DE69628332T2 - Hochfrequenz-saw-vorrichtung - Google Patents

Hochfrequenz-saw-vorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE69628332T2
DE69628332T2 DE69628332T DE69628332T DE69628332T2 DE 69628332 T2 DE69628332 T2 DE 69628332T2 DE 69628332 T DE69628332 T DE 69628332T DE 69628332 T DE69628332 T DE 69628332T DE 69628332 T2 DE69628332 T2 DE 69628332T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
angle
axis
loss
saw
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69628332T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69628332D1 (de
Inventor
Natalya F. Naumenko
Victor S. Orlov
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Triquint Inc
Original Assignee
Sawtek Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sawtek Inc filed Critical Sawtek Inc
Publication of DE69628332D1 publication Critical patent/DE69628332D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69628332T2 publication Critical patent/DE69628332T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02606Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of langanite substrates
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/0259Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of langasite substrates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

  • Technisches Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft eine akustische Oberflächenwellenvorrichtung (SAW) und insbesondere eine Vorrichtung mit einem Langasitkristallsubstrat mit einer vorbestimmten kristallinen Orientierung für das Veranlassen, daß eine akustische Oberfläche sich entlang einer vorbestimmten Kristallachse des Substrates ausbreitet.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Diese Erfindung betrifft eine optimale Orientierung einer akustischen Oberflächenwelle auf einkriställinem Lanthangalliumsilikat oder La3Ga5SiO14, gemeinhin als Langasit (LSG) bekannt. SAW-Vorrichtungen werden gegenwärtig als Bandpassfilter, Resonatoren, Verzögerungsleitungen, Konvolver bzw. Falter usw. in einem breiten Bereich von Hochfrequenz- und RF- und IF-Frequenzanwendungen, wie z. B. der netzförmigen Funkkommunikation und Kabelfernsehen, verwendet. Drei gemeinhin verwendete Substrate sind Lithiumniobat, ST-Quarz und Lithiumtantalat. Es gibt verschiedene Materialeigenschaften, die die Nützlichkeit jedes bestimmten Kristalls bestimmen und insbesondere die Orientierung eines bestimmten Kristalls. Diese Eigenschaften beinhalten: 1) die SAW-Geschwindigkeit, Vs, 2) den piezoelektrischen SAW-Kopplungskoeffizienten, k2, 3) den Leistungsflußwinkel, PFA, 4) den Beugungs- oder Strahlspreizkoeffizienten, γ(gamma) und 5) die Temperaturkoeffizienten der Verzögerung, TCD. Es war nicht möglich, eine Orientierung in irgendeinem existierenden Substrat zu finden, die diese Eigenschaften zur gleichen Zeit optimiert; somit hängt die Wahl des Substrates und der Orientierung davon ab, was für die Anwendung wichtig ist, und beinhaltet nahezu immer einen Kompromiß zwischen den SAW-Materialeigenschaften. Eine hohe Geschwindigkeit ist für Hochfrequenzvorrichtungen wünschenswert, da die geometrischen Muster der Vorrichtung größer sind und daher die Vorrichtungen leichter herzustellen sind. Bei niedrigen Frequenzen ist üblicherweise eine niedrige Geschwindigkeit wünschenswert, da die Vorrichtungsgröße kleiner ist, was zu niedrigeren Vorrichtungs- und Verpackungskosten führt. Es gibt somit keine universelle optimale Geschwindigkeit. Für Vorrichtungen mit moderater bis breiter Bandbreite ist ein hoher Wert von k2 wünschenswert, da er einen geringeren Einfügungsverlust erlaubt. Aus der Sicht von k2 ist Lithiumniobat am besten, Quarz ist am schlechtesten, und Lithiumtantalat liegt dazwischen. Für die meisten Vorrichtungen und insbesondere bei Vorrichtungen mit schmalem Band, sollte ein TCD so gering wie möglich und Idealerweise Null sein. Von diesem Blickpunkt aus ist ST-Quarz am besten, Lithiumniobat am schlechtesten, und Lithiumtantalat liegt dazwischen (gerade die umgekehrte Reihenfolge wie für k2). Der optimale Wert von γ beträgt –1, was zu einer minimalen Strahlaufspreizung führt. Von diesem Blickpunkt aus ist nun YZ-Lithiumniobat ideal, ST-Quarz am schlechtesten, und Lithiumtantalat liegt dazwischen. PFA sollte Null sein, und dies ist für die meisten gemeinhin verwendeten SAW-Substrate der Fall, mit einer Ausnahme, die das 112° Lithiumtantalat ist, was ein PFA von 1,55° hat. Für die meisten Schmalbandanwendungen ist ST-Quarz eine recht akzeptable Wahl und für die sehr breitbandigen Anwendungen, bei denen die Temperaturstabilität nicht so wichtig ist (z. B. kann eine Vorrichtung auf konstanten Temperaturen gehalten werden), ist Lithiumniobat üblicherweise recht akzeptabel. Was benötigt wird, ist eine Substratorientierung, die die Temperaturstabilität von ST-Quarz bietet, jedoch mit einem höheren k2 und zur gleichen Zeit einer niedrigen oder keiner Strahlsteuerung (PFA) und -beugung (γ = –1 ). Wir haben ein Substrat, das diese Bedingungen erfüllt.
  • Eine SAW-Vorrichtung ist bekannt, die ein piezoelektrisches Substrat mit Eingangs- und Ausgangsinterdigitalwandlern (IDTs) auf ihrer Oberfläche enthält. ST-Quarz wird verwendet, um die bessere Temperaturstabilität zu erreichen. Die Orientierung des ST-Schnitts in Bezug auf die kristallographischen Achsen wird durch die Euler-Winkel Φ = 0°, θ = 132,75° und Ψ = 0° beschrieben. Für diesen Schnitt ist der Temperaturkoeffizient gleich Null.
  • Die bekannte Vorrichtung hat den Nachteil eines hohen Einfügungsverlusts aufgrund des Wandlerverlusts aufgrund eines niedrigen elektromechanischen Koeffizienten ks 2 = 0,116% und einem Ausbreitungsverlust im Hochfrequenzbereich (mehr als 3,1 dB/μs bei der Frequenz 1 GHz). Dies führt zu einem erhöhten Einfügungsverlust der Vorrichtungen und macht es unmöglich, sie in mobilen Kommunikationssystemen zu verwenden. Der Einfügungsverlust für Filter für mobile Kommunikationen darf 3–4 dB bei mittleren Radiofrequenzen von 800–1800 MHz nicht überschreiten.
  • I. B. Yakovkin et al.: "Numerical and Experimental Investigation in Langasite" IEEE ULTRA- SONICS SYMPOSIUM, US, IEEE, NEW YORK, NY, 7. November 1995 (1995-11-07), S. 389–392, XP002112466 beschreibt einige numerische Modellierungen von SAW in einem Langasitsubstrat. Diese Veröffentlichungen beinhalten eine Tabelle, die einige der "extremen Merkmale" von SAW anzeigt. Dies beinhaltet ein maximales K2/2 (wobei K2 die Phasengeschwindigkeit ist), für das die Euler-Winkel als 0,147,22 beispielhaft angezeigt sind. Diese Veröffentlichung erörtert die piezoaktiven Scherparameter für Schnittwinkel, wobei die Scherung für Volumenwellenvorrichtungen statt für SAW-Vorrichtungen ist.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung, wie sie in den angefügten Ansprüchen beansprucht wird, ist eine akustische Oberflächenwellenvorrichtung (S.A.W.).
  • Die Verwendung von Langasit bietet einen erniedrigten Ausbreitungsverlust im Vergleich mit Quarz (bis zu 1 dB/μs bei der Frequenz 1 GHz). Um den Wandlungsverlust zu reduzieren, werden die Euler-Winkel, die die Orientierung des Substrates definieren, wie folgt gewählt: Φ = 90°, θ = 10° und Ψ = 0°.
  • Die folgenden Nachteile in den bekannten Vorrichtungen beinhalten eine schlechte Temperaturstabilität (der Temperaturkoeffizient = 12 × 10–6) und einen hohen Wandlungsverlust, einen hohen Strahlsteuerverlust und einen hohen Beugungsverlust, die durch die elektromechanische Kopplung ks 2, PFA bzw. den Anisotropieparameter definiert werden. Für die erwähnte Vorrichtung ist ks 2 = 0,25%, Φ = –5,7% und γ = –2,859%.
  • Die vorliegende Erfindung ist auf die Reduzierung von Einfügungsverlusten und das Verbessern der Temperaturstabilität gerichtet.
