JP2000501546A

JP2000501546A - 近視野光学素子を使用する磁気光学記録システム

Info

Publication number: JP2000501546A
Application number: JP10509843A
Authority: JP
Inventors: ゴードンエスキーノ
Original assignee: Leland Stanford Junior University
Current assignee: Leland Stanford Junior University
Priority date: 1996-08-13
Filing date: 1997-08-08
Publication date: 2000-02-08
Also published as: DE69704276T2; TW350951B; ID18011A; US5689480A; EP0917713B1; EP0917713A1; DE69704276D1; AU3909697A; HK1019175A1; US5982716A; WO1998007147A1

Abstract

(57)【要約】近視野光学素子を使用する磁気光学記録システムであり、記録媒体に非常に接近した一対のクロスド（交差した）テーパード（先細とされた）光導波路を有する読出し／書込みヘッドを含み、導波路の先細とされた端部と記録媒体との間を結合する光を与える。導波路の長さは、該導波路へ入る全ての光をテーパード（先細とされた）端へ伝送するべく、導波路によって伝送される光の１／２波長より大きく、また、その幅は、光の波長の分数である。

Description

【発明の詳細な説明】近視野光学素子を使用する磁気光学記録システム産業上の利用分野本発明は、近視野（near-field）光学素子を使用する磁気光学記録システム、更に言えば、複数のクロス（交差する）・テーパード（先細にされた）矩形光導波路を使用する磁気光学記録システムに関し、ここで、各クロス・テーパード矩形光導波路は、細い先端で終端して（端部が細い先端にされて）光波をその細い先端へ方向付けるものであって、この細い先端では、複数のエバネッセント光学視野が関連磁気フィルムへ結合されるものであり、また、フィルムからの反射された光をその細い先端へ伝送する。従来の技術磁気光学記録システムでは、デジタル情報は、局部的に磁化された領域、若しくは、ドメインによって薄い磁気記憶媒体に記憶される。これらの領域は１若しくは０を表示するために磁化される。この情報は、磁気媒体の局部化された小さな領域の温度をそれらの局部化された領域における媒体のキュリー点温度まで上昇させることにより磁気記憶媒体へ書き込まれる。これは外部磁界によって磁気ドメインの配向（orientation）をイネイブルする（動作可能とする）ようなポイントまで保持力を低下させる。領域、若しくは、ドメインのサイズが、デジタル情報の密度を決定する。局部化された領域のサイズは回折によって制限され、また、より短い波長の光とより高い開口数レンズの使用とによってわずかに改善される。記憶された情報は、磁化された領域、若しくは、ドメインにおける磁界によって磁気媒体に入射する偏光ビームのカー若しくはファラデー回転によって読み出される。偏光のシフトは１度のオーダである。このシフトは１や０を検出するために使用される。これらの小さな回転変化を読み出すためのシステムは、光学記憶産業において十分確立されている。従来の読出し／書込みヘッドの光学記録および設計は、Alan B．Marchantによる「Optical Recording」（Addison -Wesley出版、1990年）という題の本に記述されている。 Betzing等は近視野光学素子を使用することによって、この回折限界デフィニション（定義）を克服した。彼らは、磁化された領域、若しくは、ドメインに対して２０ｎｍ若しくはそれよりも良いオーダを明らかにした。（E.Betzig、J.K. Trautman、R.Wolfe、P.L.Finn、M.H.Kryder、およびC.H.Changによる「Near-Fie 1d Magneto−Optics and Hi−Density DataStorage」、４月、Phys.Lett.61 、142〜144(1992)）。近視野光学素子の基本概念は、光学ビームを金属被覆光ファイバ中へ通すことであり、ここで、この金属被覆光ファイバは、小さなサイズへ先細にされており、その端部にピンホールを有する。このピンホールが、照射される若しくは画像形成される対象物、この実例では磁気媒体、に接近して配置された場合、デフィニションは、回折限界というよりはむしろ、ピンホールのサイズによって制御される。テーパード（先細にされた（テーパー付きの））ファイバの使用に伴う問題は、ファイバの直径が光のほぼ０．３波長よりも小さな領域では波が伝搬しないことである。この領域における導波路を通じる伝搬はカットオフされ、エネルギーの損失は極端に高く、３０ｄＢのオーダである。この結果、媒体に付与される光エネルギーの量は制限され、媒体をキュリー温度まで加熱するのにある有限時間を必要とする。これは、高速記憶システムで使用することを非現実的なものとする。例えば、約１５ｎｍの磁気媒体中への光侵入と５４６ｎｍの照射波長のとき、１．５のファイバ反射指数（反射率）を有する石英を用いると、その石英ファイバの伝搬領域におけるビームの最小の有効サイズは１４０ｎｍである。ファイバがこの量よりも非常に小さなサイズまで先が細くされている場合、カットオフ領域における減衰は非常に高い。この高い減衰故に、この技術は高いデータレート（速度）での光学記憶には不向きである。本発明の目的及び概要本発明の目的は、高強度エバネッセント光学視野を与えるための改善された光学ヘッドを有する磁気光学記録システムを提供することである。本発明の他の目的は、光を記録媒体へ伝送するため、および、そこから反射された光を受けとるためのクロスド（交差型の）テーパード（先細にされた）矩形光導波路を用いる光学ヘッドを提供することである。本発明の更なる目的は、磁気物質を複数の導波路の交点にて加熱するような高強度エバネッセント視野を与えるクロスドテーパード矩形光導波路を用いた磁気光学記録システムを提供することである。本発明の前述のおよび他の目的は、複数のクロスドテーパード光導波路を含んだ、磁気記録媒体の情報を読み出し、又は、そこに書き込んだりするための、読出／書込ヘッドアセンブリを含む近視野光学素子を使用する磁気光学記録システムによって達成される。ここで、各クロスドテーパード光導波路は、導波路と磁気媒体の間の光波を結合するためにスリットで終端する（端部が終わる）。図面の簡単な説明本発明の前述のおよび他の目的は以下の図面と関連して読んだときに、以下の記述からより明確に理解できることになろう。図１は、テーパード光導波路の等大図である。図２は、シリコンウェハに形成されたテーパード矩形光導波路を示す。図３Ａおよび３Ｂは、図２の線３−３に沿った断面図であり、このテーパード導波路の複数の傾斜角と、異なる収束角を有した衝突する複数の被焦点調節光ビームとを示す。図４は、本発明によるクロスドテーパード導波路を使用する磁気光学記録システムを示す。図５は、記録システムの部分５−５の詳細な拡大図である。図６は、矩形導波路の相対出力を導波路の厚みと幅の関数として示す。図７は、図４、図５のクロスドテーパード光導波路の斜視図である。図８は、図７のクロスドテーパード光導波路の底面図であり、Ｅ−フィールド（Ｅ-field）を示している。図９は、グラスファイバの厚みと、粗い円形であるがテーパーが形成されている外部を示す。内部の交差部は破線で示す。図１０は、図９のクロスドテーパード導波路を使用する磁気光学記録システムを示す。図１１は、可撓性光ファイバ導波路によって与えられる光を用いるクロスドテーパード導波路を使用した磁気光学記録システムを示す。