ’軸に垂直なＹ’軸をさらに有し、ランガサイト基板 は、結晶軸Ｘ、Ｙ、Ｚにより定められる結晶配置方向をさらに有し、デバイス軸 Ｘ’、Ｙ’、Ｚ’の相対配置方向は、オイラー角φ、θ、ψにより定められ、且 つ、 φの値は−１５゜から１０゜までの範囲にあり、θの値は１２０゜から１６５ ゜までの範囲にあり、ψの値は２０゜から４５゜までの範囲にある、弾性表面波 （ＳＡＷ）デバイス。