  • Dieser Zweck wird wie folgt erzielt: Die Oberfläche des Langasitsubstrates ist senkrecht zu der Z'-Achse, die Elektroden der IDTs sind senkrecht zu der X'-Achse und parallel zu der Y'-Achse. Die X'-, Y'-, Z'-Achsen sind durch die Euler-Winkel in Bezug auf die kristallographischen Achsen X, Y, Z von Langasit definiert – der Winkel Φ liegt in dem Bereich von –15° bis 10°, der Winkel θ liegt in dem Bereich von 120° bis 165° und der Winkel Ψ liegt in dem Bereich von 20° bis 45°.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • 1 zeigt schematisch die Substratachsen X', Y' und Z' und die Kristallachsen X, Y und Z zusammen mit den Euler-Winkeln, die die relative Orientierung von X, Y und Z gegenüber X', Y' und Z' beschreiben,
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht einer SAW-Vorrichtung, die Interdigitalwandler darstellt, die auf einer Langasit-Substratoberfläche lokalisiert sind,
  • 3 stellt SAW-Parameter (Geschwindigkeit, Leistungsflußwinkel, elektromechanischer Kopplungskoeffizient und Temperaturkoeffizient) über dem Ausbreitungswinkel Ψ für verschiedene Werte von θ dar, und
  • 4 stellt die SAW-Parameter von 3 über Ψ für θ = 45° für verschiedene Werte von Φ dar.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Der Kristallschnitt von Langasit mit den Euler-Winkeln Φ = –1%, θ = 135,6° +/– 10% und Ψ = 24,1° +/– 8° stellt eine verbesserte Leistung für SAW-Vorrichtungen zur Verfügung. Genauer ausgedrückt stellt der Kristallschnitt eine nahezu gleichzeitige Optimierung der drei kritischen SAW-Ausbreitungsparameter zur Verfügung und einen günstigen Wert eines vierten Parameters. Dieser vierte Parameter ist die Kopplungskonstante k2, die zwischen 0,25 und 0,35%, im Vergleich zu 0,12% für einen ST-Quarzkristall variiert. Die drei SAW-Ausbreitungsparameter sind PFA, γ und TCD, was der Leistungsflußwinkel, der Beugungskoeffizient bzw. die Temperaturkoeffizientenverzögerung ist. PFA ist ebenso bekannt als der Strahlsteuerwinkel und ist der Winkel zwischen dem SAW-Wellenvektor, der normalerweise senkrecht auf den Abgriffselektroden steht, und der Richtung des Leistungsflusses. Idealerweise sollte PFA Null sein. γ ist ein Maß der Beugung oder Strahlspreizung. Normalerweise wird sich das Strahlprofil, wenn sich eine SAW auf einem Substrat ausbreitet, verändern und sich aufweiten. Diese Strahlaufweitung bewirkt einen Beugungsverlust und eine Störung der Filterantwort. Für isotropische Materialien ist der Wert von γ = 0 und die Beugung ist ein mäßig ernstes Problem. Die Beugung wird minimiert, wenn γ = –1, und dies ist der Fall für YZ LiNbO3 und einen speziellen MDC (minimalen Beugungsschnitt) von LiTaO3. Für ST-Quarz ist γ = +0,38 und die Beugung ist schlechter als im isotropischen Fall. Es gibt einen Winkelbereich innerhalb des benannten Bereiches dieser Veröffentlichung, für den γ = –1 ist, was ideal ist. In ähnlicher Weise gibt es einen Winkelbereich, in dem TCD Null ist (TCD ist die relative Veränderung der Verzögerung pro °C). Die idealen Parameterwerte werden für jeden Parameter innerhalb des begrenzten Winkelbereichs dieser Veröffentlichung erhalten, da jedoch die Winkel, die mit den Werten verknüpft sind, einen geometrischen Ort von Punkten in einem zweidimensionalen Winkelraum (über θ und Ψ) bilden, gibt es keinen Punkt, an dem sich die drei Orte schneiden. Dies bedeutet, daß es möglich ist, eine ideale Leistung in zwei der drei Parameter, jedoch nicht in allen drei Parametern zu erzielen. Daher wäre innerhalb dieses Bereiches die optimale Wahl der Winkel immer noch von der Anwendung abhängig und tatsächlich gibt es Zwischenpunkte, die das Problem hinsichtlich aller drei Parameter minimieren. Dies ist der Grund für die Spanne der Winkel in dieser Veröffentlichung.
  • Es herrscht manchmal Verwerrung über die Verwendung der Euler-Winkel, so daß eine Beschreibung in Worten angemessen ist.