発明の実施形態本発明によれば、丸い開口で終端するテーパード（先細にされた（テーパー付きの））光導波路に代えて、狭いスリットで終端するテーパード矩形若しくは楕円光導波路が使用される。図１を参照する。ここでは、矩形導波路１１は、上部金属表面１３と下部金属表面１４に対して垂直に方向付けされたＥ−フィールド１２を用いてＴＥ₁₀モードを伝送する。よく知られているように、導波路は、この導波路の幅、幅「ａ」が、導波路を満たす物質における光波の１／２波長より大きい場合には、Ｅ−フィールド１２をカットオフすることなく狭いスリット「ｂ」へ先細にされ得る（S.Ramo、J.R.Whinnery、T.VanDuzerの「Fields and W aves in Communication Electronics」、第３版、８章、Wiley、１９９４年）。導波路は、楕円であってもよいし、また、導波路を満たす媒体における光のほぼ１／２波長より導波路の幅が大きい限りは丸い端部を有していてもよい。したがって、上述した従来の近視野プローブとは異なり、導波路に衝突する全ての光がプローブの端部へ伝搬され、また、導波路が終了する部分を超える領域において高い照射効率と強力なエバネッセント視野が得られる。図２を参照する。ここにはシリコンウェハ１７で形成されたテーパード導波路が示されている。このテーパード開口は、従来のマスキングおよびエッチング技術によって形成されている。テーパードスリット、若しくは、導波路１６の壁は、光学損失を最小にするためにメタライズ（金属化）されている。シリコンウェハは、導波路における損失を最小とするために薄くされる。後述するように、シリコン基板は浮上ヘッドの一部とされており、シリコン基板は回転する磁気ディスク上で浮動する。スリットで衝突するビームの角度Θはテーパー角度にほぼ等しくされており、また、その幅が回折のためにそれ以上減少しなくなるまではそのビームがスリットの壁に衝突しないよう、ビームは導波路の受光端よりわずかに小さくされている。理想的には、導波路、若しくは、スリットのエッジにぶつかる前にビームが小さなサイズへ先細にされるように、大きな開口レンズが使用される。シリコンを用いたときは、図３ａに示されるように、＜１００＞表面から＜１１１＞面を形成するように、垂直に対して３６゜の角度でＫＯＨを用いてエッチングするのがよい。この場合、ビームの収束角を垂直から３６゜より大きくするのは望ましくない。なぜなら、３６゜より大きくしてしまうと、図３ｂに示されるように、後に、テーパー１８ｃにおけるビームの複数の反射に加えて、シリコンテーパーによるビームのシャドーイング（影）も存在してしまうからである。テーパーが存在しないときのビームの最小サイズは、λ／２ｎｓｉｎ（３６゜）であり、ここでｎは媒体の屈折率である。しかしながら、テーパーが存在するときは、このテーパーの内側が金属で覆われており、且つ、視野がテーパーにわたって偏光されているならば、ビームは上よりも非常に小さくされ得る。上に示したように、スリットは、このスリットを満たす媒体視野についての波長長さの少なくとも半分でなければならない。５４６ｎｍ波長光と空気充填型スリットに関して、この波長の長さは約２７３ｎｍである。より長いスリットを用いた場合、数個のトラックを検出することができる。例えば、ディスクに面する８２０ｎｍ長のスリットを用いたときは、３つのスリットを検出することができる。一方、スリットは、多くの損失を被ることなく、トラック方向において波長の分数（部分）へ先細にされ得る。例えば、スリットは、５０ｎｍのオーダにあってもよい。理想的には、スリット、若しくは、導波路は、有効波長を２のファクタだけ減少させるために、窒化珪素で満たされる。また、１．５の屈折率を有するプラスチックを使用することができる。これは全ての大きさを２若しくは１．５のファクタだけ減少させることを可能とし、これによって、より狭いスリットを提供する。これはスリットをどのように形成するかということの単なる一例である。