JPH10126209A - 表面弾性波デバイス - Google Patents
表面弾性波デバイスInfo
- Publication number
- JPH10126209A JPH10126209A JP8274589A JP27458996A JPH10126209A JP H10126209 A JPH10126209 A JP H10126209A JP 8274589 A JP8274589 A JP 8274589A JP 27458996 A JP27458996 A JP 27458996A JP H10126209 A JPH10126209 A JP H10126209A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- langasite
- crystal
- temperature compensation
- saw
- degrees
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な電気機械結合係数及び温度補償特性を
有し、小型の低周波デバイスに適し、更にＬｉ2Ｂ4Ｏ7
よりも取扱いが容易で生産性の高いＳＡＷデバイスを得
る。 【解決手段】 温度補償を示すように配向したランガサ
イト（Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14）の結晶体を用いたＳＡＷデ
バイスである。オイラ角表示（０，０，θ）で、カット
面がＺ±２０度であって、Ｘ方向からθ＝３５〜４５度
回転した配置を伝搬方向としたＳＡＷデバイスである。
有し、小型の低周波デバイスに適し、更にＬｉ2Ｂ4Ｏ7
よりも取扱いが容易で生産性の高いＳＡＷデバイスを得
る。 【解決手段】 温度補償を示すように配向したランガサ
イト（Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14）の結晶体を用いたＳＡＷデ
バイスである。オイラ角表示（０，０，θ）で、カット
面がＺ±２０度であって、Ｘ方向からθ＝３５〜４５度
回転した配置を伝搬方向としたＳＡＷデバイスである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ランガサイト（La
ngasite: Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14）の結晶体を用いた表面
弾性波（Surface Acoustic Wave: 以下、ＳＡＷとい
う）デバイスに関するものである。
ngasite: Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14）の結晶体を用いた表面
弾性波（Surface Acoustic Wave: 以下、ＳＡＷとい
う）デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のＳＡＷデバイスには、Ｌ
ｉＴａＯ3（タンタル酸リチウム）、ＬｉＮｂＯ3（ニオ
ブ酸リチウム）、水晶（ＳｉＯ2）、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7（四ほ
う酸リチウム）の圧電結晶体が用いられている。このＳ
ＡＷデバイスには、主として電気と機械エネルギの変換
効率を表す電気機械結合係数（ｋ2）ができるだけ大き
く、しかも不要なモードの弾性波が励起されないことが
要求され、更にＳＡＷ伝搬速度の温度係数ができるだけ
小さいことが要求される。上記圧電結晶体の中で、Ｌｉ
ＴａＯ3はテレビやＶＴＲのＳＡＷフィルタに多用さ
れ、水晶は携帯電話用のＳＡＷフィルタに多用されてい
る。ＬｉＴａＯ3を用いたフィルタは水晶よりも電気機
械結合係数が大きいので、共振周波数と反共振周波数の
差が水晶よりも大きく帯域幅が広い利点がある。一方、
水晶を用いたフィルタは温度補償特性に優れ、温度によ
る周波数変動が非常に小さい。
ｉＴａＯ3（タンタル酸リチウム）、ＬｉＮｂＯ3（ニオ
ブ酸リチウム）、水晶（ＳｉＯ2）、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7（四ほ
う酸リチウム）の圧電結晶体が用いられている。このＳ
ＡＷデバイスには、主として電気と機械エネルギの変換
効率を表す電気機械結合係数（ｋ2）ができるだけ大き
く、しかも不要なモードの弾性波が励起されないことが
要求され、更にＳＡＷ伝搬速度の温度係数ができるだけ
小さいことが要求される。上記圧電結晶体の中で、Ｌｉ
ＴａＯ3はテレビやＶＴＲのＳＡＷフィルタに多用さ
れ、水晶は携帯電話用のＳＡＷフィルタに多用されてい
る。ＬｉＴａＯ3を用いたフィルタは水晶よりも電気機
械結合係数が大きいので、共振周波数と反共振周波数の
差が水晶よりも大きく帯域幅が広い利点がある。一方、
水晶を用いたフィルタは温度補償特性に優れ、温度によ
る周波数変動が非常に小さい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、水晶を用いた
フィルタは、電気機械結合係数が小さく帯域幅が狭い欠
点があり、ＬｉＴａＯ3を用いたフィルタは、水晶に比
べ温度による周波数変動が大きく温度補償特性に劣る不
具合がある。これらの点を解決するために、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ
7を用いたフィルタが用いられている。しかしＬｉ2Ｂ4
Ｏ7単結晶は潮解性を有するため取扱いが難しく、しか
