JP2000352821A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2000352821A5 JP2000352821A5 JP1999164807A JP16480799A JP2000352821A5 JP 2000352821 A5 JP2000352821 A5 JP 2000352821A5 JP 1999164807 A JP1999164807 A JP 1999164807A JP 16480799 A JP16480799 A JP 16480799A JP 2000352821 A5 JP2000352821 A5 JP 2000352821A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- semiconductor device
- radiation
- coating
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical group [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 claims 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000000422 delta-lactone group Chemical group 0.000 claims 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 1
- QGXBDMJGAMFCBF-HLUDHZFRSA-N 5α-Androsterone Chemical compound C1[C@H](O)CC[C@]2(C)[C@H]3CC[C@](C)(C(CC4)=O)[C@@H]4[C@@H]3CC[C@H]21 QGXBDMJGAMFCBF-HLUDHZFRSA-N 0.000 description 1
- QGXBDMJGAMFCBF-UHFFFAOYSA-N Etiocholanolone Natural products C1C(O)CCC2(C)C3CCC(C)(C(CC4)=O)C4C3CCC21 QGXBDMJGAMFCBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940061641 androsterone Drugs 0.000 description 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16480799A JP3766235B2 (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | パタン形成方法および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16480799A JP3766235B2 (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | パタン形成方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000352821A JP2000352821A (ja) | 2000-12-19 |
| JP2000352821A5 true JP2000352821A5 (enExample) | 2004-08-19 |
| JP3766235B2 JP3766235B2 (ja) | 2006-04-12 |
Family
ID=15800301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16480799A Expired - Fee Related JP3766235B2 (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | パタン形成方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3766235B2 (enExample) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3927575B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2007-06-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 電子装置の製造方法 |
| JP4627536B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2011-02-09 | 株式会社日立製作所 | 化合物、ネガ型レジスト組成物およびパターン形成方法 |
| KR101156489B1 (ko) | 2008-12-02 | 2012-06-18 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물 |
-
1999
- 1999-06-11 JP JP16480799A patent/JP3766235B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3875519B2 (ja) | フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び、半導体素子の製造方法 | |
| JP4410977B2 (ja) | 化学増幅レジスト材料及びそれを用いたパターニング方法 | |
| JPH11327143A (ja) | レジスト及びレジストパターンの形成方法 | |
| JP2008286924A (ja) | 化学増幅型レジスト材料、トップコート膜形成用材料及びそれらを用いたパターン形成方法 | |
| JP3418184B2 (ja) | ラクトン部分を有する環式オレフィン・ポリマを有するフォトレジスト組成 | |
| CN1828412B (zh) | 抗蚀剂组合物和在基材上形成图案的方法 | |
| US6632582B2 (en) | Pattern formation material and pattern formation method | |
| JP2000352821A5 (enExample) | ||
| US7378229B2 (en) | Pattern formation method | |
| JPH06342212A (ja) | 微細パターン形成用レジストおよび微細パターン形成方法 | |
| EP0449272A2 (en) | Pattern forming process | |
| JPH09127699A (ja) | ポジチブ処理用の感放射線組成物およびこれを使用するレリーフ構造体の製造方法 | |
| JP3886358B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP3766235B2 (ja) | パタン形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP3430028B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| KR100732301B1 (ko) | 포토레지스트 중합체, 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한반도체 소자의 제조 방법 | |
| JP3438103B2 (ja) | 感光性組成物およびそれを用いた微細パターン形成方法 | |
| JP2001174993A5 (enExample) | ||
| JP3299214B2 (ja) | パターン形成材料及びパターン形成方法 | |
| JP4545426B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| US6630281B2 (en) | Photoresist composition for top-surface imaging processes by silylation | |
| JP4594174B2 (ja) | バリア膜形成用材料及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| JP2647065B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| KR100353469B1 (ko) | 아세탈계포토레지스트중합체와그의제조방법및이중합체를이용한미세패턴의제조방법 | |
| JPH0450947A (ja) | パターン形成方法 |