JP3282645B2 - 表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子Info
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02582—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of diamond substrates
Description
(V)および電気機械結合係数(K2 )を共に改良した
表面弾性波素子に関する。
「SAW」という)を利用する素子である表面弾性波素
子は、エレクトロメカニカル機能部品に共通した次の特
徴を有する。
高い。
動化、簡略化が容易である。
共通の特徴に加え、表面弾性波素子は更に、温度安定性
に優れ、寿命が長く、位相特性に優れる等の種々の特徴
を有しているため、周波数フィルタ、共振器、遅延デバ
イス、信号処理素子、コンボルバ(convolver )、オプ
トエレクトロニクス用機能素子等として広く好適に利用
可能である。
や移動体通信等を始めとする通信の分野におけるマルチ
チャンネル化・高周波化に伴い、上記した表面弾性波素
子の分野においても、より高周波域(例えば、GHz
帯)で使用可能な素子の開発が要請されている。
は、f=V/λ(VはSAWの伝搬速度、λはSAWの
波長)で決定される。波長λは、後述するように櫛型電
極の周期に依存するが、フォトリソグラフィー等の微細
加工技術における限界から、該素子において利用すべき
SAWの波長λを極端に小さくすることは困難である。
したがって、表面弾性波素子の高周波化のためには、S
AWの伝搬速度Vを大きくすることが好ましいこととな
る。
めとするの通信の分野等においては、主に表面弾性波素
子の実装上の観点からデバイス全体のより一層の省電力
化・小型化が求められ、したがって、上記した高周波化
と併せて、電気的エネルギーを機械的エネルギーに変換
する際の変換効率の指標たる電気機械結合係数(K2)
の改善が求められている。
されるべき表面弾性波素子においては、特に、該素子が
利用すべきSAWの伝搬速度Vを増大(例えば、V≧7
000m/s)させるのみならず、電気機械結合係数
(K2 )をも増大(例えば、K2 ≧2%)させること
が、強く要請されている。
LiTaO3 層を配置した積層構造を用いることは知ら
れている(特開昭64−62911号公報)。このLi
TaO3 はZnO等に比べて化学的安定性(耐酸性、耐
アルカリ性)に優れるという特徴を有する。しかしなが
ら、該LiTaO3 材料自体の結晶性ないし結晶構造と
の関係もあり、表面弾性波素子として好ましい圧電特性
を有するLiTaO3薄膜を形成することは、必ずしも
容易ではなかった。特に、電極配置ないし電極構造(電
極幅等)との関係において、いかなるLiTaO3 薄膜
が好ましい表面弾性波素子としての特性を与えるかは、
従来は不明であった。
技術の欠点を解消した表面弾性波素子を提供することに
ある。
aO3 層を用いつつ、好ましい特性を有する表面弾性波
素子を提供することにある。
度Vを増大させるのみならず、電気機械結合係数
(K2 )をも改良した表面弾性波素子を提供することに
ある。
結果、LiTaO3 /ダイヤモンド層構成で櫛型電極を
配置した構造を有する表面弾性波素子においては、多結
晶C軸配向性の層とした上記LiTaO3 と、特定の範
囲にコントロールしたkh1 =2π(t1 /λ0 )なる
パラメータ(λ:利用すべきSAWの波長(μm)、t
1 :LiTaO3 層の厚さ(μm))とを組合せること
が、上記目的の達成に極めて効果的であることを見出し
た。
くものであり、より詳しくは、ダイヤモンドと、該ダイ
ヤモンド上に配置された櫛型電極と、該櫛型電極上に配
置された多結晶C軸配向性のLiTaO3 層とを少なく
とも含み、且つ1次モードの表面弾性波(波長:λμ
m)を利用する表面弾性波素子であって;前記LiTa
O3 層の厚さをt1 (μm)とした際に、kh1 =2π
(t1 /λ)が0.4≦kh1 ≦1.2の範囲にあるこ
とを特徴とするものである。
特性を有する薄膜形成が難しいとされていたLiTaO
3 を用い、実際の素子作製という試行錯誤の煩雑さを低
減しつつ、好適な特性を有する表面弾性波素子を得るこ
とができる。より具体的には、上記構成により、700
0≦V≦12000m/sのSAW伝搬速度で、2≦K
2 ≦3.6%の電気機械結合係数を得ることができる。
ヤモンド層として基材(例えば、シリコン)の上に配置
されていてもよい。
該ダイヤモンド上に配置された櫛型電極と、該櫛型電極
上に配置された多結晶C軸配向性のLiTaO3 層とを
少なくとも含み、且つ2次モードの表面弾性波(波長:
λμm)を利用する表面弾性波素子であって;前記Li
TaO3 層の厚さをt1 (μm)とした際に、kh1=
2π(t1 /λ)が1.0≦kh1 ≦2.3の範囲にあ
ることを特徴とする表面弾性波素子が提供される。上記
ダイヤモンドは、必要に応じて、ダイヤモンド層として
基材(例えば、シリコン)の上に配置されていてもよ
い。
V≦11000m/sのSAW伝搬速度、1≦K2 ≦
3.4%の電気機械結合係数の特性を有する表面弾性波
素子を形成することができる。
がダイヤモンド層として基材上に配置されてなり、該ダ
イヤモンド層の厚さをt2 (μm)とした際に、kh2
=2π(t2 /λ)が4≦kh2 の範囲にある上記表面
弾性波素子が提供される。
00m/sのSAW伝搬速度、1≦K2 ≦3.4%の電
気機械結合係数の特性を有する表面弾性波素子がシリコ
ン等の基材上に得られる。
該ダイヤモンド上に配置された多結晶C軸配向性のLi
TaO3 層と、該LiTaO3 層上に配置された櫛型電
極とを少なくとも含み、且つ1次モードの表面弾性波
(波長:λμm)を利用する表面弾性波素子であって;
前記LiTaO3 層の厚さをt1 (μm)とした際に、
kh1 =2π(t1 /λ)が0.4≦kh1 ≦1.2の
範囲にあることを特徴とする表面弾性波素子が提供され
る。
00m/s且つ3≦K2 ≦4.6%の特性が得られる。
該ダイヤモンド上に配置された多結晶C軸配向性のLi
TaO3 層と、該LiTaO3 層上に配置された櫛型電
極とを少なくとも含み、且つ2次モードの表面弾性波
(波長:λμm)を利用する表面弾性波素子であって;
前記LiTaO3 層の厚さをt1 (μm)とした際に、
kh1 =2π(t1 /λ)が1.0≦kh1 ≦2.3の
範囲にあることを特徴とする表面弾性波素子が提供され
る。この構成によれば、8000≦V≦11000m/
sかつ1≦K2 ≦2.6%の特性が得られる。
がダイヤモンド層として基材上に配置されてなり、且
つ、該ダイヤモンド層の厚さをt2 (μm)とした際
に、kh2 =2π(t2 /λ)が4≦kh2 の範囲にあ
る上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、8000≦V≦11000m/s且つ1≦K2 ≦
2.6%の特性を有する表面弾性波素子がシリコン等の
基材上に得られる。
ヤモンド上に配置された短絡用電極と、該短絡用電極上
に配置された多結晶C軸配向性のLiTaO3 層と、該
LiTaO3 層上に配置された櫛型電極とを少なくとも
含み、且つ1次モードの表面弾性波(波長:λμm)を