も単結晶の育成速度が遅いため生産性に劣る問題点があ
った。本発明の目的は、良好な電気機械結合係数及び温
度補償特性を有し、小型の低周波デバイスに適するＳＡ
Ｗデバイスを提供することにある。本発明の別の目的
は、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7よりも取扱いが容易で生産性の高く、
より良好な温度補償特性を示すＳＡＷデバイスを提供す
ることにある。
フィルタは、電気機械結合係数が小さく帯域幅が狭い欠
点があり、ＬｉＴａＯ3を用いたフィルタは、水晶に比
べ温度による周波数変動が大きく温度補償特性に劣る不
具合がある。これらの点を解決するために、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ
7を用いたフィルタが用いられている。しかしＬｉ2Ｂ4
Ｏ7単結晶は潮解性を有するため取扱いが難しく、しか
も単結晶の育成速度が遅いため生産性に劣る問題点があ
った。本発明の目的は、良好な電気機械結合係数及び温
度補償特性を有し、小型の低周波デバイスに適するＳＡ
Ｗデバイスを提供することにある。本発明の別の目的
は、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7よりも取扱いが容易で生産性の高く、
より良好な温度補償特性を示すＳＡＷデバイスを提供す
ることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
温度補償を示すように配向したランガサイトの結晶体を
用いたＳＡＷデバイスである。請求項２に係る発明は、
請求項１に係る発明であって、オイラ角表示（０，０，
θ）で、カット面がＺ±２０度であって、Ｘ方向からθ
＝３５〜４５度回転した配置を伝搬方向としたＳＡＷデ
バイスである。
温度補償を示すように配向したランガサイトの結晶体を
用いたＳＡＷデバイスである。請求項２に係る発明は、
請求項１に係る発明であって、オイラ角表示（０，０，
θ）で、カット面がＺ±２０度であって、Ｘ方向からθ
＝３５〜４５度回転した配置を伝搬方向としたＳＡＷデ
バイスである。
【０００５】上記配向のランガサイトの結晶体は、水晶
と同程度の優れた温度補償特性を示し、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7、
ＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3より低いが、水晶より高い良
好な電気機械結合係数を示す。また水晶と比べてＳＡＷ
デバイスを小型化することができる。更にＬｉ2Ｂ4Ｏ7
単結晶よりも取扱いが容易で生産性が高い。
と同程度の優れた温度補償特性を示し、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7、
ＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3より低いが、水晶より高い良
好な電気機械結合係数を示す。また水晶と比べてＳＡＷ
デバイスを小型化することができる。更にＬｉ2Ｂ4Ｏ7
単結晶よりも取扱いが容易で生産性が高い。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明のランガサイトは水晶と同
じ三方晶系（点群３２）に属し、融点が１４７０℃であ
って、優れた圧電特性を有する。このランガサイトは高
純度の各酸化物粉末を化学量論組成で混合したものを原
料として用いてチョクラルスキー（ＣＺ）法により、１
〜２ｍｍ／時間で直径１〜３インチサイズに育成でき
る。この育成速度は、同じＣＺ法のＬｉ2Ｂ4Ｏ7単結晶
の育成速度の０．１〜１ｍｍ／時間より速い。またラン
ガサイト単結晶は四ほう酸リチウム単結晶のような潮解
性はなく、その取扱いは比較的容易である。ランガサイ
ト結晶体は、研磨後の顕微鏡観察による観察からアイソ
ジャイレ（isogyres）の乱れもあまりなく、均質な結晶
であることが判明している。
じ三方晶系（点群３２）に属し、融点が１４７０℃であ
って、優れた圧電特性を有する。このランガサイトは高
純度の各酸化物粉末を化学量論組成で混合したものを原
料として用いてチョクラルスキー（ＣＺ）法により、１
〜２ｍｍ／時間で直径１〜３インチサイズに育成でき
る。この育成速度は、同じＣＺ法のＬｉ2Ｂ4Ｏ7単結晶
の育成速度の０．１〜１ｍｍ／時間より速い。またラン
ガサイト単結晶は四ほう酸リチウム単結晶のような潮解
性はなく、その取扱いは比較的容易である。ランガサイ
ト結晶体は、研磨後の顕微鏡観察による観察からアイソ
ジャイレ（isogyres）の乱れもあまりなく、均質な結晶
であることが判明している。
【０００７】図１にオイラ角表示（０，０，θ）のθ＝
０〜９０度の範囲におけるランガサイトの遅延時間温度
係数（ＴＣＤ）を示す。図１から明らかなように、θ＝
３５〜４５度の範囲のＴＣＤ（ＯＰＥＮ）が零に極めて
近くなる。図２にオイラ角表示（０，０，θ）のθ＝０
〜９０度の範囲におけるランガサイトの電気機械結合係
数を示す。図２から明らかなように、θ＝３５〜４５度
の範囲の電気機械結合係数が最も大きくなる。図３にオ
イラ角表示（０，０，θ）のθ＝０〜９０度の範囲にお
けるランガサイトのＳＡＷ伝搬速度を示す。図３から明
らかなように、θ＝３５〜４５度の範囲のＳＡＷ伝搬速
度が最も大きくなる。
０〜９０度の範囲におけるランガサイトの遅延時間温度
係数（ＴＣＤ）を示す。図１から明らかなように、θ＝
３５〜４５度の範囲のＴＣＤ（ＯＰＥＮ）が零に極めて