  • Man betrachte einen Umriß eines Wafers auf einer Fläche senkrecht zu der Z'-Achse. Nun konstruiere eine Fläche entlang einer Kante des Wafers senkrecht zu der X'-Achse. Die Richtung der SAW-Ausbreitung ist parallel zu der X'-Achse. Nun nimmt man an, daß die Kristallachsen X, Y, Z mit den Umrißachsen des Wafers X', Y' bzw. Z' zusammenfallen. Ohne Drehung wird der Wafer als Z-geschnitten (der Wafer ist mit der polierten Fläche senkrecht zu Z geschnitten) und X-ausbreitend (die SAW breitet sich in einer Richtung parallel zu der X-Achse aus) erachtet. Mit jeder nachfolgenden Drehung werden die Wafer-Achsen X', Y', Z' gedreht und es wird angenommen, daß die Kristallachsen X, Y, Z fixiert bleiben. Nun betrachte man beispielhaft die Euler-Winkel (Φ, θ, Ψ = 0°, 135°, 28°), was ein Fall nahe der Mitte des bestimmten Bereiches ist. Die erste Drehung würde um die Achse Z' (X' zu Y') um den Winkel Φ drehen. Da Φ = 0°, gibt es keine Drehung für diesen Fall. Die nächste Drehung findet um die "neue" X'-Achse (die "neuen" Achsen sind immer mit dem Wafer verbunden, so daß jede Drehung um θ (was 135° ist) um eine Waferachse erfolgt, die alle vorherigen Drehungen beinhaltet) (Y' in Richtung von Z' für eine positive Winkeldrehung). Schließlich drehe um Z' (X' in Richtung Y') um Ψ, was in diesem Fall 28° ist.
  • Eine Hochfrequenz-SAW-Vorrichtung wird unter Bezug auf die 1 und 2 beschrieben. Die 3 stellt die SAW-Geschwindigkeit, PFA, die elektromechanische Kopplung ks 2 und den Temperaturkoeffizienten über dem Euler-Winket Ψ für einige Werte der Winkel θ und für Φ = 0° dar. Die Geschwindigkeit Φ, ks und der Temperaturkoeffizient über Ψ für einige Werte von Φ und für θ = 145° sind in 4 dargestellt.
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet eine SAW-Vorrichtung, die ein Langasitsubstrat (1) und IDTs (2), (3) und, sofern notwendig, reflektierende Elektroden (6) aufweist. Die Normale Z' zu der Substratoberfläche, die Normale X' zu den Elektroden 4, 5, 6, die beispielhaft dargestellt sind und die Achse Y' (parallel zu den Elektroden) sind in Bezug auf die kristallographischen Achsen wie folgt definiert: = –15° bis 10°, θ = = 120° bis 165°, Ψ = 20° bis 45°, wobei Φ, θ, Ψ Euler-Winkel sind.
  • Φ ist der Winkel zwischen der kristallographischen X-Achse und der Hilfsachse X'', was die Drehachse der Ebene XY (bis zu der erforderlichen Orientierung der Substratoberfläche) ist.
  • θ ist der Winkel zwischen der Z-Achse und der Normalen Z' auf der Substratoberfläche (1).
  • Ψ ist der Winkel zwischen der X''-Achse und der Achse X', X' liegt senkrecht zu den Elektroden der IDTs (2), (3).
  • Die SAW-Vorrichtung arbeitet wie folgt. Wenn eine Spannung an den IDT (2) angelegt wird, wird eine akustische Oberflächenwelle in dem Substrat erzeugt und der Energiefluß breitet sich in der X'-Richtung aus (der Winkel zwischen X'' und X' = Ψ). Die SAW wird von dem Ausgangs-IDT erfaßt und in die Ausgangsspannung umgewandelt. Der Einfügungsverlust der SAW-Vorrichtung folgt aus einer Anzahl von Faktoren (Bidirektionalität wird hier nicht betrachtet): Wandlerverlust at = at1 + at1 des Eingangs- und Ausgangs-IDTs, definiert durch den elektromechanischen Kopplungsausbreitungsverlust aP in dem Substrat, den Beugungsverlust ad' und den Strahlsteuerungsverlust a0.
  • Daher wird der Einfügungsverlust wie folgt definiert: aL = aT1 + aT2 + aP + ad + a0, dB
  • Jede Komponente des Einfügungsverlusts hängt von elektrophysikalischen Parametern des Substrates und der geometrischen Parameter der IDTs ab.
  • Der Wandlungseinfügungsverlust aTI ist invers zu dem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten für ein IDT mit N Paaren von Elektroden, die durch einen Induktor an die Zentralfrequenz angepaßt sind: aTI = –10 lg [2b/(1 + b)2], dB, wobei b = G0/Ga; G0 – Lastkonduktanz; Ga – IDT-Admittanz. Beispielsweise ist die Admittanz eines nicht apodisierten IDT an der Zentralfrequenz f0 definiert als: Ga = 8ks 2f0CsN2W wobei Cs = 2(∊T pr + 1)(6,5)dn 2 + 1,08dn + 2,37)10–12 ; F/m – Kapazität eines Elektrodenpaares der
    Einheitslänge; ϵT pr – Dielektrizitätskonstante, W – Apertur; N – Anzahl von Elektrodenpaaren, die wie folgt durch die spezifizierte Bandbreite definiert ist: N = 0,632 (Δf–3/f0), wobei (Δf–3) auf eine 3dB-Bandbreite normalisiert ist.
  • Der Ausbreitungsverlust ist proportional zu dem Abstand zwischen dem Eingangs- und dem Ausgangs-IDT: aP = bf2 + df, dB/μsec, wobei b, c – Konstanten des Substratmaterials sind; f – Betriebsfrequenz, GHz.
  • Der Strahlsteuerverlust ist proportional zum Winkel: a0 = –20 lg (1 – BtgΦ), dB, wobei B – geometrischer Parameter, der gleich I/w; I – Abstand zwischen den IDT-Zentren; W – Apertur.
  • Der Beugungsverlust im Fresnel-Bereich ist wie folgt definiert [4]: ad = –10 lg[∫+1/21/2 u(W, y)dy], dB, wobei Re u(W, y) = Ci(α1) – Ci(α2), Im u(W, y) – Si(α2) – Si(α1), a1 = πW2(y + 1/2)2/[|1 + γ|1λ], a2 = πW2(y – 1/2)2/[|1 + γ|1λ], Ci(α) und Si(α) Fresnel-Integrale; γ – Anisotropieparameter des Substratmaterials in der Ausbreitungsrichtung; λ – Wellenlänge. Der Beugungsverlust hängt von dem Vorzeichen und dem Wert von y ab und ist minimal, wenn γ = –1, was Schnitten mit Autokollimation entspricht.
  • Der Einfügungsverlust in einer Vorrichtung kann somit durch Auswählen einer Orientierung eines Substrates mit hoher elektromechanischer Kopplung, niedrigem Strahlsteuerwinkel, Anisotropieparameter (nahezu –1) reduziert werden. Für einen typischen Wert für die IDT-Apertur, W = (20–80) λ und dem Abstand zwischen dem Eingangs- und dem Ausgangs-Transducer I = (200–300) λ, ist der Beugungsverlust mit der Störung der Form des akustischen Strahls verknüpft und überschreitet nicht 1,6 dB [1]. Daher hängt der Einfügungsverlust der Vorrichtung hauptsächlich von dem Wandlungsverlust und dem Strahlsteuerverlust ab.
  • Es sollen nun die Vorteile der vorgeschlagenen Vorrichtung im Vergleich zu dem aus [2] bekannten abgeschätzt werden.
  • Die SAW-Ausbreitungsparameter des Vorrichtungsprototyps mit der Orientierung (90°, 10°, 0°) sind wie folgt: Temperaturkoeffizient = 12·10–6(1/°C), ks 2 = 0,26%,PFA = –5,7°.
  • Wie in den 3 und 4 in der vorgeschlagenen Vorrichtung, die auf Langasit basiert, gezeigt ist, überschreitet der Temperaturkoeffizient für irgendwelche Euler-Winkel innerhalb der gewählten Grenzen –15°≤ Φ ≤ +10°, 120° ≤ θ ≤ 165°, 20° ≤ Ψ ≤ 45° nicht 10·10–6(1/°C) und für die Orientierung (0°, 144°, 22,75°) ist er nahe Null.
  • Als Konsequenz ist die Temperaturstabilität verglichen mit der bekannten Vorrichtung verbessert.
  • Wie in den 3 und 4 gezeigt ist, ist in der vorgeschlagenen Vorrichtung PFA geringer als 5° und der elektromechanische Kopplungskoeffizient ist größer als 0,2% mit einem maximalen Wert von 0,45%. Folglich ist auf dem größten Teil der vorgeschlagenen Orientierung der elektromechanische Kopplungskoeffizient ks größer als in der Vorrichtung und der Winkel Φ ist geringer als der der Vorrichtung. Dies führt zu einem verringerten Wandler- und Strahlsteuerverlust. In manchen Fällen für 80° ≤ Ψ ≤ 45°, ist ks 2 etwas kleiner als der des Prototyps (0,2% < ks 2 < 0,26%), was durc einen verringerten Strahlsteuerverlust kompensiert wird.
  • Folglich ist es für jeden Wert von jedem Euler-Winkel innerhalb der vorgeschlagenen Gruppe von Orientierungen immer möglich, solche Werte von zwei anderen Winkeln zu finden, so daß ihre Kombination die verbesserte Temperatur und Stabilität und die verringerten Einfügungsverluste im Vergleich mit dem Prototyp zur Verfügung stellt.
  • Daher wird das gewünschte Ergebnis in der vorgeschlagenen Vorrichtung erzielt.