他の可能な方法は、シリコンテーパードスリットを窒化珪素で満たし、その底部表面以外は、金属で覆うことができる窒化珪素プローブをそのまま残すようにして、シリコンをエッチングするというものである。本発明による光学ヘッドを使用する磁気光学記録システムは、図４、図５に概略的に示されている。データは磁気光学ディスク２１上に記録され、また、そこから読み出される。ディスクは例えば、保護のため、および、視野分布を最適化するため、その前面に付着された磁気光学フィルムを有していてもよく、この磁気光学フィルムは、磁気層の上部に置かれた一般には５０ｎｍ厚みのオーダの窒化珪素を有する。一般に、磁気光学フィルムは、アルミニウムの後ろ側に窒化珪素を有していてもよい。従来システムにおいて、適当な磁気光学物質の一例はＴｂＦｅＣｏである。光学へッドは、図２、３を参照して記述したタイプのクロスド（交差型の）テーパード（先細にされた）光学スリット、若しくは、導波管１７の中へ光２３を焦点調節する焦点調節レンズ２２を有する。上述したように、スリットの長さは導波路を満たす物質における１／２波長よりも大きいが、その幅はより小さくすることができる。クロスド（交差型の）導波路ウェハ１７が図７、図８に示されている。スリットと導波路は拡大されることを十分理解すべきである。光源は、トラック方向、即ち、磁気トラックの方向にその長軸を有し、また、トラック交差方向に主Ｅ−フィールド（principle Ｅ-field）を有するような垂直スリット１６ｂ上で、ＴＥ₀₁モードを励起する。上述したように、この導波路は、トラック方向におけるその長さが、導波路を満たす物質における半波長より大きい場合には、モードをカットオフすることなく、トラック交差方向にテーパーが形成され得る（先細とされ得る）。トラック交差方向にその長軸１６ａを有する第２導波路は、トラック方向に主Ｅ−フィールドを有するＴＥ₁₀モードを支持する。磁気光学物質に情報を記憶すべき場合、若しくは、そこに書き込むべき場合、導波路の交差部における近視野が磁気光学物質の温度をキュリー温度以上に上昇させるのに十分な強度となるよう、それら双方のスリットが照射される。これは、光源レーザ２７の前で偏光子２６を回転することにより、若しくは、その主軸がレーザの入力偏光に対して４５度であるような半波長板２８を挿入することにより行われ、偏光を４５度回転させて、双方のスリットを励起させる。レーザが偏光されない場台は、偏光子を取り除いて、４分の１波長が全く同様のことを行う。磁気光学物質をそのキュリー点にまで加熱させるのに十分な強度を有した１つのスリットだけを通ずるビームがエバネッセント（近）視野を与えないよう、レーザからの入力パワーは慎重に制御なければならない。しかしながら、交差領域（スポット）における光は、その強度の２倍を有し、その温度をキュリー点以上に上昇させる。付与された磁界はその後、十分に定義された（画成された）磁気ドメインを形成するだろう。交差領域は領域における波長の分数（部分）であることは明白である。データはディスクが回転するときにレーザを変調することによって記録される。図５は、磁気光学ディスクと記録ヘッドアセンブリの拡大図である。シリコン部材１７は、片持ちばり状ヘッドアクチュエータ（図示されていない）からのサスペンション３１上で運搬される。焦点調節レンズ２２は、支持体３３によって保持され、また、永久磁石３４とコイル３５を有する電磁アセンブリ３２によって位置付けられて、導波路におけるその焦点を維持する。磁気ヘッドの位置決めと磁気ヘッドの焦点調節の操作はよく知られており、更には述べない。磁気ドメインとして記憶された記録データを読み出すため、偏光子が回転されて偏光を与える。この偏光はトラック交差導波路１６ａを励起して、トラック方向（図８）にＥ−フィールド３６を与える。磁気光学ディスク上の磁気ドメインは、反射された波の偏光の平面を回転させる。トラック交差方向のＥ−フィールド３７が、垂直スリット１６ｂによって取り出される。更に、トラック交差方向におけるテーパードスリット１６ａは、記録ヘッドをトラッキング（追跡）およびロケーティング（突き止め）するために、反射された光成分を直接的に検出することができる。記録と読出双方のためのシステムのデフィニション（定義）は、２つのスリットの交差の領域によって指図される。スリット長はできるだけ小さく保持すべきである。なぜなら、感度は１つのスリットの領域に対する交差領域の割合に依存するからである。すなわち、「ａ」（図１、図２）がスリットの長さで、「ｂ」がその幅の場合、その感度はほぼｂ／ａだけ、若しくは、より正確には０．５［ｂ／ａ＋ｓｉｎ（IIｂ／ａ）／Π］だけ減少される。なぜなら、スリットの長さに沿った視野における変動はシヌソイドだからである。この関数は図６にプロットされる。受光モードでは、受光スリット、若しくは、導波路は、回転された偏光を受光するために整列される。この光は対物レンズ２２を通じて戻るように移動し、ビームスプリッタ３７によって偏向される。直接的に反射された信号が振幅Ａであり、回転された成分が値Ｂである場合、偏向ビームスプリッタ３９が後ろに続いているような半波長位相板３８を用いることによって、信号は検出器１、２へ付与される。信号の値は（Ａ＋Ｂ）²と（Ａ−Ｂ）²である。これらの信号の差は、２ＡＢに比例しており、したがって、回転された成分の振幅に比例する。Ａ²＞＞Ｂ²であるため、これら２つの信号の合計は実質的にＡ²である。検出器の１つは２つ若しくは３つ以上の光トランスジューサを有することもでき、トラッキングや焦点調節のために使用され得る。上述したクロスド導波路は、ウェハをマスキングおよびエッチングすることによって半導体ウェハに形成される。これらの導波路は同じ長さである必要はない。例えば、図７では、垂直導波路１６ｂは１／２波長の長さであることだけを必要とするが、一方、水平導波路１６ａはトラッキングの目的のためにはより長いものであってもよい。これらの長さは、異方性ＫＯＨエッチングを用いたエッチングを行う前にシリコンを適当にマスキングすることによって制御され得る。テーパード導波路は光ファイバを成形することによって形成されることは明らかである。図９を参照すると、ここにはテーパード成形型光ファイバ４０が成形コア４１とともに示されている。光ファイバコア４１は交差形状に成形されており、交差した狭いスリット４２、４３で終端する。各スリットはテーパード導波路４６、４７によってそれぞれ与えられる。リブ４８、４９によって定義された（画成された）導波路の幅は、その動作波長における、導波路を満たす物質における１／２波長より大きい。厚みは波長の分数（一部）であってもよく、これにより、交差領域５１は非常に小さくされ得る。光ファイバ導波路をウェハ１７の代わりに代用することができる。その端部は浮動支持体を形成する支持体５２によって支持される。レンズ２２は光ファイバ導波路の大きな端部を照射する。上の代用の点以外、この磁気光学記録システムは図４、５を参照して上述したのと同様に動作し、また、同様の参照番号が付されている。この光は光ファイバケーブルによってクロスドテーパード導波路に付与される。図１１を参照する。ここでは、光ファイバケーブル５３は焦点調節レンズ５４から光を受け取り、この伝送光を浮上ヘッド５２によって運搬されるクロスドテーパード導波路へ与える。光源、ビームスプリッタ、偏光子、および２分の１波長板等を備える他の光学部品が、ボックス７によって表示された浮上ヘッド５６から離れて配置される。浮上ヘッドは非常に軽くすることができ、アクチュエータ５８によって低慣性ポジショニング（位置付け）が行われる。シリコンテーパーを用いたときと全く同様に、入力ビームは円形であってもよいが、その直径は入力スロットの長さより小さいことに注意してもらいたい。スロット長と幅を先細にしてビームを成形することができる。可撓性ケーブルの使用は、この磁気光学記録システムの構成を簡易化する。故に、磁気ドメインのサイズが回折制限されない高密度磁気光学記録システムが提供される。

【手続補正書】【提出日】１９９９年２月１５日（１９９９．２．１５）【補正内容】請求の範囲１．磁気記憶媒体の情報を読み出し／書き込むための読出し／書込みヘッドアセンブリにおいて、実質的に矩形のテーパード光導波路手段を備えており、前記テーパード光導波路手段は、前記磁気記憶媒体に隣接する該テーパード光導波路手段の小さな端部を用いて、該テーパード光導波路手段の小さな端部へ光源からの光を案内し、これによって、前記光導波路手段の小さな端部における光を前記磁気記憶媒体と相互に作用させるものであり、前記実質的に矩形のテーパード光導波路手段は、スリットで終端する、一対の実質的に矩形のクロスド光導波路を備えており、前記一対の実質的に矩形のクロスド光導波路は各々、該導波路を満たす媒体で伝送される光の１／２は長より大きな長さと、前記導波路を満たす媒体で伝送される光の波長より実質的に小さな幅とを有している、ことを特徴とする読出し／書込みヘッドアセンブリ。２．請求項１記載の読出し／書込みヘッドアセンブリにおいて、情報の読出し中に、前記導波路のうちの１つは前記磁気記憶媒体で磁界によって回転された反射光を受け取る読出し／書込みヘッドアセンブリ。３．請求項１記載の読出し／書込みヘッドアセンブリにおいて、前記光源は前記矩形導波路の双方へ光を投射するものであり、前記光は、いずれのスリットにおいても前記磁気媒体をキュリー温度以上に加熱するのには十分でないが、スリットの交差部において足し合わされたときは前記キュリー点以上に前記磁気媒体を加熱するのに十分である強度を有する読出し／書込みヘッドアセンブリ。４．請求項１記載の読出し／書込みヘッドアセンブリにおいて、前記クロスドテーパード導波路は半導体物質のウェハに形成されている読出し／書込みヘッドアセンブリ。５．請求項１記載の読出し／書込みヘッドアセンブリにおいて、前記クロスドテーパード導波路は高い屈折率を有する物質で満たされている読出し／書込みヘッドアセンブリ。６．請求項１記載の読出し／書込みヘッドアセンブリにおいて、前記クロスドテーパード導波路は光ファイバを成形することによって形成されている読出し／書込みヘッドアセンブリ。７．請求項４記載の読出し／書込みヘッドアセンブリにおいて、前記クロスド導波路はシリコンで形成されている読出し／書込みヘッドアセンブリ。８．請求項１記載の読出し／書込みヘッドアセンブリにおいて、磁気媒体の情報を読み出し／書き込むための読出し／書込みヘッドアセンブリであって、前記光源は所定波長を有しており、前記光源から光を受け取って、前記小さな端部から外部に向かって延びるＥ −フィールドを与えるために、前記光導波路の少なくとも１つへ先細となるテーパード光ビームを方向付けるレンズ手段を更に備える読出し／書込みヘッドアセンブリ。９．請求項８記載の読出し／書込みヘッドアセンブリにおいて、前記ビームは前記導波路のテーパー角度に等しいか若しくはそれより小さい角度に先細とされる読出し／書込みアセンブリ。 10．請求項８記載の読出し／書込みヘッドアセンブリにおいて、前記レンズは大きな開口レンズである読出し／書込みアセンブリ。 11．請求項８、９、または１０のいずれか１項に記載の読出し／書込みヘッドアセンブリにおいて、前記テーパードビームは、このビームの大きさが回折のためにそれ以上減少し得なくなるまでは前記導波路に衝突しないよう、前記導波路よりも小さい読出し／書込みアセンブリ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＵＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ

Claims

【特許請求の範囲】１．近視野光学素子を使用する磁気光学記録システムにおいて、隣接する磁気記録媒体上の情報の読出し及びそこへの情報の書込みを行う読出し／書込みヘッドアセンブリを備えており、前記読出し／書込みヘッドアセンブリは、クロスドテーパード光導波路を含んでおり、前記クロスドテーパード光導波路は、該光導波路を満たす媒体における光の１／２波長より大きな長さと、該光導波路を満たす媒体における光の波長より実質的に小さい幅と、を有するスリットで終端していることを特徴とする磁気光学記録システム。２．磁気記憶媒体の情報を読み出し／書き込むための読出し／書込みヘッドアセンブリにおいて、実質的に矩形の一対のクロスドテーパード光導波路であって、前記光導波路は各々、スリットで終端しており、また、前記光導波路は各々、前記光導波路を満たす媒体に伝送される光の１／２波長より大きな長さと前記光導波路を満たす媒体における光の波長より実質的に小さい幅とを有する、前記光導波路と、前記スリットから外部に向かって延びるＥ−フィールドを与えるために所定波長の光を前記光導波路の少なくとも１つへ方向付ける光源と、前記記憶媒体の隣接に前記スリットを位置づけてＥ−フィールドを前記磁気記憶媒体に結合させる手段と、を備えることを特徴とする読出し／書込みアセンブリ。３．もう一方の前記導波路は前記記録媒体で磁界によって回転された反射光を受け取る請求項２記載の読出し／書込みヘッドアセンブリ。４．前記光源は前記矩形の導波路の双方へ光を投射するものであり、前記磁気媒体をいずれかのスリットにおいてキュリー温度以上に加熱するのには十分でないが、スリットの交差部において足し合わされたときは前記磁気媒体を前記キュリー点以上に加熱するのに十分である請求項２記載の読出し／書込みヘッドアセンブリ。５．前記クロスドテーパード導波路は半導体物質のウェハに形成されている請求項２記載の読出し／書込みヘッドアセンブリ。６．前記テーパード導波路は高い屈折率を有する物質で満たされている請求項５記載の読出し／書込みヘッドアセンブリ。７．前記クロスドテーパード導波路は光ファイバを成形することによって形成されている請求項２記載の読出し／書込みヘッドアセンブリ。８．磁気媒体の情報を読み出し書き込むための読出し／書込みヘッドアセンブリにおいて、実質的に矩形の一対の交差した導波路を有する読出し／書込みヘッドであって、前記導波路は各々、スリットで終端しており、また、前記スリットは各々、前記導波路を満たす媒体に伝送される光の１／２波長より大きな長さと、前記導波路を満たす媒体で伝送される光の波長より実質的に小さい幅とを有している、前記読出し／書込みヘッドと、所定波長の光源と、前記光源から光を受け取って、前記スリットから外部に向かって延びるＥ− フィールドを与えるために、前記光導波路の少なくとも１つへ先細となるテーパード光ビームを方向付けるレンズ手段と、前記磁気記憶媒体の隣接に前記ヘッドを位置づけて前記スリットにおけるＥ −フィールドを前記磁気記憶媒体に結合させる手段と、を備えることを特徴とする読出し／書込みアセンブリ。９．前記クロスド導波路はシリコンで形成されている請求項８記載の読出し／書込みアセンブリ。 10．前記ビームは前記導波路のテーパー角度に等しいか若しくはそれより小さい角度に先細とされる請求項８記載の読出し／書込みアセンブリ。 11．前記レンズは大きな開口レンズである請求項８記載の読出し／書込みアセンブリ。 12．前記テーパード光ビームは、このビームの大きさが回折のためにそれ以上減少し得なくなるまでは前記導波路に衝突しないよう、前記導波路よりも小さい請求項１０若しくは１１記載の読出し／書込みアセンブリ。 13．もう一方の前記導波路は前記記録媒体で磁界によって回転された反射光を受け取る請求項８、９、１０、１１又は１２記載の読出し／書込み光アセンブリ。 14．前記光源は前記矩形の導波路の双方へ光を投射するものであり、前記光は、前記磁気媒体をいずれかのスリットにおいてキュリー温度以上に加熱するのには十分でないが、スリットが交差するところで前記磁気媒体を前記キュリー点以上に加熱するには十分である請求項８記載の読出し／書込みヘッドアセンブリ。 15．前記クロスドテーパード導波路は半導体物質のウェハに形成されている請求項８記載の読出し／書込みアセンブリ。 16．前記テーパード導波路は高い屈折率を有する物質で満たされている請求項１５記載の読出し／書込みアセンブリ。