JP2000353846A - ステム型半導体レーザ装置 - Google Patents
ステム型半導体レーザ装置Info
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 内部のインピーダンスと外部負荷のインピー
ダンスとをマッチングをさせるようにしたものである。 【解決手段】 本発明はヒートシンク３１には薄膜抵抗
３２および半導体レーザ素子１９を設けたマイクロスト
リップ線路またはメタライズした配線３３を形成し、こ
のマイクロストリップ線路またはメタライズした配線３
３の一端部に高周波信号のリードードピン１４を接続し
他端部にグランド用のリードピン１２を接続したもので
ある。
ダンスとをマッチングをさせるようにしたものである。 【解決手段】 本発明はヒートシンク３１には薄膜抵抗
３２および半導体レーザ素子１９を設けたマイクロスト
リップ線路またはメタライズした配線３３を形成し、こ
のマイクロストリップ線路またはメタライズした配線３
３の一端部に高周波信号のリードードピン１４を接続し
他端部にグランド用のリードピン１２を接続したもので
ある。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はステム型半導体レー
ザ装置に係り、特に、半導体レーザ素子を含む内部のイ
ンピーダンスを外部負荷のインピーダンスにマッチング
させるようにしたステム型半導体レーザ装置に関するも
のである。
ザ装置に係り、特に、半導体レーザ素子を含む内部のイ
ンピーダンスを外部負荷のインピーダンスにマッチング
させるようにしたステム型半導体レーザ装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術おび発明が解決しようとする課題】マルチ
メディアヂ化による情報通信量の飛躍的な増大にともな
い通信回線の大容量化がますます重要になってきてい
る。従来、ギガビットクラスの大容量回線は主に幹線が
使用されていたが、近年、コンピュータ間の配線等にも
高速通信回線が使用されるようになっている。さらに、
近い将来は、未端の加入者線にも大容量回線が敷設され
ることが予想される。
メディアヂ化による情報通信量の飛躍的な増大にともな
い通信回線の大容量化がますます重要になってきてい
る。従来、ギガビットクラスの大容量回線は主に幹線が
使用されていたが、近年、コンピュータ間の配線等にも
高速通信回線が使用されるようになっている。さらに、
近い将来は、未端の加入者線にも大容量回線が敷設され
ることが予想される。
【０００３】このようなギガビットクラスの高速通信で
は信号線路のインピーダンスのマッチングをとることが
重要である。
は信号線路のインピーダンスのマッチングをとることが
重要である。
【０００４】このような従来の半導体レーザ装置、特
に、ステム型半導体レーザ装置１０を図９、図１０によ
り説明する。
に、ステム型半導体レーザ装置１０を図９、図１０によ
り説明する。
【０００５】このステム型半導体レーザ装置１０には直
径が５．６mmの鉄製円盤状のステム１１が備えられ、こ
れに電気的に直接に接続しグランドに落とすリードピン
１２を貫通して取り付けるようになっている。
径が５．６mmの鉄製円盤状のステム１１が備えられ、こ
れに電気的に直接に接続しグランドに落とすリードピン
１２を貫通して取り付けるようになっている。
【０００６】このステム１１にはガラス１３により絶縁
するとともにハーメチックシールした半導体レーザ素子
１９に高周波信号を入力するリードピン１４、受光素子
２３に制御信号を入れるリードピン１５、受光素子２３
から制御信号を取り出すリードピン１６が貫通して取り
付けられている。このステム１１の下面には銅タングス
テン製のブロック１７が銀ろう付けされ、これにサブマ
ウント１８を取り付けるようになっている。このサブマ
ウント１８には抵抗値が５Ω程度の半導体レーザ素子１
９を取り付けるようになっている。
するとともにハーメチックシールした半導体レーザ素子
１９に高周波信号を入力するリードピン１４、受光素子
２３に制御信号を入れるリードピン１５、受光素子２３
から制御信号を取り出すリードピン１６が貫通して取り
付けられている。このステム１１の下面には銅タングス
テン製のブロック１７が銀ろう付けされ、これにサブマ
ウント１８を取り付けるようになっている。このサブマ
ウント１８には抵抗値が５Ω程度の半導体レーザ素子１
９を取り付けるようになっている。
【０００７】このサブマウント１８にはリードワイヤ２
０を介してリードピン１４が接続され、また、このサブ
マウント１８の半導体レーザ素子１９にはリードワイヤ
２１、ブロック１７を介してリードピン１２が接続さ
れ、半導体レーザ素子１９が高周波信号を受けこれをグ
ランドに落すようになっている。
０を介してリードピン１４が接続され、また、このサブ
マウント１８の半導体レーザ素子１９にはリードワイヤ
２１、ブロック１７を介してリードピン１２が接続さ
れ、半導体レーザ素子１９が高周波信号を受けこれをグ
ランドに落すようになっている。
【０００８】このステム１１の下面には台座２２が取り
付けられ、受光素子２３を取り付けるようになってい
る。この受光素子２３の一端にはリードワイヤ２４を介