利用する表面弾性波素子であって;前記LiTaO3層
の厚さをt1 (μm)とした際に、kh1 =2π(t1
/λ)が0.6≦kh1 ≦1.2の範囲にあることを特
徴とする表面弾性波素子が提供される。
00m/sかつ1≦K2 ≦1.6%の特性を有する表面
弾性波素子が得られる。
該ダイヤモンド上に配置された短絡用電極と、該短絡用
電極上に配置された多結晶C軸配向性のLiTaO3 層
と、該LiTaO3 層上に配置された櫛型電極とを少な
くとも含み、且つ2次モードの表面弾性波(波長:λμ
m)を利用する表面弾性波素子であって;前記LiTa
O3 層の厚さをt1 (μm)とした際に、kh1 =2π
(t1 /λ)が1.5≦kh1 ≦3.0の範囲にあるこ
とを特徴とする表面弾性波素子が提供される。
00m/s且つ1≦K2 ≦2%の特性が得られる。
がダイヤモンド層として基材上に配置されてなり、且
つ、該ダイヤモンド層の厚さをt2 (μm)とした際
に、kh2 =2π(t2 /λ)が4≦kh2 の範囲にあ
る上記表面弾性波素子が提供される。この構成によれ
ば、7000≦V≦10000m/s且つ1≦K2 ≦2
%の特性を有する表面弾性波素子が、シリコン等の基材
上に得られる。
発明を詳細に説明する。
TaO3 層を配置した構成を有する表面弾性波素子にお
いて、櫛型電極を用いてSAWを励振させた場合、伝搬
速度Vが異なる複数のSAW(伝搬速度Vの小さい方か
ら、0次モード、1次モード、2次モード、・・・とす
る)が励起される。したがって、表面弾性波素子が利用
しているSAWのモードは、該素子の動作周波数におけ
るSAWの伝搬速度Vを測定することにより決定するこ
とができる。この伝搬速度Vは、例えば、V=fλ(f
は中心周波数;λは櫛型電極の電極幅に基づく波長)の
関係から求めることが可能である。表面弾性波素子を構
成する櫛型電極が、図1に平面形状を示すようなシング
ル電極(電極幅d)の場合、λ=4dであり、図2に平
面形状を示すようなダブル電極(電極幅d)の場合、λ
=8dである。
成の一例(層構成1)を示す模式断面図である図3を参
照して、この態様における表面弾性波素子は、ダイヤモ
ンドと、該ダイヤモンド上に配置されたLiTaO3 層
と、該LiTaO3 層に接触して配置された櫛型電極
(図示せず)とを少なくとも含み、且つn次モード(n
=1または2)のSAW(波長:λn μm)を利用して
いるが、該LiTaO3 層の厚さをt1 (μm)とした
際に、kh1 =2π(t1 /λn )が特定の範囲内にあ
る。
れたダイヤモンド層を構成している本発明の態様(図4
の態様、層構成2)においては、上記kh1 が特定範囲
内にあることに加え、ダイヤモンド層の厚さをt2 (μ
m)とした際に、kh2 =2π(t2 /λn )が特定の
範囲内にある。
の模式断面図に示すような櫛型電極(必要に応じて、更
に短絡用電極)の電極配置が好ましく用いられる。
は、表面弾性波素子はダイヤモンドと、該ダイヤモンド
上に配置された櫛型電極と、該櫛型電極上に配置された
LiTaO3 層とからなる。図6に示す構成(電極配置
C)は、上記「電極配置A」のLiTaO3 層上に、更
に短絡用電極を配置してなる。
は、表面弾性波素子はダイヤモンドと、該ダイヤモンド
上に配置されたLiTaO3 層と、該LiTaO3 層上
に配置された櫛型電極とからなる。図8に示す構成(電
極配置F)は、上記「電極配置E」のダイヤモンドとL
iTaO3 層との間に、更に短絡用電極を配置してな
る。
素子を構成する各層について詳細に説明する。
たダイヤモンドとしては、単結晶ダイヤモンドおよび/
又は多結晶ダイヤモンドのいずれも使用可能である。該
