JP2001174993A5 - - Google Patents
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 23
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 7
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35696999A JP3766245B2 (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | パタン形成方法および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35696999A JP3766245B2 (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | パタン形成方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001174993A JP2001174993A (ja) | 2001-06-29 |
| JP2001174993A5 true JP2001174993A5 (enExample) | 2004-08-19 |
| JP3766245B2 JP3766245B2 (ja) | 2006-04-12 |
Family
ID=18451698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35696999A Expired - Fee Related JP3766245B2 (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | パタン形成方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3766245B2 (enExample) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004252146A (ja) * | 2002-05-27 | 2004-09-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
| JP4233314B2 (ja) | 2002-11-29 | 2009-03-04 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物および溶解制御剤 |
| WO2006121162A1 (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-16 | Jsr Corporation | 感放射線性樹脂組成物の製造方法 |
| JP2009258506A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Fujifilm Corp | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
-
1999
- 1999-12-16 JP JP35696999A patent/JP3766245B2/ja not_active Expired - Fee Related
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