してリードピン１５が接続され、この受光素子２３の他
端にはリードワイヤ２５を介してリードピン１６が接続
され、半導体レーザ素子１９のレーザ出力をモニタする
とともにこの出力制御するようになっている。
付けられ、受光素子２３を取り付けるようになってい
る。この受光素子２３の一端にはリードワイヤ２４を介
してリードピン１５が接続され、この受光素子２３の他
端にはリードワイヤ２５を介してリードピン１６が接続
され、半導体レーザ素子１９のレーザ出力をモニタする
とともにこの出力制御するようになっている。
【０００９】なお、２６は円筒ケース２７とガラス窓２
８とから構成された保護ケースであって半導体レーザ素
子１９等を保護するとともにこれから放射するレーザ光
を図示しない受光体に伝送するようになっている。
８とから構成された保護ケースであって半導体レーザ素
子１９等を保護するとともにこれから放射するレーザ光
を図示しない受光体に伝送するようになっている。
【００１０】このような構成のステム型半導体レーザ装
置１０をギガビットクラスの高周波信号により変調する
と内部負荷のインピーダンスは図１１に示すようにリー
ドピン１４の寄生インダクタンス、リードワイヤ２０の
寄生インダクタンス、半導体レーザ素子１９の抵抗を主
体とした等価回路として表される。
置１０をギガビットクラスの高周波信号により変調する
と内部負荷のインピーダンスは図１１に示すようにリー
ドピン１４の寄生インダクタンス、リードワイヤ２０の
寄生インダクタンス、半導体レーザ素子１９の抵抗を主
体とした等価回路として表される。
【００１１】それゆえ、このステム型半導体レーザ装置
１０では図１２に示すように寄生インピーダンスが大き
寄与し、周波数２．５GHzの周波数による電圧定在在波
比（VSWR）は２５となり、同様に、周波数５GHzでは５
０となり、大きな反射波が発生する。
１０では図１２に示すように寄生インピーダンスが大き
寄与し、周波数２．５GHzの周波数による電圧定在在波
比（VSWR）は２５となり、同様に、周波数５GHzでは５
０となり、大きな反射波が発生する。
【００１２】また、このステム型半導体レーザ装置１０
を５Gb／sのNRZ信号により変調すると図１３に示すよう
にパルス応答波形に大きな歪み波形を生じる。
を５Gb／sのNRZ信号により変調すると図１３に示すよう
にパルス応答波形に大きな歪み波形を生じる。
【００１３】これらの大きな反射波、歪み波形により光
伝送を行うとき高速化を妨げるばかりか符号化に誤りを
生じ的確な伝送ができないと言う問題があった。
伝送を行うとき高速化を妨げるばかりか符号化に誤りを
生じ的確な伝送ができないと言う問題があった。
【００１４】そこで本発明は半導体レーザ素子を含む内
部のインピーダンスを外部負荷のインピーダンスにマッ
チングさせ寄生インダクタンスの影響の少なくするよう
にしたステム型半導体レーザ装置を提供することを目的
とするものであでる。
部のインピーダンスを外部負荷のインピーダンスにマッ
チングさせ寄生インダクタンスの影響の少なくするよう
にしたステム型半導体レーザ装置を提供することを目的
とするものであでる。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明はステム
に取り付けたヒートシンクと、このヒートシンクに取り
付けた半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子に対
向するようにステムに取り付け半導体レーザ素子をモニ
タしその出力制御する受光素子とを備えたステム型半導
体レーザ装置において、ヒートシンクには薄膜抵抗体お
よび半導体レーザ素子を設けたマイクロストリップ線路
またはメタライズした配線を形成し、このマイクロスト
リップ線路またはメタライズした配線の一端に高周波信
号の入力用のリードピンを接続し他端にグランドに落と
すリードピンを接続したことを特徴とするステム型半導
体レーザ装置を提供するものであでる。
に取り付けたヒートシンクと、このヒートシンクに取り
付けた半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子に対
向するようにステムに取り付け半導体レーザ素子をモニ
タしその出力制御する受光素子とを備えたステム型半導
体レーザ装置において、ヒートシンクには薄膜抵抗体お
よび半導体レーザ素子を設けたマイクロストリップ線路
またはメタライズした配線を形成し、このマイクロスト
リップ線路またはメタライズした配線の一端に高周波信
号の入力用のリードピンを接続し他端にグランドに落と
すリードピンを接続したことを特徴とするステム型半導
体レーザ装置を提供するものであでる。
【００１６】また、請求項２の発明のヒートシンクは窒
化アルミニウムであることを特徴とするステム型半導体
レーザ装置を提供するものであでる。
化アルミニウムであることを特徴とするステム型半導体
レーザ装置を提供するものであでる。
【００１７】さらに、請求項３の発明の高周波信号の入
力用のリードピンにはモジュール基板を実装したことを
特徴とするステム型半導体レーザ装置を提供するもので
あでる。
力用のリードピンにはモジュール基板を実装したことを
特徴とするステム型半導体レーザ装置を提供するもので
あでる。
【００１８】さらに、請求項４の発明のマイクロストリ
ップ線路またはメタライズした線路、高周波信号の入力
用のリードピンのインピーダンスを外部負荷のインピー
ダンスにマッチングさせることを特徴とするステム型半
導体レーザ装置を提供するものであでる。
ップ線路またはメタライズした線路、高周波信号の入力
用のリードピンのインピーダンスを外部負荷のインピー
ダンスにマッチングさせることを特徴とするステム型半
導体レーザ装置を提供するものであでる。
【００１９】さらに、請求項５の薄膜抵抗体はマイクロ
ストリップ線路またはメタライズした配線のインピーダ
ンスを外部負荷のインピーダンスにマッチングさせる調
整抵抗であることをとを特徴とするステム型半導体レー
ザ装置を提供するものであでる。
ストリップ線路またはメタライズした配線のインピーダ
ンスを外部負荷のインピーダンスにマッチングさせる調
整抵抗であることをとを特徴とするステム型半導体レー
ザ装置を提供するものであでる。
【００２０】さらに、請求項６の発明の薄膜抵抗体は半
導体レーザ素子に近接して装着することをとを特徴とす
るステム型半導体レーザ装置を提供するものであでる。
導体レーザ素子に近接して装着することをとを特徴とす
るステム型半導体レーザ装置を提供するものであでる。
【００２１】さらにまた、請求項７の発明はステムに取
り付けたヒートシンクと、このヒートシンクに取り付け
た半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子に対向す
るようにステムに取り付け半導体レーザ素子の出力制御
する受光素子とを備えたステム型半導体レーザ装置にお
いて、ヒートシンクには薄膜抵抗体および半導体レーザ
素子を設けたマイクロストリップ線路またはメタライズ
した線路を形成し、このマイクロストリップ線路または
メタライズした線路の一端に静特性を評価する第１のリ
ードピンを接続するとともに動特性を評価する第２のリ
ードピンを接続したことを特徴とするステム型半導体レ
ーザ装置を提供するものであでる。
り付けたヒートシンクと、このヒートシンクに取り付け
た半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子に対向す
るようにステムに取り付け半導体レーザ素子の出力制御
する受光素子とを備えたステム型半導体レーザ装置にお
いて、ヒートシンクには薄膜抵抗体および半導体レーザ
素子を設けたマイクロストリップ線路またはメタライズ
した線路を形成し、このマイクロストリップ線路または
メタライズした線路の一端に静特性を評価する第１のリ
ードピンを接続するとともに動特性を評価する第２のリ
ードピンを接続したことを特徴とするステム型半導体レ
ーザ装置を提供するものであでる。
【００２２】さらに、請求項８の発明の第１のリードピ
ンは半導体レーザ素子に直流電流を流し、第２のリード
ピンは半導体レーザ素子に高周波信号を流すことを特徴
とするステム型半導体レーザ装置を提供するものであで
る。
ンは半導体レーザ素子に直流電流を流し、第２のリード
ピンは半導体レーザ素子に高周波信号を流すことを特徴
とするステム型半導体レーザ装置を提供するものであで
る。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下本発明ステム型レーザ装置の
実施の形態を図面を参照しながら説明する。
実施の形態を図面を参照しながら説明する。
【００２４】本発明ステム型半導体レーザ装置３０は基
本的には従来のステム型半導体レーザ装置１０とほぼ同
様に構成されているので従来のステム型半導体レーザ装
置１０と同一部分は同一符号を付し詳細な説明を省略し
て説明する。
本的には従来のステム型半導体レーザ装置１０とほぼ同
様に構成されているので従来のステム型半導体レーザ装
置１０と同一部分は同一符号を付し詳細な説明を省略し
て説明する。
【００２５】本発明半導体レーザ装置３０には図１、図
２に示すように直径が５．６mmのステム１１が備えら
れ、これに電気的に直接に接続し高周波信号をグランド
に落とす半導体レーザ素子１９のリードピン１２を貫通
して取り付けるようにしている。
２に示すように直径が５．６mmのステム１１が備えら
れ、これに電気的に直接に接続し高周波信号をグランド
に落とす半導体レーザ素子１９のリードピン１２を貫通
して取り付けるようにしている。
【００２６】このステム１１の下面には銅タングステン
製のブロック１７が銀ろう付けされ、これにサブマウン
ト３１を取り付けるようになっている。このサブマウン
ト３１は窒化アルミニウム等により構成され、このに取
り付ける５Ω程度の半導体レーザ素子１９の温度特性を
改善するヒートシンクとして使用するようになってい
る。
製のブロック１７が銀ろう付けされ、これにサブマウン
ト３１を取り付けるようになっている。このサブマウン
ト３１は窒化アルミニウム等により構成され、このに取
り付ける５Ω程度の半導体レーザ素子１９の温度特性を
改善するヒートシンクとして使用するようになってい
る。
【００２７】このサブマウント３１に取り付けた半導体
レーザ素子１９には薄膜抵抗体３２を備えたマイクロス
トリップ線路３３を介して高周波信号を入力するリード
ピン１４が接続され、また、この半導体レーザ素子１９
にはリードワイヤ２１、グランド電極３４を介してリー
ドピン１２が接続され、高周波信号を半導体レーザ素子
１９が受けその高周波信号をグランドに落とすようにな
っている。
レーザ素子１９には薄膜抵抗体３２を備えたマイクロス
トリップ線路３３を介して高周波信号を入力するリード
ピン１４が接続され、また、この半導体レーザ素子１９
にはリードワイヤ２１、グランド電極３４を介してリー
ドピン１２が接続され、高周波信号を半導体レーザ素子
１９が受けその高周波信号をグランドに落とすようにな
っている。
【００２８】このステム１１の下面には台座２２が取り
付けられ、受光素子２３を取り付けるようになってい
る。この受光素子２３の一端にはリードワイヤ２４を介
してリードピン１５が接続され、この受光素子２３の他
端にはリードワイヤ２５を介してリードピン１６が接続
され、受光素子２３が半導体レーザ素子１９のレーザ出
力をモニタするとともにその半導体レーザ素子１９の出
力制御するようになっている。
付けられ、受光素子２３を取り付けるようになってい
る。この受光素子２３の一端にはリードワイヤ２４を介
してリードピン１５が接続され、この受光素子２３の他
端にはリードワイヤ２５を介してリードピン１６が接続
され、受光素子２３が半導体レーザ素子１９のレーザ出
力をモニタするとともにその半導体レーザ素子１９の出
力制御するようになっている。
【００２９】このように構成した半導体レーザ装置３
０、特に、内部のインピーダンスを外部負荷のインピー
ダンスにマッチングさせる方法について説明する。
０、特に、内部のインピーダンスを外部負荷のインピー
ダンスにマッチングさせる方法について説明する。
【００３０】まず、高周波信号を受けるリードピン１４
の直径とガラス１３の直径とを適宜選択して外部負荷の
インピーダンスに相当する２５Ωに設定する。
の直径とガラス１３の直径とを適宜選択して外部負荷の
インピーダンスに相当する２５Ωに設定する。
【００３１】また、マイクロストリップ線路３３を薄膜
抵抗体３２の厚さや材質等を選定することによりこの外
部負荷のインピーダンスに相当する２５Ωに設定する。
抵抗体３２の厚さや材質等を選定することによりこの外
部負荷のインピーダンスに相当する２５Ωに設定する。
【００３２】このように構成するとステム型レーザ装置
３０の外部のインピーダンスと内部のインピーダンスと
をそれぞれ２５Ωに設定し、高周波変調におけるインピ
ーダンスをマッチングすることができる。
３０の外部のインピーダンスと内部のインピーダンスと
をそれぞれ２５Ωに設定し、高周波変調におけるインピ
ーダンスをマッチングすることができる。
【００３３】このマッチングによりステム型レーザ装置
３０のリードピン１４に５Gb／sのNZR信号を入力すると
その変調信号がマイクロストリップ線路３３、半導体レ
ーザ素子１９、リードワイヤ２１、グランド電極３４を
介してリードピン１２に流れる。
３０のリードピン１４に５Gb／sのNZR信号を入力すると
その変調信号がマイクロストリップ線路３３、半導体レ
ーザ素子１９、リードワイヤ２１、グランド電極３４を
介してリードピン１２に流れる。
【００３４】この変調信号により半導体レーザ素子１９
がレーザ光を放射しそのレーザ光をガラス窓２８を介し
て受光体に伝送する。また、このレーザ光の一部は受光
素子２３が受けレーザ出力をモニタするとともにその出
力を制御する。
がレーザ光を放射しそのレーザ光をガラス窓２８を介し
て受光体に伝送する。また、このレーザ光の一部は受光
素子２３が受けレーザ出力をモニタするとともにその出
力を制御する。
【００３５】この変調信号を受けると図３の等価回路に
示すように内部のインピーダンスはリードピン１４のイ
ンダクタンス、マイクロストリップ線路３３のインピー
ダンス、薄膜抵抗体３２の抵抗、リードワイヤ２１やグ
ランド電極３４のインダクタンス、半導体レーザ素子１
９の抵抗を主体となり、リードピン１４の寄生インダク
タンス等がほとんどない回路となる。
示すように内部のインピーダンスはリードピン１４のイ
ンダクタンス、マイクロストリップ線路３３のインピー
ダンス、薄膜抵抗体３２の抵抗、リードワイヤ２１やグ
ランド電極３４のインダクタンス、半導体レーザ素子１
９の抵抗を主体となり、リードピン１４の寄生インダク
タンス等がほとんどない回路となる。
【００３６】そのため、このステム型半導体レーザ装置
３０の電圧定在在波比を評価すると図６に示すように周
波数２．５GHzでは２となり、同様に、周波数５GHzでも
３となりほとんど反射波を発生しないものとなる。
３０の電圧定在在波比を評価すると図６に示すように周
波数２．５GHzでは２となり、同様に、周波数５GHzでも
３となりほとんど反射波を発生しないものとなる。
【００３７】このステム型半導体レーザ装置３０を５Gb
／sのNRZ信号により変調しても図５に示すようにパルス
応答波形が従来のものと比較してもほとんど歪み波形が
生じない状態となる。
／sのNRZ信号により変調しても図５に示すようにパルス
応答波形が従来のものと比較してもほとんど歪み波形が
生じない状態となる。
【００３８】そのため、ステム型半導体レーザ装置３０
によりレーザ伝送を行うときレーザ光の符号化に誤りを