ダイヤモンドを得る方法は、特に制限されない。より具
体的には例えば、このダイヤモンドとしては、単結晶ダ
イヤモンドを用いてもよく、また、他の材料(基材)上
に、ダイヤモンド膜を気相成長させて多結晶膜またはエ
ピタキシャル膜としてダイヤモンドを得てもよい。
限定されず、表面弾性波素子の用途によって適宜選択す
ることが可能である。本発明において使用可能な基材と
しては、例えば、Si等の半導体、金属、ガラス、セラ
ミクス等が挙げられる。
ヤモンド膜である場合、該ダイヤモンド膜ないしダイヤ
モンド薄膜の成長方法は、特に制限されない。より具体
的には例えば、該成長方法として、CVD(化学的気相
成長)法、マイクロ波プラズマCVD法、PVD(物理
的気相成長)法、スパッタ法、イオンプレーティング
法、プラズマジェット法、火炎法および熱フィラメント
法等の公知の方法が使用可能である。
面方位は、特に制限されない。面方位は、例えば(11
1)、(100)、(110)等のいずれでもよく、あ
るいかこれらの面方位が混在してもよい。
ては、上記ダイヤモンド上に形成すべきLiTaO3 膜
は多結晶であり、且つ、圧電性等の点を考慮して、Li
TaO3 膜の(001)面が基板と平行になっている膜
(いわゆるC軸配向膜)とされている。
X線ロッキングパターン法(結晶面の配向性評価方法の
1つ)によって評価することが可能である。より具体的
には例えば、以下のようにして配向性(面内の配向性)
を評価することができる。
の試料ホルダーに設置する。
て、評価すべき面方位を測定する。
(X線カウンター)とを回転させて、評価すべき面方位
における出力の最大値に、該θ軸と2θ軸とを固定す
る。基板に対してc−軸が垂直に配向しているLiTa
O3 膜の場合、(006)のピークについて2θが3
9.3°である。
ロッキングカーブを測定する。
ス分布とみなし、その標準偏差σを求める。
ーブの標準偏差σが小さい程、LiTaO3 は良好な配
向性を示している。本発明の表面弾性波素子において
は、このσ値は、8°以下(更には4°以下)であるこ
とが好ましい。
導電性材料である限り特に制限されない。櫛型電極とし
ての加工性およびコストの点からは、Al(アルミニウ
ム)が特に好ましく使用可能である。
発揮する限り特に制限されないが、100〜5000オ
ングストローム程度(更には100〜500オングスト
ローム程度)であることが好ましい。この厚さが100
オングストローム未満では、抵抗率が高くなり損失が増
加する。一方、該電極の厚さが5000オングストロー
ムを越えると、電極の厚み、高さによるSAWの反射を
引き起こす質量付加効果が著しくなり、目的とするSA
W特性を阻害する可能性がある。
能を発揮する限り特に制限されないが、図1に模式平面
図を示すような、いわゆるシングル電極、図2に模式平
面図を示すようなダブル電極等が好適に使用可能であ
る。
て、該電極を形成すべき面(例えば、(111)配向性
ダイヤモンド面)に、埋め込んでもよい。より具体的に
は例えば、溝等の形状を有する凹部を形成し(あるいは
該凹部を予め与えるように、所定の面を形成し)、櫛型
電極を構成するAl等の導電性材料の全部又は一部を、
このように形成した凹部中に埋めてもよい。このように
櫛型電極の全部又は一部を埋め込むことにより、例え
ば、櫛型電極の高さを、該電極を形成すべき面の高さを
実質的に等しくすることが可能となり、電極の厚みによ
るSAWの反射の影響を低減できる。
おいて、必要に応じて設けられる短絡用電極は、電界を
等電位とすることにより該素子のSAW特性を変化させ
る機能を有する電極である。この電極は、金属(薄)膜
(例えば、Al、Au、Al−Cu等)から構成されて