  • Man betrachte beispielsweise einen Filter für drahtlose Funktelefone (Europäischer Standard DCT) für mittlere Frequenzen f0 = 110,6 MHz mit einer Bandbreite Δf0-3 = 0,965 MHz oder (Δf–3/f0) = 0,88%. Das Langasitsubstrat wird verwendet mit einer Orientierung, die durch die Euler-Winkel (0°, 146°, 22,5°) und die folgenden Parameter definiert wird: ks 2 = 0,42%, PFA 0,9°, Temperaturkoeffizient = 2·10–6(1/°C). Mit der Anzahl der Elektroden von jedem IDT nahe dem optimalen Wert N = 72 (was einen minimalen Wandlungsverlust zur Verfügung stellt, wenn der Lastwiderstand 50 Ohm, die Apertur W = 3,5 und der Abstand zwischen den IDTs I = 10 mm beträgt), ist der Wandlungsverlust der vorgeschlagenen Vorrichtung nahe Null (Bidirektionalität wird nicht betrachtet) und der Strahlsteuerverlust beträgt 0,4 dB.
  • Für eine Vorrichtung mit ähnlichen geometrischen Parametern sind die Werte des Wandlungs- und Strahlsteuerverlusts 0,6 dB bzw. 2,9 dB. Die Verstärkung in dem Einfügungsverlust beträgt somit 3,1 dB. Weiterhin ist die Temperaturstabilität beachtlich besser als die des Prototyps.
  • Als ein weiteres Beispiel betrachte man einen Hochfrequenzfilter für die Auswahl von Trägerhochfrequenzen in Funktelefonen (Europäischer Standard DECT). Die Betriebsfrequenz beträgt f0 = 1,89 GHz, die Bandbreite Δf–3 = 20 MHz oder (Δf–3/f0) ≈ 1%. Für N = 65, einer typischen Apertur W = 0,14 mm (100 λ, dem Abstand zwischen den IDT-Zentren I = 1 mm und der Substratorientierung, die durch die Euler-Winkel (0°, 144°, 22,75°) definiert wird, mit den Parametern: ks 2 ≈ 0,37, PFA ≈ 0°, Temperaturkoeffizient ≈ 0 (1/°C), beträgt der Strahlsteuerverlust Null und der Wandlungsverlust beträgt 1,2 dB (die Bidirektionalität wird nicht betrachtet).
  • Für die Vorrichtung mit ähnlichen geometrischen Parametern betragen der Strahlsteuerverlust und der Wandlungsverlust 2,6 dB bzw. 10,8 dB. Die Verstärkung in dem Einfügungsverlust beträgt 12,2 dB. Darüber hinaus ist die Temperaturstabilität verbessert.
  • Es ist erwähnenswert, daß die vorher erwähnten Niedrigverlustfilter nicht auf Basis von ST-Quarz konstruiert werden können.
  • Während spezifische Ausführungsformen der Erfindung hier im Detail beschrieben wurden, versteht es sich, daß verschiedene Modifikationen von den hier beschriebenen spezifischen Details durchgeführt werden können, ohne von dem Schutzbereich der Erfindung abzuweichen, wie er in den angefügten Ansprüchen ausgeführt wird.
  • Nachdem nun die Erfindung, die Konstruktion, der Betrieb und die Verwendung von bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung und die vorteilhaften neuen und nützlichen Ergebnisse, die hiermit erzielt wurden, beschrieben wurden, werden die neuen und nützlichen Konstruktionen, Verwendungsverfahren und geeigneten mechanischen Äquivalente, die sich dem Fachmann erschließen, in den angefügten Ansprüchen ausgeführt.

Claims (2)

  1. Akustische Hochfrequenz-Oberflächenwellenvorrichtung (SAW), die ein Lanthangalliumsilicat- (Langasit-) Substrat aufweist mit ineinandergreifenden Eingangs- und Ausgangswandlern (2, 3) auf einer Oberfläche für das Starten und Erfassen von akustischen Oberflächenwellen, wobei eine Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwelle entlang einer X'-Achse ist, wobei das Substrat weiterhin eine Z'-Achse hat, die senkrecht auf der Oberfläche steht und eine Y'-Achse hat entlang der Oberfläche und senkrecht zu der X'-Achse und wobei das Substrat charakterisiert ist durch: eine kristallographische Orientierung der Achsen X', Y', Z', die durch Eulerwinkel (Φ, θ, Ψ ) definiert werden mit einem Winkel Φ, der von –15° bis +10° reicht, einem Winkel θ , der von 120° bis 165° reicht und einem Winkel Ψ , der von 20° bis 45° reicht, wobei der Leistungsflußwinkel (PFA) der Vorrichtung geringer als 5° ist, wobei der elektromechanische Kopplungskoeffizient größer als 0,2% ist und der Temperaturkoeffizient 10 × 10–6 pro °C nicht überschreitet.
  2. Akustische Hochfrequenz-Oberflächenwellenvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Substrat einen Beugungskoeffizienten γ mit einem Wert gleich –1 hat.
DE69628332T 1996-01-10 1996-12-20 Hochfrequenz-saw-vorrichtung Expired - Lifetime DE69628332T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96100012 1996-01-10
RU9696100012A RU2099857C1 (ru) 1996-01-10 1996-01-10 Высокочастотное устройство на поверхностных акустических волнах
PCT/US1996/017906 WO1997025776A1 (en) 1996-01-10 1996-12-20 High frequency saw device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69628332D1 DE69628332D1 (de) 2003-06-26
DE69628332T2 true DE69628332T2 (de) 2004-03-25

Family

ID=20175357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69628332T Expired - Lifetime DE69628332T2 (de) 1996-01-10 1996-12-20 Hochfrequenz-saw-vorrichtung

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6072264A (de)
EP (2) EP1022852A3 (de)
JP (1) JP2000503189A (de)
KR (1) KR100339719B1 (de)
AU (1) AU2239697A (de)
DE (1) DE69628332T2 (de)
RU (1) RU2099857C1 (de)
WO (1) WO1997025776A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111406297A (zh) * 2018-01-10 2020-07-10 古河电气工业株式会社 绝缘电线

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0874455B1 (de) * 1996-06-21 2002-10-09 TDK Corporation Akustische oberflächenwellenanordnung
WO1998018204A1 (fr) * 1996-10-18 1998-04-30 Tdk Corporation Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface
JPH10256870A (ja) * 1997-03-14 1998-09-25 Ngk Insulators Ltd 弾性表面波デバイス
EP0866551A3 (de) * 1997-03-21 2000-05-24 Mitsubishi Materials Corporation Akustisches Oberflächenwellenelement
JPH11136083A (ja) * 1997-08-27 1999-05-21 Murata Mfg Co Ltd 表面波装置
US6043940A (en) * 1997-11-14 2000-03-28 Kyocera Corporation Optical system for optical recording
US6084333A (en) * 1997-12-16 2000-07-04 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device
JP3301399B2 (ja) * 1998-02-16 2002-07-15 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP2000068778A (ja) * 1998-08-21 2000-03-03 Murata Mfg Co Ltd 表面波共振子、表面波フィルタ、共用器、通信機装置及び表面波デバイス、ならびに表面波共振子の製造方法
JP3269466B2 (ja) 1998-08-21 2002-03-25 株式会社村田製作所 表面波共振子、表面波フィルタ、共用器、通信機装置
WO2000016478A1 (fr) 1998-09-14 2000-03-23 Tdk Corporation Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface
FR2785473B1 (fr) * 1998-10-30 2001-01-26 Thomson Csf Filtre faibles pertes a ondes acoustiques de surface sur substrat de quartz de coupe optimisee
JP3724544B2 (ja) * 1999-03-11 2005-12-07 株式会社村田製作所 表面波共振子、表面波フィルタ、共用器、通信機装置及び表面波デバイス
JP3404461B2 (ja) * 1999-06-07 2003-05-06 ティーディーケイ株式会社 弾性表面波装置及びその基板
JP3391309B2 (ja) * 1999-09-02 2003-03-31 株式会社村田製作所 表面波装置及び通信機装置
JP2008022227A (ja) * 2006-07-12 2008-01-31 Japan Radio Co Ltd 弾性表面波フィルタ
EP2980550B1 (de) 2014-07-28 2017-01-25 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) Oberflächensensor für unterschiedliche Temperaturen

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US35204A (en) * 1862-05-06 Improvement in methods of constructing carriages
GB1591624A (en) * 1977-01-24 1981-06-24 Secr Defence Acoustic wave devices
EP0166880B1 (de) * 1984-06-05 1990-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Akustische Oberflächen-Wellen-Anordnung
JPH036913A (ja) * 1989-06-05 1991-01-14 Hitachi Ltd 弾性表面波フィルタ及びそれを用いた移動無線装置
JP3344441B2 (ja) * 1994-03-25 2002-11-11 住友電気工業株式会社 表面弾性波素子
JP3282645B2 (ja) * 1994-06-16 2002-05-20 住友電気工業株式会社 表面弾性波素子
DE19532602C1 (de) * 1995-09-04 1997-04-03 Siemens Ag Piezoelektrisches Kristallelement aus Langasit
US5917265A (en) * 1996-01-10 1999-06-29 Sawtek Inc. Optimal cut for saw devices on langasite
EP0810725A3 (de) * 1996-05-29 1999-10-27 Santech Company, Limited Halbleiterscheibe und Oberflächenwellenfilter
RU2099859C1 (ru) * 1996-06-03 1997-12-20 Московское представительство Консорциума "Экохимия-экотоксиметрия" Пьезоэлемент
EP0874455B1 (de) * 1996-06-21 2002-10-09 TDK Corporation Akustische oberflächenwellenanordnung
JPH10126209A (ja) * 1996-10-17 1998-05-15 Mitsubishi Materials Corp 表面弾性波デバイス
JPH1127089A (ja) * 1997-07-02 1999-01-29 Mitsubishi Materials Corp 表面弾性波素子
JPH10256870A (ja) * 1997-03-14 1998-09-25 Ngk Insulators Ltd 弾性表面波デバイス
EP0866551A3 (de) * 1997-03-21 2000-05-24 Mitsubishi Materials Corporation Akustisches Oberflächenwellenelement
JP3201972B2 (ja) * 1997-04-07 2001-08-27 ティーディーケイ株式会社 弾性表面波装置
JPH1155064A (ja) * 1997-07-29 1999-02-26 Santech Co Ltd ウェハおよび圧電素子
GB2328815B (en) * 1997-08-27 1999-10-20 Murata Manufacturing Co Surface acoustic wave device having a langasite single crystal substrate
DE69832041T2 (de) * 1997-09-02 2006-07-13 Tdk Corp. Akustische oberflächenwellenvorrichtung
US5905325A (en) * 1998-01-06 1999-05-18 Sawtek Inc. Optimal cut for saw devices on langanite

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111406297A (zh) * 2018-01-10 2020-07-10 古河电气工业株式会社 绝缘电线
CN111406297B (zh) * 2018-01-10 2021-10-22 埃赛克斯古河电磁线日本有限公司 绝缘电线

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000503189A (ja) 2000-03-14
EP0873590B1 (de) 2003-05-21
US6072264A (en) 2000-06-06
RU2099857C1 (ru) 1997-12-20
DE69628332D1 (de) 2003-06-26
KR20000004902A (ko) 2000-01-25
EP1022852A3 (de) 2000-08-09
EP0873590A1 (de) 1998-10-28
AU2239697A (en) 1997-08-01
EP1022852A2 (de) 2000-07-26
WO1997025776A1 (en) 1997-07-17
KR100339719B1 (ko) 2002-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69628332T2 (de) Hochfrequenz-saw-vorrichtung
DE112017005316B4 (de) Elastikwellenvorrichtung mit einer piezoelektrischen Schicht mit Subwellenlängendicke
US6833774B2 (en) Surface acoustic wave filter
US6317015B1 (en) Surface acoustic wave device using a leaky surface acoustic wave with an optimized cut angle of a piezoelectric substrate
DE112011104736B4 (de) Oberflächenschallwellenfilterbauelement
DE112004001841B4 (de) Oberflächenwellenbauelement
DE10302633B4 (de) SAW-Bauelement mit verbessertem Temperaturgang
DE2802946C2 (de)
DE112016004042T5 (de) Schallwellenvorrichtung, Hochfrequenz-Frontend-Schaltung und Kommunikationsvorrichtung
EP0874455B1 (de) Akustische oberflächenwellenanordnung
DE10066396B4 (de) Akustooberflächenwellenbauelement
DE112007001405B4 (de) Oberflächenschallwellenvorrichtung
DE112018004059B4 (de) Multiplexer
CN110383683B (zh) 多工器、高频前端电路以及通信装置
DE10196571B4 (de) Oberflächenwellen-Bauelemente mit optimierten Schnitten eines piezoelektrischen Substrats und piezolektrisches Oberflächenleckwellen-Substrat
DE10022675B4 (de) Akustisches Oberflächenwellenbauelement und Kommunikationsvorrichtung
DE10136305B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelementes
US4245201A (en) Elastic surface wave device
DE69723957T2 (de) Akustische oberflächenwellenanordnung
DE19610806A1 (de) Oberflächenwellen-Filter und Antennenweiche
WO2014075974A1 (de) Elektroakustisches bauelement und verfahren zur herstellung
DE69632710T2 (de) Akustische oberflächenwellenanordnung
US6097131A (en) Optimal cut for SAW devices on langatate
DE69832041T2 (de) Akustische oberflächenwellenvorrichtung
DE10392848B4 (de) Einkristallsubstrat und Schneidverfahren davon

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition