JP2000350106A - 相関2重サンプリング回路およびそれを用いた増幅型固体撮像装置 - Google Patents
相関2重サンプリング回路およびそれを用いた増幅型固体撮像装置Info
- Publication number
- JP2000350106A JP2000350106A JP2000049505A JP2000049505A JP2000350106A JP 2000350106 A JP2000350106 A JP 2000350106A JP 2000049505 A JP2000049505 A JP 2000049505A JP 2000049505 A JP2000049505 A JP 2000049505A JP 2000350106 A JP2000350106 A JP 2000350106A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- sample
- hold
- switch
- period
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005070 sampling Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 title claims abstract description 67
- 230000003321 amplification Effects 0.000 title claims description 78
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 title claims description 78
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 116
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 98
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000013089 stepwise selection with AICc Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
- H04N25/677—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction for reducing the column or line fixed pattern noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/767—Horizontal readout lines, multiplexers or registers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
重サンプリング回路およびそれを用いた増幅型固体撮像
装置を提供する。 【解決手段】 第1の期間で入力切換スイッチ200を
垂直信号線145側に切り換えて、その第1の期間の前
半で垂直信号線145の信号を第1クランプ手段(20
1,202)によりクランプした後、第1の期間の後半で
クランプコンデンサ201の出力側の信号を第1サンプ
ルホールド手段(203,204)によりサンプルホール
ドする。次に、第2の期間で入力切換スイッチ200を
固定電位側に切り換えて、その第2の期間の前半で固定
電位に対してクランプ電位を第1クランプ手段によりサ
ンプルホールドした後、クランプコンデンサ201の出
力側の信号を第1サンプルホールド手段によりサンプル
ホールドする。そして、第1サンプルホールド手段によ
る2回目のサンプルホールド動作前後のサンプルホール
ドされた信号の差をとる。
Description
サンプルホールド手段とを有する相関2重サンプリング
回路およびそれを用いた増幅型固体撮像装置に関する。
画素で発生した信号電荷そのものを読み出さず、画素内
で電圧信号(または電流信号)に変換して増幅した後、上
記電圧信号(または電流信号)を走査回路により読み出す
ものが提案されている。この増幅型固体撮像装置の画素
部は、光電変換部と増幅部とが平面的に配置された横型
と、光電変換部と増幅部とが立体的に配置された縦型に
分類される。
14に示すAPS(Active Pixel Sensor)型が知られて
いる。図14において、光電変換部101で発生した信
号電荷は、ゲートに電圧φTが印加されたトランジスタ
102を介してトランジスタ103のゲートに移されて
電圧信号となる。上記トランジスタ103ではインピー
ダンス変換(電流増幅)され、ゲートに電圧φXが印加さ
れた画素選択スイッチ104を介して信号Vsigが読み
出される。この信号Vsigの読み出しの直前または直後
に、トランジスタ103のゲートに蓄積した信号電荷
は、ゲートに電圧φ Rが印加されたリセットトランジス
タ105により電源電圧VD側に排出される。
は、図15に示すCMD(Charge Modulation Device)型
が知られている。図15において、トランジスタ111
では、光電変換により発生した信号電荷をゲート下に蓄
積する。次いで、トランジスタ111のゲートに読み出
し電圧φXを印加することにより、信号電荷によるトラ
ンジスタ111の特性変化が出力信号Vsigとして読み
出される。こうして、トランジスタ111では、光電変
換と増幅および画素選択が行われる。また、リセット動
作は、ゲートに読み出し時より十分高い電圧φ Rを印加
することにより、信号電荷が基板側に排出されることに
より達成される。このため駆動にはφX/φRの3値高電
圧パルスが必要となる。
像装置の画素部は、図16に示すように、共通の模式図
で表される。図16において、131は光電変換と読み
出しおよびリセット動作を行う画素部である。上記画素
部131の読み出しは信号線106の電圧φXにより制
御し、リセットは信号線107の電圧φRにより制御す
る。そして、上記画素部131からは、増幅された信号
Vsigを垂直信号線107を介して出力する。
幅型固体撮像装置(2次元イメージセンサ)の構成図を示
している。図17において、画素部131,第1垂直走
査回路141および第2垂直走査回路142で2次元画
素領域140を形成している。上記画素部131の読み
出し動作は、第1垂直走査回路141からの信号143
により制御し、リセット動作は第2垂直走査回路142
からの信号144により制御する。上記画素部131か
らの出力信号は、垂直信号線145に読み出された後、
各垂直信号線145毎に設けられた相関2重サンプリン
グ回路に導かれ、読み出し時に得られる受光信号とリセ
ット後のリファレンス信号との差分を相関2重サンプリ
ング回路から出力する。ここで、受光信号とリファレン
ス信号とは、いずれが前になるかで2つの場合がある。
上記差分出力では、各画素部131毎の閾値のばらつき
はキャンセルされ、画素部131毎の固定パターンノイ
ズ(以下、FPNという)が抑圧される。なお、上記相関
2重サンプリング回路は、クランプ回路(クランプコン
デンサ146, クランプスイッチ147)およびサンプ
ルホールド回路(サンプルホールドスイッチ148,サン
プルホールドコンデンサ149)より構成されている。
いて、垂直信号線145は、クランプコンデンサ146
を介してサンプルホールドスイッチ148に接続される
と共に、クランプスイッチ147を介してクランプ電位
VCPに接続される。このクランプ電位VCPへのクランプ
動作は、画素部131からの受光信号の読み出し時にパ
ルスφC1をハイレベルにすることにより行われ、サンプ
ルホールド動作は、画素部131からのリファレンス信
号の読み出し時にパルスφS1をハイレベルにすることに
より行われる。そして、上記サンプルホールドスイッチ
148からの信号は、サンプルホールドコンデンサ14
9に保持され、アンプ回路155により増幅される。上
記アンプ回路155で増幅された信号は、水平走査回路
160からの出力線161により制御される水平選択ス
イッチ156を介して水平信号線164に導かれ、水平
信号線164の信号は、アンプ回路169を介して信号
OSを出力する。
示す増幅型固体撮像装置(2次元イメージセンサ)では、
垂直信号線145毎に設けられた相関2重サンプリング
回路により、画素部131毎の閾値ばらつきによるFP
Nを抑圧する。しかしながら、各垂直信号線145毎の
アンプ回路155には、オフセットレベルやゲインなど
のばらつきを伴う。このばらつきは、画像の水平方向に
はランダムで、垂直方向には共通であるから、映像とし
ては縦縞模様状の顕著なFPNとなるため、画質を著し
く損なう。さらに、水平選択スイッチ156にはコンダ
クタンスのばらつきを伴うため、これも縦縞模様状FP
Nの要因となる。
て、本出願人は図18に示す増幅型固体撮像装置(2次
元イメージセンサ)を提案している(特開平10−173
997号公報)。この増幅型固体撮像装置では、2次元
画素領域は図17に示す140と同じ構成をしており、
2次元画素領域の図と説明を省略する。また、垂直信号
線145毎に設けられた相関2重サンプリング回路も図
17の場合と同じ構成をしている。図17に示す増幅型
固体撮像装置との相違は、垂直信号線145毎のアンプ
回路155の入力を2つとし、一方を相関2重サンプリ
ング回路からの信号153とし、他方を基準電圧信号V
refとした点にある。さらに、水平信号線164の終端
に、第2のCDS(相関2重サンプリング)回路168を
設けている。
メージセンサ)において、アンプ回路155からの信号
は、水平走査回路160からのパルスφH(j)等により
駆動される水平選択スイッチ156により、水平信号線
164に順次読み出される。なお、各々の読み出し期間
の途中で、アンプ回路155の入力は信号153から基
準信号154に切り替えられる。したがって、水平信号
線164には、各垂直信号線145の信号と基準信号と
がペアで順次得られる。また、各アンプ回路155およ
び選択水平選択スイッチ156の特性ばらつきは、これ
らペア信号の各々に共通に存在するから、第2のCDS
回路168により上記各垂直信号線145の信号と基準
信号との差を取れば、各アンプ回路155および選択水
平選択スイッチ156の特性差が除去された正味の信号
成分のみが得られる。これにより、縦縞模様状FPNを
防止する。
像装置(2次元イメージセンサ)の場合、次のような問題
がある。すなわち、各垂直信号線145毎のクランプス
イッチ147は、特性に若干のばらつきを有するため、
クランプ動作時のフィードスルーレベルは、各垂直信号
線145毎に多少ばらつく。さらに、各垂直信号線14
5毎のサンプルホールドスイッチ148も、特性に若干
のばらつきを有するため、サンプルホールド動作時のフ
ィードスルーレベルも、やはり各垂直信号線145毎に
多少ばらつく。これらのフィードスルーレベルのばらつ
きは、縦縞状のFPNを引き起こす原因となる。
別の手法として、図19に示す増幅型固体撮像装置(2
次元イメージセンサ)が提案されている(特開平10−1
45681号公報)。図19に示すように、各垂直信号
線145にスイッチ190を介して一対のコンデンサ1
91,192を接続し、各々のコンデンサ191,192