いることが好ましい。短絡用電極は、上記した櫛型電極
とは異なる機能を有するため、該短絡用電極を構成する
材料は、必ずしも櫛型電極の材料と同一である必要はな
い。
を発揮する限り特に制限されないが、50〜3000オ
ングストローム程度(更には100〜500オングスト
ローム程度)であることが好ましい。この厚さが50オ
ングストローム未満では、等電位の形成が困難となり、
他方、3000オングストロームを越えると、SAWの
反射に影響し易くなる。
様の占有面積を有する「ベタ電極」の平面形状を有する
ことが好ましい。
明する。
ラズマCVDで多結晶ダイヤモンド膜を形成した後、表
面研磨して0.13〜5μmの膜厚(4種類)を有する
ダイヤモンド膜を形成した。
m、5.1μm 次いで、上記ダイヤモンド膜上に、Alを用いて厚さ4
00オングストロームの櫛型電極(平面形状:図2のダ
ブル電極、電極幅d=1μm、電極間=1μm、周期=
8μm)を形成し、更に該櫛型電極の上に、LiTaO
3 膜(膜厚:0.13〜5.1μm、40種類)をRF
マグネトロン・スパッタリング法で形成して、図4に示
す層構成(層構成2)および図5に示す電極配置(電極
配置A)を有する表面弾性波素子(入力側櫛型電極の電
極対数:30、出力側櫛型電極の電極対数:30、入出
力電極の中心間の距離:400μm)を作製した。上記
で形成したLiTaO3 膜は全てC軸配向膜であり、そ
のX線ロッキングカーブのσ値は2〜3°であった。
厚 上記で得た表面弾性波素子(電極配置A)の上に、更に
Alを用いて短絡用電極(厚さ:100オングストロー
ム)を形成して、図4に示す層構成(層構成2)および
図6に示す電極配置(電極配置C)を有する表面弾性波
素子を作製した。
表面弾性波素子の作製と同様にして、図4に示す層構成
(層構成2)および図7に示す電極配置(電極配置E)
を有する表面弾性波素子;および図4に示す層構成(層
構成2)および図8に示す電極配置(電極配置F)を有
する表面弾性波素子を作製した。
に高周波を印加してSAWを励振させ、V=fλ(fは
中心周波数;λ=8d=8μm)の関係から、励起され
た各モードのSAWの伝搬速度V(m/s)を求めた。
電気機械結合係数(K2 )は、ネットワークアナライザ
(横河ヒューレットパッカード(YHP)製、8719
A)を用いて櫛型電極(IDT、inter-digital transd
ucer)の放射コンダクタンスを測定し、該放射コンダク
タンスの実部Gに基づき、 K2 =(G/8)・f0 ・C・N (f0 :中心周波数、C:櫛型電極の全静電容量、N:
櫛型電極の対数)として求めた。
1 (μm)およびダイヤモンド層の厚さt2 (μm)
は、上記素子の種々のパラメータ測定後に該素子を切断
し、該切断面を、倍率1000〜5000倍の走査型電
子顕微鏡(SEM)で観察して求めた。
示す層構成(層構成2)を有し、且つ図5〜8に示す電
極配置(電極配置A、C、EおよびF)を有する各表面
弾性波素子(λ=8μm)について、kh1 =2π(t
1 /λ)およびkh2 =2π(t2 /λ)を求めた。
h1 との関係(依存性)を、図9(kh2 =1.0)、
図10(kh2 =2.0)、および図11(kh2 =
3.0)の各グラフに示す。
極配置A)ついて、電気機械結合係数K2 とパラメータ
kh1 との関係(依存性)を、図12(kh2 =1.
0)、図13(kh2 =2.0)、および図14(kh
2 =3.0)の各グラフに示す。
極配置C)について、電気機械結合係数K2 とパラメー
タkh1 との関係を、図15(kh2 =1.0)、図1
6(kh2 =2.0)、および図17(kh2 =3.