近くなる。図２にオイラ角表示（０，０，θ）のθ＝０
〜９０度の範囲におけるランガサイトの電気機械結合係
数を示す。図２から明らかなように、θ＝３５〜４５度
の範囲の電気機械結合係数が最も大きくなる。図３にオ
イラ角表示（０，０，θ）のθ＝０〜９０度の範囲にお
けるランガサイトのＳＡＷ伝搬速度を示す。図３から明
らかなように、θ＝３５〜４５度の範囲のＳＡＷ伝搬速
度が最も大きくなる。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに説明す
る。 ＜実施例１＞図２に示すように、ＣＺ法によりランガサ
イト単結晶を育成した。即ち、ランガサイト単結晶の育
成装置１０は、化学量論組成で混合した純度９９．９９
％の各酸化物原料粉末が融解されている白金るつぼ１１
を有する。ランガサイトは融点が１４７０℃であるた
め、白金るつぼで育成することができる。白金るつぼ１
１の周囲には断熱材１２、１３を介してるつぼ１１内の
原料の混合酸化物粉末を融解させるための抵抗加熱ヒー
タのような加熱装置１４が設けられる。るつぼ１１内の
融液１１ａの温度は熱電対１９により検出される。るつ
ぼ１１の上部には断熱壁１５、１６が二重に設けられて
おり、種結晶が取付けられる引上げ軸１７が断熱壁１
５、１６を貫通している。この育成装置１０により育成
されたランガサイト単結晶１８から、オイラ角表示
（０，０，θ）で、カット面がＺカットであって、Ｘ方
向からθ＝４０度回転した配置を伝搬方向としたＳＡＷ
フィルタを作製した。
る。 ＜実施例１＞図２に示すように、ＣＺ法によりランガサ
イト単結晶を育成した。即ち、ランガサイト単結晶の育
成装置１０は、化学量論組成で混合した純度９９．９９
％の各酸化物原料粉末が融解されている白金るつぼ１１
を有する。ランガサイトは融点が１４７０℃であるた
め、白金るつぼで育成することができる。白金るつぼ１
１の周囲には断熱材１２、１３を介してるつぼ１１内の
原料の混合酸化物粉末を融解させるための抵抗加熱ヒー
タのような加熱装置１４が設けられる。るつぼ１１内の
融液１１ａの温度は熱電対１９により検出される。るつ
ぼ１１の上部には断熱壁１５、１６が二重に設けられて
おり、種結晶が取付けられる引上げ軸１７が断熱壁１
５、１６を貫通している。この育成装置１０により育成
されたランガサイト単結晶１８から、オイラ角表示
（０，０，θ）で、カット面がＺカットであって、Ｘ方
向からθ＝４０度回転した配置を伝搬方向としたＳＡＷ
フィルタを作製した。
【０００９】＜比較例１＞カット面がＸカットでＹ方向
から１１２度回転した配置を伝搬方向としたＬｉＴａＯ
3単結晶からＳＡＷフィルタを作製した。 ＜比較例２＞カット面がＹカットから１２８度回転し、
Ｘ方向を伝搬方向としたＬｉＮｂＯ3単結晶からＳＡＷ
フィルタを作製した。 ＜比較例３＞カット面がＹカットから４３度回転し、Ｘ
方向を伝搬方向とした水晶（ＳｉＯ2）からＳＡＷフィ
ルタを作製した。 ＜比較例４＞カット面がＸカットから４５度回転し、Ｚ
方向を伝搬方向としたＬｉ2Ｂ4Ｏ7単結晶からＳＡＷフ
ィルタを作製した。
から１１２度回転した配置を伝搬方向としたＬｉＴａＯ
3単結晶からＳＡＷフィルタを作製した。 ＜比較例２＞カット面がＹカットから１２８度回転し、
Ｘ方向を伝搬方向としたＬｉＮｂＯ3単結晶からＳＡＷ
フィルタを作製した。 ＜比較例３＞カット面がＹカットから４３度回転し、Ｘ
方向を伝搬方向とした水晶（ＳｉＯ2）からＳＡＷフィ
ルタを作製した。 ＜比較例４＞カット面がＸカットから４５度回転し、Ｚ
方向を伝搬方向としたＬｉ2Ｂ4Ｏ7単結晶からＳＡＷフ
ィルタを作製した。
【００１０】＜比較評価＞実施例１及び比較例１〜４の
ＳＡＷフィルタについて、遅延時間温度係数、電気機械
結合係数及びＳＡＷ伝搬速度をそれぞれ測定した。その
結果を表１に示す。
ＳＡＷフィルタについて、遅延時間温度係数、電気機械
結合係数及びＳＡＷ伝搬速度をそれぞれ測定した。その
結果を表１に示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】表１から明らかなように、実施例１（ラン
ガサイト）は、比較例４（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）、比較例１
（ＬｉＴａＯ3）、比較例２（ＬｉＮｂＯ3）より低い
が、比較例３（水晶）より高い電気機械結合係数を示し
た。また実施例１（ランガサイト）は、比較例１（Ｌｉ
ＴａＯ3）及び比較例２（ＬｉＮｂＯ3）と比較して、比
較例３（水晶）及び比較例４（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）と同程度
の優れた温度補償特性を示した。更に実施例１（ランガ
サイト）は、比較例１（ＬｉＴａＯ3）、比較例２（Ｌ
ｉＮｂＯ3）、比較例３（水晶）及び比較例４（Ｌｉ2Ｂ
4Ｏ7）より低いＳＡＷ伝搬速度を示した。
ガサイト）は、比較例４（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）、比較例１
（ＬｉＴａＯ3）、比較例２（ＬｉＮｂＯ3）より低い
が、比較例３（水晶）より高い電気機械結合係数を示し
た。また実施例１（ランガサイト）は、比較例１（Ｌｉ
ＴａＯ3）及び比較例２（ＬｉＮｂＯ3）と比較して、比
較例３（水晶）及び比較例４（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）と同程度
の優れた温度補償特性を示した。更に実施例１（ランガ
サイト）は、比較例１（ＬｉＴａＯ3）、比較例２（Ｌ
ｉＮｂＯ3）、比較例３（水晶）及び比較例４（Ｌｉ2Ｂ
4Ｏ7）より低いＳＡＷ伝搬速度を示した。
【００１３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のランガサイ
ト結晶体を用いたＳＡＷデバイスは、良好な電気機械結
合係数及び温度補償特性を示す。また本発明のＳＡＷデ
バイスはＳＡＷ伝搬速度が比較的遅く、低周波デバイス
に適し、このデバイスを小型化することができる。更に
本発明のＳＡＷデバイスはＬｉ2Ｂ4Ｏ7のような潮解性
はなく、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7よりも取扱いが容易で生産性の高
い利点もある。
ト結晶体を用いたＳＡＷデバイスは、良好な電気機械結
合係数及び温度補償特性を示す。また本発明のＳＡＷデ
バイスはＳＡＷ伝搬速度が比較的遅く、低周波デバイス
に適し、このデバイスを小型化することができる。更に
本発明のＳＡＷデバイスはＬｉ2Ｂ4Ｏ7のような潮解性
はなく、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7よりも取扱いが容易で生産性の高
い利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】オイラ角表示（０，０，θ）のθ＝０〜９０度
の範囲におけるランガサイトの遅延時間温度係数（ＴＣ
Ｄ）を示す図。
の範囲におけるランガサイトの遅延時間温度係数（ＴＣ
Ｄ）を示す図。
【図２】オイラ角表示（０，０，θ）のθ＝０〜９０度
の範囲におけるランガサイトの電気機械結合係数を示す
図。
の範囲におけるランガサイトの電気機械結合係数を示す
図。
【図３】オイラ角表示（０，０，θ）のθ＝０〜９０度
の範囲におけるランガサイトのＳＡＷ伝搬速度を示す
図。
の範囲におけるランガサイトのＳＡＷ伝搬速度を示す
図。
【図４】ランガサイト単結晶の育成装置の構成図。
１０ ランガサイト単結晶の育成装置 １１ 白金るつぼ １１ａ ランガサイト融液 １２，１３ 断熱材 １４ 加熱装置 １５，１６ 断熱壁 １７ 引上げ軸 １８ ランガサイト単結晶 １９ 熱電対
Claims (2)
- 【請求項１】 温度補償を示すように配向したランガサ
イト（Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14）の結晶体を用いた表面弾性
波デバイス。 - 【請求項２】 オイラ角表示（０，０，θ）で、カット
面がＺ±２０度であって、Ｘ方向からθ＝３５〜４５度
回転した配置を伝搬方向とした請求項１記載の表面弾性
波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8274589A JPH10126209A (ja) | 1996-10-17 | 1996-10-17 | 表面弾性波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8274589A JPH10126209A (ja) | 1996-10-17 | 1996-10-17 | 表面弾性波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10126209A true JPH10126209A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17543854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8274589A Pending JPH10126209A (ja) | 1996-10-17 | 1996-10-17 | 表面弾性波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10126209A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000016478A1 (fr) * | 1998-09-14 | 2000-03-23 | Tdk Corporation | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface |
| US6072264A (en) * | 1996-01-10 | 2000-06-06 | Sawtek Inc. | Optimal cut for surface wave propagation on langasite substrate |
| US6097131A (en) * | 1998-03-19 | 2000-08-01 | Sawtek Inc. | Optimal cut for SAW devices on langatate |
| US7090724B2 (en) | 1999-12-28 | 2006-08-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Langasite single crystal ingot, substrate for piezoelectric device and method for manufacture thereof, and surface acoustic wave device |
-
1996
- 1996-10-17 JP JP8274589A patent/JPH10126209A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072264A (en) * | 1996-01-10 | 2000-06-06 | Sawtek Inc. | Optimal cut for surface wave propagation on langasite substrate |
| US6097131A (en) * | 1998-03-19 | 2000-08-01 | Sawtek Inc. | Optimal cut for SAW devices on langatate |
| WO2000016478A1 (fr) * | 1998-09-14 | 2000-03-23 | Tdk Corporation | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface |
| US7090724B2 (en) | 1999-12-28 | 2006-08-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Langasite single crystal ingot, substrate for piezoelectric device and method for manufacture thereof, and surface acoustic wave device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103173861B (zh) | 用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法 | |
| Jung et al. | Crystal growth and piezoelectric properties of langasite (La3Ga5SiO14) crystals | |
| Nakao et al. | Growth and SAW properties of rare-earth calcium oxoborate crystals | |
| JPH10126209A (ja) | 表面弾性波デバイス | |
| US4333842A (en) | Piezoelectric single crystal and surface acoustic wave element employing the same | |
| Takeda et al. | Growth and piezoelectric properties of R3Ga5SiO14 and RCa4O (BO3) 3 (R: rare-earth elements) single crystals | |
| Haussühl et al. | Elastic, thermoelastic, piezoelectric, linear electrooptic, dielectric, and pyroelectric properties of trigonal Ca3 (VO4) 2 single crystals | |
| CN103603047A (zh) | 铬、锰或钴掺杂硅酸镓镧晶体及其熔体法生长方法 | |
| JP3835286B2 (ja) | 圧電材料、圧電デバイス用基板及び表面弾性波装置 | |
| CN103603046A (zh) | 铁掺杂硅酸镓镧晶体及其熔体法生长方法 | |
| JP4300889B2 (ja) | 表面弾性波装置及び表面弾性波装置用基板 | |
| Fan | Properties, production and application of new piezoelectric crystal lithium tetraborate Li/sub 2/B/sub 4/O/sub 7 | |
| US6084333A (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP3804410B2 (ja) | 圧電材料、圧電デバイス用基板及び表面弾性波装置 | |
| JP4353262B2 (ja) | 弾性表面波デバイス及び圧電デバイス用基板 | |
| JP2006282433A (ja) | 圧電単結晶組成物、圧電振動子、および弾性表面波デバイス | |
| JPH04300296A (ja) | チタン酸バリウムの単結晶の製造方法 | |
| JP2000247793A (ja) | ランガサイト型結晶の作製方法 | |
| Igarashi et al. | Crystal growth and piezoelectric properties of Ca3Ta (Ga0. 9Sc0. 1) 3Si2O14 bulk single crystal | |
| JP3911967B2 (ja) | 圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイス | |
| JP3911992B2 (ja) | 圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイス | |
| JP3968934B2 (ja) | 圧電デバイス用基板の製造方法 | |
| JPH06305895A (ja) | タンタル酸リチウム単結晶および弾性表面波素子および移動通信用電話 | |
| JPH11186870A (ja) | ランガサイト単結晶ウェーハ | |
| JP3589064B2 (ja) | 圧電結晶及び圧電素子 |