JP3180759B2 - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JP3180759B2 JP3180759B2 JP10437998A JP10437998A JP3180759B2 JP 3180759 B2 JP3180759 B2 JP 3180759B2 JP 10437998 A JP10437998 A JP 10437998A JP 10437998 A JP10437998 A JP 10437998A JP 3180759 B2 JP3180759 B2 JP 3180759B2
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、微小ホールのレ
ジストパターンの形成方法に関し、特に厚膜の化学増幅
型レジストに微小ホールパターンを形成するレジストパ
ターン形成方法に関する。
ジストパターンの形成方法に関し、特に厚膜の化学増幅
型レジストに微小ホールパターンを形成するレジストパ
ターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）直
描装置を用いてホールパターンを形成する場合、ポジ型
化学増幅型レジストを使用し、このレジストを塗布し、
描画および現像を行い、所望のパターンを形成する。
描装置を用いてホールパターンを形成する場合、ポジ型
化学増幅型レジストを使用し、このレジストを塗布し、
描画および現像を行い、所望のパターンを形成する。
【０００３】図２は、ポジ型化学増幅型レジストにホー
ルパターンの形成する従来の方法を示す図であり、
（ａ）に示すように、電子線をレジストに向けて選択的
に照射して露光し、次に（ｂ）に示すように、ポストエ
キスポージャベーク（ＰＥＢ）を行い、次に（ｃ）に示
すように、化学増幅型レジストを現像してレジストパタ
ーンを形成している。このような従来のパターン形成方
法の一例が、特開平８−１１１３７０号公報に記載され
ている。
ルパターンの形成する従来の方法を示す図であり、
（ａ）に示すように、電子線をレジストに向けて選択的
に照射して露光し、次に（ｂ）に示すように、ポストエ
キスポージャベーク（ＰＥＢ）を行い、次に（ｃ）に示
すように、化学増幅型レジストを現像してレジストパタ
ーンを形成している。このような従来のパターン形成方
法の一例が、特開平８−１１１３７０号公報に記載され
ている。
【０００４】しかし、厚膜のポジ型化学増幅型レジスト
に対して、より微細なパターンを形成する場合には、高
性能のレジストを用いるか、もしくは露光を行うＥＢ直
描装置の電子ビームの加速電圧（光露光でいう高ＮＡ）
を高くする必要があった。
に対して、より微細なパターンを形成する場合には、高
性能のレジストを用いるか、もしくは露光を行うＥＢ直
描装置の電子ビームの加速電圧（光露光でいう高ＮＡ）
を高くする必要があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ＥＢ
直描装置を用いて厚膜の化学増幅型レジストに対してよ
り微細なホールパターンを形成する場合には、レジスト
の高解像度化を図るか、装置の加速電圧をアップするこ
とが必要であり、特殊なレジストや装置を用いる必要が
あった。
直描装置を用いて厚膜の化学増幅型レジストに対してよ
り微細なホールパターンを形成する場合には、レジスト
の高解像度化を図るか、装置の加速電圧をアップするこ
とが必要であり、特殊なレジストや装置を用いる必要が
あった。
【０００６】この発明の目的は、特殊なレジストや装置
を用いることなく、厚膜の化学増幅型レジストに対して
微小ホールパターンを形成するパターン形成方法を提供
することにある。
を用いることなく、厚膜の化学増幅型レジストに対して
微小ホールパターンを形成するパターン形成方法を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、 ウェハ上
に化学増幅型レジストを塗布する工程と、ＥＢ直描装置
を用いて、電子線を化学増幅型レジストに向けて選択的
に照射して露光描画する工程と、ポストエキスポージャ
ベークを行う工程と、現像して基本となるレジストパタ
ーンを形成する工程と、化学増幅型レジスト中の保護基
を界面活性剤およびフッ酸でウェット処理することによ
りはずす工程と、熱処理を行う工程と、を含んで微細な
ホールパターンを形成することを特徴とする。
に化学増幅型レジストを塗布する工程と、ＥＢ直描装置
を用いて、電子線を化学増幅型レジストに向けて選択的
に照射して露光描画する工程と、ポストエキスポージャ
ベークを行う工程と、現像して基本となるレジストパタ
ーンを形成する工程と、化学増幅型レジスト中の保護基
を界面活性剤およびフッ酸でウェット処理することによ
りはずす工程と、熱処理を行う工程と、を含んで微細な
ホールパターンを形成することを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【０００９】図１は、この発明の実施の形態を示すレジ
ストパターンの形成方法の工程図である。
ストパターンの形成方法の工程図である。
【００１０】図１の（ａ）〜（ｃ）に示すように、この
発明は、ポジ型化学増幅型レジストを用いてホールパタ
ーンを形成する際に、従来のように露光現像を行い、通
常のパターン形成を行う。
発明は、ポジ型化学増幅型レジストを用いてホールパタ
ーンを形成する際に、従来のように露光現像を行い、通
常のパターン形成を行う。
【００１１】その後、図１（ｄ）に示すように、さらに
界面活性剤およびフッ酸により処理を行うことで、酸を
レジスト中に供給し、レジスト表面および前記薬液が浸
透したレジスト表面近傍において再び化学反応を起こさ
せる。
界面活性剤およびフッ酸により処理を行うことで、酸を
レジスト中に供給し、レジスト表面および前記薬液が浸
透したレジスト表面近傍において再び化学反応を起こさ
せる。
【００１２】次に、図１（ｅ）に示すように、この状態
で熱処理を加えることで、この化学反応を終わらせるこ
とにより、図１（ｆ）に示すように、前記化学反応を起
こした部分のレジストが変形を起こし、微細なパターン
が形成される。
で熱処理を加えることで、この化学反応を終わらせるこ
とにより、図１（ｆ）に示すように、前記化学反応を起
こした部分のレジストが変形を起こし、微細なパターン
が形成される。
【００１３】次に、この実施の形態の各工程ついて図１
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
【００１４】まず始めに、ウェハ１上にポジ型化学増幅
型レジスト２を塗布し、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅ
ａｍ）直描装置を用いて、図１（ａ）に示すように、電
子線を化学増幅型レジストに向けて選択的に照射して露
光（描画）し、次に、図１（ｂ）に示すように、ポスト
エキスポージャベーク（ＰＥＢ）を行い、次に、図１
（ｃ）に示すように、化学増幅型レジストを現像して基
本となるレジストパターンを形成する。
型レジスト２を塗布し、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅ
ａｍ）直描装置を用いて、図１（ａ）に示すように、電
子線を化学増幅型レジストに向けて選択的に照射して露
光（描画）し、次に、図１（ｂ）に示すように、ポスト
エキスポージャベーク（ＰＥＢ）を行い、次に、図１
（ｃ）に示すように、化学増幅型レジストを現像して基
本となるレジストパターンを形成する。
【００１５】その後、図１（ｄ）に示すように、界面活
性剤およびフッ酸のウェット槽において、露光および描
画で作成したウェハを処理する。このウェット処理は、
一つの槽で行うだけでなく、界面活性剤およびフッ酸を
単独に処理してもかまわない。この際、界面活性剤およ
びフッ酸は、レジスト中にしみ込んでいき、レジスト表
面に酸が供給される。この酸により、レジストは化学反
応を起こし、酸が発生している表面のみレジスト中の保
護基が外れ、変形を生じる。
性剤およびフッ酸のウェット槽において、露光および描
画で作成したウェハを処理する。このウェット処理は、
一つの槽で行うだけでなく、界面活性剤およびフッ酸を
単独に処理してもかまわない。この際、界面活性剤およ
びフッ酸は、レジスト中にしみ込んでいき、レジスト表
面に酸が供給される。この酸により、レジストは化学反
応を起こし、酸が発生している表面のみレジスト中の保
護基が外れ、変形を生じる。
【００１６】次に、図１（ｅ）に示す工程により、最終
的に反応の促進および終了をさせるために、熱（ベー
ク）処理を行い、図１（ｆ）に示す工程により、微細ホ
ールパターンの形成を行う。
的に反応の促進および終了をさせるために、熱（ベー
ク）処理を行い、図１（ｆ）に示す工程により、微細ホ
ールパターンの形成を行う。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は、特殊
な装置やレジストを用いることなく、パターニングを行
った後に、界面活性剤およびフッ酸でウェット処理し、
ベーク処理を行うことでレジストを変形させ、微細なホ
ールパターンを形成することができる。
な装置やレジストを用いることなく、パターニングを行
った後に、界面活性剤およびフッ酸でウェット処理し、
ベーク処理を行うことでレジストを変形させ、微細なホ
ールパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態を示すレジストパターン
の形成方法の工程図である。
の形成方法の工程図である。
【図２】ポジ型化学増幅型レジストにホールパターンの
形成する従来の方法を示す図である。
形成する従来の方法を示す図である。
１ ウェハ ２ 化学増幅型レジスト ３ 界面活性剤＋フッ酸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/40 G03F 7/039 G03F 7/38 H01L 21/027
Claims (7)
- 【請求項１】化学増幅型レジストのパターニングを行っ
た後に、化学増幅型レジスト中の保護基を界面活性剤お
よびフッ酸でウェット処理することによりはずし、さら
にベーク処理を行うことでレジストを変形させることを
特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 【請求項２】前記ウェット処理が、界面活性剤による処
理およびフッ酸による処理からなることを特徴とする請
求項１に記載のレジストパターンの形成方法。 - 【請求項３】前記化学増幅型レジストが、厚膜のポジ型
化学増幅型レジストであることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載のレジストパターンの形成方法。 - 【請求項４】前記レジストに微細なホールを形成するこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のレジス
トパターンの形成方法。 - 【請求項５】前記パターニングをＥＢ直描装置により行
うことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のレ
ジストパターンの形成方法。 - 【請求項６】ウェハ上に化学増幅型レジストを塗布する
工程と、 ＥＢ直描装置を用いて、電子線を化学増幅型レジストに
向けて選択的に照射して露光描画する工程と、 ポストエキスポージャベークを行う工程と、 現像して基本となるレジストパターンを形成する工程
と、 化学増幅型レジスト中の保護基を界面活性剤およびフッ
酸でウェット処理することによりはずす工程と、 熱処理を行う工程と、を含んで微細なホールパターンを
形成することを特徴とするレジストパターンの形成方
法。 - 【請求項７】厚膜のポジ型化学増幅型レジストであっ
て、パターニングを行った後に、界面活性剤およびフッ
酸でウェット処理され、さらにベーク処理が行われて微
細なホールが形成されていることを特徴とするパターン
レジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10437998A JP3180759B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10437998A JP3180759B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11295904A JPH11295904A (ja) | 1999-10-29 |
| JP3180759B2 true JP3180759B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
ID=14379147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10437998A Expired - Fee Related JP3180759B2 (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3180759B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3380960B2 (ja) | 2000-01-14 | 2003-02-24 | 日本電気株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
| KR20020050524A (ko) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | 박종섭 | 미세 감광 패턴 형성 방법 |
| KR20040008673A (ko) * | 2002-07-19 | 2004-01-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 미세 콘택홀용 포토레지스트 패턴 형성방법 |
-
1998
- 1998-04-15 JP JP10437998A patent/JP3180759B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11295904A (ja) | 1999-10-29 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |