JP2000352821A5 - - Google Patents
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Description
【発明の名称】パタン形成方法および半導体装置の製造方法
【００１２】
本発明の第２の目的は、上記パタン形成方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することである。
本発明の第２の目的は、上記パタン形成方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することである。
【００２８】
なお、ここで用いる感放射性組成物は、前記化学式（１）で示されるδ−ヒドロキシカルボン酸構造を少なくとも含む化合物を含有するようにしたものである。化学式（１）中のδ−ヒドロキシカルボン酸構造を少なくとも含む化合物は、高いドライエッチング耐性を有しており、１９３ｎｍを含む遠紫外領域で透明である。また、化学式（１）中のδ−ヒドロキシカルボン酸構造を少なくとも含む化合物は、アンドロステロンから容易に誘導することができ、また、合成上の制御性にも優れている。
なお、ここで用いる感放射性組成物は、前記化学式（１）で示されるδ−ヒドロキシカルボン酸構造を少なくとも含む化合物を含有するようにしたものである。化学式（１）中のδ−ヒドロキシカルボン酸構造を少なくとも含む化合物は、高いドライエッチング耐性を有しており、１９３ｎｍを含む遠紫外領域で透明である。また、化学式（１）中のδ−ヒドロキシカルボン酸構造を少なくとも含む化合物は、アンドロステロンから容易に誘導することができ、また、合成上の制御性にも優れている。
Claims (10)
- 所定の基板上に感放射線組成物からなる塗膜を形成する工程、上記塗膜に所定パタン状に活性放射線を照射することで上記塗膜中に所望のパタンの潜像を形成する工程、水性アルカリ現像液を用いて上記塗膜中に所望のパタンを現像する工程、からなるパタン形成方法において、上記感放射線組成物が化学式（１）で示されるδ−ヒドロキシカルボン酸構造を少なくとも含む化合物を含有することを特徴とするパタン形成方法。
- 半導体基板上に感放射線組成物からなる塗膜を形成する工程、上記塗膜に所定パタン状に活性放射線を照射することで上記塗膜中に所望のパタンの潜像を形成する工程、水性アルカリ現像液を用いて上記塗膜中に所望のパタンを現像する工程、からなる半導体装置の製造方法において、上記感放射線組成物が化学式（１）で示されるδ−ヒドロキシカルボン酸構造を少なくとも含む化合物を含有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 上記化学式（１）のＹが、少なくとも共役した不飽和結合を持たない環状炭化水素構造であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記活性放射線の照射部分のδ−ヒドロキシカルボン酸構造をδ−ラクトン構造に変化させる工程を有することを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項２乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、上記活性放射線が波長２５０ｎｍ以下の遠紫外線光であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項２乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、上記活性放射線がＡｒＦエキシマレーザ光であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項６記載の半導体装置の製造方法において、上記活性放射線は位相シフトマスクを介して照射されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項２乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、上記水性アルカリ現像液がテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に下記化学式（１）で示される感放射線組成物を含む塗膜を形成する工程と、位相シフトマスクを介して活性放射線を上記塗膜に照射する工程と、水性アルカリ現像液を用いて現像する工程と、その後、前記塗膜が形成された前記半導体基板をドライエッチする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に下記化学式（１）で示される組成を有する感放射線組成物の塗膜を形成する工程と、上記塗膜に活性放射線を照射してライン状パタンを形成する工程と、上記感光性組成物とは異なる第２の感光性組成物の塗膜を形成する工程と、上記第２の感光性組成物の塗膜に活性放射線を照射して導通口用パタンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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| JP16480799A JP3766235B2 (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | パタン形成方法および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP16480799A JP3766235B2 (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | パタン形成方法および半導体装置の製造方法 |
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Family Applications (1)
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| JP16480799A Expired - Fee Related JP3766235B2 (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | パタン形成方法および半導体装置の製造方法 |
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1999
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