0)の各グラフに示す。
極配置E)について、電気機械結合係数K2 とパラメー
タkh1 との関係を、図18(kh2 =1.0)、図1
9(kh2 =2.0)、および図20(kh2 =3.
0)の各グラフに示す。
極配置F)について、電気機械結合係数K2 とパラメー
タkh1 との関係を、図21(kh2 =1.0)、図2
2(kh2 =2.0)、および図23(kh2 =3.
0)の各グラフに示す。
子によれば、種々のLiTaO3 層厚、ダイヤモンド層
厚ないし電極配置において、SAWの良好な伝搬速度V
(V≧7000m/s)および良好な電気機械結合係数
K2 (K2 ≧1%)が達成されることが判明した。
0)面上に、Alを用いて厚さ400オングストローム
の櫛型電極(平面形状:図2のダブル電極、電極幅d=
1μm、電極間=1μm、周期=8μm)を形成し、更
に該櫛型電極の上に、LiTaO3 膜(膜厚:0.13
〜5.1μm、40種類)を、実施例1と同様にRFマ
グネトロン・スパッタリング法で形成して、図3に示す
層構成(層構成1)および図5に示す電極配置(電極配
置A)を有する表面弾性波素子(入力側櫛型電極の電極
対数:30、出力側櫛型電極の電極対数:30、入出力
電極の中心間の距離:400μm)を作製した。上記で
形成したLiTaO3 膜は全てC軸配向膜であり、その
X線ロッキングカーブのσ値は2〜3°であった。
の上に、更にAlを用いて短絡用電極(厚さ:100オ
ングストローム)を形成して、図3に示す層構成(層構
成1)および図6に示す電極配置(電極配置C)を有す
る表面弾性波素子を作製した。
表面弾性波素子の作製と同様にして、図3に示す層構成
(層構成1)および図7に示す電極配置(電極配置E)
を有する表面弾性波素子;および図3に示す層構成(層
構成1)および図8に示す電極配置(電極配置F)を有
する表面弾性波素子を作製した。
施例1と同様に入力側電極に高周波を印加してSAWを
励振させ、実施例1と同様の方法により、励起された各
モードのSAWの伝搬速度V(m/s)、電気機械結合
係数(K2 )、およびLiTaO3 層の厚さt1 (μ
m)を測定した。
示す層構成(層構成1)を有し、且つ図5〜8に示す電
極配置(電極配置A、C、EおよびF)を有する各表面
弾性波素子(λ=8μm)について、kh1 =2π(t
1 /λ)を求めた。
タkh1 との関係を、図24のグラフに示す。この図2
4のグラフには、上記実施例1で作製した図4に示す層
構成(層構成2)を有し、且つ図5〜8に示す電極配置
(電極配置A、C、EおよびF)を有する各表面弾性波
素子(λ=8μm)についてのデータ(kh2 =4.
0、6.0、8.0)をも同時に示す。
置A、C、E、およびF)について、電気機械結合係数
K2 とパラメータkh1 との関係を、図25(電極配置
A)、図26(電極配置C)、図27(電極配置E)お
よび図28(電極配置F)のグラフにそれぞれ示す。こ
れらの図25〜28のグラフには、上記実施例1で作製
した図4に示す層構成(層構成2)を有し、且つ図5〜
8に示す電極配置(電極配置A、C、EおよびF)を有
する各表面弾性波素子(λ=8μm)についてのデータ
(kh2 =4.0、6.0、8.0)をも、電極配置ご
とにそれぞれ示してある。
子によれば、種々の電極配置において、SAWの良好な
伝搬速度V(V≧7000m/s)および良好な電気機
械結合係数K2 (K2 ≧2%)が達成されることが判明
した。
モンドと、該ダイヤモンド上に配置されたLiTaO3
層と、該LiTaO3 層に接触して配置された櫛型電極
とを少なくとも含み、且つn次モード(n=1または
2)のSAW(波長:λn μm)を利用する表面弾性波
素子であって、該LiTaO3 層の厚さをt1 (μm)
とした際に、kh1 =2π(t1 /λn )が特定の範囲
内にある表面弾性波素子が提供される。
によれば、種々のLiTaO3 層厚、ダイヤモンド層厚
ないし電極配置において、SAWの良好な伝搬速度V
(V≧7000m/s)および良好な電気機械結合係数
K2 (K2 ≧2%)が達成可能となる。
の一例(シングル電極)を示す模式平面図である。
の一例(ダブル電極)を示す模式平面図である。
構成1)を示す模式断面図である。
構成2)を示す模式断面図である。
(電極配置A)を示す模式断面図である。
(電極配置C)を示す模式断面図である。
(電極配置E)を示す模式断面図である。
(電極配置F)を示す模式断面図である。
よびFを有する表面弾性波素子(パラメータkh2 =
1.0)におけるSAWの伝搬速度Vとパラメータkh
1との関係を示すグラフである。
を有する表面弾性波素子(パラメータkh2 =2.0)
におけるSAWの伝搬速度Vとパラメータkh1 との関
係を示すグラフである。
を有する表面弾性波素子(パラメータkh2 =3.0)
におけるSAWの伝搬速度Vとパラメータkh1 との関
係を示すグラフである。
波素子(パラメータkh2 =1.0)における電気機械
結合係数K2 とパラメータkh1 との関係を示すグラフ
である。
波素子(パラメータkh2 =2.0)における電気機械
結合係数K2 とパラメータkh1 との関係を示すグラフ
である。
波素子(パラメータkh2 =3.0)における電気機械
結合係数K2 とパラメータkh1 との関係を示すグラフ
である。
波素子(パラメータkh2 =1.0)における電気機械
結合係数K2 とパラメータkh1 との関係を示すグラフ
である。
波素子(パラメータkh2 =2.0)における電気機械
結合係数K2 とパラメータkh1 との関係を示すグラフ
である。
波素子(パラメータkh2 =3.0)における電気機械
結合係数K2 とパラメータkh1 との関係を示すグラフ
である。
波素子(パラメータkh2 =1.0)における電気機械
結合係数K2 とパラメータkh1 との関係を示すグラフ
である。
波素子(パラメータkh2 =2.0)における電気機械
結合係数K2 とパラメータkh1 との関係を示すグラフ
である。
波素子(パラメータkh2 =3.0)における電気機械
結合係数K2 とパラメータkh1 との関係を示すグラフ
である。
波素子(パラメータkh2 =1.0)における電気機械
結合係数K2 とパラメータkh1 との関係を示すグラフ
である。
波素子(パラメータkh2 =2.0)における電気機械
結合係数K2 とパラメータkh1 との関係を示すグラフ
である。
波素子(パラメータkh2 =3.0)における電気機械
結合係数K2 とパラメータkh1 との関係を示すグラフ
である。
=4.0、6.0、8.0)、且つ電極配置A、E、
C、Fを有する表面弾性波素子におけるSAWの伝搬速
度Vとパラメータkh1 との関係を示すグラフである。
=4.0、6.0、8.0)、且つ電極配置Aを有する
表面弾性波素子における電気機械結合係数K2 とパラメ
ータkh1 との関係を示すグラフである。
=4.0、6.0、8.0)、且つ電極配置Cを有する
表面弾性波素子における電気機械結合係数K2 とパラメ
ータkh1 との関係を示すグラフである。
=4.0、6.0、8.0)、且つ電極配置Eを有する
表面弾性波素子における電気機械結合係数K2 とパラメ
ータkh1 との関係を示すグラフである。
=4.0、6.0、8.0)、且つ電極配置Fを有する
表面弾性波素子における電気機械結合係数K2 とパラメ
ータkh1 との関係を示すグラフである。
Claims (9)
- 【請求項1】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に配
置された櫛型電極と、該櫛型電極上に配置された多結晶
C軸配向性のLiTaO3 層とを少なくとも含み、且つ
1次モードの表面弾性波(波長:λμm)を利用する表
面弾性波素子であって;前記LiTaO3 層の厚さをt
1 (μm)とした際に、kh1 =2π(t1 /λ)が
0.4≦kh1 ≦1.2の範囲にあることを特徴とする
表面弾性波素子。 - 【請求項2】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に配
置された櫛型電極と、該櫛型電極上に配置された多結晶
C軸配向性のLiTaO3 層とを少なくとも含み、且つ
2次モードの表面弾性波(波長:λμm)を利用する表
面弾性波素子であって;前記LiTaO3 層の厚さをt
1 (μm)とした際に、kh1 =2π(t1 /λ)が
1.0≦kh1 ≦2.3の範囲にあることを特徴とする
表面弾性波素子。 - 【請求項3】 前記ダイヤモンドがダイヤモンド層とし
て基材上に配置されてなり、該ダイヤモンド層の厚さを
t2 (μm)とした際に、kh2 =2π(t2 /λ)が
4≦kh2 の範囲にある請求項2記載の表面弾性波素
子。 - 【請求項4】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に配
置された多結晶C軸配向性のLiTaO3 層と、該Li
TaO3 層上に配置された櫛型電極とを少なくとも含
み、且つ1次モードの表面弾性波(波長:λμm)を利
用する表面弾性波素子であって;前記LiTaO3 層の
厚さをt1 (μm)とした際に、kh1 =2π(t1 /
λ)が0.4≦kh1 ≦1.2の範囲にあることを特徴
とする表面弾性波素子。 - 【請求項5】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に配
置された多結晶C軸配向性のLiTaO3 層と、該Li
TaO3 層上に配置された櫛型電極とを少なくとも含
み、且つ2次モードの表面弾性波(波長:λμm)を利
用する表面弾性波素子であって;前記LiTaO3 層の
厚さをt1 (μm)とした際に、kh1 =2π(t1 /
λ)が1.0≦kh1 ≦2.3の範囲にあることを特徴
とする表面弾性波素子。 - 【請求項6】 前記ダイヤモンドがダイヤモンド層とし
て基材上に配置されてなり、且つ、該ダイヤモンド層の
厚さをt2 (μm)とした際に、kh2 =2π(t2 /
λ)が4≦kh2 の範囲にある請求項5記載の表面弾性
波素子。 - 【請求項7】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に配
置された短絡用電極と、該短絡用電極上に配置された多
結晶C軸配向性のLiTaO3 層と、該LiTaO3 層
上に配置された櫛型電極とを少なくとも含み、且つ1次
モードの表面弾性波(波長:λμm)を利用する表面弾
性波素子であって;前記LiTaO3 層の厚さをt
1 (μm)とした際に、kh1 =2π(t1 /λ)が
0.6≦kh1 ≦1.2の範囲にあることを特徴とする
表面弾性波素子。 - 【請求項8】 ダイヤモンドと、該ダイヤモンド上に配
置された短絡用電極と、該短絡用電極上に配置された多
結晶C軸配向性のLiTaO3 層と、該LiTaO3 層
上に配置された櫛型電極とを少なくとも含み、且つ2次
モードの表面弾性波(波長:λμm)を利用する表面弾
性波素子であって;前記LiTaO3 層の厚さをt
1 (μm)とした際に、kh1 =2π(t1 /λ)が
1.5≦kh1 ≦3.0の範囲にあることを特徴とする
表面弾性波素子。 - 【請求項9】 前記ダイヤモンドがダイヤモンド層とし
て基材上に配置されてなり、且つ、該ダイヤモンド層の
厚さをt2 (μm)とした際に、kh2 =2π(t2 /
λ)が4≦kh2 の範囲にある請求項8記載の表面弾性
波素子。
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