JP2000353686A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2000353686A JP2000353686A JP16336699A JP16336699A JP2000353686A JP 2000353686 A JP2000353686 A JP 2000353686A JP 16336699 A JP16336699 A JP 16336699A JP 16336699 A JP16336699 A JP 16336699A JP 2000353686 A JP2000353686 A JP 2000353686A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸化膜を湿式エッチング処理する際に、レジ
スト変質物が残ることのない良好なエッチングが行える
半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に酸化膜１を形成し、酸化膜１上
にレジストパターン２を形成する。つづいて、レジスト
パターン２に照射強度密度１００〜６５０ｍｗ／ｃｍ2
の紫外線を５〜２０秒照射し、レジストパターン２の表
面に硬化層５を形成する。その後、フッ酸で満たされた
薬液槽に浸すことにより、レジストパターン２をマスク
として酸化膜１をエッチングする。
スト変質物が残ることのない良好なエッチングが行える
半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に酸化膜１を形成し、酸化膜１上
にレジストパターン２を形成する。つづいて、レジスト
パターン２に照射強度密度１００〜６５０ｍｗ／ｃｍ2
の紫外線を５〜２０秒照射し、レジストパターン２の表
面に硬化層５を形成する。その後、フッ酸で満たされた
薬液槽に浸すことにより、レジストパターン２をマスク
として酸化膜１をエッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体装置の製造
方法に関し、特に、レジストマスクによる酸化膜の湿式
エッチング処理方法に関するものである。
方法に関し、特に、レジストマスクによる酸化膜の湿式
エッチング処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置の製造方法において
は、フッ酸による酸化膜のエッチングが多用されてい
る。図６（ａ）〜（ｄ）は従来の酸化膜のエッチング方
法を示す工程断面図である。図に従って順次説明する。
は、フッ酸による酸化膜のエッチングが多用されてい
る。図６（ａ）〜（ｄ）は従来の酸化膜のエッチング方
法を示す工程断面図である。図に従って順次説明する。
【０００３】まず、図６（ａ）に示すように、基板（図
示なし）上に酸化膜１を形成する。次に、図６（ｂ）に
示すように、レジストパターン２を形成する。次に、図
６（ｃ）に示すように、基板を一定時間、フッ酸で満た
された薬液槽に浸すことにより、レジストパターン２を
マスクとして酸化膜１をエッチングする。次に、基板を
一定時間、水洗槽に浸して水洗を行った後スピン乾燥を
行う。その後、大気中で基板を保管する。
示なし）上に酸化膜１を形成する。次に、図６（ｂ）に
示すように、レジストパターン２を形成する。次に、図
６（ｃ）に示すように、基板を一定時間、フッ酸で満た
された薬液槽に浸すことにより、レジストパターン２を
マスクとして酸化膜１をエッチングする。次に、基板を
一定時間、水洗槽に浸して水洗を行った後スピン乾燥を
行う。その後、大気中で基板を保管する。
【０００４】次に、図６（ｄ）に示すように、基板を一
定時間、硫酸と過酸化水素水との混合液に浸し、レジス
トパターン２を除去する。その後、基板を一定時間、水
洗槽に浸して水洗を行った後、スピン乾燥またはＩＰＡ
ペーパー乾燥を行い、酸化膜１のエッチング工程を終了
する。
定時間、硫酸と過酸化水素水との混合液に浸し、レジス
トパターン２を除去する。その後、基板を一定時間、水
洗槽に浸して水洗を行った後、スピン乾燥またはＩＰＡ
ペーパー乾燥を行い、酸化膜１のエッチング工程を終了
する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の酸化膜の湿式エ
ッチングは以上のようであり、図６（ｃ）に示した酸化
膜１のエッチング工程において、図７（ａ）に示すよう
に、レジストパターン２表面にフッ酸の染み込み３がお
こる。また、その後のスピン乾燥後には、レジストパタ
ーン２段差部に残留水分４が残ってしまう。
ッチングは以上のようであり、図６（ｃ）に示した酸化
膜１のエッチング工程において、図７（ａ）に示すよう
に、レジストパターン２表面にフッ酸の染み込み３がお
こる。また、その後のスピン乾燥後には、レジストパタ
ーン２段差部に残留水分４が残ってしまう。
【０００６】その後、大気中で基板を保管しているため
に、図７（ｂ）に示すように、残留水分４と大気中の酸
素と酸化膜１とが化学変化を起こすとともに、残留水分
４と大気中の酸素とレジストパターン２表面のフッ酸の
染み込み３とが化学変化を起こし、レジストパターン２
の一部に変質物７が生成されてしまう。その後、図７
（ｃ）に示すように、レジストパターン２を除去しても
変質物７が残ってしまい、良好な酸化膜エッチングが行
えないという問題点があった。
に、図７（ｂ）に示すように、残留水分４と大気中の酸
素と酸化膜１とが化学変化を起こすとともに、残留水分
４と大気中の酸素とレジストパターン２表面のフッ酸の
染み込み３とが化学変化を起こし、レジストパターン２
の一部に変質物７が生成されてしまう。その後、図７
（ｃ）に示すように、レジストパターン２を除去しても
変質物７が残ってしまい、良好な酸化膜エッチングが行
えないという問題点があった。
【０００７】レジストを残渣なく除去する方法として、
例えば特開平５−３０４０８９号公報には、ポリシリコ
ンをドライエッチングした後、紫外線照射を行いレジス
トを除去する方法が述べられている。しかし、酸化膜の
エッチングマスクとしてのレジストに紫外線照射を行う
と、レジストが硬化し下地の酸化膜とレジストとの界面
にサイドエッチングがおこり、良好な酸化膜エッチング
が行えないという問題点があった。
例えば特開平５−３０４０８９号公報には、ポリシリコ
ンをドライエッチングした後、紫外線照射を行いレジス
トを除去する方法が述べられている。しかし、酸化膜の
エッチングマスクとしてのレジストに紫外線照射を行う
と、レジストが硬化し下地の酸化膜とレジストとの界面
にサイドエッチングがおこり、良好な酸化膜エッチング
が行えないという問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ために成されたもので、酸化膜をフッ酸で湿式エッチン
グ処理する際に、レジスト変質物が残ることのない良好
なエッチングが行える半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的としている。
ために成されたもので、酸化膜をフッ酸で湿式エッチン
グ処理する際に、レジスト変質物が残ることのない良好
なエッチングが行える半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体装置の製造方法は、エッチングパターンを形成
する工程の後、酸化膜をエッチングする工程の前に、レ
ジストパターンに紫外線を照射し、上記レジストパター
ン表面に薬液の染み込みを防止する硬化層を形成するよ
うにしたものである。
る半導体装置の製造方法は、エッチングパターンを形成
する工程の後、酸化膜をエッチングする工程の前に、レ
ジストパターンに紫外線を照射し、上記レジストパター
ン表面に薬液の染み込みを防止する硬化層を形成するよ
うにしたものである。
【００１０】この発明の請求項２に係る半導体装置の製
造方法は、請求項１において、照射密度が１００〜６５
０ｍｗ／ｃｍ2 であり、照射時間が５〜２０秒間である
ようにしたものである。
造方法は、請求項１において、照射密度が１００〜６５
０ｍｗ／ｃｍ2 であり、照射時間が５〜２０秒間である
ようにしたものである。
【００１１】この発明の請求項３に係る半導体装置の製
造方法は、レジストパターンを除去する工程は、基板を
水洗する工程の後、乾燥することなく直ぐに、基板を薬
液に浸漬する工程であるようにしたものである。
造方法は、レジストパターンを除去する工程は、基板を
水洗する工程の後、乾燥することなく直ぐに、基板を薬
液に浸漬する工程であるようにしたものである。
【００１２】この発明の請求項４に係る半導体装置の製
造方法は、基板を水洗および乾燥する工程の後、レジス
トパターンを除去する工程までの間、酸素が存在しない
雰囲気中に基板を保つようにしたものである。
造方法は、基板を水洗および乾燥する工程の後、レジス
トパターンを除去する工程までの間、酸素が存在しない
雰囲気中に基板を保つようにしたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１（ａ）〜
（ｅ）はこの発明の実施の形態１の酸化膜のエッチング
方法を示す工程断面図である。図に従って順次説明す
る。まず、図１（ａ）に示すように、基板（図示なし）
上に酸化膜１を形成する。次に、図１（ｂ）に示すよう
に、レジストパターン２を形成する。
（ｅ）はこの発明の実施の形態１の酸化膜のエッチング
方法を示す工程断面図である。図に従って順次説明す
る。まず、図１（ａ）に示すように、基板（図示なし）
上に酸化膜１を形成する。次に、図１（ｂ）に示すよう
に、レジストパターン２を形成する。
【００１４】次に、図１（ｃ）に示すように、レジスト
パターン２に照射強度密度６５０ｍｗ／ｃｍ2 の紫外線
を２０秒照射する。このとき、レジストパターン２は収
縮し、表面に硬化層５を形成する。
パターン２に照射強度密度６５０ｍｗ／ｃｍ2 の紫外線
を２０秒照射する。このとき、レジストパターン２は収
縮し、表面に硬化層５を形成する。
【００１５】次に、図１（ｄ）に示すように、基板を一
定時間、フッ酸で満たされた薬液槽に浸すことにより、
レジストパターン２をマスクとして酸化膜１をエッチン
グする。その後、基板を一定時間、水洗槽に浸して水洗
を行った後スピン乾燥を行う。このとき、レジストパタ
ーン２の表面には硬化層５が形成されているのでフッ酸
のレジストパターン２への染み込みを防止することがで
きる。従って、スピン乾燥後にレジストパターン２段差
部に残留水分４が残ったとしてもレジストパターン２表
面のフッ酸の染み込み３と化学変化を起こし変質物７を
形成することがない。
定時間、フッ酸で満たされた薬液槽に浸すことにより、
レジストパターン２をマスクとして酸化膜１をエッチン
グする。その後、基板を一定時間、水洗槽に浸して水洗
を行った後スピン乾燥を行う。このとき、レジストパタ
ーン２の表面には硬化層５が形成されているのでフッ酸
のレジストパターン２への染み込みを防止することがで
きる。従って、スピン乾燥後にレジストパターン２段差
部に残留水分４が残ったとしてもレジストパターン２表
面のフッ酸の染み込み３と化学変化を起こし変質物７を
形成することがない。
【００１６】次に、図１（ｅ）に示すように、大気中で
基板を保管し、基板を一定時間、硫酸と過酸化水素水と
の混合液に浸し、レジストパターン２を除去する。その
後、基板を一定時間、水洗槽に浸して水洗を行った後、
スピン乾燥またはＩＰＡペーパー乾燥を行い、酸化膜１
のエッチング工程を終了する。
基板を保管し、基板を一定時間、硫酸と過酸化水素水と
の混合液に浸し、レジストパターン２を除去する。その
後、基板を一定時間、水洗槽に浸して水洗を行った後、
スピン乾燥またはＩＰＡペーパー乾燥を行い、酸化膜１
のエッチング工程を終了する。
【００１７】この様にすれば、レジストパターン２の表
面に硬化層５を形成することによりレジストパターン２
への染み込みを防止することができ、残留水分４による
変質物７の形成を防止することができる。
面に硬化層５を形成することによりレジストパターン２
への染み込みを防止することができ、残留水分４による
変質物７の形成を防止することができる。
【００１８】ところが、図２に示すように、図１（ｃ）
における紫外線の照射によって、レジストパターン２の
表面には強い収縮力がはたらく。従って、紫外線の照射
強度密度および照射時間によってはレジストパターン２
に強い応力が生じ、下地酸化膜１とレジストパターン２
との界面の接着力が弱くなり、酸化膜１のエッチング時
に界面に薬液が入り込みサイドエッチング６が起こる場
合がある。
における紫外線の照射によって、レジストパターン２の
表面には強い収縮力がはたらく。従って、紫外線の照射
強度密度および照射時間によってはレジストパターン２
に強い応力が生じ、下地酸化膜１とレジストパターン２
との界面の接着力が弱くなり、酸化膜１のエッチング時
に界面に薬液が入り込みサイドエッチング６が起こる場
合がある。
【００１９】図３は紫外線の照射強度密度６５０ｍｗ／
ｃｍ2 のときの照射時間とサイドエッチング量との関係
を示す図である。図３からわかるように、照射時間が２
０秒以上になるとサイドエッチング量は照射時間に比例
して増加する。従って、照射強度密度６５０ｍｗ／ｃｍ
2 では紫外線照射時間を２０秒以下に設定する必要があ
る。
ｃｍ2 のときの照射時間とサイドエッチング量との関係
を示す図である。図３からわかるように、照射時間が２
０秒以上になるとサイドエッチング量は照射時間に比例
して増加する。従って、照射強度密度６５０ｍｗ／ｃｍ
2 では紫外線照射時間を２０秒以下に設定する必要があ
る。
【００２０】今回、紫外線の照射強度密度および照射時
間とレジストパターン２表面に形成される硬化層５との
関係について実験を行ったところ、照射強度密度１００
ｍｗ／ｃｍ2 以上で５秒以上照射すれば、フッ酸の染み
込みに対して良好な硬化層５を形成することができるこ
とがわかった。
間とレジストパターン２表面に形成される硬化層５との
関係について実験を行ったところ、照射強度密度１００
ｍｗ／ｃｍ2 以上で５秒以上照射すれば、フッ酸の染み
込みに対して良好な硬化層５を形成することができるこ
とがわかった。
【００２１】従って、紫外線照射密度１００〜６５０ｍ
ｗ／ｃｍ2 で、照射時間５〜２０秒の紫外線照射をレジ
ストパターン２へ行えば、レジストパターン２の表面に
硬化層５を形成してフッ酸の染み込みを防止でき、残留
水分４による変質物７の形成を防止することができると
ともに、サイドエッチングを防止することができ、良好
な酸化膜の湿式エッチングを行うことができる。
ｗ／ｃｍ2 で、照射時間５〜２０秒の紫外線照射をレジ
ストパターン２へ行えば、レジストパターン２の表面に
硬化層５を形成してフッ酸の染み込みを防止でき、残留
水分４による変質物７の形成を防止することができると
ともに、サイドエッチングを防止することができ、良好
な酸化膜の湿式エッチングを行うことができる。
【００２２】実施の形態２．ここでは、レジスト変質物
を形成する原因である残留水分と大気中の酸素とを除去
する方法について説明する。図４（ａ）〜（ｄ）は実施
の形態２の酸化膜のエッチング方法を示す工程断面図で
ある。図に従って順次説明する。
を形成する原因である残留水分と大気中の酸素とを除去
する方法について説明する。図４（ａ）〜（ｄ）は実施
の形態２の酸化膜のエッチング方法を示す工程断面図で
ある。図に従って順次説明する。
【００２３】まず、図４（ａ）に示すように、基板（図
示なし）上に酸化膜１を形成する。次に、図４（ｂ）に
示すように、レジストパターン２を形成する。次に、図
４（ｃ）に示すように、基板を一定時間、フッ酸で満た
された薬液槽に浸すことにより、レジストパターン２を
マスクとして酸化膜１をエッチングする。このとき、レ
ジストパターン２表面にフッ酸の染み込み３がおこる。
その後、基板を一定時間、水洗槽に浸して水洗を行う。
示なし）上に酸化膜１を形成する。次に、図４（ｂ）に
示すように、レジストパターン２を形成する。次に、図
４（ｃ）に示すように、基板を一定時間、フッ酸で満た
された薬液槽に浸すことにより、レジストパターン２を
マスクとして酸化膜１をエッチングする。このとき、レ
ジストパターン２表面にフッ酸の染み込み３がおこる。
その後、基板を一定時間、水洗槽に浸して水洗を行う。
【００２４】次に、図４（ｄ）に示すように、スピン乾
燥を行わずに水洗後直ちに、基板を一定時間、硫酸と過
酸化水素水との混合液に浸し、レジストパターン２を除
去する。この様にすれば、レジストパターン２段差部に
水洗時の水分の一部が残留水分４として残ることがな
く、基板が大気中の酸素に晒されることもない。その
後、基板を一定時間、水洗槽に浸して水洗を行った後、
スピン乾燥またはＩＰＡペーパー乾燥を行い、酸化膜１
のエッチング工程を終了する。
燥を行わずに水洗後直ちに、基板を一定時間、硫酸と過
酸化水素水との混合液に浸し、レジストパターン２を除
去する。この様にすれば、レジストパターン２段差部に
水洗時の水分の一部が残留水分４として残ることがな
く、基板が大気中の酸素に晒されることもない。その
後、基板を一定時間、水洗槽に浸して水洗を行った後、
スピン乾燥またはＩＰＡペーパー乾燥を行い、酸化膜１
のエッチング工程を終了する。
【００２５】この様にすれば、酸化膜１の湿式エッチン
グの後、水洗した後大気中に保管することなく、直ぐ
に、湿式でレジスト除去を行うので、レジストパターン
２の一部に変質物７が生成されることなく、良好な酸化
膜の湿式エッチングを行うことができる。
グの後、水洗した後大気中に保管することなく、直ぐ
に、湿式でレジスト除去を行うので、レジストパターン
２の一部に変質物７が生成されることなく、良好な酸化
膜の湿式エッチングを行うことができる。
【００２６】実施の形態３．上記実施の形態２では水洗
後、大気中に保管することなく直ぐに、レジスト除去を
行う方法について説明を行ったが、ここでは酸素を有し
ない雰囲気中に保管する場合について説明する。
後、大気中に保管することなく直ぐに、レジスト除去を
行う方法について説明を行ったが、ここでは酸素を有し
ない雰囲気中に保管する場合について説明する。
【００２７】図５（ａ）〜（ｄ）は実施の形態３の酸化
膜のエッチング方法を示す工程断面図である。図に従っ
て順次説明する。まず、図５（ａ）に示すように、基板
（図示なし）上に酸化膜１を形成する。次に、図５
（ｂ）に示すように、レジストパターン２を形成する。
膜のエッチング方法を示す工程断面図である。図に従っ
て順次説明する。まず、図５（ａ）に示すように、基板
（図示なし）上に酸化膜１を形成する。次に、図５
（ｂ）に示すように、レジストパターン２を形成する。
【００２８】次に、図５（ｃ）に示すように、基板を一
定時間、フッ酸で満たされた薬液槽に浸すことにより、
レジストパターン２をマスクとして酸化膜１をエッチン
グする。次に、基板を一定時間、水洗槽に浸して水洗を
行った後スピン乾燥を行う。このとき、スピン乾燥後に
は、レジストパターン２段差部に残留水分４が残ってし
まう。その後、酸素が存在しない雰囲気中、例えば、Ｎ
2 ガスで充填された保管庫の中で基板を保管する。
定時間、フッ酸で満たされた薬液槽に浸すことにより、
レジストパターン２をマスクとして酸化膜１をエッチン
グする。次に、基板を一定時間、水洗槽に浸して水洗を
行った後スピン乾燥を行う。このとき、スピン乾燥後に
は、レジストパターン２段差部に残留水分４が残ってし
まう。その後、酸素が存在しない雰囲気中、例えば、Ｎ
2 ガスで充填された保管庫の中で基板を保管する。
【００２９】次に、図５（ｄ）に示すように、Ｎ2 ガス
保管庫から基板を取り出して直ぐに、基板を一定時間、
硫酸と過酸化水素水との混合液に浸し、レジストパター
ン２を除去する。その後、基板を一定時間、水洗槽に浸
して水洗を行った後、スピン乾燥またはＩＰＡペーパー
乾燥を行い、酸化膜１のエッチング工程を終了する。
保管庫から基板を取り出して直ぐに、基板を一定時間、
硫酸と過酸化水素水との混合液に浸し、レジストパター
ン２を除去する。その後、基板を一定時間、水洗槽に浸
して水洗を行った後、スピン乾燥またはＩＰＡペーパー
乾燥を行い、酸化膜１のエッチング工程を終了する。
【００３０】この様にすれば、湿式エッチング後の水洗
によってレジストパターン２段差部に残留水分４が残る
ことがあっても酸素に晒されることがなくレジスト変質
物を生成することがない。したがって、良好な酸化膜の
湿式エッチングを行うことができる。
によってレジストパターン２段差部に残留水分４が残る
ことがあっても酸素に晒されることがなくレジスト変質
物を生成することがない。したがって、良好な酸化膜の
湿式エッチングを行うことができる。
【００３１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、エッチ
ングパターンを形成する工程の後、上記酸化膜をエッチ
ングする工程の前に、上記レジストパターンに紫外線を
照射し、上記レジストパターン表面に上記薬液の染み込
みを防止する硬化層を形成するようにしたので、残留水
分によってレジストパターンに変質物が生成されること
を防止することができる。
ングパターンを形成する工程の後、上記酸化膜をエッチ
ングする工程の前に、上記レジストパターンに紫外線を
照射し、上記レジストパターン表面に上記薬液の染み込
みを防止する硬化層を形成するようにしたので、残留水
分によってレジストパターンに変質物が生成されること
を防止することができる。
【００３２】また、請求項１において、照射密度が１０
０〜６５０ｍｗ／ｃｍ2 であり、照射時間が５〜２０秒
間であるようにしたので、残留水分によるレジスト変質
物の形成を防止することができるとともに、酸化膜への
サイドエッチングを防止することができ、良好な酸化膜
の湿式エッチングを行うことができる。
０〜６５０ｍｗ／ｃｍ2 であり、照射時間が５〜２０秒
間であるようにしたので、残留水分によるレジスト変質
物の形成を防止することができるとともに、酸化膜への
サイドエッチングを防止することができ、良好な酸化膜
の湿式エッチングを行うことができる。
【００３３】また、レジストパターンを除去する工程
は、基板を水洗する工程の後、乾燥することなく直ぐ
に、基板を薬液に浸漬する工程であるようにしたので、
水洗した後大気中に保管することなく、直ぐにレジスト
除去を行うことができ、レジストパターンの一部に変質
物が生成されることを防止できる。
は、基板を水洗する工程の後、乾燥することなく直ぐ
に、基板を薬液に浸漬する工程であるようにしたので、
水洗した後大気中に保管することなく、直ぐにレジスト
除去を行うことができ、レジストパターンの一部に変質
物が生成されることを防止できる。
【００３４】また、基板を水洗および乾燥する工程の
後、レジストパターンを除去する工程までの間、酸素が
存在しない雰囲気中に上記基板を保つようにしたので、
湿式エッチング後の水洗によってレジストパターン段差
部に残留水分が残ることがあっても、酸素に晒されるこ
とがなくレジスト変質物を生成することを防止できる。
後、レジストパターンを除去する工程までの間、酸素が
存在しない雰囲気中に上記基板を保つようにしたので、
湿式エッチング後の水洗によってレジストパターン段差
部に残留水分が残ることがあっても、酸素に晒されるこ
とがなくレジスト変質物を生成することを防止できる。
【図１】 この発明の実施の形態１の酸化膜のエッチン
グ方法を示す工程断面図である。
グ方法を示す工程断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１の酸化膜のエッチン
グ方法における問題点を示す工程断面図である。
グ方法における問題点を示す工程断面図である。
【図３】 紫外線の照射強度密度６５０ｍｗ／ｃｍ2 の
ときの照射時間とサイドエッチング量との関係を示す図
である。
ときの照射時間とサイドエッチング量との関係を示す図
である。
【図４】 この発明の実施の形態２の酸化膜のエッチン
グ方法を示す工程断面図である。
グ方法を示す工程断面図である。
【図５】 この発明の実施の形態３の酸化膜のエッチン
グ方法を示す工程断面図である。
グ方法を示す工程断面図である。
【図６】 従来の酸化膜のエッチング方法を示す工程断
面図である。
面図である。
【図７】 従来の酸化膜のエッチング方法の問題点を示
す工程断面図である。
す工程断面図である。
１ 酸化膜、２ レジストパターン、３ フッ酸の染み
込み、４ 残留水分、５ 硬化層、６ サイドエッチン
グ、７ 変質物。
込み、４ 残留水分、５ 硬化層、６ サイドエッチン
グ、７ 変質物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 CA05 HA03 HA17 HA30 LA03 5F043 AA31 BB22 CC09 CC14 DD01 DD23 DD30 5F046 MA02 MA04
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に酸化膜を形成する工程と、上記
酸化膜上にレジストパターンを形成する工程と、上記基
板を薬液に浸漬することにより上記レジストパターンを
マスクとして上記酸化膜をエッチングする工程と、上記
基板を水洗および乾燥する工程と、上記レジストパター
ンを除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法に
おいて、 上記エッチングパターンを形成する工程の後、上記酸化
膜をエッチングする工程の前に、上記レジストパターン
に紫外線を照射し、上記レジストパターン表面に上記薬
液の染み込みを防止する硬化層を形成するようにしたこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 レジストパターンへ照射する紫外線は、
照射密度が１００〜６５０ｍｗ／ｃｍ2 であり、照射時
間が５〜２０秒間であることを特徴とする請求項１に記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 基板上に酸化膜を形成する工程と、上記
酸化膜上にレジストパターンを形成する工程と、上記基
板を薬液に浸漬することにより上記レジストパターンを
マスクとして上記酸化膜をエッチングする工程と、上記
基板を水洗および乾燥する工程と、上記レジストパター
ンを除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法に
おいて、 上記レジストパターンを除去する工程は、上記基板を水
洗する工程の後、乾燥することなく直ぐに、基板を薬液
に浸漬する工程であることを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項４】 基板上に酸化膜を形成する工程と、上記
酸化膜上にレジストパターンを形成する工程と、上記基
板を薬液に浸漬することにより上記レジストパターンを
マスクとして上記酸化膜をエッチングする工程と、上記
基板を水洗および乾燥する工程と、上記レジストパター
ンを除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法に
おいて、 上記基板を水洗および乾燥する工程の後、上記レジスト
パターンを除去する工程までの間、酸素が存在しない雰
囲気中に上記基板を保つことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16336699A JP2000353686A (ja) | 1999-06-10 | 1999-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16336699A JP2000353686A (ja) | 1999-06-10 | 1999-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008123691A Division JP2008270824A (ja) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000353686A true JP2000353686A (ja) | 2000-12-19 |
Family
ID=15772529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16336699A Pending JP2000353686A (ja) | 1999-06-10 | 1999-06-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000353686A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014060335A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Sharp Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
-
1999
- 1999-06-10 JP JP16336699A patent/JP2000353686A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014060335A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Sharp Corp | 半導体発光素子の製造方法 |
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