生じさせない状態で高速、かつ、的確に光伝送を行うこ
とができる。
によりレーザ伝送を行うときレーザ光の符号化に誤りを
生じさせない状態で高速、かつ、的確に光伝送を行うこ
とができる。
【００３９】図６、図７は本発明ステム型半導体レーザ
装置３０をモジュール基板４１に実装した具体例を示し
たものである。
装置３０をモジュール基板４１に実装した具体例を示し
たものである。
【００４０】このモジュール基板４１は抵抗値が２５Ω
に設定した送信用IC４２が備えられ、この信号線４３、
４４を短く切断したリードピン１４、１５に接続するよ
うになっている。
に設定した送信用IC４２が備えられ、この信号線４３、
４４を短く切断したリードピン１４、１５に接続するよ
うになっている。
【００４１】送信用IC４２から高周波パルス信号が送ら
れるとこれが半導体レーザ素子１９に送られ、半導体レ
ーザ素子１９をレーザ発光する。
れるとこれが半導体レーザ素子１９に送られ、半導体レ
ーザ素子１９をレーザ発光する。
【００４２】このモジュール基板４１に実装したステム
型半導体レーザ装置３０の内部のインピーダンスは短く
切断したリードピン１４から半導体レーザ素子１９まで
の領域となり、また、外部負荷のインピーダンスはモジ
ュール基板４１の送信用IC４２、信号線４３、４４の領
域となる。
型半導体レーザ装置３０の内部のインピーダンスは短く
切断したリードピン１４から半導体レーザ素子１９まで
の領域となり、また、外部負荷のインピーダンスはモジ
ュール基板４１の送信用IC４２、信号線４３、４４の領
域となる。
【００４３】このようにステム型半導体レーザ装置３０
の内部のインピーダンスとモジュール基板４１の外部負
荷のインピーダンスとをいずれも２５Ωであるからよく
内部のインピーダンスと外部負荷のインピーダンスとが
よくマッチングし、反射波がなく、歪み波形のない高速
のレーザ光の光伝送することができる。
の内部のインピーダンスとモジュール基板４１の外部負
荷のインピーダンスとをいずれも２５Ωであるからよく
内部のインピーダンスと外部負荷のインピーダンスとが
よくマッチングし、反射波がなく、歪み波形のない高速
のレーザ光の光伝送することができる。
【００４４】図８、図９は本発明ステム型半導体レーザ
装置３０の評価方法の一例を示したものである。
装置３０の評価方法の一例を示したものである。
【００４５】普通、この種のステム型半導体レーザ装置
３０の評価は静特性評価と動特性評価とにより行われ
る。
３０の評価は静特性評価と動特性評価とにより行われ
る。
【００４６】このステム型半導体レーザ装置３０のリー
ドピン１５には高インピーダンス特性を有する評価電極
５１、評価連結ワイヤ５２を介してマイクロストリップ
線路３３が接続され、リードピン１５、評価電極５１、
評価連結ワイヤ５２、マイクロストリップ線路３３、半
導体レーザ素子１９、リードワイヤ２１、グランド電極
３４、リードピン１２に直流電流を流して半導体レーザ
素子１９の静的な抵抗等を評価する。
ドピン１５には高インピーダンス特性を有する評価電極
５１、評価連結ワイヤ５２を介してマイクロストリップ
線路３３が接続され、リードピン１５、評価電極５１、
評価連結ワイヤ５２、マイクロストリップ線路３３、半
導体レーザ素子１９、リードワイヤ２１、グランド電極
３４、リードピン１２に直流電流を流して半導体レーザ
素子１９の静的な抵抗等を評価する。
【００４７】つぎに、この評価連結ワイヤ５２を接続し
たままあるいは切断してリードピン１４からマイクロス
トリップ線路３３、半導体レーザ素子１９、リードワイ
ヤ２１、ウランド電極３４、リードピン１２に高周波信
号を流し、半導体レーザ素子１９等の動的な内部のイン
ピーダンスを評価する。
たままあるいは切断してリードピン１４からマイクロス
トリップ線路３３、半導体レーザ素子１９、リードワイ
ヤ２１、ウランド電極３４、リードピン１２に高周波信
号を流し、半導体レーザ素子１９等の動的な内部のイン
ピーダンスを評価する。
【００４８】このようにしてステム型半導体レーザ装置
３０の半導体レーザ素子１９の抵抗、内部のインピーダ
ンスを評価し、外部負荷のインピーダンスを評価し、そ
れらのインピーダンスがマッチングするか否かを事前に
評価する。
３０の半導体レーザ素子１９の抵抗、内部のインピーダ
ンスを評価し、外部負荷のインピーダンスを評価し、そ
れらのインピーダンスがマッチングするか否かを事前に
評価する。
【００４９】この評価によりステム型半導体レーザ装置
３０を高周波変調するからこの内部および外部負荷のイ
ンピーダンスをよくマッチングし、反射波、歪み波形等
のないレーザ装置を得ることができる。
３０を高周波変調するからこの内部および外部負荷のイ
ンピーダンスをよくマッチングし、反射波、歪み波形等
のないレーザ装置を得ることができる。
【００５０】なお、本発明の実施の形態ではリードピン
１４と１２との間には薄膜抵抗体３２を備えたマイクロ
ストリップ線路３３が設けたがこのマイクロストリップ
線路３３に代わりメタライズした配線を使用しても同様
な効果を得ることができる。
１４と１２との間には薄膜抵抗体３２を備えたマイクロ
ストリップ線路３３が設けたがこのマイクロストリップ
線路３３に代わりメタライズした配線を使用しても同様
な効果を得ることができる。
【００５１】また、マイクロストリップ線路３３、メタ
ライズした配線の薄膜抵抗体３２をこれらの中間部に装
着したが半導体レーザ素子１９に近接して装着すると抵
抗が半導体レーザ素子１９に集められるので高周波信号
の反射波を低く抑えることができる。
ライズした配線の薄膜抵抗体３２をこれらの中間部に装
着したが半導体レーザ素子１９に近接して装着すると抵
抗が半導体レーザ素子１９に集められるので高周波信号
の反射波を低く抑えることができる。
【００５２】さらに上記実施の形態では外部負荷のイン
ピーダンスを２５Ωとし内部のインピーダンスをこれに
マッチングするようにしたが外部負荷のインピーダンス
が３５Ω、５０Ω等に設定されていればリードピンの直
径、薄膜抵抗を装着したマイクロストリップ線路の抵抗
等を３５Ω、５０Ωにし調整し、内部のインピーダンス
を外部負荷のインピーダンスにマッチングさせるように
すればよい。
ピーダンスを２５Ωとし内部のインピーダンスをこれに
マッチングするようにしたが外部負荷のインピーダンス
が３５Ω、５０Ω等に設定されていればリードピンの直
径、薄膜抵抗を装着したマイクロストリップ線路の抵抗
等を３５Ω、５０Ωにし調整し、内部のインピーダンス
を外部負荷のインピーダンスにマッチングさせるように
すればよい。
【００５３】
【発明の効果】請求項１、２、３、４、５および６の発
明はステムに取り付けたヒートシンクと、このヒートシ
ンクに取り付けた半導体レーザ素子と、この半導体レー
ザ素子に対向するようにステムに取り付け半導体レーザ
素子をモニタしその出力制御する受光素子とを備えたス
テム型半導体レーザ装置において、ヒートシンクには薄
膜抵抗体および半導体レーザ素子を設けたマイクロスト
リップ線路またはメタライズした配線を形成し、このマ
イクロストリップ線路またはメタライズした配線の一端
に高周波信号の入力用のリードピンを接続し他端にグラ
ンドに落とすリードピンを接続したから高周波信号の反
射および歪みがなくなり、かつ、高速のレーザ光による
光伝送を行うことができる。
明はステムに取り付けたヒートシンクと、このヒートシ
ンクに取り付けた半導体レーザ素子と、この半導体レー
ザ素子に対向するようにステムに取り付け半導体レーザ
素子をモニタしその出力制御する受光素子とを備えたス
テム型半導体レーザ装置において、ヒートシンクには薄
膜抵抗体および半導体レーザ素子を設けたマイクロスト
リップ線路またはメタライズした配線を形成し、このマ
イクロストリップ線路またはメタライズした配線の一端
に高周波信号の入力用のリードピンを接続し他端にグラ
ンドに落とすリードピンを接続したから高周波信号の反
射および歪みがなくなり、かつ、高速のレーザ光による
光伝送を行うことができる。
【００５４】さらにまた、請求項７、８の発明はステム
に取り付けたヒートシンクと、このヒートシンクに取り
付けた半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子に対
向するようにステムに取り付け半導体レーザ素子の出力
制御する受光素子とを備えたステム型半導体レーザ装置
において、ヒートシンクには薄膜抵抗体および半導体レ
ーザ素子を設けたマイクロストリップ線路またはメタラ
イズした線路を形成し、このマイクロストリップ線路ま
たはメタライズした線路の一端に静特性を評価する第１
のリードピンを接続するとともに動特性を評価する第２
のリードピンを接続したからステム型半導体レーザ装置
の内部および外部負荷のインピーダンスを事前に評価し
インピーダンスをマッチングさせたてステム型半導体レ
ーザ装置を使用することができる。
に取り付けたヒートシンクと、このヒートシンクに取り
付けた半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子に対
向するようにステムに取り付け半導体レーザ素子の出力
制御する受光素子とを備えたステム型半導体レーザ装置
において、ヒートシンクには薄膜抵抗体および半導体レ
ーザ素子を設けたマイクロストリップ線路またはメタラ
イズした線路を形成し、このマイクロストリップ線路ま
たはメタライズした線路の一端に静特性を評価する第１
のリードピンを接続するとともに動特性を評価する第２
のリードピンを接続したからステム型半導体レーザ装置
の内部および外部負荷のインピーダンスを事前に評価し
インピーダンスをマッチングさせたてステム型半導体レ
ーザ装置を使用することができる。
【図１】本発明ステム型半導体レーザ装置の概要を示す
断面図。
断面図。
【図２】図１をIIーII線に沿って矢印方向に見た断面
図。
図。
【図３】本発明ステム型半導体レーザ装置を高周波変調
したときの内部のインピーダンスの等価回路図。
したときの内部のインピーダンスの等価回路図。
【図４】本発明ステム型半導体レーザ装置の周波数対電
圧定在波比の特性曲線図。
圧定在波比の特性曲線図。
【図５】本発明ステム型半導体レーザ装置の電圧波特性
曲線図。
曲線図。
【図６】本発明ステム型半導体レーザ装置の実装の概要
を示す断面図。
を示す断面図。
【図７】図６をVIIーVIIに沿って矢印方向に見た断面
図。
図。
【図８】本発明ステム型半導体レーザ装置の評価概要を
示す断面図。
示す断面図。
【図９】従来のステム型半導体レーザ装置の概要を示す
断面図。
断面図。
【図１０】図９をＸーＸに沿って切断し矢印方向に見た
断面図。
断面図。
【図１１】従来のステム型半導体レーザ装置を高周波変
調したときの内部のインピーダンスの等価回路図。
調したときの内部のインピーダンスの等価回路図。
【図１２】従来のステム型半導体レーザ装置の電圧波特
性曲線図。
性曲線図。
【図１３】従来のステム型半導体レーザ装置の周波数対
電圧定在波比の特性曲線図。
電圧定在波比の特性曲線図。
１０、３０ ステム型半導体レーザ装置 １１ ステム １２、１４、１５、１６ リードピン １３ ガラス １７ ブロック １８ サブマウント １９ 半導体レーザ素子 ２０、２１、２４、２５ リードワイヤ ２２ 台座 ２３ 受光素子 ３１ サブマウント ３２ 薄膜抵抗体 ３３ マイクロストリップ線路 ３４ グランド電極 ４１ モジュール基板 ４２ 送信用IC ５１ 評価電極 ５２ 評価連結ワイヤ
Claims (8)
- 【請求項１】ステムに取り付けたヒートシンクと、 このヒートシンクに取り付けた半導体レーザ素子と、 この半導体レーザ素子に対向するようにステムに取り付
け半導体レーザ素子をモニタしその出力制御する受光素
子と、 を備えたステム型半導体レーザ装置において、 ヒートシンクには薄膜抵抗体および半導体レーザ素子を
設けたマイクロストリップ線路またはメタライズした配
線を形成し、 このマイクロストリップ線路またはメタライズした配線
の一端に高周波信号の入力用のリードピンを接続し他端
にグランドに落とすリードピンを接続し、 たことを特徴とするステム型半導体レーザ装置。 - 【請求項２】ヒートシンクは窒化アルミニウムであるこ
とを特徴とする請求項１記載のステム型半導体レーザ装
置。 - 【請求項３】高周波信号の入力用のリードピンにはモジ
ュール基板を実装したことを特徴とする請求項１または
２記載のステム型半導体レーザ装置。 - 【請求項４】マイクロストリップ線路またはメタライズ
した線路および高周波信号の入力用のリードピンのイン
ピーダンスを外部負荷のインピーダンスにマッチングさ
せることを特徴とする請求項１、２または３記載のステ
ム型半導体レーザ装置。 - 【請求項５】薄膜抵抗体はマイクロストリップ線路また
はメタライズした配線のインピーダンスを外部負荷のイ
ンピーダンスにマッチングさせる調整抵抗であることを
とを特徴とする請求項１、２、３または４記載のステム
型半導体レーザ装置。 - 【請求項６】薄膜抵抗体は半導体レーザ素子に近接して
装着することをとを特徴とする請求項１、２、３、４ま
たは５記載のステム型半導体レーザ装置。 - 【請求項７】ステムに取り付けたヒートシンクと、 このヒートシンクに取り付けた半導体レーザ素子と、 この半導体レーザ素子に対向するようにステムに取り付
け半導体レーザ素子の出力制御する受光素子と、 を備えたステム型半導体レーザ装置において、 ヒートシンクには薄膜抵抗体および半導体レーザ素子を
設けたマイクロストリップ線路またはメタライズした線
路を形成し、 このマイクロストリップ線路またはメタライズした線路
の一端に静特性を評価する第１のリードピンを接続する
とともに動特性を評価する第２のリードピンを接続し、 たことを特徴とするステム型半導体レーザ装置。 - 【請求項８】第１のリードピンは半導体レーザ素子に直
流電流を流し、第２のリードピンは半導体レーザ素子に
高周波信号を流すことを特徴とする請求項７記載のステ
ム型半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11165112A JP2000353846A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | ステム型半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11165112A JP2000353846A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | ステム型半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000353846A true JP2000353846A (ja) | 2000-12-19 |
Family
ID=15806144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11165112A Pending JP2000353846A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | ステム型半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000353846A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198543A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用パッケージ |
| JP2004063852A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体集積装置 |
| JP2004146777A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ装置 |
| US7026655B2 (en) | 2003-07-04 | 2006-04-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light-transmitting module containing an driving device in a package |
| US7192201B2 (en) | 2003-07-09 | 2007-03-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical transmitting module having a de-coupling inductor therein |
| US7218657B2 (en) | 2003-07-09 | 2007-05-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical transmitting module having a can type package and providing a temperature sensor therein |
| US7260133B2 (en) | 2004-08-23 | 2007-08-21 | Jds Uniphase Corporation | Diode-pumped laser |
| US7463659B2 (en) | 2003-07-09 | 2008-12-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Can-type optical transmitting module utilizing a laser diode with impedance matching resistors |
| JP2011129695A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光モジュール |
| WO2020175626A1 (ja) | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 京セラ株式会社 | 電子素子搭載用パッケージ及び電子装置 |
| JP2022043009A (ja) * | 2020-09-03 | 2022-03-15 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | 光電子用途の高速データ伝送用のトランジスタアウトラインヘッダ |
-
1999
- 1999-06-11 JP JP11165112A patent/JP2000353846A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198543A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用パッケージ |
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| JP4586337B2 (ja) * | 2002-08-26 | 2010-11-24 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ装置 |
| JP2004146777A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ装置 |
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| JP2011129695A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光モジュール |
| WO2020175626A1 (ja) | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 京セラ株式会社 | 電子素子搭載用パッケージ及び電子装置 |
| US11652306B2 (en) | 2019-02-28 | 2023-05-16 | Kyocera Corporation | Electronic-element mounting package and electronic device |
| JP2022043009A (ja) * | 2020-09-03 | 2022-03-15 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | 光電子用途の高速データ伝送用のトランジスタアウトラインヘッダ |
| JP7258975B2 (ja) | 2020-09-03 | 2023-04-17 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | 光電子用途の高速データ伝送用のトランジスタアウトラインヘッダ |
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