の他端(出力端)をスイッチ193,194を介して基準
電圧Vrefに接続している。また、コンデンサ191の
出力端は分岐し、アンプ回路155に入力される。上記
アンプ回路155からの信号は、水平走査回路160か
らのパルスφH(j)およびφA2(j)等により制御され
て、水平信号線164に順次読み出される。その後、第
2のCDS回路168により正味の信号成分のみを得
る。
撮像装置の動作を説明するタイミングチャートを示す。
なお、以下では受光信号が前、リセット信号が後ろの場
合について説明する。水平ブランキング期間内の時刻t
1において、スイッチ193をオンし、スイッチ190
をオンすることにより(図20(a),(b)に示す)、(V2)部
分の電位は画素素子の受光信号Vfとなり(図20(d)に
示す)、(V3)部分の電位はVrefとなる(図20(e)に示
す)。その後、スイッチ190,193が順次オフするこ
とにより、(V2)電位はVf−ΔV1−ΔV2となり、
(V3)電位はVref−ΔV2となる(図20(d),(e)に示
す)。ただし、ΔV1は(V2)でのスイッチ190による
フィールドスルーレベル、ΔV2は(V3)でのスイッチ1
93によるフィールドスルーレベルである。以上の動作
によりコンデンサ191には、次の電圧が保持される。
Vf−Vref−ΔV1 次いで、水平ブランキング期間内の時刻t2において、
スイッチ194をオンして、スイッチ190をオンする
ことにより(図20(a),(c)に示す)、(V2)部分の電位
は、画素のリセット信号Vdとなった後、スイッチ19
0がオフするとVd−ΔV1となる。このとき、(V3)部
分の電位は、DC(直流)的にフローティングのため、コ
ンデンサ191に保持されている電圧差分だけ、(V2)
電圧からシフトするため、次の電圧となる。
ref+(Vd−Vf) すなわち、スイッチ190のフィールドスルーレベルΔ
V1は打ち消し合って、画素素子の受光信号Vfとリセッ
ト信号Vdとの差である正味の有効信号Vd−Vfが、基
準電圧Vrefを加えた値として得られる。
置には次のような問題がある。つまり、1水平列の画素
信号を読み出す期間中、画素信号はアンプ回路155の
入力およびそれに接続する領域に保持され、この保持さ
れる期間は、水平走査回路160が走査する期間にわた
り分布し、先頭画素では短く、最終画素では長くなる。
このため、もしアンプ回路155の入力領域にリ−ク電
流が存在すると、保持電圧はΔVdrpだけ低下し、この
値は先頭画素では小さく最終画素では大きくなる。すな
わち、出力信号では、画面上の左側から右側に向かい分
布するシェーディング状の不均―性が生じる。これも一
種のFPNとなり、画質を大きく損なう。また、コンデ
ンサ191とコンデンサ192との間およびスイッチ1
93とスイッチ194の間は完全に等価ではなく、多少
の差が存在するため、実際の動作では、各垂直信号線1
45毎にわずかのばらつきが生じ、FPNは完全には消
えない。
で、水平画素選択に伴うFPNを大幅に低減できると共
に、シェーディング状の不均一性を低減でき、FPNの
ない高品位の画像が得られる増幅型固体撮像装置を実現
できる相関2重サンプリング回路およびそれを用いた増
幅型固体撮像装置を提供することにある。
め、請求項1の相関2重サンプリング回路は、一方の入
力端子に信号線が接続され、他方の入力端子に固定電位
が印加され、上記信号線の信号または上記固定電位のい
ずれか一方を選択して出力する入力切換スイッチと、上
記入力切換スイッチの出力端子に入力側の一端が接続さ
れたクランプコンデンサと、上記クランプコンデンサの
出力側の他端に一端が接続され、他端がクランプ電位に
接続されたクランプスイッチとを有する第1クランプ手
段と、上記クランプコンデンサの他端に一端が接続され
たサンプルホールドスイッチと、上記サンプルホールド
スイッチの他端に一端が接続されたサンプルホールドコ
ンデンサとを有する第1サンプルホールド手段と、第1
の期間において、上記入力切換スイッチを上記信号線側
に切り換えて、その第1の期間の前半で上記信号線の信
号を上記第1クランプ手段によりクランプした後、上記
第1の期間の後半で上記クランプコンデンサの出力側の
信号を上記第1サンプルホールド手段によりサンプルホ
ールドすると共に、上記第1の期間に続く第2の期間に
おいて、上記入力切換スイッチを上記固定電位側に切り
換えて、その第2の期間の前半で上記固定電位に対し上
記クランプ電位を、上記第1クランプ手段により上記ク
ランプコンデンサの出力側にサンプルホールドした後、
上記クランプコンデンサの出力側の信号を上記第1サン
プルホールド手段によりサンプルホールドするように、
上記入力切換スイッチ,クランプスイッチおよびサンプ
ルホールドスイッチを制御する制御手段と備えたことを
特徴としている。
によれば、上記入力切換スイッチを信号線側に切り換え
た第1の期間で第1クランプ手段および第1サンプルホ
ールド手段による1回目の相関2重サンプリング動作
(以下、CDS動作という)によって、信号の前半期間信
号と後半期間信号との差分として正味の信号がサンプル
ホールドコンデンサに得られる。次いで、上記入力切換
スイッチを固定電位側に切り換えた第2の期間で第1ク
ランプ手段および第1サンプルホールド手段による2回
目のCDS動作により、1回目のCDS動作と同じフィ
ードスルーレベルを含んだ基準信号がサンプルホールド
コンデンサに得られる。したがって、その後、2回目の
サンプルホールド動作前後のサンプルホールドコンデン
サに保持された信号の差を取れば、CDS動作で発生す
る全てのフィードスルーレベルがキャンセルされた正味
の信号成分のみが得られる。したがって、この相関2重
サンプリング回路を増幅型固体撮像装置に適用すること
によって、簡単な構成で、水平画素選択に伴うFPNを
大幅に低減できると共に、シェーディング状の不均一性
を低減でき、FPNのない高品位の画像が得られる。
路は、請求項1の相関2重サンプリング回路において、
上記クランプコンデンサの容量は、上記サンプルホール
ドコンデンサの容量の10倍以上であることを特徴とし
ている。
によれば、上記クランプコンデンサの容量をサンプルホ
ールドコンデンサの容量の10倍以上にすることによっ
て、クランプコンデンサを通した信号がサンプルホール
ドコンデンサに蓄積されるときのゲインを大きくでき
る。
路は、請求項1または2の相関2重サンプリング回路に
おいて、上記クランプスイッチおよび上記サンプルホー
ルドスイッチは夫々MOSトランジスタからなり、上記
クランプコンデンサの容量に対する上記クランプスイッ
チの接合部面積の比と、上記サンプルホールドコンデン
サの容量に対する上記サンプルホールドスイッチの接合
部面積の比とが略同一であることを特徴としている。
によれば、上記クランプコンデンサの容量に対するクラ
ンプスイッチの接合部面積の比と、上記サンプルホール
ドコンデンサの容量に対するサンプルホールドスイッチ
の接合部面積の比とを略同一にすることによって、クラ
ンプコンデンサとサンプルホールドコンデンサとの間の
信号線およびサンプルホールドコンデンサの出力側の信
号線でMOSトランジスタのリーク電流による電位低下
が等しくなるから、MOSトランジスタのリーク電流に
よる電位低下を上記CDS動作によって確実に除去でき
る。
光電変換手段と、その光電変換手段によって形成された
受光信号および受光信号の基準となるリファレンス信号
とを増幅して出力する増幅型の画素素子と、上記画素素
子の出力が接続された垂直信号線と、上記垂直信号線の
信号を増幅する増幅手段と、上記増幅手段の出力が水平
選択スイッチを介して接続された水平信号線とを備え、
上記画素素子の信号を上記垂直信号線,増幅手段および
水平選択スイッチを介して水平信号線に伝送する増幅型
固体撮像装置において、上記垂直信号線と上記増幅手段
との間に、請求項1乃至3のいずれか1つの相関2重サ
ンプリング回路を設けたことを特徴としている。
ば、上記第1の期間で上記相関2重サンプリング回路の
第1クランプ手段および第1サンプルホールド手段によ
る1回目のCDS動作により、画素素子の受光信号とリ
ファレンス信号との差分が垂直信号線毎の増幅手段の入
力側に得られた後、第2の期間で第1クランプ手段およ
び第1サンプルホールド手段による2回目のCDS動作
により、1回目のCDS動作と同じフィードスルーレベ
ルを含んだ基準信号が増幅手段の入力側に得られる。し
たがって、その後、水平信号線の終端でCDS動作によ
り差分信号と基準信号との差をとることによって、全て
のフィードスルーレベルがキャンセルされた正味の信号
成分のみが得られる。したがって、簡単な構成で、水平
画素選択に伴うFPNを大幅に低減できると共に、シェ
ーディング状の不均一性を低減でき、FPNのない高品
位の画像が得られる増幅型固体撮像装置を実現できる。
請求項4の増幅型固体撮像装置において、上記第1の期
間において、上記入力切換スイッチを上記垂直信号線側
に切り換えて、その第1の期間内の前半期間で上記画素
素子の受光信号またはリファレンス信号の一方を上記第
1クランプ手段によりクランプした後、上記第1の期間
内の後半期間で上記画素素子の受光信号またはリファレ
ンス信号の他方を、上記クランプコンデンサを介して上
記第1サンプルホールド手段によりサンプルホールドす
ることにより、上記画素素子からの受光信号とリファレ
ンス信号との差分を上記クランプ電位からの変位量によ
って表す信号を上記サンプルホールドコンデンサにホー
ルドした後、上記第2の期間において、上記入力切換ス
イッチを上記固定電位側に切り換えて、その第2の期間
の初期に上記固定電位に対し上記クランプ電位を、上記
第1クランプ手段により上記クランプコンデンサの出力
側にサンプルホールドした後、上記水平選択スイッチが
導通して上記増幅手段の出力信号を上記水平信号線に読
み出す期間の前半で、上記画素素子からの受光信号とリ
ファレンス信号との差分を上記クランプ電位からの変位
量によって表す第1出力信号を上記増幅手段を介して上
記水平信号線に出力した後、上記クランプコンデンサの
出力側の信号を上記第1サンプルホールド手段によりサ
ンプルホールドして、そのサンプルホールド後の上記水
平選択スイッチの導通期間の後半で上記クランプ電位と
なる第2出力信号を上記増幅手段を介して上記水平信号
線に出力することを特徴としている。
ば、上記第1の期間において、上記入力切換スイッチを
上記信号線側に切り換えて、その第1の期間内の前半期
間で上記画素素子の受光信号またはリファレンス信号の
一方を上記第1クランプ手段によりクランプする。次
に、上記第1の期間内の後半期間で画素素子の受光信号
またはリファレンス信号の他方を、上記クランプコンデ
ンサを介して上記第1サンプルホールド手段によりサン
プルホールドして、上記画素素子からの受光信号とリフ
ァレンス信号との差分をクランプ電位からの変位量によ
って表す信号を上記サンプルホールドコンデンサに保持
する。その後、上記第2の期間において、上記入力切換
スイッチを上記固定電位側に切り換えて、その第2の期
間の初期に上記固定電位に対してクランプ電位を、上記
第1クランプ手段により上記クランプコンデンサの出力
側にサンプルホールドする。次に、上記水平選択スイッ
チが導通して上記増幅手段の出力信号を上記水平信号線
に読み出す期間の前半で、上記画素素子からの受光信号
とリファレンス信号との差分をクランプ電位からの変位
量によって表す第1出力信号を上記増幅手段を介して水
平信号線に出力した後、上記クランプコンデンサの出力
側の信号を上記第1サンプルホールド手段によりサンプ
ルホールドして、そのサンプルホールド後の水平選択ス
イッチの導通期間の後半でクランプ電位を表す第2出力
信号を水平信号線に出力する。そうして得られた第1,
第2出力信号の差分をとることによって、受光信号とリ
ファレンス信号との差分が得られる。
請求項5の増幅型固体撮像装置において、上記水平信号
線からの1組の上記第1出力信号および上記第2出力信
号のうちの上記第1出力信号をクランプし、上記第2出
力信号の期間に上記第1出力信号と上記第2出力信号と
の差信号を出力する第2クランプ手段と、上記第2クラ
ンプ手段からの上記差信号をサンプルホールドして、サ
ンプルホールドされた上記差信号を出力する第2サンプ
ルホールド手段とを備えたことを特徴としている。
ば、上記第2クランプ回路と第2サンプルホールド回路
との構成により、上記水平信号線に読み出される1組の
上記第1出力信号と上記第2出力信号との差信号すなわ
ち画素素子からの受光信号とリファレンス信号との差分
が得られ、全てのばらつき成分が除去されたFPNのな
い画像を表す信号を得ることができる。
請求項5の増幅型固体撮像装置において、上記水平信号
線からの1組の上記第1出力信号および上記第2出力信
号のうちの上記第1出力信号をサンプルホールドする第
3サンプルホールド手段と、上記水平信号線からの1組
の上記第1出力信号および上記第2出力信号のうちの上
記第2出力信号をサンプルホールドする第4サンプルホ
ールド手段と、上記第3サンプルホールド手段によって
保持された上記第1出力信号と、上記第4サンプルホー
ルド手段によって保持された上記第2出力信号との差信
号を求めて、その差信号を出力する演算手段とを備えた
ことを特徴としている。
ば、上記演算手段により上記第3,第4サンプルホール
ド回路の出力間の差分をとる構成により、上記水平信号
線に読み出される1組の上記第1出力信号と上記第2出
力信号との差信号すなわち画素素子からの受光信号とリ
ファレンス信号との差分が得られ、全てのばらつき成分
が除去されたFPNのない画像を表す信号を得ることが
できる。
請求項4乃至7のいずれか1つの増幅型固体撮像装置に
おいて、上記制御手段は、上記第1の期間の後半にオン
する第1の制御信号と、上記第2の期間内の上記水平選
択スイッチが導通する期間にオンする第2の制御信号と
を出力すると共に、上記第1の制御信号が一方の入力端
子に入力され、上記第2の制御信号が他方の入力端子に
入力され、上記第1サンプルホールド手段の上記サンプ
ルホールドスイッチの制御入力端子に出力端子が接続さ
れたサンプルホールド切換スイッチを備えたことを特徴
としている。
ば、上記第1の期間の後半に上記サンプルホールド切換
スイッチを第1の制御信号側に切り換え、上記第2の期
間内の上記水平選択スイッチが導通する期間に上記サン
プルホールド切換スイッチを第2の制御信号側に切り換
えることによって、簡単な構成で上記水平選択スイッチ
が順次導通する垂直信号線毎に上記第1サンプルホール
ド手段のサンプルホールドスイッチを制御できる。
路は、請求項1または2の相関2重サンプリング回路に
おいて、上記クランプスイッチおよび上記サンプルホー
ルドスイッチは夫々MOSトランジスタからなり、上記
クランプスイッチのMOSトランジスタのゲート部面積
に対する接合部面積の比と、上記サンプルホールドスイ
ッチのMOSトランジスタのゲート部面積に対する接合
部面積の比とが略同一であることを特徴としている。
によれば、上記クランプスイッチのMOSトランジスタ
のゲート部面積に対する接合部面積の比と、上記サンプ
ルホールドスイッチのMOSトランジスタのゲート部面
積に対する接合部面積の比とを略同一にすることによっ
て、クランプコンデンサとサンプルホールドコンデンサ
との間の信号線およびサンプルホールドコンデンサの出
力側の信号線でMOSトランジスタのリーク電流による
電位低下が等しくなるから、MOSトランジスタのリー
ク電流による電位低下を上記CDS動作によって確実に
除去できる。
回路は、請求項5の増幅型固体撮像装置において、上記
第1の期間内の少なくとも上記第1サンプルホールド手
段によりサンプルホールドする期間に、全ての上記水平
選択スイッチが導通状態であると共に、上記第2の期間
内の上記クランプコンデンサの出力側の信号を上記第1
サンプルホールド手段によりサンプルホールドする期間
に、上記第1サンプルホールド手段に接続された上記水
平選択スイッチが導通状態であることを特徴としてい
る。
路によれば、上記第1,第2の期間の両方において第1
サンプルホールド手段によりサンプルホールドするとき
に上記水平選択スイッチが導通状態となり、上記増幅手
段の出力が水平選択スイッチを介して水平信号線に接続
される。したがって、上記第1,第2の期間の第1サン
プルホールド手段の動作時に上記第1サンプルホールド
手段の負荷側の状態が同じとなり、2回の動作とも動作
条件が同じとなるので、FPNやシェーディング状の不
均一性をより完全に低減できる。
回路は、請求項10の増幅型固体撮像装置において、上
記水平信号線に負荷接続スイッチを介して接続された定
電流負荷を備え、少なくとも全ての上記水平選択スイッ
チが導通状態である期間に、上記負荷接続スイッチがオ
フ状態であることを特徴としている。
路によれば、少なくとも全ての上記水平選択スイッチが
導通状態である期間に、上記負荷接続スイッチがオフ状
態にして、上記定電流源を水平信号線から切り離すこと
により負荷電流が流れないから、各増幅手段の出力に大
きなレベル差があっても互いに干渉を生じることがな
い。したがって、増幅手段の入力側のサンプルホールド
コンデンサにも影響を及ぼさず、2回の動作とも正しい
サンプルホールド動作ができ、FPNやシャーディング
状の不均一性をより完全に低減できる。
回路は、請求項5の増幅型固体撮像装置において、上記
第1の期間内の少なくとも上記第1サンプルホールド手
段によりサンプルホールドする期間に、全ての上記水平
選択スイッチが非導通状態であると共に、上記第2の期
間内の上記クランプコンデサの出力側の信号を上記第1
サンプルホールド手段によりサンプルホールドする期間
に、上記第1サンプルホールド手段に接続された上記水
平選択スイッチが非導通状態であることを特徴としてい
る。
路によれば、上記第1,第2の期間の両方において第1
サンプルホールド手段によりサンプルホールドするとき
に上記水平選択スイッチが非導通状態となり、上記増幅
手段の出力が水平選択スイッチを介して水平信号線に接
続されない。したがって、上記第1,第2の期間の第1
サンプルホールド手段の動作時に上記第1サンプルホー
ルド手段の負荷側の状態が同じとなり、2回の動作とも
動作条件が同じとなるので、FPNやシェーディング状
の不均一性をより完全に低減できる。
リング回路およびそれを用いた増幅型固体撮像装置を図
示の実施の形態により詳細に説明する。
施形態の相関2重サンプリング回路の回路図を示してい
る。この相関2重サンプリング回路は、図1に示すよう
に、一方の入力端子に垂直信号線145が接続され、他
方の入力端子に固定電位であるグランドGNDが接続さ
れた入力切換スイッチ200と、上記入力切換スイッチ
200の出力端子に一端が接続されたクランプコンデン
サ201と、上記クランプコンデンサ201の他端に一
端が接続され、他端がクランプ電位VCPに接続されたク
ランプスイッチ202と、上記クランプコンデンサ20
1の他端に一端が接続されたサンプルホールドスイッチ
203と、上記サンプルホールドスイッチ203の他端
とグランドGNDとの間に接続されたサンプルホールド
コンデンサ204とを有している。上記クランプコンデ
ンサ201とクランプスイッチ202とで第1クランプ
手段を構成すると共に、サンプルホールドスイッチ20
3とサンプルホールドコンデンサ204とで第1サンプ
ルホールド手段を構成している。また、上記相関2重サ
ンプリング回路は、パルスφP0,パルスφC0およびパル
スφS0を出力する制御手段としてのタイミング発生回路
213を有し、パルスφP0により入力切換スイッチ20
0の切り換えを制御し、パルスφC0によりクランプスイ
ッチ202のオンオフを制御すると共に、パルスφS0に
よりサンプルホールドスイッチ203のオンオフを制御
する。そして、上記垂直信号線145の入力信号V
inは、クランプコンデンサ201,サンプルホールドス
イッチ203を介して、サンプルホールドコンデンサ2
04に保持されて、出力信号Voutを出力する。
回路の動作を示すタイミングチャートを示している。以
下、上記相関2重サンプリング回路の動作を図2のタイ
ミングチャートに従って説明する。
ての期間1内でパルスφP0をハイレベルにすることによ
り(図2(b)に示す)、図1に示すクランプコンデンサ2
01の入力側を入力切換スイッチ200を介して垂直信
号線145に接続する。次に、入力信号Vinの前半期間
(図2(a)のS1で示す)内の時刻t1で、パルスφC0をハ
イレベルにすることにより(図2(c)に示す)、クランプ
電位VCPへのクランプ動作が行われる。そして、入力信
号の後半期間(図2(a)のS2で示す)内の時刻t 2で、パ
ルスφS0をハイレベルにすることにより(図2(d)に示
す)、サンプルホールド動作が行われる。このとき、ク
ランプコンデンサ201の出力側の信号線211の信号
Vmのレベルは、時刻t1でのクランプ動作後は、クラン
プパルスφC0のフィールドスルーレベル△VCPがあるた
め、VCP−△VCPとなる(図2(e)に示す)。その後、信
号線211の信号Vmのレベルは、クランプコンデンサ
201を介して信号がVSだけ変化するため(VSは入力
信号Vinの期間S1と期間S2との差であり、正味の信号
成分を表す)、 Vm(t2)=VCP−△VCP+VS …………………………… (式1) となる。これをサンプルホールドした出力信号V
outは、サンプルホールドパルスφS0のフィードスルー
レベル△VSHがあるため、 Vout(t2+α)=VCP−△VCP+kVS−△VSH ………… (式2) となる。なお、kは、クランプコンデンサ201(容量
Cc)を通した信号がサンプルホールドコンデンサ(容量
CS)に蓄積されるときのゲインであり、次式で表され
る。
より十分大きくする必要があり、通常容量CCを容量CS
の10倍以上にする。
ルド時の時刻t4付近では、信号線212(信号Vout)上
でのリーク電流Id2により、ΔVdrpだけ低下する(図2
(f)に示す)。したがって、時刻t4直前の信号線212
(信号Vout)に得られる第1出力信号Saは、 Sa(t4−△t)=VCP−△VCP+kVS−△VSH−ΔVdrp …… (式4) となる(図2(f)に示す)。
後、入力切換スイッチ200の入力側が接地され、時刻
t3において再度クランプされることにより、クランプ
コンデンサ201の出力側にVCP−△VCPがホールドさ
れる。ここで△VCPは、上記(式1),(式2)および(式
4)の場合と全く同じクランプスイッチ202に起因し
ているから、時刻t1時と同じ値である。その後、時刻
t4までの間に信号線211上でのリーク電流Id1のた
め、ΔVdrpだけ電位低下が生じる。したがって、時刻
t4付近での信号線211の信号Vmの電位は VCP−△VCP−ΔVdrp となる(図2(e)に示す)。時刻t4において、サンプルホ
ールドパルスφS0をハイレベルにすることにより、時刻
t4直後の信号線212(信号Vout)の第2出力信号Sb
には、フィードスルーレベル△VSHが付加されて、 Sb(t4+△t)=VCP−△VCP−ΔVdrp−△VSH …………… (式5) となる(図2(f)に示す)。ここで△VSHは、上記(式2),
(式4)の場合と全く同じサンプルホールドスイッチ20
3に起因しているから、時刻t2時と同じ値である。し
たがって、信号線212(信号Vout)に設けられた相関
2重サンプリング回路(図示しない)で第1出力信号Sa
と第2出力信号Sbとの差OSを取れば、 OS=Sa−Sb=kVS ……………………… (式6) となり、相関2重サンプリング回路が本来有するノイズ
低減効果に加え、クランプパルスのフィードスルーレベ
ルΔVCPやサンプルホールドパルスのフィードスルーレ
ベルΔVSHが除去され、さらにリーク電流による電位低
下分ΔVdrpも除去された正味の信号VSが得られる。
は、入力切換スイッチ200,202,203がすべてオ
フであり、信号線211(信号Vm)および信号線212
(信号V out)はそれぞれ孤立してフローティング状態に
ある。この孤立した信号線211,212には、各スイ
ッチ202,203を構成するMOSトランジスタのソ
ースがダイオードとして存在し、そのダイオードの接合
リークがリーク電流となる。
を完全に除去するには、信号線211(信号Vm)での電
位低下と、信号線212(信号Vout)の電位低下とを合
わせる必要がある。信号線V(x)のリーク電流をI
d(x)とし、容量をC(x)とすると、時間tにおける電
位低下ΔV(x)は、 ΔV(x)=Id(x)・t/C(x) ……………………… (式7) となる。
いる信号線部の面積関係を示しており、300はp型半
導体基板、301は各スイッチを構成するMOSトラン
ジスタのゲート、302は上記MOSトランジスタの接
合部、303は信号線である。図3に示すように、接合
面積をSJ(x)とし、ゲート面積をSC(x)とすると、I
d(x),C(x)は、単位面積当りの接合リーク電流を
a1、単位面積当りの接合容量をb1、ゲート容量をb2
とすると、 Id(x)=a1SJ(x) ………………………………… (式8) C(x)=b1SJ(x)+b2SC(x) …………………… (式9) =(b1+b2c0)SJ(x) ……………………… (式10) ただし、c0=SC(x)/SJ(x) …………………………… (式11) となる。a1,b1,b2は一般に一定値であり、またc0は
面積比で一定であり、(式7)から、 ΔV(x)=一定 …………………………………… (式12) となる。
信号線212(信号Vout)で、接合面積とゲート面積の
比を略同一にすれば、△Vdrpを完全に除去する。図1
において、信号線211(信号Vm)が信号線212(信号
Vout)より接合面積の割合が小さい場合、接合面積とゲ
ート面積の比を略同一にするためにダミー接合210
(点線で示す)が必要となる。
を垂直信号線145側に切り換えた期間1で1回目のC
DS動作により、垂直信号線145側の信号Vinの前半
期間信号と後半期間信号との差分として正味の信号がサ
ンプルホールドコンデンサ204に得られ、入力切換ス
イッチ200を固定電位側に切り換えた第2の期間とし
ての期間2で2回目のCDS動作により、1回目のCD
S動作と同じフィードスルーレベルを含んだ基準信号が
サンプルホールドコンデンサ204に得られる。その
後、2回目のサンプルホールド動作前後のサンプルホー
ルドコンデンサ204に保持された信号の差をとること
によって、CDS動作で発生する全てのフィードスルー
レベルがキャンセルされた正味の信号成分のみが得られ
る。したがって、この相関2重サンプリング回路を増幅
型固体撮像装置に適用することによって、簡単な構成
で、水平画素選択に伴うFPNを大幅に低減できると共
に、シェーディング状の不均一性を低減でき、FPNの
ない高品位の画像が得られる。
量をサンプルホールドコンデンサ204の容量の10倍
以上にすることによって、クランプコンデンサ201を
通した信号がサンプルホールドコンデンサ204に蓄積
されるときのゲインを大きくすることができる。
Sトランジスタのゲート部面積に対する接合部面積の比
と、サンプルホールドスイッチ203のMOSトランジ
スタのゲート部面積に対する接合部面積の比とを略同一
にすることによって、信号線211(信号Vm)および信
号線212(信号Vout)でMOSトランジスタのリーク
電流による電位低下を各信号線211,212で等しく
なり、CDS動作によりMOSトランジスタのリーク電
流による電位低下を確実に除去することができる。
施形態の増幅型固体撮像装置の回路図を示している。図
4において、2次元画素領域は図17に示す2次元画素
領域140と同じ構成をしており、2次元画素領域は図
と説明を省略し、以下では垂直信号線145以降の信号
経路の回路について説明する。なお、この増幅型固体撮
像装置は、タイミング発生回路を除いて図1に示す相関
2重サンプリング回路と同一の構成部を有し、同一構成
部には同一参照番号を付して説明を省略する。
置は、一端がサンプルホールドスイッチ203に接続さ
れた信号線212の他端を、増幅手段としてのアンプ回
路155の入力端子に接続している。上記アンプ回路1
55の出力端子を水平選択スイッチ156を介して水平
信号線164に接続している。上記水平選択スイッチ1
56の制御入力端子に水平走査回路160からの出力線
161を接続している。また、上記サンプルホールドス
イッチ203の制御入力端子に、サンプルホールド切換
スイッチ207の出力端子を接続し、サンプルホールド
切換スイッチ207の一方の入力端子に第1の制御信号
としてのパルスφSAを入力し、サンプルホールド切換ス
イッチ207の他方の入力端子にAND(論理積)回路2
05の出力端子を信号線208を介して接続している。
上記AND回路205の一方の入力端子にパルスφSHを
入力し、AND回路205の他方の入力端子に水平走査
回路160から出力線161を介して第2の制御信号と
してのパルスφH(j)を入力して、AND回路205から
パルスφSjを出力する。また、上記水平信号線164の
終端にCDS回路168の入力端子を接続し、CDS回
路168の出力端子をアンプ回路169の入力端子に接
続して、アンプ回路169から信号OSを出力する。な
お、この増幅型固体撮像装置は、パルスφSH,φSA,φ
SW2,φCA,φSW,クランプパルスφC2およびサンプルホー
ルドパルスφS2を出力する制御手段としてのタイミング
発生回路214を有している。
関2重サンプリング回路の入力切換スイッチ200の切
り換えをパルスφSWにより制御し、垂直信号線145の
信号または固定電位を入力切換スイッチ200,クラン
プコンデンサ201を介してサンプルホールドスイッチ
203に導く。そして、上記クランプスイッチ202を
パルスφCAにより制御し、クランプコンデンサ201の
出力側をクランプスイッチ202を介してクランプ電位
VCPに接続して、クランプ動作を行う。次に、上記サン
プルホールドスイッチ203をパルスφSjにより制御し
て、サンプルホールドスイッチ203からの信号をサン
プルホールドコンデンサ204に保持し、サンプルホー
ルド動作を行う。そして、上記サンプルホールドコンデ
ンサ204に保持された信号をアンプ回路155により
増幅し、増幅された信号を水平選択スイッチ156を介
して水平信号線164に導く。そうして、上記水平信号
線164に導かれた信号をCDS回路168で処理した
後、アンプ回路169から信号OSを出力する。
5(a)〜(m)のタイミングチャートで示している。図5に
示すように、第1の期間としての水平ブランキング期間
内でパルスφswをハイレベルにすることにより(図5(b)
に示す)、クランプコンデンサ201を入力切換スイッ
チ200を介して垂直信号線145に接続する。そし
て、画素からの受光信号またはリファレンス信号の一方
の読み出し期間(図5(a)の信号V1においてS1で示す)
内の時刻t1で、パルスφCAをハイレベルにすることに
より(図5(c)に示す)、クランプ電位へのクランプ動作
を行う。また、図示しない画素素子からの受光信号また
はリファレンス信号の他方の読み出し期間(図5(a)の信
号V1においてS2で示す)内の時刻t2で、パルスφSAを
ハイレベルにすることにより(図5(d)に示す)、サンプ
ルホールド動作を行う。以上により、画素素子からの受
光信号とリファレンス信号との差分がサンプルホールド
コンデンサ204にホールドされる。
スφswをローレベルとし(図5(b)に示す)、入力切換ス
イッチ200を固定電位(グランドGND)に接続した
後、時刻t3においてパルスφCAによりクランプ入力切
換スイッチ200を再度オンすることにより、クランプ
コンデンサ201の出力側にクランプ電位VCPをホール
ドする。そして、第2の期間としての水平有効期間で
は、パルスφH(j),φH(j+1),φH(j+2),…により(図5
(e)〜(g)に示す)、各垂直信号線145毎に順次水平選
択スイッチ156が導通して、アンプ回路155の出力
を水平信号線164に読み出す。各読み出し期間の途中
の時刻tJ(j=4,5,…)において、パルスφH(j),φ
H(j+1),φH(j+2),…およびパルスφSH(図5(h)に示す)
に基づくパルスφS(j),φS(j+1),φS(j+2),…により(図
5(i)〜(k)に示す)サンプルホールドスイッチ203が
2回目サンプル動作を行う。これにより各アンプ回路1
55から水平信号線164に出力される信号Vsrは、前
半で画素素子からの受光信号とリファレンス信号との差
分をクランプ電位VCPからの変位量によって表す信号と
なると共に、後半でクランプコンデンサ200にホール
ドされたクランプ電位VCPとなる(図5(l)に示す)。こ
れらを図5では第1出力信号Saおよび第2出力信号Sb
で表している。その後、CDS回路168のクランプパ
ルスφC2およびサンプルホールドパルスφS2により(図
5(m),(n)に示す)、第1出力信号Saと第2出力信号Sb
との差分が得られ、バッファアンプ169を介して信号
OSを出力する。
装置は、第1実施形態の相関2重サンプリング回路と同
様の作用,効果を有している。すなわち、第1実施形態
の図1での入力信号VinをV1、信号線211の信号Vm
をV2、信号線212の信号VoutをVsrと置き換えるこ
とにより、水平信号線164上の第1,第2出力信号
Sa,Sbは図2と同様、(式4)と(式5)で表される。し
たがって、水平信号線164に設けられたCDS回路1
68で第1出力信号Saと第2出力信号Sbとの差を取れ
ば、信号OSは上記(式6)と同様、OS=Sa−Sb=k
Vsとなり、各アンプ回路155のばらつきが除去され
るのみでなく、クランプパルスのフィールドスルーレベ
ルΔVCPやサンプルホールドパルスのフィールドスルー
レベルΔVSHが除去され、さらにリーク電流による電位
低下分ΔVdrpも除去された正味の信号Vsのみが得られ
る。すなわち、FPNがほぼ完全に除去された極めて高
画質の画像信号が得られる。
drpを完全に除去するため、信号線211の信号V2の電
位低下と信号線212の信号V3の電位低下とを合わせ
る方法も、図3の場合と同様である。すなわち、信号線
211(信号V2)と信号線212(信号V3)で、接合面積
とゲート面積の比を略同一にすれば、ΔVdrpが完全に
除去される。図4において、信号線211(信号V2)が
信号線212(信号V3)より接合面積の割合が小さい場
合、接合面積とゲート面積の比を略同一にするためにダ
ミー接合210(点線で示す)が必要となる。
ンキング期間で1回目のCDS動作により、画素素子の
受光信号とリセット信号との差分を垂直信号線145毎
のアンプ回路155の入力側に得た後、第2の期間とし
ての水平有効期間で2回目のCDS動作により、1回目
のCDS動作と同じフィードスルーレベルを含んだ基準
信号(クランプ電位)をアンプ回路155に入力した後、
水平信号線164の終端に接続されたCDS回路168
のCDS動作により、差分信号と基準信号との差をとる
ことによって、全てのフィードスルーレベルがキャンセ
ルされた正味の信号成分のみを得ることができる。した
がって、簡単な構成で、水平画素選択に伴うFPNを大
幅に低減できると共に、シェーディング状の不均一性を
低減でき、FPNのない高品位の画像が得られる増幅型
固体撮像装置を実現することができる。
施形態の増幅型固体撮像装置の回路図を示している。こ
の増幅型固体撮像装置は、論理和回路301を除いて第
2実施形態の増幅型固体撮像装置と同一の構成をしてお
り、同一構成部は同一参照番号を付して説明を省略す
る。なお、第2実施形態の図4では省略していたが、図
6に示すように、水平信号線164とグランドGNDと
の間に定電流負荷304を接続している。
らの出力線161に論理和回路301を付加しており、
論理和回路301の一方の入力端子に信号線161を接
続し、論理和回路301の他方の入力端子にパルスφSW
を入力し、論理和回路301の出力端子を信号線302
に接続している。そして、上記論理和回路301により
信号線161のパルス(φH(j),φH(j+1),…)とパルスφ
SWとの論理和を演算し、その演算結果を表すパルス(φ
HA(j),φHA(j+1),…)を信号線302を介して水平選択
スイッチ156の制御入力端子に入力する。
イミングチャートに示している。図7は、第2実施形態
における図5と比べて、パルスφHA(j),φHA(j+1),…が
異なるのみである。すなわち、これらのパルスφHA(j),
φHA(j+1),…では、パルスφ H(j),φH(j+1),…とパルス
φSWとの論理和をとっているため、図7(e)〜(g)に示す
波形となる。したがって、アンプ回路155の信号を水
平信号線164に読み出す水平選択スイッチ156は、
第1の期間(水平ブランキング期間)で同時にオンとなる
と共に、第2の期間(水平有効期間)で順次オンになる。
このことは、CDS回路側から見た場合、以下の特徴を
有することになる。
は、垂直信号線145毎に、第1の期間に一度と第2の
期間に一度の合計2回のサンプルホールド動作をするこ
とが特徴である。すなわち、図7(i)〜(k)に示すよう
に、サンプルホールドスイッチ203は夫々2回オンに
なる。このとき、1回目で画素信号とリファレンス信号
の差分をホールドすると共に、2回目で基準信号として
のクランプ電位信号をホールドする。したがって、2回
の動作では、可能な限り同じ条件となることが望まし
い。図4,図5に示す第2実施形態の場合、サンプルホ
ールド動作の1回目は水平選択スイッチ156がオフ、
サンプルホールド動作の2回目は水平選択スイッチ15
6がオンとなり、サンプルホールドスイッチ203の負
荷側の状態が異なっていた。これに対して、この第3実
施形態では、水平選択スイッチ156がサンプルホール
ド動作の1回目,2回目ともオンとなり、いずれの場合
もアンプ回路155の出力が水平選択スイッチ156を
介して水平信号線164に接続され、サンプルホールド
スイッチ203の負荷側の状態が同じとなる。例えば、
アンプ回路155がソースフォロワ回路の場合、水平選
択スイッチ156がオン/オンすることで入力ゲート容
量が大きく変わり、オン時は入力ゲート下にチャネルが
形成されて、入力ゲート容量が大きくなる一方、オフ時
はチャネルが形成されず、入力ゲート容量が小さくな
る。すなわち、2回の動作とも水平選択スイッチ156
がオンであれば、動作条件が完全に同じとなる。これに
より、FPNやシェーディング状の不均一性をより完全
に低減することができる。
イッチ156は、第1の期間(水平ブランキング期間)で
同時にオンしたが、第1の期間内の少なくともサンプル
ホールドスイッチ203がオンする期間、水平選択スイ
ッチ156を同時にオンすればよい。
施形態の増幅型固体撮像装置の回路図を示している。こ
の増幅型固体撮像装置は、負荷接続スイッチ303およ
び定電流負荷304を除いて第3実施形態の増幅型固体
撮像装置と同一の構成をしており、同一構成部は同一参
照番号を付して説明を省略する。
ランドGNDとの間に、負荷接続スイッチ303を介し
て定電流負荷304を接続している。上記負荷接続スイ
ッチ303の制御入力端子にパルスφLGを入力してい
る。
イミングチャートに示している。図9は第2実施形態に
おける図5と比べて、負荷接続スイッチ303を駆動す
るパルスφLGが付加されている点のみ異なる。すなわ
ち、水平ブランキング期間内において、パルスφHA(j),
φHA(j+1),…により各水平選択スイッチ156が同時に
オンとなる期間内は、パルスφLGがオフとなり、負荷接
続スイッチ303がオフとなり、水平信号線164に定
電流負荷304による電流は流れない。一方、水平有効
期間内において、パルスφHA(j),φHA(j+1),…により各
水平選択スイッチ156が夫々オンとなる期間内は、パ
ルスφLGがオンとなり、負荷接続スイッチ303がオン
となり、水平信号線164に定電流負荷304による電
流は流れる。
は、2回のサンプルホールド動作では、可能な限り同じ
条件となることが望ましい。第3実施形態の図6の場
合、1回目のサンプルホールド動作時、全てのアンプ回
路155の出力が同時に水平選択スイッチ156を介し
て水平信号線164に接続される一方、定電流負荷30
4による負荷電流は一定だから、アンプ回路側で出力に
大きなレベル差があると、互いに干渉が生じる可能性が
ある。このため、第3実施形態では、アンプ回路155
入力側のホールド容量204にも影響を及ぼし、各コラ
ムで独立にサンプルホールド動作させることが困難にな
る場合がある。
固体撮像装置では、図9,図10に示すように、1回目
のサンプルホールド動作時、全てのアンプ回路155の
出力が同時に水平選択スイッチ156を介して水平信号
線164に接続されるとき、負荷接続スイッチ303を
オフすることにより定電流負荷304による負荷電流は
流れないから、アンプ回路155間で出力に大きなレベ
ル差があっても互いに干渉を生じることがない。したが
って、アンプ回路155入力側のホールド容量204に
も影響を及ぼさず、各コラムで独立にサンプルホールド
動作させることができる。すなわち、2回の動作とも正
しいサンプルホールド動作ができ、FPNやシャーディ
ング状の不均一性をより完全に低減できる。
実施形態の増幅型固体撮像装置の回路図を示している。
この増幅型固体撮像装置は、論理積回路401を除いて
第2実施形態の増幅型固体撮像装置と同一の構成をして
おり、同一構成部は同一参照番号を付して説明を省略す
る。
からの出力線161に論理積回路401を付加してお
り、論理積回路401の一方の入力端子に信号線161
を接続し、論理積回路401の他方の入力端子にパルス
φSHの反転信号を入力し、論理積回路401の出力端子
を信号線302に接続している。そして、上記論理積回
路401により信号線161のパルス(φH(j),φH(j+
1),…)とパルスφSHの反転信号との論理積を演算し、そ
の演算結果を表すパルスφHB(j),φHB(j+1),…を信号線
402を介して水平選択スイッチ156の制御入力端子
に入力する。
タイミングチャートに示している。図11は第2実施形
態における図5と比べて、パルスφHB(j),φHB(j+1),…
が異なるのみである。すなわち、これらの信号では、パ
ルスφH(j),φH(j+1),…とパルスφSHの反転信号との論
理積をとっているため、図11(e)〜(g)に示す波形とな
る。したがって、アンプ回路155の信号を水平信号線
164に読み出す水平選択スイッチ156は、第1の期
間(水平ブランキング期間)では、オフ状態になると共
に、第2の期間(水平有効期間)で順次オンになるとき、
サンプルホールドスイッチ203がオンになるときだ
け、オフになる。このことは、その前のCDS回路側か
ら見た場合、図6,図8の場合と同様に、以下の特徴を
有することになる。
は、2回のサンプルホールド動作では、可能な限り同じ
条件となることが望ましい。図10,図11では、サン
プルホールドスイッチ203がオンになる1回目、2回
目とも、水平選択スイッチ156がオフとなり、いずれ
の場合もアンプ回路155の出力が水平選択スイッチ1
56を介して水平信号線164に接続されず、サンプル
ホールドスイッチ203の負荷側の状態が同じとなる。
すなわち、2回の動作とも水平選択スイッチ156がオ
フであれば、動作条件が完全に同じとなる。これにより
FPNやシェーディング状の不均一性をより完全に低減
することができる。
10におけるCDS回路168の構成例を示している。
図12は信号VSRが入力された第2クランプ手段として
のクランプ回路21と第2サンプルホールド手段として
のサンプルホールド回路22とを組み合わせたCDS回
路を示し、クランプ回路21をクランプパルスφC2によ
り制御し、サンプルホールド回路22をサンプルホール
ドパルスφS2により制御する。上記クランプパルスφC2
およびサンプルホールドパルスφS2のタイミングは、図
5(m),(n)に示す通りである。上記CDS回路により、
水平信号線164に読み出される1組の第1出力信号S
aと第2出力信号Sbとの差信号すなわち画素素子からの
受光信号とリファレンス信号との差分が得られる。ま
た、図13は信号VSRが入力された第3,第4サンプル
ホールド手段としての2つのサンプルホールド回路3
1,32と、演算手段としての差動アンプ33とを組み
合わせたCDS回路を示し、サンプルホールド回路3
1,32をサンプルホールドパルスφS3およびφS4によ
り夫々制御する。上記サンプルホールドパルスφS3およ
びφS4のタイミングは、図5(m),(n)のφC2およびφS2
に相当する。上記差動アンプ33によりサンプルホール
ド回路31,32の出力間の差分をとる構成により、水
平信号線164に読み出される1組の第1出力信号Sa
と第2出力信号Sbとの差信号すなわち画素素子からの
受光信号とリファレンス信号との差分が得られる。これ
ら図15,図16に示すCDS回路により、第1出力信
号Saと第2出力信号Sbとの差信号が形成され、全ての
ばらつき成分が除去されたFPNのない画像を表す信号
OSを得ることができる。
サンプルホールド切換スイッチ207を第1の制御信号
としてのパルスφSH側に切り換え、上記水平有効期間内
の水平選択スイッチ156が導通する期間にサンプルホ
ールド切換スイッチ207を第2の制御信号としてのパ
ルス側に切り換えることによって、簡単な構成で水平選
択スイッチ200が順次導通する垂直信号線145毎に
サンプルホールドスイッチ203を制御できる。
明の相関2重サンプリング回路は、入力切換スイッチを
信号線側に切り換えた第1の期間に、第1クランプ手段
および第1サンプルホールド手段による1回目のCDS
動作によって、信号の前半期間信号と後半期間信号との
差分として正味の信号がサンプルホールドコンデンサに
保持し、次いで、入力切換スイッチを固定電位側に切り
換えた第2の期間に、第1クランプ手段および第1サン
プルホールド手段による2回目のCDS動作により、1
回目のCDS動作と同じフィードスルーレベルを含んだ
基準信号がサンプルホールドコンデンサに得られるもの
である。
ンプリング回路によれば、2回目のサンプルホールド動
作前後のサンプルホールドコンデンサに保持された信号
の差を取れば、信号線のノイズ成分がCDS動作で除去
されるのみでなく、上記CDS動作で発生するクランプ
フィードスルーレベル、サンプルホールドフィードスル
ーレベル、さらにリークによる電位低下成分が除去され
た極めて低ノイズの信号を得ることができ、実用上の効
果は絶大である。したがって、この相関2重サンプリン
グ回路を増幅型固体撮像装置に適用することによって、
簡単な構成で、水平画素選択に伴うFPNを大幅に低減
できると共に、シェーディング状の不均一性を低減で
き、FPNのない高品位の画像が得られる。
ング回路は、請求項1の相関2重サンプリング回路にお
いて、上記クランプコンデンサの容量をサンプルホール
ドコンデンサの容量の10倍以上にしたので、クランプ
コンデンサを通した信号がサンプルホールドコンデンサ
に蓄積されるときのゲインを大きくできる。
ング回路は、請求項1または2の相関2重サンプリング
回路において、上記クランプスイッチおよび上記サンプ
ルホールドスイッチは夫々MOSトランジスタからな
り、上記クランプコンデンサの容量に対するクランプス
イッチの接合部面積の比と、上記サンプルホールドコン
デンサの容量に対するサンプルホールドスイッチの接合
部面積の比とを略同一にしたので、クランプコンデンサ
とサンプルホールドコンデンサとの間の信号線およびサ
ンプルホールドコンデンサの出力側の信号線でMOSト
ランジスタのリーク電流による電位低下が等しくなり、
MOSトランジスタのリーク電流による電位低下を上記
CDS動作によって確実に除去できる。
置は、光電変換手段と、その光電変換手段によって形成
された受光信号および受光信号の基準となるリファレン
ス信号とを増幅して出力する増幅型の画素素子と、上記
画素素子の出力が接続された垂直信号線と、上記垂直信
号線の信号を増幅する増幅手段と、上記増幅手段の出力
が水平選択スイッチを介して接続された水平信号線とを
備え、上記画素素子の信号を垂直信号線,増幅手段およ
び水平選択スイッチを介して水平信号線に伝送する増幅
型固体撮像装置において、上記垂直信号線と増幅手段と
の間に、請求項1乃至3のいずれか1つの相関2重サン
プリング回路を設けたものである。
撮像装置によれば、各垂直信号線でのCDS動作で発生
するクランプフィードスルーレベル、サンプルホールド
フィードスルーレベル、さらにリークによる電位低下成
分を除去することが可能となり、全てのばらつき成分が
除去された、高画質の画像信号を得ることができる。ま
た、従来の垂直信号線毎に相関2重サンプリング回路を
設けた場合に比べて、クランプコンデンサの前に入力切
換スイッチを付加するのみで極めて簡単であり、面積も
小さく抑えることが可能である。
置は、請求項4の増幅型固体撮像装置において、上記第
1の期間において、上記入力切換スイッチを上記信号線
側に切り換えて、その第1の期間内の前半期間で上記画
素素子の受光信号またはリファレンス信号の一方を上記
第1クランプ手段によりクランプし、次に、上記第1の
期間の後半期間で上記画素素子の受光信号またはリファ
レンス信号の他方を、上記クランプコンデンサを介して
上記第1サンプルホールド手段によりサンプルホールド
することにより、上記画素素子からの受光信号とリファ
レンス信号との差分をクランプ電位からの変位量によっ
て表す信号を上記サンプルホールドコンデンサに保持し
た後、上記第2の期間において、上記入力切換スイッチ
を上記固定電位側に切り換えて、その第2の期間の初期
に上記固定電位に対し上記クランプ電位を、上記第1ク
ランプ手段により上記クランプコンデンサの出力側にサ
ンプルホールドし、次に、上記水平選択スイッチが導通
して上記増幅手段の出力信号を上記水平信号線に読み出
す期間の前半で、上記画素素子からの受光信号とリファ
レンス信号との差分をクランプ電位からの変位量によっ
て表す第1出力信号を上記増幅手段を介して水平信号線
に出力した後、上記クランプコンデンサの出力側の信号
を上記第1サンプルホールド手段によりサンプルホール
ドして、そのサンプルホールド後の水平選択スイッチの
導通期間の後半でクランプ電位を表す第2出力信号を水
平信号線に出力して、その第1,第2出力信号の差分を
とることによって、受光信号とリファレンス信号との差
分が得られる。
置は、請求項5の増幅型固体撮像装置において、上記水
平信号線からの1組の上記第1出力信号および第2出力
信号のうちの第1出力信号をクランプし、第2出力信号
の期間に第1出力信号と第2出力信号との差信号を出力
する第2クランプ手段と、上記第2クランプ手段からの
上記差信号をサンプルホールドして、サンプルホールド
された上記差信号を出力する第2サンプルホールド手段
との構成により、上記水平信号線に読み出される1組の
第1出力信号と第2出力信号との差信号すなわち画素素
子からの受光信号とリファレンス信号との差分が得ら
れ、全てのばらつき成分が除去されたFPNのない画像
を表す信号を得ることができる。
置は、請求項5の増幅型固体撮像装置において、演算手
段により、上記第1出力信号をサンプルホールドする第
3,第4サンプルホールド回路の出力と上記第2出力信
号をサンプルホールドする第4サンプルホールド回路の
出力間の差分をとる構成により、上記水平信号線に読み
出される1組の第1出力信号と第2出力信号との差信号
すなわち画素素子からの受光信号とリファレンス信号と
の差分が得られ、全てのばらつき成分が除去されたFP
Nのない画像を表す信号を得ることができる。
置は、請求項4乃至7のいずれか1つの増幅型固体撮像
装置において、上記第1の期間の後半にサンプルホール
ド切換スイッチを上記制御手段からの第1の制御信号側
に切り換え、上記第2の期間内の上記水平選択スイッチ
が導通する期間に上記サンプルホールド切換スイッチを
上記制御手段からの第2の制御信号側に切り換えること
によって、簡単な構成で上記水平選択スイッチが順次導
通する垂直信号線毎に上記第1サンプルホールド手段の
サンプルホールドスイッチを制御することができる。
ング回路は、請求項1または2の相関2重サンプリング
回路において、上記クランプスイッチおよび上記サンプ
ルホールドスイッチは夫々MOSトランジスタからな
り、上記クランプスイッチのMOSトランジスタのゲー
ト部面積に対する接合部面積の比と、上記サンプルホー
ルドスイッチのMOSトランジスタのゲート部面積に対
する接合部面積の比とを略同一にしたので、クランプコ
ンデンサとサンプルホールドコンデンサとの間の信号線
およびサンプルホールドコンデンサの出力側の信号線で
MOSトランジスタのリーク電流による電位低下が等し
くなり、MOSトランジスタのリーク電流による電位低
下を上記CDS動作によって確実に除去できる。
リング回路は、請求項5の増幅型固体撮像装置におい
て、上記第1の期間内の少なくとも上記第1サンプルホ
ールド手段によりサンプルホールドする期間に、全ての
上記水平選択スイッチが導通状態とすると共に、上記第
2の期間内の上記クランプコンデンサの出力側の信号を
上記第1サンプルホールド手段によりサンプルホールド
する期間に、上記第1サンプルホールド手段に接続され
た上記水平選択スイッチが導通状態とするので、上記第
1,第2の期間の両方において第1サンプルホールド手
段によりサンプルホールドするときに水平選択スイッチ
が導通状態となり、上記第1サンプルホールド手段の負
荷側の状態が第1,第2の期間で同じとなり、2回の動
作とも動作条件が同じとなるから、FPNやシェーディ
ング状の不均一性をより完全に低減することができる。
リング回路は、請求項10の増幅型固体撮像装置におい
て、上記水平信号線に負荷接続スイッチを介して接続さ
れた定電流負荷を備え、少なくとも全ての上記水平選択
スイッチが導通状態である期間に、上記負荷接続スイッ
チがオフ状態にして、上記定電流源を水平信号線から切
り離すことにより負荷電流が流れないので、各増幅手段
の出力に大きなレベル差があっても互いに干渉を生じる
ことがなく、増幅手段の入力側のサンプルホールドコン
デンサにも影響を及ぼさず、2回の動作とも正しいサン
プルホールド動作ができ、FPNやシャーディング状の
不均一性をより完全に低減することができる。
リング回路は、請求項5の増幅型固体撮像装置におい
て、上記第1の期間内の少なくとも上記第1サンプルホ
ールド手段によりサンプルホールドする期間に、全ての
上記水平選択スイッチが非導通状態とすると共に、上記
第2の期間内の上記クランプコンデサの出力側の信号を
上記第1サンプルホールド手段によりサンプルホールド
する期間に、上記第1サンプルホールド手段に接続され
た上記水平選択スイッチが非導通状態とするので、上記
第1,第2の期間の両方において第1サンプルホールド
手段によりサンプルホールドするときに水平選択スイッ
チが非導通状態となり、上記第1サンプルホールド手段
の負荷側の状態が第1,第2の期間で同じとなり、2回
の動作とも動作条件が同じとなるから、FPNやシェー
ディング状の不均一性をより完全に低減することができ
る。
ンプリング回路の回路図である。
ミングチャートである。
線部の面積関係を示す図である。
撮像装置の回路図である。
イミングを示すタイミングチャートである。
撮像装置の回路図である。
イミングを示すタイミングチャートである。
撮像装置の回路図である。
イミングを示すタイミングチャートである。
固体撮像装置の回路図である。
のタイミングを示すタイミングチャートである。
回路を組み合わせた相関2重サンプリング回路のブロッ
ク図である。
み合わせた相関2重サンプリング回路のブロック図であ
る。
図である。
図である。
示すブロック図である。
回路図である。
示す回路図である。
撮像装置を示す回路図である。
点を説明する図である。
60…水平走査回路、168…CDS回路、200…入
力切換スイッチ、201…クランプコンデンサ、202
…クランプスイッチ、203…サンプルホールドスイッ
チ、204…サンプルホールドコンデンサ、205…A
ND回路、206…クロックライン、207…サンプル
ホールド切換スイッチ、210…ダミー接合。
Claims (12)
- 【請求項1】 一方の入力端子に信号線が接続され、他
方の入力端子に固定電位が印加され、上記信号線の信号
または上記固定電位のいずれか一方を選択して出力する
入力切換スイッチと、 上記入力切換スイッチの出力端子に入力側の一端が接続
されたクランプコンデンサと、上記クランプコンデンサ
の出力側の他端に一端が接続され、他端がクランプ電位
に接続されたクランプスイッチとを有する第1クランプ
手段と、 上記クランプコンデンサの他端に一端が接続されたサン
プルホールドスイッチと、上記サンプルホールドスイッ
チの他端に一端が接続されたサンプルホールドコンデン
サとを有する第1サンプルホールド手段と、 第1の期間において、上記入力切換スイッチを上記信号
線側に切り換えて、その第1の期間の前半で上記信号線
の信号を上記第1クランプ手段によりクランプした後、
上記第1の期間の後半で上記クランプコンデンサの出力
側の信号を上記第1サンプルホールド手段によりサンプ
ルホールドすると共に、上記第1の期間に続く第2の期
間において、上記入力切換スイッチを上記固定電位側に
切り換えて、その第2の期間の前半で上記固定電位に対
し上記クランプ電位を、上記第1クランプ手段により上
記クランプコンデンサの出力側にサンプルホールドした
後、上記クランプコンデンサの出力側の信号を上記第1
サンプルホールド手段によりサンプルホールドするよう
に、上記入力切換スイッチ,クランプスイッチおよびサ
ンプルホールドスイッチを制御する制御手段と備えたこ
とを特徴とする相関2重サンプリング回路。 - 【請求項2】 請求項1に記載の相関2重サンプリング
回路において、 上記クランプコンデンサの容量は、上記サンプルホール
ドコンデンサの容量の10倍以上であることを特徴とす
る相関2重サンプリング回路。 - 【請求項3】 請求項1または2に記載の相関2重サン
プリング回路において、 上記クランプスイッチおよび上記サンプルホールドスイ
ッチは夫々MOSトランジスタからなり、 上記クランプコンデンサの容量に対する上記クランプス
イッチの接合部面積の比と、上記サンプルホールドコン
デンサの容量に対する上記サンプルホールドスイッチの
接合部面積の比とが略同一であることを特徴とする相関
2重サンプリング回路。 - 【請求項4】 光電変換手段と、その光電変換手段によ
って形成された受光信号および受光信号の基準となるリ
ファレンス信号とを増幅して出力する増幅型の画素素子
と、上記画素素子の出力が接続された垂直信号線と、上
記垂直信号線の信号を増幅する増幅手段と、上記増幅手
段の出力が水平選択スイッチを介して接続された水平信
号線とを備え、上記画素素子の信号を上記垂直信号線,
増幅手段および水平選択スイッチを介して水平信号線に
伝送する増幅型固体撮像装置において、 上記垂直信号線と上記増幅手段との間に、請求項1乃至
3のいずれか1つに記載の相関2重サンプリング回路を
設けたことを特徴とする増幅型固体撮像装置。 - 【請求項5】 請求項4に記載の増幅型固体撮像装置に
おいて、 上記第1の期間において、上記入力切換スイッチを上記
垂直信号線側に切り換えて、その第1の期間内の前半期
間で上記画素素子の受光信号またはリファレンス信号の
一方を上記第1クランプ手段によりクランプした後、上
記第1の期間内の後半期間で上記画素素子の受光信号ま
たはリファレンス信号の他方を、上記クランプコンデン
サを介して上記第1サンプルホールド手段によりサンプ
ルホールドすることにより、上記画素素子からの受光信
号とリファレンス信号との差分を上記クランプ電位から
の変位量によって表す信号を上記サンプルホールドコン
デンサにホールドした後、 上記第2の期間において、上記入力切換スイッチを上記
固定電位側に切り換えて、その第2の期間の初期に上記
固定電位に対し上記クランプ電位を、上記第1クランプ
手段により上記クランプコンデンサの出力側にサンプル
ホールドした後、上記水平選択スイッチが導通して上記
増幅手段の出力信号を上記水平信号線に読み出す期間の
前半で、上記画素素子からの受光信号とリファレンス信
号との差分を上記クランプ電位からの変位量によって表
す第1出力信号を上記増幅手段を介して上記水平信号線
に出力した後、上記クランプコンデンサの出力側の信号
を上記第1サンプルホールド手段によりサンプルホール
ドして、そのサンプルホールド後の上記水平選択スイッ
チの導通期間の後半で上記クランプ電位となる第2出力
信号を上記増幅手段を介して上記水平信号線に出力する
ことを特徴とする増幅型固体撮像装置。 - 【請求項6】 請求項5に記載の増幅型固体撮像装置に
おいて、 上記水平信号線からの1組の上記第1出力信号および上
記第2出力信号のうちの上記第1出力信号をクランプ
し、上記第2出力信号の期間に上記第1出力信号と上記
第2出力信号との差信号を出力する第2クランプ手段
と、 上記第2クランプ手段からの上記差信号をサンプルホー
ルドして、サンプルホールドされた上記差信号を出力す
る第2サンプルホールド手段とを備えたことを特徴とす
る増幅型固体撮像装置。 - 【請求項7】 請求項5に記載の増幅型固体撮像装置に
おいて、 上記水平信号線からの1組の上記第1出力信号および上
記第2出力信号のうちの上記第1出力信号をサンプルホ
ールドする第3サンプルホールド手段と、 上記水平信号線からの1組の上記第1出力信号および上
記第2出力信号のうちの上記第2出力信号をサンプルホ
ールドする第4サンプルホールド手段と、 上記第3サンプルホールド手段によって保持された上記
第1出力信号と、上記第4サンプルホールド手段によっ
て保持された上記第2出力信号との差信号を求めて、そ
の差信号を出力する演算手段とを備えたことを特徴とす
る増幅型固体撮像装置。 - 【請求項8】 請求項4乃至7のいずれか1つに記載の
増幅型固体撮像装置において、 上記制御手段は、上記第1の期間の後半にオンする第1
の制御信号と、上記第2の期間内の上記水平選択スイッ
チが導通する期間にオンする第2の制御信号とを出力す
ると共に、 上記第1の制御信号が一方の入力端子に入力され、上記
第2の制御信号が他方の入力端子に入力され、上記第1
サンプルホールド手段の上記サンプルホールドスイッチ
の制御入力端子に出力端子が接続されたサンプルホール
ド切換スイッチを備えたことを特徴とする増幅型固体撮
像装置。 - 【請求項9】 請求項1または2に記載の相関2重サン
プリング回路において、 上記クランプスイッチおよび上記サンプルホールドスイ
ッチは夫々MOSトランジスタからなり、 上記クランプスイッチのMOSトランジスタのゲート部
面積に対する接合部面積の比と、上記サンプルホールド
スイッチのMOSトランジスタのゲート部面積に対する
接合部面積の比とが略同一であることを特徴とする相関
2重サンプリング回路。 - 【請求項10】 請求項5に記載の増幅型固体撮像装置
において、 上記第1の期間内の少なくとも上記第1サンプルホール
ド手段によりサンプルホールドする期間に、全ての上記
水平選択スイッチが導通状態であると共に、 上記第2の期間内の上記クランプコンデンサの出力側の
信号を上記第1サンプルホールド手段によりサンプルホ
ールドする期間に、上記第1サンプルホールド手段に接
続された上記水平選択スイッチが導通状態であることを
特徴とする増幅型固体撮像装置。 - 【請求項11】 請求項10に記載の増幅型固体撮像装
置において、 上記水平信号線に負荷接続スイッチを介して接続された
定電流負荷を備え、 少なくとも全ての上記水平選択スイッチが導通状態であ
る期間に、上記負荷接続スイッチがオフ状態であること
を特徴とする増幅型固体撮像装置。 - 【請求項12】 請求項5に記載の増幅型固体撮像装置
において、 上記第1の期間内の少なくとも上記第1サンプルホール
ド手段によりサンプルホールドする期間に、全ての上記
水平選択スイッチが非導通状態であると共に、 上記第2の期間内の上記クランプコンデサの出力側の信
号を上記第1サンプルホールド手段によりサンプルホー
ルドする期間に、上記第1サンプルホールド手段に接続
された上記水平選択スイッチが非導通状態であることを
特徴とする増幅型固体撮像装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000049505A JP3762604B2 (ja) | 1999-03-30 | 2000-02-25 | 増幅型固体撮像装置 |
GB0007311A GB2351803B (en) | 1999-03-30 | 2000-03-24 | Correlated double sampling circuit and amplification type solid state imaging device employing the same |
KR1020000016659A KR100354792B1 (ko) | 1999-03-30 | 2000-03-30 | 상관 이중 샘플링 회로 및 그를 이용한 증폭형 고체 촬상장치 |
US09/538,713 US6734908B1 (en) | 1999-03-30 | 2000-03-30 | Correlated double sampling circuit and amplification type solid state imaging device employing the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8883399 | 1999-03-30 | ||
JP11-88833 | 1999-03-30 | ||
JP2000049505A JP3762604B2 (ja) | 1999-03-30 | 2000-02-25 | 増幅型固体撮像装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005234305A Division JP2006025451A (ja) | 1999-03-30 | 2005-08-12 | 相関2重サンプリング回路およびそれを用いた増幅型固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000350106A true JP2000350106A (ja) | 2000-12-15 |
JP3762604B2 JP3762604B2 (ja) | 2006-04-05 |
Family
ID=26430175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000049505A Expired - Fee Related JP3762604B2 (ja) | 1999-03-30 | 2000-02-25 | 増幅型固体撮像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6734908B1 (ja) |
JP (1) | JP3762604B2 (ja) |
KR (1) | KR100354792B1 (ja) |
GB (1) | GB2351803B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100414986B1 (ko) * | 2000-11-22 | 2004-01-13 | 샤프 가부시키가이샤 | 샘플링회로 및 이를 이용한 증폭형 고체촬상장치 |
WO2006008880A1 (ja) * | 2004-07-20 | 2006-01-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像装置及びサンプリング回路 |
WO2011048715A1 (ja) * | 2009-10-20 | 2011-04-28 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
CN106506999A (zh) * | 2016-10-18 | 2017-03-15 | 天津大学 | 基于矩匹配的tdi‑cmos图像传感器fpn校正方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3880345B2 (ja) * | 2001-08-27 | 2007-02-14 | キヤノン株式会社 | 差動増幅回路及びそれを用いた固体撮像装置並びに撮像システム |
DE10156627A1 (de) * | 2001-11-17 | 2003-05-28 | Philips Corp Intellectual Pty | Anordnung mit elektrischen Elementen |
IL165336A0 (en) * | 2002-06-27 | 2006-01-15 | Qualcomm Inc | Filtering applicable to digital to analog converter systems |
JP4154268B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
EP1610544A1 (en) * | 2004-06-25 | 2005-12-28 | STMicroelectronics Limited | Readout Circuit for image sensor array |
JP2006042121A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Sharp Corp | 増幅型固体撮像装置 |
JP6798374B2 (ja) * | 2017-03-15 | 2020-12-09 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5822900B2 (ja) * | 1978-09-25 | 1983-05-12 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
JPS6134798A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-19 | Sharp Corp | 電荷転送素子の出力信号処理回路 |
JP3018546B2 (ja) * | 1991-03-18 | 2000-03-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JPH05316338A (ja) * | 1992-05-08 | 1993-11-26 | Nec Corp | サンプルホールド回路 |
JP3854639B2 (ja) * | 1995-08-11 | 2006-12-06 | 株式会社 東芝 | Mos型固体撮像装置 |
JPH09260627A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-10-03 | Sharp Corp | 増幅型固体撮像装置 |
JP3624585B2 (ja) | 1996-11-05 | 2005-03-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
GB2318473B (en) * | 1996-10-17 | 2000-11-29 | Sony Corp | Solid state imaging device,signal processing method and camera |
US5872470A (en) * | 1996-11-29 | 1999-02-16 | Varian Associates, Inc. | Pipelined sample and hold circuit with correlated double sampling |
JP3544084B2 (ja) | 1996-12-10 | 2004-07-21 | シャープ株式会社 | 増幅型固体撮像装置 |
-
2000
- 2000-02-25 JP JP2000049505A patent/JP3762604B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-24 GB GB0007311A patent/GB2351803B/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-30 US US09/538,713 patent/US6734908B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-30 KR KR1020000016659A patent/KR100354792B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100414986B1 (ko) * | 2000-11-22 | 2004-01-13 | 샤프 가부시키가이샤 | 샘플링회로 및 이를 이용한 증폭형 고체촬상장치 |
WO2006008880A1 (ja) * | 2004-07-20 | 2006-01-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像装置及びサンプリング回路 |
WO2011048715A1 (ja) * | 2009-10-20 | 2011-04-28 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
CN106506999A (zh) * | 2016-10-18 | 2017-03-15 | 天津大学 | 基于矩匹配的tdi‑cmos图像传感器fpn校正方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100354792B1 (ko) | 2002-10-05 |
GB0007311D0 (en) | 2000-05-17 |
US6734908B1 (en) | 2004-05-11 |
JP3762604B2 (ja) | 2006-04-05 |
KR20000063085A (ko) | 2000-10-25 |
GB2351803A (en) | 2001-01-10 |
GB2351803B (en) | 2001-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5546257B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US9781278B2 (en) | Solid-state image sensor and image reading apparatus | |
US6914227B2 (en) | Image sensing apparatus capable of outputting image by converting resolution by adding and reading out a plurality of pixels, its control method, and image sensing system | |
US8159582B2 (en) | Solid-state imaging apparatus and method of driving the same | |
EP2448254B1 (en) | Solid-state image pickup device | |
JP4315032B2 (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 | |
JP2002507346A (ja) | 減じられた固定パターン雑音を有するcmos画像センサ及び利得訂正 | |
JPH06237471A (ja) | 電子画像形成システムの改良アナログ信号処理装置 | |
US6822211B2 (en) | Solid-state image-sensing device | |
JPH0439833B2 (ja) | ||
AU618557B2 (en) | Output signal processing circuit for ccd register | |
KR20090023612A (ko) | Cmos 선형 전압/전류 듀얼-모드 촬상 장치 | |
JP2000350106A (ja) | 相関2重サンプリング回路およびそれを用いた増幅型固体撮像装置 | |
JP2003009003A (ja) | 撮像装置および撮像システム | |
US8102451B2 (en) | VLN biasing scheme to achieve low vertical shading for high-speed and large-format CMOS image sensors with top/bottom readout scheme | |
JP2005210335A (ja) | 相関二重サンプリング回路、信号処理回路及び固体撮像装置 | |
JP2006025451A (ja) | 相関2重サンプリング回路およびそれを用いた増幅型固体撮像装置 | |
KR100414986B1 (ko) | 샘플링회로 및 이를 이용한 증폭형 고체촬상장치 | |
JPH06189319A (ja) | 電子カラー画像システムとアナログ信号プロセッサ | |
JP3967906B2 (ja) | 相関2重サンプリング回路およびそれを用いた増幅型固体撮像装置 | |
JPH11313256A (ja) | 増幅型固体撮像装置 | |
JPS6160084A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2005323410A (ja) | サンプリング回路および増幅型固体撮像装置。 | |
JPS6170872A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH04144362A (ja) | マルチチップ型光電変換装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050603 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060113 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100120 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110120 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120120 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |